JP2006325024A - 密着型イメージセンサ - Google Patents

Abstract

【課題】 各色光源から照射される光の照度を調節することにより、原稿読取方向に亘り照度分布が均一であるイメージセンサを提供する。
【解決手段】 被写体４に光を照射する光学波長の異なるＬＥＤ群を複数配置したＬＥＤ光源１と、このＬＥＤ光源１の光を被写体４に導く導光体２と、被写体４からの反射光を集束するレンズ５と、このレンズ５で集束された反射光を受光する受光部６と、ＬＥＤ光源１、受光部６を搭載すると共にＬＥＤ光源１の個々のＬＥＤ駆動回路に組み込まれたＬＥＤ光源１の照度を調整する可変抵抗を搭載したセンサ基板８とを備えるようにした。
【選択図】 図１

Description

この発明は、画像入力装置に使用される密着型イメージセンサに関するものである。

従来、例えば特開平１０−１３６１５８号公報図１（特許文献１参照）に示すように原稿面１を照射するＬＥＤアレイ光源３０と、その反射光を導く３つのミラー２１、２２、２３及び結像レンズ３よりなる光学系と、該光学系の結像面に配設された多数の光電変換要素からなる１個のラインセンサ１２とより光学ヘッド２９を構成し、光源３０は波長の異なるＬＥＤを基板上にＧ−Ｒ−Ｂ−ＧのようにＬＥＤブロック３１を複数個を略直線状に配列して前記原稿面１を照射し、該光源を所定時間づつ所定の順序で点灯する。また各光源の点灯と同期させて前記ラインセンサ１２の多数の光電変換要素を一巡する周期で走査し、原稿面１の情報を複数の光源の各波長ごとに区分し時系列的に配置された電気信号として読み出すカラー画像読取り装置の原稿照明用光源が開示されている。

また、特開平８−２３７４３１号公報図１（特許文献２参照）に示すように基板１にＲｅｄ，Ｇｒｅｅｎ，Ｂｌｕｅの３色のＬＥＤチップ２を１グループとして配置する。各グループは、センサの主走査方向に等間隔Ｐ、副走査方向に同一座標でセンサと対向するように配列し、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色のＬＥＤチップは、ｐ'＜１／３Ｐなる間隔で配列する画像読取装置及び光源ユニットが開示されている。

また、特開２００５ー１１６２８号公報図１（特許文献３参照）に示すようにカメラのストロボ装置等の光源を構成するＲ、Ｇ、Ｂごとの複数のＬＥＤの発光輝度のバラツキを適切に軽減して照明光の輝度及び色温度のムラをなくし、また、規定の色温度の照明光を適切に発光できるようにする照明装置及び照明装置の光源調整方法を提供するものが開示されている。すなわち、光源調整時において、システムコントローラ１０は、光源を構成する各ＬＥＤｎＲ、ｎＧ、ｎＢ（ｎ＝１〜Ｍ）を順に発光させ、そのとき受光センサＳにより検出される輝度が規定値となるように可変抵抗器ＶＲｎＲ、ＶＲｎＧ、ＶＲｎＢの抵抗値を調整する。続いて、全てのＬＥＤを発光させ、そのとき色温度センサ１８により検出される色温度が規定の色温度となるように可変抵抗器ＶＲＲ、ＶＲＧ、ＶＲＢの抵抗値を調整する。

特開平１０−１３６１５８号公報（第１図）

特開平８−２３７４３１号公報（第１図）

特開２００５−１１６２８号公報（第１図）

しかし、特許文献１に記載のものは、Ｇを１個増すことにより、３色の照度が同等となるとしているが、３色４個のＬＥＤを間隔を開けて並べているので、原稿面１における各色の原稿読取方向の照度分布が大きくずれるために、３色同時点灯で擬似白色光を照射した場合は視覚的には緑色がかった白色光、青色がかった白色光などの混色となり、原稿読み取り方向に亘り、色むらが解消できないと言う課題もあった。

また、特許文献２に記載のものは、赤色ＬＥＤ２ａ、緑色ＬＥＤ２ｇ、青色ＬＥＤ２ｂの３色を近接させて１グループとしており、このグループを複数個１列に並べているので、近接実装されている隣接するグループ内のＬＥＤ２の発色光が互いに干渉する。特に３色同時点灯で擬似白色光を照射する場合には、ＬＥＤ２から上方に照射される光はＬＥＤ２の表層を通過して原稿を照射するが、側面方向に照射される光は近接するＬＥＤ２に照射されることになり、不要反射による照度むらの原因となるという課題もあった。

また、特許文献３に記載のものは、ＬＥＤ駆動回路に可変抵抗器ＶＲのほかに専用のスイッチング素子であるトランジスタＴＲを装備しており、構成が複雑であるという課題もあった。

この発明は、上記のような課題を解消するためになされたもので、各色光源から照射される光の照度を調節することにより、原稿読取方向に亘り照度分布が均一である密着型イメージセンサを提供することを目的とする。

請求項１の発明に係る密着型イメージセンサは、被写体に光を照射する光学波長の異なるＬＥＤ群を複数配置したＬＥＤ光源と、このＬＥＤ光源の光を前記被写体に導く導光体と、前記被写体からの反射光を集束するレンズと、このレンズで集束された反射光を受光する受光部と、前記ＬＥＤ光源、前記受光部を搭載すると共に前記ＬＥＤ光源の個々のＬＥＤ駆動回路に組み込まれ、前記ＬＥＤ光源の照度を調整する可変抵抗要素を搭載したセンサ基板とを備えたものである。

請求項２の発明に係る密着型イメージセンサは、前記可変抵抗要素は可変抵抗器であることを特徴とする請求項１に記載のものである。

請求項３の発明に係る密着型イメージセンサは、前記可変抵抗要素は固定抵抗器または順方向ＰＮ接合素子とアナログスイッチとの並列回路から構成されていることを特徴とする請求項１に記載のものである。

請求項４の発明に係る密着型イメージセンサは、前記並列回路は複数段直列に接続されていることを特徴とする請求項３に記載のものである。

請求項５の発明に係る密着型イメージセンサは、被写体に光を照射する光学波長の異なるＬＥＤ群を複数配置したＬＥＤ光源と、このＬＥＤ光源の光を前記被写体に導く導光体と、前記被写体からの反射光を集束するレンズと、このレンズで集束された反射光を受光する受光部と、前記ＬＥＤ光源、前記受光部を搭載すると共に前記ＬＥＤ光源の個々のＬＥＤ駆動回路に組み込まれた第１のアナログスイッチと抵抗要素との並列回路と、この並列回路に論理信号に基づき第１のアナログスイッチを開閉することにより前記ＬＥＤ駆動回路の電流を変化させ個々のＬＥＤ光源の照度を調整するセレクタとを搭載したセンサ基板とを備えたものである。

請求項６の発明に係る密着型イメージセンサは、前記抵抗要素は開閉状態が常時閉である第２のアナログスイッチであることを特徴とする請求項５に記載のものである。

請求項７の発明に係る密着型イメージセンサは、第１のアナログスイッチの電源供給電圧は２．５Ｖ乃至６Ｖであると共に第１のアナログスイッチを駆動する専用の電源供給電圧端子を有することを特徴とする請求項５又は６に記載のものである。

以上のように、請求項１に係る発明によれば、各色光源から照射される光の照度を調整することにより、原稿読取方向に亘り照度分布が均一である密着型イメージセンサを得ることができる。

請求項２に係る発明によれば、光の照度をアナログ的に可変するので高精度の調整が可能である。

請求項３に係る発明によれば、可変抵抗要素は半導体で構成することも可能であり集積化が容易である。

請求項４に係る発明によれば、可変抵抗要素を複数段接続することにより、調整のための可変ステップ数が多くなり、請求項１による効果に加えて請求項２同様、高精度の調整が可能である。

請求項５に係る発明によれば、セレクタを用い、その論理信号に基づきデジタル的に各色光源から照射される光の照度を調整することが可能である。

請求項６に係る発明によれば、抵抗要素としてアナログスイッチのＯＮ抵抗を利用するのでミアンダ状の抵抗パターンを用いることなく容易に低抵抗値を集積回路内に出現させることができ、ＬＥＤ駆動回路の超小型化が実現できる。

請求項７に係る発明によれば、アナログスイッチのＯＮ抵抗を変化させることが可能なので、セレクタによる論理設定後であってもＬＥＤ電流の再微調整が可能である。

実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１について図を用いて説明する。図１は、実施の形態１による密着型イメージセンサの断面構成図であり、図１において１はＲＧＢの複数色の光を照射するＬＥＤ光源、２はＬＥＤ光源１から照射された光を導く導光体、２ａは導光体２の照射部、３は異物混入防止用のガラス板、４は読み取り情報である被写体（原稿、券紙、紙幣など）、５はロッドレンズアレイなどで構成されたレンズ、６は光電変換回路（受光素子）を含み光電変換電圧を駆動するＣ−ＭＯＳ回路などで構成された受光部（センサＩＣ）、７はアナログスイッチや論理回路で構成された半導体集積回路である。

また、８はＬＥＤ光源１、センサＩＣ６及び半導体集積回路７を搭載するセンサ基板、９は電源を含む入出力信号を外部回路と受け渡しするコネクタである。また、１０は導光体２、ガラス板３、センサ基板８を収納又は保持する筐体、１１は原稿４を搬送する駆動用プラテン、１２は原稿４の搬送ルートとなる搬送ガイドである。なお、通常、原稿４、駆動用プラテン１１、搬送ガイド１２は密着型イメージセンサには搭載されない。図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。

次に動作について説明する。図１において、ＬＥＤ光源１から照射された光は導光体２内を全反射進行し、導光体２の照射部２ａから放出され、ガラス板３を透過して原稿４を照射する。原稿４で反射した反射光（散乱反射光）はガラス板３を経由し、ロッドレンズアレイ５で集束される。ロッドレンズアレイ５で集束された光は受光部（センサＩＣ）６で光電変換とそのアナログ信号処理がなされ、センサ基板８に接続されたコネクタ９から画像情報として外部出力される。

図２はセンサ基板８上の部品の配置を説明する平面図であり、１３はノイズ阻止用のコンデンサ、７ａはコネクタ９からの論理信号を各半導体集積回路７に分配するセレクタ入力分配器である。本実施の形態１では、ＬＥＤ光源１はセンサ基板８の両側に配置し、原稿４の読み取りには読み取り位置の両側から照射する構成としており、紙幣などの被写体を高密度で読み取るため３００ＤＰＩの読み取り密度で約８０ｍｍの読み取り領域とし、ＬＥＤ光源１のグループ数はセンサ基板８の読み取り方向の片側で１５としている。従ってＬＥＤ総数は片側４５個である。また、半導体集積回路７はＬＥＤ群の２グループを単位として集積したので片側８個とした。

図３はセンサ基板８に搭載されたＬＥＤ光源領域周辺の構成を説明する図であり、図３ａは断面図、図３ｂは平面図である、１Ｒは赤色光源（Ｒ光源）、１Ｇは緑色光源（Ｇ光源）、１Ｂは青色光源（Ｂ光源）であり、１４はＬＥＤ光源１を封止するシリコンなどの透明樹脂、１５は金ワイヤ、１６は一端をＬＥＤ光源１と接続し、他端を半導体集積回路７の各端子と接続したプリント印刷で形成された基準抵抗である。なお、図２及び図３中、図１と同符号は同一又は相当部分を示す。

次にＬＥＤ光源１のＬＥＤ電流の制御について図４に示す等価回路で説明する。図４において、ＲＧＢの各色光源を１群（グループ）としたＬＥＤ群を連続して主走査方向（原稿読み取り方向）に直線的に並べたＬＥＤ光源１のアノード端子を共通接続し、カソード端子をそれぞれ、基準抵抗を介して３段に直列接続された第１調整抵抗、第２調整抵抗及び第３調整抵抗と接続する。個々の調整抵抗にはパラレルにアナログスイッチの開閉端子を接続し並列回路を構成する。また、第３の調整抵抗の終端は固定の基準電位（接地）とする。

なお、図４では電源端子間の個々のＲＧＢ光源と基準抵抗及び第１〜第３調整抵抗で決まるＬＥＤ電流の駆動回路（ＬＥＤ駆動回路）の電流調整はデジタル処理する場合について説明するためにアナログスイッチを用いたが、電流調整をアナログ処理する場合には基準抵抗を含み第１〜第３の可変抵抗要素を可変抵抗器（ＶＲ）を用いてアナログ可変しても良い。以後、デジタル可変処理をする場合についてのみ説明する。

図４に示す等価回路で、１２Ｖの電位に対してＲ光源（Ｒ）に着目すると、アナログスイッチの入力信号（セレクタ信号）がすべてＬ（Ｌｏｗ信号）の場合はアナログスイッチは開状態となり、基準抵抗が２２０Ω、第１〜第３調整抵抗が各々３０Ωであると、ＬＥＤ電流はＲ光源の順方向ドロップ電圧が１．６Ｖでは、基準電位を０Ｖとした場合、約３３ｍＡとなる。

次にアナログスイッチの入力信号がすべてＨ（Ｈｉｇｈ信号）の場合はアナログスイッチは閉状態となり、アナログスイッチのＯＮ抵抗が３０ΩであるとＬＥＤ電流は約３９ｍＡとなり、Ｒ光源の輝度が可変される。同様にしてＧ光源、Ｂ光源及び他のグループの個々のＬＥＤ光源１のＬＥＤ電流を可変する。

図５は図４に示す等価回路を具体化したＬＥＤ電流制御回路（ＬＥＤ駆動回路）である。図５において１７は調整抵抗（抵抗要素）であり、１７ａの第１調整抵抗、１７ｂの第２調整抵抗、１７ｃの第３調整抵抗を含む。１８はアナログスイッチ（第１のアナログスイッチ）であり、１９はアナログスイッチ１８の入力信号を制御するセレクタ、２０はセレクタ１９の切替入力端子である。本実施の形態１では抵抗要素１７、アナログスイッチ１８及びセレクタ１９は半導体集積回路で構成するので、抵抗要素１７は３０Ω程度の低抵抗を構成するのでミアンダ状のアルミ導体薄膜抵抗で形成される。

なお、セレクタ１９の信号切替は１８ポートとし、その切替入力端子２０のポートは５ビット入力とした。その場合、片側８個の半導体集積回路７の切替入力数は４０となるため、セレクタ１９と同機能を有する図２で示したセレクタ入力分配器７ａを用い、セレクタ入力分配器７ａにはコネクタ９から７ビットの固定入力信号で論理信号を各セレクタ１９へ供給した。

本実施の形態１では、調整抵抗１７は３個直列としたが、カラー画質の読み取り性能を重視しない場合には調整抵抗１７は１個でも相応の効果がある。また、各半導体集積回路７には１８ポートの切替信号としたが、読み取り幅が比較的広いものにおいては、セレクタ入力分配器７ａ、セレクタ１９及びアナログスイッチ１８を１個のＬＳＩに組み込んでセンサ基板８に搭載するとセンサ基板８の結線の省力化が可能である。

また、本実施の形態１では、セレクタ切替入力にコネクタ９から固定信号を入力したが、あらかじめ固定入力信号の論理が判明している場合には、センサ基板８上に論理切替用スイッチを接地し切替入力とするセレクタとしても良い。また論理制御には、密着型イメージセンサを駆動するクロック信号と同期したマルチプレクサ回路やシフトレジスタを用いた記憶回路、専用ＲＯＭ／ＲＡＭを代替使用してセレクタとしても良い。

次にＬＥＤ光源１の配置について詳述する。一般にパッケージに１個のＬＥＤを収納した光源を複数個並設する場合には、ＬＥＤチップのサイズが０．２ｍｍ平方であっても専用のＬＥＤ固定用基板と樹脂封止枠体があるため個々のＬＥＤチップ間のピッチは０．６ｍｍ以上になることは周知である。これらを光学波長の異なるＬＥＤ群としてＲＧＢの３色を同時点灯させて白色光源として使用する場合には各色の発光位置がそれぞれ異なるため視覚的には色むらの原因となり、枠体での光の屈折反射などでスペクトル的には照度分布に不均一が生じる。従って本実施の形態１では、パッケージを使用せず、ＬＥＤチップ単体（ベアチップとも呼ぶ）を実装した場合について図６で説明する。図６中、図３と同一符号は、同一又は相当部分を示しそれらについての詳細な説明は省略する。

図６は主走査方向に配置されたＬＥＤ光源１から照射された各発光色の原稿４近傍で測定した照度分布を示したものである。Ｒ光源１Ｒ、Ｇ光源１ＧおよびＢ光源１Ｂをセンサ基板８に実装ピッチ０．５ｍｍで近接実装したＬＥＤ群を６ｍｍピッチ間隔で配置した。ＬＥＤ群は１５群を配置したのでＲ光源１Ｒ、Ｇ光源１ＧおよびＢ光源１Ｂはそれぞれ１５個となり、直線配列された光源数は１列（片側）では総計４５個である。

これらの光源を各色毎に同時点灯させた場合、各色の主走査方向照度分布の位置偏差は改善される結果となっている。しかし、同一発光色であっても個々の光源の絶対輝度のばらつきがあり、最大２倍程度の照度差となって現われる場合もある。一例として図６ではＲ光源１Ｒは紙面左側の照度（Ｒ分布で表示）は各発光色照度の中で最大であるが、隣接設置された紙面右側の照度は各発光色照度の中で最小に近い。従って各発光色のピーク照度を個々に独立して輝度調整することにより、各発光色のピーク照度分布を互いに重ね合わせることができる。なお、照度分布のピーク領域周辺の各色照度偏差の不均一性は少ないので通常の各色信号処理補正で充分対応が可能である。

また、実施の形態１ではＬＥＤ光源１にベアチップを実装した場合について述べたが、図７に示すように各色光源を近接実装した後、パッケージに組み込んでも同様な効果を奏する。また、ベアチップのサイズは０．２ｍｍ平方の場合について説明したが、０．１８ｍｍ平方とすることにより０．５ｍｍ以下の近接実装となり、さらに各色照度分布の位置偏差の改善が可能である。

実施の形態２．
この発明の実施の形態２について図８を用いて説明する。図８は実施の形態２による密着型イメージセンサの半導体集積回路７の回路図である。図８において２１は第２のアナログスイッチである。実施の形態１で示した抵抗要素１７は導体薄膜抵抗を使用したが、実施の形態２では導体薄膜抵抗に替えてＯＮ抵抗が３０Ω程度である第２のアナログスイッチを使用し、常時スイッチを閉状態で使用する。以上から薄膜導体抵抗と同等の抵抗値を得ることができ、アナログスイッチ１８と同一プロセスで作製した抵抗要素として構成できる利点がある。

実施の形態３．
この発明の実施の形態３について図９を用いて説明する。図９は実施の形態３による密着型イメージセンサの半導体集積回路の回路図である。図９において２２はＲｏｎ調整入力端子（電源供給電圧端子）である。実施の形態１で示した半導体集積回路７のアナログスイッチ１８は論理回路の電源（ＶＤＤ）を使用（図示せず）したが、実施の形態３では専用の電源供給電圧端子（Ｖｃｃ）を設け、アナログスイッチ（第１のアナログスイッチ）１８に電源電圧を供給する。

次にＬＥＤ光源１のＬＥＤ電流の調整方法について図１０を用いて説明する。１２ＶのＬＥＤ電圧に対してアナログスイッチ１８の端子間電圧は分圧電圧であり、低抵抗値を接続した並列回路としているので電位は０ボルトに近い。このような条件下でアナログスイッチの電源電圧（Ｖｃｃ）とそのＯＮ抵抗とは図１０に示すような関係となる。すなわち、汎用仕様のアナログスイッチでは電源電圧は１０Ｖ程度まで動作可能であるが、Ｖｃｃが６Ｖ以上ではＯＮ抵抗の抵抗値が飽和し、２．５Ｖ以下ではＯＮ抵抗の抵抗値は増大すると共に偏差が大きくなる。従って、２．５Ｖ〜６ＶでアナログスイッチのＶｃｃを変更させることにより、ＬＥＤ電流の微調整が可能である。

この発明の実施の形態１〜３ではＲ光源１Ｒ、Ｇ光源１Ｇ及びＢ光源１Ｂを搭載した密着型イメージセンサについて述べたが、紫外線光源や赤外線光源などの他に多種の光学波長を有する光源をＬＥＤ光源１として用いても良く、紙幣判別機などの偽造防止用の密着型イメージセンサには大きな効果がある。また、基準抵抗１６は印刷抵抗としたが半導体集積回路７などに組み込んでも良く、抵抗要素としての導体薄膜抵抗はＰＮ接合の半導体回路で構成しても抵抗要素としての相応の効果がある。また、図５ではアノードコモン型のＬＥＤ電流制御回路で説明したが図１１に示すようにカソードコモン型のＬＥＤ電流制御回路であっても良い。

この発明の実施の形態１の密着型イメージセンサの断面図である。 この発明の実施の形態１のセンサ基板の部品配置平面図である。 この発明の実施の形態１のセンサ基板に搭載したＬＥＤ光源の周辺図である。 この発明の実施の形態１のＬＥＤ電流の制御を説明する図である。 この発明の実施の形態１のＬＥＤ電流の制御回路である。 この発明の実施の形態１の照度分布を説明する図である。 この発明の実施の形態１の他の実施例の光源構成を説明する図である。 この発明の実施の形態２の半導体集積回路の回路図である。 この発明の実施の形態３の半導体集積回路の回路図である。 この発明の実施の形態３のアナログスイッチの電源電圧とアナログスイッチのＯＮ抵抗との関係を説明する図である。 この発明のカソードコモンとした場合のＬＥＤ電流の制御回路図である。

符号の説明

１ ＬＥＤ光源、 １Ｒ Ｒ光源（赤色光源）、 １Ｇ Ｇ光源（緑色光源）、 １Ｂ Ｂ光源（青色光源）、 ２ 導光体、 ２ａ 照射部、 ３ ガラス板、 ４ 原稿（被写体）、 ５ レンズ、 ６ センサＩＣ（受光部）、 ７ 半導体集積回路、 ７ａ セレクタ入力分配器、 ８ センサ基板、 ９ コネクタ、 １０ 筐体、 １１ 駆動用プラテン、 １２ 搬送ガイド、 １３ コンデンサ、 １４ 透明樹脂、 １５ ワイヤ（金ワイヤ）、 １６ 基準抵抗、 １７ 調整抵抗（抵抗要素）、 １７ａ 第１調整抵抗、 １７ｂ第２調整抵抗、 １７ｃ第３調整抵抗、 １８ アナログスイッチ（第１のアナログスイッチ、 １８ａ 第１スイッチ、 １８ｂ 第２スイッチ、 １８ｃ 第３スイッチ、 １９ セレクタ、 ２０ 切替入力端子、２１ 第２のアナログスイッチ（抵抗要素）、 ２２ Ｒｏｎ調整入力端子（電源供給電圧端子 Ｖｃｃ）。

Claims (7)

1. 被写体に光を照射する光学波長の異なるＬＥＤ群を複数配置したＬＥＤ光源と、このＬＥＤ光源の光を前記被写体に導く導光体と、前記被写体からの反射光を集束するレンズと、このレンズで集束された反射光を受光する受光部と、前記ＬＥＤ光源、前記受光部を搭載すると共に前記ＬＥＤ光源の個々のＬＥＤ駆動回路に組み込まれ、前記ＬＥＤ光源の照度を調整する可変抵抗要素を搭載したセンサ基板とを備えた密着型イメージセンサ。
2. 前記可変抵抗要素は可変抵抗器であることを特徴とする請求項１記載の密着型イメージセンサ。
3. 前記可変抵抗要素は固定抵抗器または順方向ＰＮ接合素子とアナログスイッチとの並列回路から構成されていることを特徴とする請求項１記載の密着型イメージセンサ。
4. 前記並列回路は複数段直列に接続されていることを特徴とする請求項３記載の密着型イメージセンサ。
5. 被写体に光を照射する光学波長の異なるＬＥＤ群を複数配置したＬＥＤ光源と、このＬＥＤ光源の光を前記被写体に導く導光体と、前記被写体からの反射光を集束するレンズと、このレンズで集束された反射光を受光する受光部と、前記ＬＥＤ光源、前記受光部を搭載すると共に前記ＬＥＤ光源の個々のＬＥＤ駆動回路に組み込まれた第１のアナログスイッチと抵抗要素との並列回路と、この並列回路に論理信号に基づき第１のアナログスイッチを開閉することにより前記ＬＥＤ駆動回路の電流を変化させ個々のＬＥＤ光源の照度を調整するセレクタとを搭載したセンサ基板とを備えた密着型イメージセンサ。
6. 前記抵抗要素は開閉状態が常時閉である第２のアナログスイッチであることを特徴とする請求項５記載の密着型イメージセンサ。
7. 第１のアナログスイッチの電源供給電圧は２．５Ｖ乃至６Ｖであると共に第１のアナログスイッチを駆動する専用の電源供給電圧端子を有することを特徴とする請求項５又は６記載の密着型イメージセンサ。
   

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