JP2006332149A - マークの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板上への薄膜片の付着を防止することができるマークの製造方法を提供する。
【解決手段】 照明光として極端紫外光を用いる露光装置に備えられるマークの製造方法であって、基板上の所定の領域に多層膜及び吸収体膜からなる薄膜を形成する薄膜形成工程(S10)と、前記薄膜形成工程により前記薄膜が形成された前記所定の領域に前記マークを形成するマーク形成工程(S11)と、前記基板の前記マーク形成工程により前記マークが形成された前記所定の領域以外の部分を切断する切断工程(S12)とを含む。
【選択図】 図1
【解決手段】 照明光として極端紫外光を用いる露光装置に備えられるマークの製造方法であって、基板上の所定の領域に多層膜及び吸収体膜からなる薄膜を形成する薄膜形成工程(S10)と、前記薄膜形成工程により前記薄膜が形成された前記所定の領域に前記マークを形成するマーク形成工程(S11)と、前記基板の前記マーク形成工程により前記マークが形成された前記所定の領域以外の部分を切断する切断工程(S12)とを含む。
【選択図】 図1
Description
この発明は、半導体集積回路等のリソグラフィで用いられる基板上に形成されるマークの製造方法に関するものである。
エキシマレーザを光源とした露光装置においては、回路原版となるレチクルを保持するレチクルステージ上にマーク(基準マーク)が形成された基準マーク板(基準部材)を備えている(例えば、特許文献1及び特許文献2参照)。この基準マーク板は、一般的なフォトレチクルと同様に、ガラス基板上にコートされたクロム(Cr)をパターンニングすることにより製造されている。この際、基準マーク板上に形成されるマークの描画やエッチングによるクロム除去の工程は、一般的なフォトレチクルのパターン描画やエッチングの工程と同様である。また、レチクルステージ上に基準マーク板を配置することができる面積は限られているため、マーク形成後にガラス基板のマークが形成されていない部分を切断し、ガラス基板の一部を基準マーク板としてレチクルステージ上に搭載している。
ところで、極端紫外光(EUV光)を露光光として用いる露光装置においては、回路原版となるレチクルは従来のような透過型ではなく反射型となるため、レチクルとなるガラス基板上には多層膜(例えばMo/Si多層膜)ミラー、吸収体、その中間層の酸化防止膜等が形成される。EUV光用の基準マーク板を製造する場合、基準マーク板上に形成されるマークの描画やエッチング等の工程は、EUV光用の反射型レチクルのパターン描画やエッチング等の工程と同様となる。また、EUV光を用いた露光装置においても、レチクルステージ上に基準マーク板を配置できる面積が限られているため、マーク形成後にガラス基板のマークが形成されていない部分を切断することとなるが、ガラス基板の切断時に多層膜ミラーや吸収体等の薄膜片が散乱し、マークが形成されている部位にその薄膜片が付着する。
また、Mo/Si多層膜が成膜されているガラス基板の切断時に発生するMo/Si多層膜の薄膜片がガラス基板上のMo/Si多層膜面に付着した場合に、この付着した薄膜片を除去するのは困難である。従って、反射型基準マーク板のマークが形成されている部位に薄膜片等が付着した状態となり、高精度な反射型基準マーク板を製造することが困難となっていた。
この発明の課題は、基板上への薄膜片の付着を防止することができるマークの製造方法を提供することである。
この発明のマークの製造方法は、照明光として極端紫外光を用いる露光装置に備えられるマークの製造方法であって、基板上の所定の領域に多層膜及び吸収体膜からなる薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程により前記薄膜が形成された前記所定の領域に前記マークを形成するマーク形成工程と、前記基板の前記マーク形成工程により前記マークが形成された前記所定の領域以外の部分を切断する切断工程とを含むことを特徴とする。
この発明のマークの製造方法によれば、基板上の薄膜が形成されていない部分を切断するため、切断時に薄膜片が発生することがなく、基板上のマークが形成されている部分への薄膜片の付着を防止することができ、高精度なマークを製造することができる。また、既定サイズの基板上にマークを作成する既存の装置を用いて、小さいマーク基板を製造することができ、照明光として極端紫外光を用いる露光装置等の精度基準となる基準マークとして好適に使用することができる。
この発明のマークの製造方法によれば、基板上の薄膜が形成されていない部分を切断するため、切断時に薄膜片が発生することがなく、基板上のマークが形成されている部分への薄膜片の付着を防止することができ、高精度なマークを製造することができる。また、既定サイズの基板上にマークを作成する既存の装置を用いて、小さいマーク基板を製造することができ、照明光として極端紫外光を用いる露光装置等の精度基準となる基準マークとして好適に使用することができる。
以下、図面を参照して、この発明の第1の実施の形態にかかるマークの製造方法について説明する。この実施の形態においてマークとは、露光光(照明光)として極端紫外光(EUV光)を用いる露光装置のマスクステージ上に備えられ、露光装置の精度基準となる基準マークのことを示している。図1は、第1の実施の形態にかかるマークの製造方法について説明するためのフローチャートである。
まず、図2に示すようなマーク製造に用いられる一辺aが6インチ、厚さbが2インチのガラス製のフォトレチクル製造用基板(以下、ガラス基板という。)2を準備する。ここで、マーク製造に用いられるガラス基板2は、低熱膨張基板、即ち熱膨張が100ppb/K以下の基板である。次に、準備したガラス基板2上の所定の領域2aに、薄膜形成装置等を用いて、多層膜及び吸収体膜からなる薄膜を形成する(ステップS10、薄膜形成工程)。なお、所定の領域2aの大きさは、露光光としてEUV光を用いる露光装置のマスクステージ上に基準マーク板(基準反射板)を設置することができる面積により決定される。
図3は、図1のステップS10に示す薄膜の形成方法について説明するためのフローチャートである。まず、ガラス基板2の所定の領域2a以外の領域(部分)2bに、図4に示すように、剥離用のコート材(この実施の形態においては、厚さ10nm〜1μmの銀(Ag)膜)4によりマスキングを行う(ステップS20)。ステップS20においてマスキングされない部分がマークとして使用される部分となる。
次に、図5に示すように、ガラス基板2の全領域(2a及び2b)に、多層膜(この実施の形態においては、Mo/Si)6及び吸収体膜8を成膜する(ステップS21)。次に、図6に示すように、剥離用の液体(この実施の形態においては、硝酸)を用いて、ガラス基板2の領域2b上に成膜されているコート材4を剥離する(ステップS22)。コート材4が剥離されることによりコート材4上に成膜されていた薄膜(多層膜6及び吸収体膜8)も剥離される。即ち、ステップS20におけるマスキングを行うことにより、所定の領域2aにのみ薄膜(多層膜6及び吸収体膜8)を形成することができる。
次に、図1のフローチャートに示すように、ステップS10において薄膜が形成された所定の領域2aにマークを形成する(ステップS11、マーク形成工程)。図7は、図1のステップS11に示すマークの形成方法について説明するためのフローチャートである。まず、図8に示すように、ガラス基板2の全領域(2a及び2b)に、レジスト塗布装置等を用いて、レジスト(感光樹脂)10を塗布する(ステップS30、レジスト塗布工程)。
次に、図9に示すように、ステップS30においてレジストが塗布された所定の領域2aに、露光描画装置(例えば、電子ビーム描画装置)等を用いて、マーク12を描画する(ステップS31、マーク描画工程)。なお、露光光としてEUV光を用いる露光装置においては、マークの位置及び線幅の精度としてナノオーダの精度が求められるため、マスクライタ等の高精度な描画装置を用いることが望ましい。
次に、ステップS31においてマーク12が描画された所定の領域2aに塗布されているレジスト10を、現像装置等を用いて、現像する(ステップS32、レジスト現像工程)。次に、図10に示すように、ステップS32において現像されたレジスト10が塗布されている所定の領域2aを、エッチング装置等を用いて、エッチングする(ステップS33、エッチング工程)。ステップS33におけるエッチングにより多層膜6上に塗布されている吸収体8が除去される。
次に、図11に示すように、ステップS33においてエッチングが行われた所定の領域2aに塗布されているレジスト10を、剥離装置等を用いて、剥離する(ステップS34、レジスト剥離工程)。ステップS34におけるレジスト剥離により吸収体8上に残存しているレジスト10が除去される。
次に、図1のフローチャートに示すように、ガラス基板2のステップS11においてマーク12が形成された所定の領域以外の部分2bを切断する(ステップS12、切断工程)。図12に示すように、切断によりガラス基板2の破片等14が発生し、所定の領域2a上を覆うが、多層膜6及び吸収体膜8等の薄膜が形成されていない部分を切断するため、洗浄により除去することが困難な薄膜片の発生及び所定の領域2a上への薄膜片の付着を防止することができる。
次に、図1のフローチャートに示すように、ステップS12において切断された所定の領域2aを含むガラス基板2を洗浄する(ステップS13、洗浄工程)。図13に示すように、ガラス基板2の破片等14が洗浄により除去される。
この第1の実施の形態にかかるマークの製造方法によれば、ガラス基板上の薄膜(Mo/Si多層膜及び吸収体膜)が形成されていない部分を切断するため、切断時に薄膜片が発生することがなく、ガラス基板上のマークが形成されている部分への薄膜片の付着を防止することができ、高精度なマークを製造することができる。また、既定サイズの基板上にマークを作成する既存の装置を用いて、小さいマーク基板を精密に製造することができ、露光光(照明光)としてEUV光を用いる露光装置等の精度基準となる基準マークとして好適に使用することができる。
次に、図面を参照して、この発明の第2の実施の形態にかかるマークの製造方法について説明する。この実施の形態においてマークとは、極端紫外光(EUV光)を用いた露光装置の精度基準となる基準マークのことを示している。図14は、この実施の形態にかかるマークの製造方法について説明するためのフローチャートである。まず、マーク製造に用いられるフォトレチクル製造用基板(ガラス基板)を準備する。なお、ガラス基板の熱膨張は、100ppb/K以下である。次に、ガラス基板上の所定の領域に、薄膜形成装置等を用いて、多層膜及び吸収体膜からなる薄膜を形成する(ステップS40、薄膜形成工程)。なお、第2の実施の形態にかかる薄膜の形成方法は、第1の実施の形態にかかる薄膜の形成方法と同一のため詳細な説明は省略する。
次に、ステップS40において薄膜が形成された所定の領域に、レジスト(感光樹脂)を塗布する(ステップS41、レジスト塗布工程)。次に、ステップS31においてレジストが塗布された所定の領域に、電子ビーム描画装置等を用いて、マークを描画する(ステップS42、マーク描画工程)。次に、ステップS42においてマークが描画された所定の領域に塗布されているレジストを現像する(ステップS43、レジスト現像工程)。次に、ステップS43において現像されたレジストが塗布されている所定の領域をエッチングする(ステップS44、エッチング工程)。
次に、ガラス基板の所定の領域以外の部分を切断する(ステップS45、切断工程)。切断によりガラス基板の破片等が発生し、これら破片等がガラス基板のマークが形成されている所定の領域を覆うが、薄膜が形成されていない部分を切断するため、洗浄により除去することが困難な薄膜片の発生及び所定の領域への薄膜片の付着を防止することができる。
次に、ステップS45により切断された所定の領域を含むガラス基板に塗布されているレジストを剥離する(ステップS46、レジスト剥離工程)。このとき、図15(a)に示すようにガラス基板20の所定の領域上を覆ったガラス基板20の破片等22のうちレジスト24上を覆った破片等22は、図15(b)に示すように、レジスト24が剥離されると同時に除去される。
次に、ステップS46においてレジスト24が剥離された所定の領域を含むガラス基板20を洗浄する(ステップS47、洗浄工程)。洗浄することにより、ステップS46において除去することができなかったガラス基板20の破片等22を除去することができる。
この第2の実施の形態にかかるマークの製造方法によれば、ガラス基板上の薄膜(Mo/Si多層膜及び吸収体膜)が形成されていない部分を切断するため、切断時に薄膜片が発生することがなく、ガラス基板上のマークが形成されている部分への薄膜片の付着を防止することができ、高精度なマークを製造することができる。また、ガラス基板を切断した後にレジストを剥離し、かつ洗浄を行うため、切断により発生するガラス基板の破片等を効率良く除去することができる。
次に、図面を参照して、この発明の第3の実施の形態にかかるマークの製造方法について説明する。この実施の形態においてマークとは、極端紫外光(EUV光)を用いた露光装置の精度基準となる基準マークのことを示している。図16は、この実施の形態にかかるマークの製造方法について説明するためのフローチャートである。なお、第3の実施の形態にかかるマークの製造方法においては、第1の実施の形態にかかるマークの製造方法の切断工程(図1のステップS12)以外の処理は第1の実施の形態にかかるマークの製造方法における処理と同一であるため、第1の実施の形態にかかるマークの製造方法における同一の工程については詳細な説明を省略する。
まず、フォトレチクル製造用基板(ガラス基板)を準備し、ガラス基板上の所定の領域に多層膜及び吸収体膜からなる薄膜を形成する(ステップS50、薄膜形成工程)。次に、ステップS50において薄膜が形成された所定の領域にマークを形成する(ステップS51、マーク形成工程)。
次に、図17に示すように、ステップS51においてマークが形成されたガラス基板30に保護膜(例えば、レジスト等)32を塗布する(ステップS52、保護膜塗布工程)。次に、図18に示すように、ステップS51において保護膜32が塗布されたガラス基板30の所定の領域以外の部分を切断する(ステップS53、切断工程)。このとき、切断によりガラス基板30のは破片等34が発生し、保護膜32上を覆う。
次に、ステップS53において切断された所定の領域を含むガラス基板30上に塗布されている保護膜32を剥離する(ステップS54、保護膜剥離工程)。ステップS53において切断することにより発生したガラス基板30の破片等34は、ステップS54において保護膜32を剥離すると同時に保護膜32上を覆った破片等34も除去される。
次に、ステップS54において保護膜32が剥離された所定の領域を含むガラス基板30を洗浄する(ステップS55、洗浄工程)。洗浄することにより、ステップS54において保護膜32を剥離した際に完全に除去することができなかった破片等34を除去する。
この第3の実施の形態にかかるマークの製造方法によれば、ガラス基板上の薄膜(Mo/Si多層膜及び吸収体膜)が形成されていない部分を切断するため、切断時に薄膜片が発生することがなく、ガラス基板上のマークが形成されていない部分への薄膜片の付着を防止することができ、高精度なマークを製造することができる。また、切断する前にマークが形成されている部分を保護膜により覆うため、切断時にガラス基板の破片等が発生した場合においても、保護膜を剥離することにより保護膜上を覆った破片等を除去することができ、マークが形成されている部分に破片等が付着することを防止することができる。
また、上述の各実施の形態にかかるマークの製造方法によれば、低熱膨張基板上にマークを製造しているため、露光光としてのEUV光が照射されることにより発生する熱によるマークの形状変化を防止することができ、露光装置の精度基準となる基準マークとして好適に使用することができる。
なお、上述の各実施の形態においては、照明光としてEUV光を用いる露光装置の精度基準となる基準マークの製造方法について説明しているが、EUV光を用いる露光装置の精度基準となる基準マーク以外のマークを製造することができる。
また、上述の各実施の形態においては、1つの所定の領域2aにマークを形成しているが、図19に示すように、2つ以上の所定の領域2c,2d,2eにマークを形成するようにしてもよい。この場合には、所定の領域2c,2d,2e上に薄膜を形成し、薄膜が形成されていない所定の領域以外の領域(部分)2f,2gを切断する。この場合においては、複数のマーク基板を同時に作成することができる。
また、上述の各実施の形態のおいては、ガラス基板上にマークを形成しているが、セラミックス基板上にマークを形成するようにしてもよい。この場合には、セラミックス基板は、低熱膨張基板、即ち熱膨張が100ppb/K以下の基板であることが望ましい。
2,20,30…ガラス基板、4…コート材、6…多層膜、8…吸収体、10,24…レジスト、32…保護膜。
Claims (7)
- 照明光として極端紫外光を用いる露光装置に備えられるマークの製造方法であって、
基板上の所定の領域に多層膜及び吸収体膜からなる薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜形成工程により前記薄膜が形成された前記所定の領域に前記マークを形成するマーク形成工程と、
前記基板の前記マーク形成工程により前記マークが形成された前記所定の領域以外の部分を切断する切断工程と、
を含むことを特徴とするマークの製造方法。 - 前記基板は、低熱膨張基板であることを特徴とする請求項1記載のマークの製造方法。
- 前記薄膜形成工程は、前記薄膜が形成される前記所定の領域以外の領域にマスキングを行うことにより、前記所定の領域にのみ前記薄膜を形成することを特徴とする請求項1または請求項2記載のマークの製造方法。
- 前記所定の領域は、1つ以上の領域を有することを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載のマークの製造方法。
- 前記マーク形成工程は、
前記所定の領域にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、
前記レジスト塗布工程により前記レジストが塗布された前記所定の領域に前記マークを描画するマーク描画工程と、
前記マーク描画工程により前記マークが描画された前記所定の領域に塗布されている前記レジストを現像するレジスト現像工程と、
前記レジスト現像工程により現像された前記レジストが塗布されている前記所定の領域のエッチングを行うエッチング工程と、
を含み、
前記切断工程により切断された前記基板上に塗布されたレジストを剥離するレジスト剥離工程を更に有することを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載のマークの製造方法。 - 前記切断工程は、
前記マーク形成工程により前記マークが形成された前記基板上に保護膜を塗布する保護膜塗布工程と、
前記保護膜塗布工程により前記保護膜が塗布された前記基板上の前記所定の領域以外の部分を切断する切断工程と、
前記切断工程により切断された前記所定の領域に塗布された前記保護膜を剥離する保護膜剥離工程と、
を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載のマークの製造方法。 - 前記切断工程により切断された前記基板を洗浄する洗浄工程を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載のマークの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005150425A JP2006332149A (ja) | 2005-05-24 | 2005-05-24 | マークの製造方法 |
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JP2006332149A true JP2006332149A (ja) | 2006-12-07 |
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JP2005150425A Pending JP2006332149A (ja) | 2005-05-24 | 2005-05-24 | マークの製造方法 |
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JP (1) | JP2006332149A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102615421A (zh) * | 2011-01-31 | 2012-08-01 | 均豪精密工业股份有限公司 | 多层薄膜基板加工方法及装置 |
-
2005
- 2005-05-24 JP JP2005150425A patent/JP2006332149A/ja active Pending
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