JP2006334912A - ラミネート装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 表面に微小な凹部を有する被ラミネート部材に対して、凹部内に気泡を巻き込むことなく良好にラミネートを行うことの可能なラミネート装置を提供する。
【解決手段】 ダイアフラム12によって仕切られたチャンバー3、4を有し、下側のチャンバー内にヒータ6を備えたラミネート装置11において、ダイアフラム12のヒータに面する側の面12aを、ヒータに向かって凸型の形状とし、ダイアフラムを被ラミネート部材5及び樹脂ラミネート材7に押し付けた際、ダイアフラム12が中央部から外周に向かって徐々に接触し、樹脂ラミネート材を被ラミネート部材に対して中央部から外周部に向かって徐々に圧着させ、凹部に残りがちな微小な気泡を外周に向かって搾り出してゆく構成とする。
【選択図】 図1
【解決手段】 ダイアフラム12によって仕切られたチャンバー3、4を有し、下側のチャンバー内にヒータ6を備えたラミネート装置11において、ダイアフラム12のヒータに面する側の面12aを、ヒータに向かって凸型の形状とし、ダイアフラムを被ラミネート部材5及び樹脂ラミネート材7に押し付けた際、ダイアフラム12が中央部から外周に向かって徐々に接触し、樹脂ラミネート材を被ラミネート部材に対して中央部から外周部に向かって徐々に圧着させ、凹部に残りがちな微小な気泡を外周に向かって搾り出してゆく構成とする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、薄い金属板などの板状の部材(被ラミネート部材)に対して樹脂シート、樹脂フィルムなどの樹脂ラミネート材をラミネートする技術に関する。
従来、金属板に樹脂フィルムをラミネートするためのラミネート装置として、図3(a)、(b)に示すように、ダイアフラム2により仕切られた上下二つのチャンバー3、4と、両チャンバー3、4をそれぞれ真空吸引する真空吸引手段を備えた二重真空方式のラミネート装置1が知られている(特許文献1、2参照)。このラミネート装置1は、下側のチャンバー4に被ラミネート部材5を載せて加熱する加熱面6aを備えたヒータ6が設けられており、図3(a)に示すように、そのヒータ6の上に被ラミネート部材5とそれにラミネートする樹脂シート、樹脂フィルムなどの樹脂ラミネート材7を載せ、上下のチャンバー3、4内を真空に引きながら被ラミネート部材5及びその上の樹脂ラミネート材7を加熱し、その後、図3(b)に示すように、上側のチャンバー3内を大気に開放することで、ダイアフラム2を上側のチャンバー3内の大気圧でヒータ6に押し付け、樹脂ラミネート材7を被ラミネート部材5に密着させ、ラミネートする構成となっている。
ところが、この構成のラミネート装置において、被ラミネート部材5として図4に示すように上面に多数の微小な凹部8を備えたものを用いたところ、凹部8内に微小な気泡9が残ってしまうことがあるということが判明した。例えば、凹部8が直径50〜200μm、深さ10〜80μmと比較的小さいものに対しては、直径10〜30μm程度の微小な気泡9が残ってしまうことがあった。この気泡の防止には、真空度を上げて対応する方法もあるが、チャンバー設計や真空吸引手段として用いる真空ポンプのコストが上がってしまうという問題を生じる。
特公平4−65556号公報
特公平6−52801号公報
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、上面に微小な凹部を備えた被ラミネート部材に対しても、凹部内に気泡を残すことなく良好にラミネートを行うことの可能なラミネート装置を提供することを課題とする。
本発明は、上下二つのチャンバーと、下側のチャンバーに設けられ、被ラミネート部材を保持して加熱するヒータと、前記した上下二つのチャンバーを仕切るダイアフラムであって、上側のチャンバー内の圧力を下側のチャンバー内の圧力よりも大きくした時にその圧力差によって変形し、前記ヒータ上に置かれた被ラミネート部材及びその上のラミネートすべき樹脂ラミネート材を加圧するダイアフラムと、前記上下二つのチャンバーをそれぞれ真空吸引する真空吸引手段とを備えたラミネート装置において、被ラミネート部材の上面の凹部内に気泡が残るのを防止するため、前記ダイアフラムの、前記ヒータに面する側の面を、前記ヒータに向かって凸型の形状とするという構成としたものである。
ここで、前記ダイアフラムの、前記ヒータとは反対側の面は平坦面としておくことが好ましい。
本発明のラミネート装置では、下側のチャンバーを真空引きした状態で上側のチャンバーを大気開放して、ダイアフラムを被ラミネート部材及び樹脂ラミネート材に押し付けた際、ダイアフラムが、被ラミネート部材及びその上の樹脂ラミネート材に対して、中央部から外周に向かって徐々に接触することとなり、このため、樹脂ラミネート材が被ラミネート部材に対して中央部から外周部に向かって徐々に圧着されてゆき、被ラミネート部材の上面に凹部がある場合においてその凹部に残りがちな微小な気泡を外周に向かって搾り出してゆく。かくして、上面に微小な凹部を有する被ラミネート部材に対するラミネートにおいても、チャンバー内の真空度をさほど上げなくても、凹部内に気泡を残すことなく良好にラミネートを行うことができる。
図1(a)、(b)、(c)は本発明の好適な実施の形態に係るラミネート装置を、異なる作動状態で示す概略断面図であり、図3に示す従来例と同一部品には同一符号を付している。本発明の実施形態に係るラミネート装置11は、上下二つのチャンバー3、4と、下側のチャンバー4に設けられ、上面を加熱面6aとしたヒータ6と、上下二つのチャンバー3、4を仕切るように配置されたダイアフラム12と、上下二つのチャンバー3、4をそれぞれ真空吸引する真空ポンプ等の真空吸引手段(図示せず)等を備えている。
ダイアフラム12は上側のチャンバー3に取り付けられており、上側のチャンバー3は、下側のチャンバー4を開放することができるよう開閉可能となっている。ここで用いているダイアフラム12は、従来の一定膜厚の平坦なものとは異なり、ダイアフラム12のヒータ6に面する側の面(以下、下面という)12aを、ヒータ6に向かって凸型の形状とし、反対側の面(以下、上面という)12bを平坦としている。従って、ダイアフラム12の厚さは、中央部が最も厚く、外周に向かって徐々に減少している。
次に、上記構成のラミネート装置11によるラミネート動作を説明する。まず、上側のチャンバー3を上方に旋回或いは移動させて下側のチャンバー4の上面を開き、下側のチャンバー4のヒータ6の加熱面(上面)6aに被ラミネート部材5及び樹脂ラミネート材7を載せ、次いで、上側のチャンバー3を真空引きしながら、図1(a)に示すように、下側のチャンバー4の上にかぶせて密着させ、下側のチャンバー4を閉じる。なお、上側のチャンバー3を下側のチャンバー4の上にかぶせて行く際に真空引きするのは、ダイアフラム12が垂れ下がって被ラミネート部材5や樹脂ラミネート材7に接触することを防止するためである。
上下のチャンバー3、4を密着させた後、下側のチャンバー4の真空引きも開始し、次いで、ヒータ6による加熱を開始し、被ラミネート部材5及びその上の樹脂ラミネート材7を加熱し、樹脂ラミネート材7を溶融する。上下のチャンバー3、4が所定の真空度(例えば、1Torr)に到達し且つ樹脂ラミネート材7が溶融した後、図1(b)に示すように、上側のチャンバー3を大気開放し、大気圧をダイアフラム12の上面に作用させる。これにより、ダイアフラム12が被ラミネート部材5及びその上の樹脂ラミネート材7に押し付けられ、樹脂ラミネート材7を被ラミネート部材5に押し付ける。この際、ダイアフラム12は、下面12aが下方に凸となっているため、最も下方に凸となった中央部から樹脂ラミネート材7への接触を開始し、中央部から外周に向かって徐々に接触してゆく。このため、樹脂ラミネート材7が被ラミネート部材5に対して中央部から外周部に向かって徐々に圧着されてゆき、被ラミネート部材5の上面に凹部がある場合においてその凹部に残りがちな微小な気泡を外周に向かって搾り出してゆく。そして、図1(c)に示すように、ダイアフラム12を樹脂ラミネート材7及び被ラミネート部材5の全面に押し付けた後は、その状態でダイアフラム12による加圧を一定時間継続する。これにより、溶融した樹脂ラミネート材7が被ラミネート部材5に確実に圧着される。かくして、上面に微小な凹部を有する被ラミネート部材5に対するラミネートにおいても、凹部内に気泡を残すことなく良好にラミネートを行うことができる。
ここで、ダイアフラム12の下面12aに付与する凸型形状は、ダイアフラム12で樹脂ラミネート材7を被ラミネート部材5に圧着させる際に、樹脂ラミネート材7を中央部から外周部に向かって徐々に圧着させてゆき、被ラミネート部材5の上面に凹部がある場合においてその凹部から気泡を搾り出すことができるような形状であれば任意であり、代表的な例として、図1及び図2(a)に示すように、低い円錐状を例示できるが、これに限らず、他の形状を用いても良い。図2(b)は異なる凸型形状を用いたダイアフラム12Aを示すものであり、このダイアフラム12Aは下面12Aaを、球面状としている。また、これ以外の形状、例えば、低い角錐状を用いてもよく、更には、円錐或いは角錐と球面を組み合わせたような形状(例えば、全体が円錐状で頂部のみを球面状としたような形状)を用いてよい。更に、本発明で用いる凸型形状は、円錐、角錐、球面等の中心線を含む任意の断面で凸型となっているものに限定されず、三角柱状、かまぼこ状等の長手方向に対して直角な断面において凸型となった形状としてもよい。
ダイアフラム12の下面12aに形成する凸型形状の傾斜の大きさも上記した作用を果たすように選定すればよく、例えば、図2(a)に示す傾斜角αが1〜15度程度に、好ましくは5〜15度程度に選定すればよい。また、図2(b)に示すような球面を用いる場合においても、平均的な傾斜角が円錐状の場合の傾斜角αと同様になるように選定すればよい。凸型形状を形成する領域の大きさS〔図2(a)参照〕は、樹脂ラミネート材7のほぼ全域を覆うことができるように定めれておくことが好ましい。
ダイアフラム12(又は12A)の材質は、従来のダイアフラム2に用いているものと同様なもの〔ゴム硬度(JIS K 6253)が70〜80程度のゴム材〕としてもよいが、気泡の絞り出し効果を向上させる上からは、これよりも軟らかいゴム材を用いることが好ましい。その場合、ダイアフラム12(又は12A)の全体を軟らかいゴム材で形成してもよいが、あまり軟らかくし過ぎると、自重による変形が大きくなってトラブルを起こすこともあるので、これらを考慮してゴム硬度を定めればよい。また、ダイアフラム12(又は12A)は、単一構造に作成してもよいし、積層構造を採用してもよい。図2(c)に示すダイアフラム12Bは、平板状の基材部分22Bに凸型形状の表面層23Bを積層したものであり、図2(d)に示すダイアフラム12Cは、下面を凸型形状とした基材部分22Cに、一定厚さの表面層23Cを積層したものである。これらのダイアフラム12B、12Cにおいては、基材部分22B、22Cにダイアフラムとして使用するのに必要な強度、剛性を持たせ、表面層23B、23Cを軟らかいゴム材で構成している。この構成とすることで、表面層23B、23Cのゴム硬度をきわめて低くすることが可能となり、気泡の絞り出し効果を高めることができる。
上記した実施の形態では、ダイアフラム12、12A、12B、12Cの上面12bを平坦面としているが、本発明に使用するダイアフラムの形態はこれに限らず、変更可能である。図2(e)に示すダイアフラム12Dは、下面のみならず、上面も下方に凸型形状となるようにしたものである。この構成のダイアフラム12Dを用いることによっても、樹脂ラミネート材7の中央部から圧着を開始し、気泡を外周に向かって搾り出してゆきながらラミネートを行うことができ、気泡の残らない良好なラミネートを行うことができる。なお、全体を下方に凸型としたダイアフラム12Dを用いる場合には、ダイアフラム12Dを上側のチャンバー3に取り付けるに当たって、あまり大きい張力を加えると下方に凸型となった形状が変形する恐れがあるので、取り付け時に注意が必要である。一方、図2(a)〜図2(d)に示すように、ダイアフラムの上面12aを平坦面としておくと、ダイアフラム12に大きい張力を加えても形状がほとんど変形せず、このため、ダイアフラムを適当に張った状態で上側のチャンバー3に取り付ける際の作業が容易になる利点が得られる。
以上に本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載範囲内で適宜変更可能であることは言うまでもない。
本発明のラミネート装置は、薄い板状の被ラミネート部材に樹脂をラミネートする任意の用途に使用可能であり、例えば、太陽電池パネルの製造、プリント回路基板への樹脂ラミネート材貼り合わせ、薄い金属プレート類への樹脂ラミネート材のコーティング等に好適である
1、11 ラミネート装置
2、12、12A、12B、12C、12D ダイアフラム
3 上側のチャンバー
4 下側のチャンバー
5 被ラミネート部材
6 ヒータ
6a 加熱面
7 樹脂ラミネート材
12a 下面
12b 上面
22B、22C 基材部分
23B、23C 表面層
2、12、12A、12B、12C、12D ダイアフラム
3 上側のチャンバー
4 下側のチャンバー
5 被ラミネート部材
6 ヒータ
6a 加熱面
7 樹脂ラミネート材
12a 下面
12b 上面
22B、22C 基材部分
23B、23C 表面層
Claims (2)
- 上下二つのチャンバーと、下側のチャンバーに設けられ、被ラミネート部材を保持して加熱するヒータと、前記した上下二つのチャンバーを仕切るダイアフラムであって、上側のチャンバー内の圧力を下側のチャンバー内の圧力よりも大きくした時にその圧力差によって変形し、前記ヒータ上に置かれた被ラミネート部材及びその上のラミネートすべき樹脂ラミネート材を加圧するダイアフラムと、前記上下二つのチャンバーをそれぞれ真空吸引する真空吸引手段とを備え、前記ダイアフラムは、前記ヒータに面する側の面を、前記ヒータに向かって凸型の形状としていることを特徴とするラミネート装置。
- 前記ダイアフラムは、前記ヒータとは反対側の面を平坦面としていることを特徴とする請求項1記載のラミネート装置。
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