JP2006331378A - フラッシュメモリ保存システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 フラッシュメモリ中の全ての実体メモリブロックが複数のセグメントに分けられ実体メモリブロック内に複数の実体セクタが設けられ、各実体セクタ内にユーザーデータフィールド及び論理アドレス指向フィールドが少なくとも設けられ、ユーザーデータフィールド内に実体データが書き込まれる時、マイクロコントローラーの制御により同一実体セクタの論理アドレス指向フィールド内に合わせて書き込まれ、また、同一セグメント内の論理アドレス指向データが整理されバックアップセグメントアドレスマッピングテーブルとなし、並びに実体メモリブロック中に保存する。
【選択図】 図4
Description
1.実体メモリブロックの代替えデータはデータアクセス動作完成後でなければ書き込めず、もしこの時停電等の不正常な反応が発生すると、実体メモリブロックと代替えデータが対応不能となる情況が発生し、アクセスデータの毀損を形成する。
2.リンク対照テーブルは全体のフラッシュメモリの実体アドレスと論理アドレス間の対応関係を記録し、フラッシュメモリ中の実体メモリブロックの数量の増加に伴い、リンク対照テーブルのサイズも急速に大きくなり、このため、レジスタメモリの容量もまた増加する。
3.マイクロコントローラーはそのメモリプログラムユニット中に既に登録されているメモリアクセスプログラム及びフラッシュメモリ種類しか実行できず、リンクされたフラッシュメモリ種類或いは類別がメモリプログラムユニット中に未登録であると、マイクロコントローラーにより受け入れ或いは実行不能である。
4.マイクロコントローラーのデータアクセス信号はシステムクロックの上昇縁部分でなければ変化できず、データアクセス動作実行時に、適時にその内部周波を調整できず、これにより電気エネルギーを有効に節約できない。
該フラッシュメモリ保存システムは、マイクロコントローラー、少なくとも一つのフラッシュメモリ、及びレジスタメモリを包含し、
該少なくとも一つのフラッシュメモリは該マイクロコントローラーに接続され、各フラッシュメモリ内に複数の実体メモリブロックが設けられ、各実体メモリブロック内に実体アドレスと複数の実体セクタが設けられ、各実体セクタがユーザーデータフィールドと論理アドレス指向フィールドを少なくとも包含し、ユーザーデータフィールド内に実体データが書き込まれる時に各論理アドレス指向フィールド内に論理アドレス指向データが書き込まれ、該論理アドレス指向データが該実体メモリブロックと対応する論理メモリブロックの論理アドレスを記録し、
該レジスタメモリは、該マイクロコントローラーに接続されてリンク対照テーブルを保存し、該リンク対照テーブルは各実体メモリブロックの実体アドレスとそれに対応する論理メモリブロックの論理アドレスを記録することを特徴とする、フラッシュメモリ保存システムとしている。
請求項2の発明は、請求項1記載のフラッシュメモリ保存システムにおいて、フラッシュメモリ内がホストアクセス可能領域とシステムコントロール領域に区分され、ホストアクセス可能領域内に位置する実体メモリブロックがデータメモリブロックと定義され、システムコントロール領域に位置する実体メモリブロックがコントロールメモリブロックと定義され、少なくとも一つのコントロールメモリブロックがリンク対照テーブルのロードと保存に用いられ、ロードされたリンク対照テーブルがバックアップリンク対照テーブルとされ、該リンク対照テーブルがマイクロコントローラー起動時に直接バックアップリンク対照テーブルをロードして構築されることを特徴とする、フラッシュメモリ保存システムとしている。
請求項3の発明は、フラッシュメモリ保存システムにおいて、
該フラッシュメモリ保存システムは、マイクロコントローラー、少なくとも一つのフラッシュメモリ、及びレジスタメモリを包含し、
該少なくとも一つのフラッシュメモリは該マイクロコントローラーに接続され、各フラッシュメモリ内に複数の実体メモリブロックが設けられ、各実体メモリブロック内に実体アドレスと論理アドレス指向データが包含され、該論理アドレス指向データが該実体メモリブロックと対応する論理メモリブロックの論理アドレスを記録し、
該レジスタメモリはマイクロコントローラーに接続され、リンク対照テーブルを保存し、該リンク対照テーブルは各実体メモリブロックの実体アドレスとそれに対応する論理メモリブロックの論理アドレスを記録することを特徴とする、フラッシュメモリ保存システムとしている。
請求項4の発明は、フラッシュメモリ保存システムにおいて、
該フラッシュメモリ保存システムは、マイクロコントローラー、少なくとも一つのフラッシュメモリ、及びレジスタメモリを包含し、
該少なくとも一つのフラッシュメモリは該マイクロコントローラーに接続され、各フラッシュメモリ内に複数の実体メモリブロックと少なくとも一つのコントロールメモリブロックが包含され、各実体メモリブロック内に実体アドレスと論理アドレス指向データが包含され、該論理アドレス指向データが該実体メモリブロックと対応する論理メモリブロックの論理アドレスを記録し、該コントロールメモリブロックはバックアップリンク対照テーブルを保存するのに用いられ、
該レジスタメモリはマイクロコントローラーに接続され、バックアップリンク対照テーブルと対応するリンク対照テーブルを保存し、該リンク対照テーブルは各実体メモリブロックの実体アドレスとそれに対応するそのうち一つの論理メモリブロックの論理アドレスを記録することを特徴とする、フラッシュメモリ保存システムとしている。
請求項5の発明は、フラッシュメモリ保存システムにおいて、
該フラッシュメモリ保存システムは、マイクロコントローラー、少なくとも一つのフラッシュメモリ、及びレジスタメモリを包含し、
該少なくとも一つのフラッシュメモリは該マイクロコントローラーに接続され、各フラッシュメモリ内が複数のセグメントに区分され、各セグメント内に複数の実体メモリブロックが包含され、各実体メモリブロック内に実体アドレスと論理アドレス指向データが包含され、該論理アドレス指向データが該実体メモリブロックと対応する論理メモリブロックの論理アドレスを記録し、且つ同一セグメント内の各論理アドレス指向データが共同でセグメントアドレスマッピングテーブルを構成し、
該レジスタメモリはマイクロコントローラーに接続され、セグメントアドレスマッピングテーブルを保存するのに用いられることを特徴とする、フラッシュメモリ保存システムとしている。
請求項6の発明は、フラッシュメモリ保存システムにおいて、
該フラッシュメモリ保存システムは、マイクロコントローラー、複数のフラッシュメモリ、及びレジスタメモリを包含し、
該複数のフラッシュメモリは直列、並列、及び直列/並列複合のいずれかの形態で該マイクロコントローラーに接続され、各フラッシュメモリ内に複数の実体メモリブロックが包含され、各フラッシュメモリ中の少なくとも一つの実体メモリブロックがその他のフラッシュメモリ中の対応する少なくとも一つの実体メモリブロックと共同でセグメントを構成し、各実体メモリブロック内に実体アドレスと論理アドレス指向データが包含され、該論理アドレス指向データが該実体メモリブロックと対応する論理メモリブロックの論理アドレスを記録し、また同一セグメント内の各論理アドレス指向データが共同でセグメントアドレスマッピングテーブルを構成し、
該レジスタメモリはマイクロコントローラーに接続され、セグメントアドレスマッピングテーブルを保存するのに用いられることを特徴とする、フラッシュメモリ保存システムとしている。
請求項7の発明は、フラッシュメモリ保存システムにおいて、
該フラッシュメモリ保存システムは、マイクロコントローラー、少なくとも一つのフラッシュメモリを包含し、
該少なくとも一つのフラッシュメモリは該マイクロコントローラーに接続され、各フラッシュメモリ内に複数の実体メモリブロックが包含され、そのうち一つの実体メモリブロックがメモリ類別ブロックと定義されてメモリアクセスプログラムを保存するのに用いられ、該マイクロコントローラーが起動される時に直接該メモリアクセスプログラムをロードし、並びにこれによりフラッシュメモリに対するデータアクセス動作を実行することを特徴とする、フラッシュメモリ保存システムとしている。
請求項8の発明は、フラッシュメモリ保存システムにおいて、
該フラッシュメモリ保存システムは、マイクロコントローラー、少なくとも一つのフラッシュメモリを包含し、
該少なくとも一つのフラッシュメモリは該マイクロコントローラーに接続され、該フラッシュメモリ保存システム内にシステムクロックが包含され、該システムクロックは複数の上昇縁と複数の下降縁を包含し、各上昇縁と各下降縁がいずれも該マイクロコントローラーのデータアクセスの根拠として選択可能とされたことを特徴とする、フラッシュメモリ保存システムとしている。
請求項9の発明は、フラッシュメモリ保存システムにおいて、
該フラッシュメモリ保存システムは、マイクロコントローラー、少なくとも一つのフラッシュメモリを包含し、
該少なくとも一つのフラッシュメモリはマイクロコントローラーに接続され、該フラッシュメモリは複数の保存体を包含し、各保存体内の相互に対応する少なくとも一つの実体メモリブロックが共同でメモリページを構成し、同一メモリページ中の全ての実体メモリブロックがいずれも無欠陥の無欠陥実体メモリブロックとされる時、正常メモリページと定義され、同一メモリページ中に欠陥のある少なくとも一つの欠陥実体メモリブロックが存在する時、不正常メモリページと定義され、正常メモリページがマイクロコントローラーの作用により該フラッシュメモリの前段領域中にレイアウトされ、不正常メモリページが該フラッシュメモリの後段領域中にレイアウトされることを特徴とする、フラッシュメモリ保存システムとしている。
111 論理メモリブロックアドレス領域 112 論理メモリブロック
1125 論理アドレス 113 メモリプログラムユニット
115 メモリアクセスプログラム 117 メモリIDデータ
13 フラッシュメモリ 131 実体メモリブロック
1312 実体メモリブロック 1313 実体メモリブロック
133 メモリ類別ブロック 135 実体アドレス
1352 実体アドレス 1353 実体アドレス
137 メモリIDデータ 139 代替えデータ
15 レジスタメモリ 151 リンク対照テーブル
153 論理アドレスフィールド 155 実体アドレスフィールド
17 アプリケーションシステム 191 上昇縁
195 下降縁 20 フラッシュメモリ保存システム
21 マイクロコントローラー 211 論理メモリブロックアドレス領域
212 論理メモリブロック 2125 論理アドレス
213 メモリプログラムユニット 215 メモリアクセスプログラム
22 実体セクタ 221 ユーザーデータフィールド
222 実体データ 223 コントロールデータ
225 論理アドレス指向フィールド 226 論理アドレス指向データ
227 エラー検査コード 23 フラッシュメモリ
231 実体メモリブロック 233 メモリ類別ブロック
235 実体アドレス 239 メモリアクセスプログラム
24 ホストアクセス可能領域 245 データメモリブロック
25 レジスタメモリ 251 リンク対照テーブル
2511 バックアップリンク対照テーブル
2515 バックアップリンク対照テーブル
253 論理アドレスフィールド 255 実体アドレスフィールド
26 システムコントロール領域 261 第1コントロールメモリブロック
262 第2コントロールメモリブロック 263 第3コントロールメモリブロック
265 コントロールメモリブロック 27 アプリケーションシステム
31 セグメント 32 セグメント
336 論理アドレス指向データ 34 ホストアクセス可能領域
35 レジスタメモリ
351 セグメントアドレスマッピングテーブル
36 システムコントロール領域 365 コントロールメモリブロック
367 バックアップセグメントアドレスマッピングテーブル
39 セグメント
51、52、53 セグメント 55 フラッシュメモリ
57 フラッシュメモリ 59 フラッシュメモリ
691 上昇縁 695 下降縁
71 保存体 72 保存体
73 メモリページ又は正常メモリページ 731 無欠陥実体メモリブロック
75 不正常メモリページ 751 欠陥実体メモリブロック
76 失効メモリメージ 78 保存体
79 保存体
Claims (9)
- フラッシュメモリ保存システムにおいて、
該フラッシュメモリ保存システムは、マイクロコントローラー、少なくとも一つのフラッシュメモリ、及びレジスタメモリを包含し、
該少なくとも一つのフラッシュメモリは該マイクロコントローラーに接続され、各フラッシュメモリ内に複数の実体メモリブロックが設けられ、各実体メモリブロック内に実体アドレスと複数の実体セクタが設けられ、各実体セクタがユーザーデータフィールドと論理アドレス指向フィールドを少なくとも包含し、ユーザーデータフィールド内に実体データが書き込まれる時に各論理アドレス指向フィールド内に論理アドレス指向データが書き込まれ、該論理アドレス指向データが該実体メモリブロックと対応する論理メモリブロックの論理アドレスを記録し、
該レジスタメモリは、該マイクロコントローラーに接続されてリンク対照テーブルを保存し、該リンク対照テーブルは各実体メモリブロックの実体アドレスとそれに対応する論理メモリブロックの論理アドレスを記録することを特徴とする、フラッシュメモリ保存システム。 - 請求項1記載のフラッシュメモリ保存システムにおいて、フラッシュメモリ内がホストアクセス可能領域とシステムコントロール領域に区分され、ホストアクセス可能領域内に位置する実体メモリブロックがデータメモリブロックと定義され、システムコントロール領域に位置する実体メモリブロックがコントロールメモリブロックと定義され、少なくとも一つのコントロールメモリブロックがリンク対照テーブルのロードと保存に用いられ、ロードされたリンク対照テーブルがバックアップリンク対照テーブルとされ、該リンク対照テーブルがマイクロコントローラー起動時に直接バックアップリンク対照テーブルをロードして構築されることを特徴とする、フラッシュメモリ保存システム。
- フラッシュメモリ保存システムにおいて、
該フラッシュメモリ保存システムは、マイクロコントローラー、少なくとも一つのフラッシュメモリ、及びレジスタメモリを包含し、
該少なくとも一つのフラッシュメモリは該マイクロコントローラーに接続され、各フラッシュメモリ内に複数の実体メモリブロックが設けられ、各実体メモリブロック内に実体アドレスと論理アドレス指向データが包含され、該論理アドレス指向データが該実体メモリブロックと対応する論理メモリブロックの論理アドレスを記録し、
該レジスタメモリはマイクロコントローラーに接続され、リンク対照テーブルを保存し、該リンク対照テーブルは各実体メモリブロックの実体アドレスとそれに対応する論理メモリブロックの論理アドレスを記録することを特徴とする、フラッシュメモリ保存システム。 - フラッシュメモリ保存システムにおいて、
該フラッシュメモリ保存システムは、マイクロコントローラー、少なくとも一つのフラッシュメモリ、及びレジスタメモリを包含し、
該少なくとも一つのフラッシュメモリは該マイクロコントローラーに接続され、各フラッシュメモリ内に複数の実体メモリブロックと少なくとも一つのコントロールメモリブロックが包含され、各実体メモリブロック内に実体アドレスと論理アドレス指向データが包含され、該論理アドレス指向データが該実体メモリブロックと対応する論理メモリブロックの論理アドレスを記録し、該コントロールメモリブロックはバックアップリンク対照テーブルを保存するのに用いられ、
該レジスタメモリはマイクロコントローラーに接続され、バックアップリンク対照テーブルと対応するリンク対照テーブルを保存し、該リンク対照テーブルは各実体メモリブロックの実体アドレスとそれに対応するそのうち一つの論理メモリブロックの論理アドレスを記録することを特徴とする、フラッシュメモリ保存システム。 - フラッシュメモリ保存システムにおいて、
該フラッシュメモリ保存システムは、マイクロコントローラー、少なくとも一つのフラッシュメモリ、及びレジスタメモリを包含し、
該少なくとも一つのフラッシュメモリは該マイクロコントローラーに接続され、各フラッシュメモリ内が複数のセグメントに区分され、各セグメント内に複数の実体メモリブロックが包含され、各実体メモリブロック内に実体アドレスと論理アドレス指向データが包含され、該論理アドレス指向データが該実体メモリブロックと対応する論理メモリブロックの論理アドレスを記録し、且つ同一セグメント内の各論理アドレス指向データが共同でセグメントアドレスマッピングテーブルを構成し、
該レジスタメモリはマイクロコントローラーに接続され、セグメントアドレスマッピングテーブルを保存するのに用いられることを特徴とする、フラッシュメモリ保存システム。 - フラッシュメモリ保存システムにおいて、
該フラッシュメモリ保存システムは、マイクロコントローラー、複数のフラッシュメモリ、及びレジスタメモリを包含し、
該複数のフラッシュメモリは直列、並列、及び直列/並列複合のいずれかの形態で該マイクロコントローラーに接続され、各フラッシュメモリ内に複数の実体メモリブロックが包含され、各フラッシュメモリ中の少なくとも一つの実体メモリブロックがその他のフラッシュメモリ中の対応する少なくとも一つの実体メモリブロックと共同でセグメントを構成し、各実体メモリブロック内に実体アドレスと論理アドレス指向データが包含され、該論理アドレス指向データが該実体メモリブロックと対応する論理メモリブロックの論理アドレスを記録し、また同一セグメント内の各論理アドレス指向データが共同でセグメントアドレスマッピングテーブルを構成し、
該レジスタメモリはマイクロコントローラーに接続され、セグメントアドレスマッピングテーブルを保存するのに用いられることを特徴とする、フラッシュメモリ保存システム。 - フラッシュメモリ保存システムにおいて、
該フラッシュメモリ保存システムは、マイクロコントローラー、少なくとも一つのフラッシュメモリを包含し、
該少なくとも一つのフラッシュメモリは該マイクロコントローラーに接続され、各フラッシュメモリ内に複数の実体メモリブロックが包含され、そのうち一つの実体メモリブロックがメモリ類別ブロックと定義されてメモリアクセスプログラムを保存するのに用いられ、該マイクロコントローラーが起動される時に直接該メモリアクセスプログラムをロードし、並びにこれによりフラッシュメモリに対するデータアクセス動作を実行することを特徴とする、フラッシュメモリ保存システム。 - フラッシュメモリ保存システムにおいて、
該フラッシュメモリ保存システムは、マイクロコントローラー、少なくとも一つのフラッシュメモリを包含し、
該少なくとも一つのフラッシュメモリは該マイクロコントローラーに接続され、該フラッシュメモリ保存システム内にシステムクロックが包含され、該システムクロックは複数の上昇縁と複数の下降縁を包含し、各上昇縁と各下降縁がいずれも該マイクロコントローラーのデータアクセスの根拠として選択可能とされたことを特徴とする、フラッシュメモリ保存システム。 - フラッシュメモリ保存システムにおいて、
該フラッシュメモリ保存システムは、マイクロコントローラー、少なくとも一つのフラッシュメモリを包含し、
該少なくとも一つのフラッシュメモリはマイクロコントローラーに接続され、該フラッシュメモリは複数の保存体を包含し、各保存体内の相互に対応する少なくとも一つの実体メモリブロックが共同でメモリページを構成し、同一メモリページ中の全ての実体メモリブロックがいずれも無欠陥の無欠陥実体メモリブロックとされる時、正常メモリページと定義され、同一メモリページ中に欠陥のある少なくとも一つの欠陥実体メモリブロックが存在する時、不正常メモリページと定義され、正常メモリページがマイクロコントローラーの作用により該フラッシュメモリの前段領域中にレイアウトされ、不正常メモリページが該フラッシュメモリの後段領域中にレイアウトされることを特徴とする、フラッシュメモリ保存システム。
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