JP2006330319A - 有機材料の製造方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
有機材料の製造方法および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】液浸露光により露光されるレジスト膜またはこのレジスト膜の下層に設けられる有機膜を構成する有機材料の製造方法であって、レジスト材料11を構成する各成分を配合し、レジスト材料11を調製する工程と、レジスト材料11を、液浸露光に用いる液浸液と同一成分からなる溶媒12と混合して洗浄し、レジスト材料11中の成分の一部を溶媒12中に溶出させる工程を行うことを特徴とする有機材料の製造方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法である。
【選択図】図1
Description
本発明の有機材料の製造方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法に係わる実施の形態の一例を、図1、図2を用いて説明する。本実施形態では、レジスト材料を調製して洗浄し、洗浄後のレジスト材料により形成されたレジスト膜に液浸露光を行う場合の半導体装置の製造方法の一例について説明する。
上述した実施形態において、図3に示すように、レジスト材料11の洗浄処理に用いた溶媒12を、液浸露光の液浸液として用いてもよい。この場合には、上記成分の溶出工程後の溶媒12に対して、不純物およびパーティクルの有無等の品質検査(S201)を行い、不純物およびパーティクルの量が許容範囲内(OK)であれば、液浸露光装置22内に導入する。これにより、図2(b)に示す工程において、液浸液15中には、既にレジスト材料11(前記図3参照)からの成分が溶出されているため、レジスト膜11’から液浸液15中に成分が溶出し難く、成分の溶出が確実に防止される。
異なるロットのArF露光用のレジスト材料11−1、11−2、11−3を用意した。まず、4リットルのレジスト材料11−1を2リットルの溶媒12(水)と攪拌混合し、分液(静止時間5分)、デカンテーションを3回繰り返す洗浄処理を行った。これによりレジスト材料11−1を分液抽出した。レジスト材料11−1のロット違い(11−2、11−3)についても同様の処理を行った。
一方、上記実施例の比較例として、上記と同様に、異なるロットのレジスト材料11−1、11−2、11−3を用い、洗浄処理を行わないこと以外は、同一の方法によりレジストパターン11''−1、11''−2、11''−3を形成した。その結果、65nmのラインアンドスペースのパターンに対し、ウェハ面内の線幅均一性は、3σで19.5nm(レンジで12nm)であった。
Claims (8)
- 液浸露光により露光されるレジスト膜またはこのレジスト膜の下層に設けられる有機膜を構成する有機材料の製造方法であって、
前記有機材料を構成する各成分を配合し、前記有機材料を調製する第1工程と、
前記有機材料を、前記液浸露光に用いる液浸液と同一成分からなる溶媒と混合して洗浄し、当該有機材料中の前記成分の一部を前記溶媒中に溶出させる第2工程とを有する
ことを特徴とする有機材料の製造方法。 - 前記第2工程における前記成分の溶出量を予め算出しておき、
前記第1工程では、前記溶出量分の前記成分を増量して、前記有機材料を調製する
ことを特徴とする請求項1記載の有機材料の製造方法。 - 前記有機材料は、フッ素含有樹脂を用いて構成されている
ことを特徴とする請求項1記載の有機材料の製造方法。 - 前記第2工程を複数回行う
ことを特徴とする請求項1記載の有機材料の製造方法。 - 基板上に有機材料を塗布して有機膜を形成した後、当該基板を液浸液中に浸漬させた状態で、液浸露光を行う半導体装置の製造方法であって
前記有機材料を、前記液浸液と同一成分からなる溶媒と混合して洗浄し、当該有機材料中の成分の一部を前記溶媒中に溶出させる第1工程と、
洗浄後の前記有機材料を前記基板上に塗布して、前記有機膜を形成する第2工程と、
前記有機膜が形成された前記基板を前記液浸液中に浸漬させた状態で、液浸露光を行う第3工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記有機膜はレジスト膜である
ことを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第3工程の後に、前記有機膜のパターンを形成する
ことを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1工程で前記有機材料を洗浄した後の前記溶媒を、前記第3工程の前記液浸液として用いる
ことを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
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---|---|---|---|---|
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