JP2006324544A - 固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置 Download PDF

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Abstract

【課題】 接続信頼性が向上した固体撮像装置を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】 固体撮像装置の製造方法は、矩形状の外枠部と、その枠内において該外枠部と一体に形成されたリード部と、該外枠部の一方の面に形成された突出部とを有する一対のリードフレームを、該突出部において長尺状の金属基板の両端部表面に接続して、該リード部と該金属基板表面とが離間している複合リードフレームを形成する工程と、前記複合リードフレームを収容した金型内に絶縁性樹脂を供給し、前記金属基板表面と前記リード部との間隙に前記絶縁性樹脂を充填するとともに、前記外枠部と前記リード部との接合部を外方に露出するように複合リードフレームの一部をモールドし外枠体を形成する工程と、前記外枠体が形成された前記複合リードフレームに長尺状の固体撮像素子を搭載する工程と、前記外枠体の外方に露出した前記接合部を分離する工程と、を含む。
【選択図】図1

Description

本発明は、複数のフォトトランジスタが直線状に形成された固体撮像素子を有する固体撮像装置およびその製造方法に関する。
従来の固体撮像装置としては、例えば特許文献1に記載されたものがある。同文献に記載された固体撮像装置の概略斜視図を図6に示す。図6に示すように、固体撮像装置は、
長尺状のセラミック基板110表面の略中央部に、長尺状の固体撮像素子114が搭載されている。さらに、セラミック基板110の表面には、固体撮像素子114と略平行となるように一対の接着用ガラス111を備えている。セラミック基板110の長手方向両端部において、リード部113が接着用ガラス111を介して接着されている。なお、セラミック基板110、接着用ガラス111、リード部113、および固体撮像素子114のみを図示し、その他の部材の図示を省略する。このように、従来の固体撮像装置においては、リード部113を絶縁性のセラミック基板110表面に直接固定している。
しかしながら、近年、CCDの高速化が進められ、固体撮像素子114の発熱量が増加してきている。そこで、放熱効率を向上させるために、熱伝導性に優れた金属製の基板が用いられるようになってきた。しかしながら、金属製の基板は導電性であるため、基板表面にリード部を直接固定すると固体撮像装置の接続信頼性を保つことができない。そこで、特許文献2,3に示すように金属基板とリード部113との間に絶縁性樹脂層を介在させ電気的に絶縁している。このような固体撮像装置の製造方法は、特許文献2に記載されている。具体的には、金属基板とリードフレームとを、リードフレームの外枠の2箇所で接続した後、基板側からリードフレームを押し上げ、金属基板とリードフレームとを離間させる。その後、リードフレームが接続された金属基板を金型内に収容し、絶縁性樹脂でモールド成型を行う。これにより、金属基板とリードフレームとの間に絶縁性樹脂を充填する。
特開平7−161949号公報 特開2002−334995号公報 特開2005−19680号公報
特許文献2、3においては、金属基板とリードフレームとの間に絶縁性樹脂が充填されており、金属基板とリードフレームとの絶縁性を確保している。しかしながら、近年、固体撮像装置の小型化が進むにつれ、固体撮像装置の接続信頼性の低下が顕在化してきた。つまり、固体撮像装置の小型化により、金属基板とリードフレームとの距離が短くなり、これらが接触し、絶縁不良となる可能性があった。そのため、絶縁性を保つためには、金属基板とリードフレームとを確実に離間させる必要がある。しかしながら、特許文献2に記載の方法では、金属基板表面にリードフレームを接続した後に、基板側からリードフレームを押し上げて、リードフレームを金属基板から離間させているに過ぎず、これらを精度良く離間させることは困難であった。そのため、これらを確実に離間させることはできず、固体撮像装置の接続信頼性が低下する恐れがあった。
本発明の固体撮像装置の製造方法は、矩形状の外枠部と、その枠内において該外枠部と一体に形成されたリード部と、該外枠部の一方の面に形成された突出部とを有する一対のリードフレームを、該突出部において長尺状の金属基板の両端部表面に接続して、該リード部と該金属基板表面とが離間している複合リードフレームを形成する工程と、
前記複合リードフレームを収容した金型内に絶縁性樹脂を供給し、前記金属基板表面と前記リード部との間隙に前記絶縁性樹脂を充填するとともに、前記外枠部と前記リード部との接合部を外方に露出するように複合リードフレームの一部をモールドし外枠体を形成する工程と、
前記外枠体が形成された前記複合リードフレームに長尺状の固体撮像素子を搭載する工程と、
前記外枠体の外方に露出した前記接合部を分離する工程と、
を含む。
この発明によれば、リードフレームの外枠部の一方の面に予め突出部を形成し、この一対のリードフレームを、この突出部において長尺状の金属基板の両端部表面に接続して、複合リードフレームを形成している。これにより、金属基板とリードフレームとの絶縁性を確実に保つことができる。
一方、特許文献2に記載の固体撮像装置の製造方法においては、金属基板表面にリードフレームを接続した後、基板側からリードフレームを押し上げ、金属基板とリードフレームとを離間させている。このような方法では、金属基板とリードフレームとを精度良く離間させることは困難であり、これらを確実に離間させることはできない。
これに対し、本願の方法によれば、リードフレームの外枠部の一方の面に予め突出部を形成し、この突出部において長尺状の金属基板の両端部表面に接続して、複合リードフレームを形成している。これにより、金属基板とリードフレームとを精度良く離間させることができ、これらの絶縁性を確実に保つことができる。そのため、この複合リードフレームを用いることにより固体撮像装置の接続信頼性を向上させることができる。
本発明の固体撮像装置の製造方法によれば、金属基板とリードフレームとの絶縁性が保たれるため、接続信頼性が向上した固体撮像装置を得ることができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
本実施形態における、固体撮像装置の製造方法を図1乃至図5を参照しながら具体的に説明する。
本実施形態の固体撮像装置の製造方法は、矩形状の外枠部18と、その枠内において外枠部18と一体に形成されたリード部17と、外枠部18の一方の面に形成された突出部とを有する一対のリードフレーム20を、前記突出部において長尺状の金属基板10の両端部表面に接続して、リード部17と金属基板10表面とが離間している複合リードフレーム30を形成する工程(図1)と、
複合リードフレーム30を収容した金型内に絶縁性樹脂を供給し、金属基板10表面とリード部17との間隙に前記絶縁性樹脂を充填するとともに、外枠部18とリード部17との接合部を外方に露出するように複合リードフレーム30の一部をモールドし外枠体36を形成する工程(図2乃至図3)と、
外枠体36が形成された複合リードフレーム30に長尺状の固体撮像素子40を搭載する工程(図4)と、
外枠体36の外方に露出した接合部を分離する工程(図4)と、
を含む。
以下、本実施形態の固体撮像装置の製造方法を、工程順に説明する。
まず、矩形状の外枠部18と、その枠内において外枠部18と一体に形成されたリード部17と、外枠部18の一方の面に形成された突出部とを有する一対のリードフレーム20を、前記突出部により長尺状の金属基板10の両端部表面に接続して、リード部17と金属基板10表面とが離間している複合リードフレーム30を形成する(図1)。
金属基板10としては、鉄もしくは鉄を主成分とする合金製のヒートシンク、銅もしくは銅を主成分とする合金製のヒートシンクを用いることができる。本実施形態においては、鉄もしくは鉄を主成分とする合金製のヒートシンクを用いることが好ましい。ヒートシンクは、表面が黒化処理されていてもよく、この場合、錆や腐食に耐え、かつ光の乱反射を抑えることができる。金属基板10の両端部の幅は、その中央部の幅よりも狭くなるように構成されている。
リードフレーム20は、矩形状の外枠部18と、その枠内において外枠部18と一体に形成されたリード部17とを備える。リード部17は、インナーリード12と、アウターリード14と、タイバー16とを相互に接続して構成されている。突出部は、外枠部18と一体であって、外枠部18に曲げ加工を施すことにより形成される。具体的には、リードフレーム板の外枠部の一対の端部を所定の方法により押し下げ加工(ダウンセット)して、一対の接続部22(突出部)を形成することにより、図1に示すようなリードフレーム20が得られる。接続部22は、外枠部18を曲げ加工して設けられた傾斜面を有するとともに、金属基板10と接続するための接続面を有する。接続部22は、リードフレーム20表面から距離a下方に位置している。距離aは、100μm以上600μm以下程度の範囲に設定する。距離aのばらつきは、押し下げ加工の精度により±10μmに管理することができる。このように、リードフレーム板に予め曲げ加工を施して、突出部が形成されたリードフレーム20を用いることにより、金属基板とリードフレームとが精度良く離間させることができる。そのため、これらの絶縁性を確実に保つことができ、固体撮像装置の接続信頼性を向上させることができる。
このような接続部22を、例えばカシメ接続など所定の接続手段24を介して金属基板10両端部の表面に接続して、リード部17と金属基板10表面とが所定距離離間している複合リードフレーム30を形成する。このような形状のリードフレーム20を用いることにより、金属基板10表面とリードフレーム20の下面とが、距離a離間することとなる。そのため、金属基板10とリードフレーム20とが確実に絶縁され、固体撮像装置の接続信頼性が向上する。
次いで、複合リードフレーム30を収容した金型内に絶縁性樹脂を供給し、金属基板10表面とリード部17との間隙に前記絶縁性樹脂を充填するとともに、外枠部18とリード部17との接合部を外方に露出するように複合リードフレーム30の一部をモールドし外枠体36を形成する(図2乃至図3)。
まず、図2(a)の上面図に示すように複合リードフレーム30を金型内に収容する。複合リードフレーム30を金型内に収容する工程を、図2(b)乃至図2(c)を参照して説明する。図2(b)乃至図2(c)は、図2(a)に示す工程図のA−A’線断面斜視図である。なお、図2(c)は、上金型34を透視した図である。
まず、図2(b)に示すように、複合リードフレーム30のリードフレーム20を下金型32上に載置する。本実施態様においては、金属基板10の長手方向両端部の幅は、その中央部の幅よりも狭く構成されているため、金属基板10の両端部の両脇に位置するインナーリード12を下金型32上の突き出し面32a上に載置することができる。突き出し面32aは下金型32の凹部底面より突出して形成されている。突き出し面32aにインナーリード12を載置することにより、突き出し面32aは金属基板10表面より距離aだけ上方に位置する。次いで、図2(c)に示すように、複合リードフレーム30を下金型32と上金型34とにより狭持する。上金型34は、インナーリード12の上面と金属基板10の表面に当接するように段差が設けられている。上金型34の段差は、金属基板10とインナーリード12とを距離a離間させることができるように形成されている。このような下金型32と上金型34を用いることにより、金属基板10とインナーリード12とを確実に距離a離間させることができる。さらに、モールド成型後に金属基板10表面の一部を露出させることができる。
複合リードフレーム30を下金型32と上金型34とで狭持した後、上下金型内に絶縁性樹脂を供給し硬化して、複合リードフレーム30の一部をモールドし、図3(a)の上面図に示すような外枠体36を形成する。外枠体36は、上部に開口する函形状であり、外枠体36の内壁は2段に形成されている。図3(a)の複合リードフレーム30のB−B’線断面斜視図を図3(b)に示す。図3(b)に示すように、外枠体36の内壁の下段表面36aには、インナーリード12の表面が露出している。さらに外枠体36内の底面には、金属基板10表面が露出している。さらに、金属基板10と、リードフレーム20(インナーリード12)との間には、距離aに相当する一定の高さの絶縁性樹脂層が介在している。そのため、金属基板10とリードフレーム20とが確実に絶縁することとなる。また、外枠部18とリード部17との接合部が、外方に露出している。外枠部18とリード部17との接合部は、具体的には、外枠部18とタイバー16との接合部、および外枠部18とアウターリード14との接合部である。後述する工程において、この接合部を切断することにより金属基板10とリード部17とが電気的に絶縁する。なお、外枠部18とタイバー16との接合部の切断、およびアウターリード14部分の曲げ加工は、この段階で予め行っておいてもよい。
次いで、外枠体36が形成された複合リードフレーム30に長尺状の固体撮像素子40を搭載する(図4)。
図4に示すように、外枠体36内に露出している金属基板10の表面に、長尺状の固体撮像素子40を固着するとともに、一対のインナーリード12と、固体撮像素子40のボンディングパッド42とを、ボンディングワイヤ44を介して電気的に接続する。
まず、外枠体36内に露出している金属基板10表面の略中央部に、固体撮像素子40を接着剤41で固着する。固体撮像素子40は、例えば長さが30乃至90mm、幅が0.3乃至1.0mm、厚さが0.4乃至0.7mm程度の長尺形状であり、長手方向両端部に複数のボンディングパッド42を備える。次いで、外枠体36内に露出しているインナーリード12表面と、固体撮像素子40の表面に備えられたボンディングパッド42とを、各々ボンディングワイヤ44で接続する。
そして、外枠体36の外方に露出した、外枠部18とリード部17との接合部を分離して、固体撮像装置を製造する。上述したように、接合部は、外枠部18とタイバー16との接合部、および外枠部18とアウターリード14との接合部であり、この接合部を切断することにより金属基板10とリード部17とを電気的に絶縁させることができる。具体的には、外枠体36の外方に露出している外枠部18を切除し、タイバー16を切断する。
そして、断面略凹形状の外枠体36の上端部にガラス板46を貼付し、外枠体36の上部開口を閉止した後、アウターリード14部分を曲げ加工して固体撮像装置100が製造される。
このようにして製造される固体撮像装置100は、例えば長さが100mm、幅が15mm、厚さが10mm程度の細長い形状である。この固体撮像装置は、ラインセンサとしてコピー機やスキャナー等の画像読取機能を有する電子機器に使用することができる。
以下に、本実施形態における固体撮像装置の製造方法の効果を説明する。
本実施形態においては、リードフレームの外枠部の一方の面に予め突出部を形成し、この突出部において長尺状の金属基板の両端部表面に接続して、複合リードフレームを形成し、この複合リードフレームを用いて固体撮像装置を製造している。これにより、金属基板とリードフレームとが精度良く離間させることができ、これらの絶縁性を確実に保つことができる。
一方、従来の固体撮像装置の製造方法においては、金属基板表面に直接リードフレームを接続した後、突き上げピンで基板側からリードフレームを持ち上げ、基板とリードフレームとを離間させている。しかしながら、このような方法では、金属基板とリードフレームとを、精度良く離間させ、これらを確実に離間させることができないことがあった。つまり、近年の固体撮像装置において、リードフレームを金属基板から離間させる距離は、上記のように極めて短いため、突き上げピンで精度良く離間させるのは非常に困難である。そのため、金属基板表面とリードフレームとが離間せずに接触し、固体撮像装置の接続信頼性が低下する恐れがあった。このような課題は、近年、固体撮像装置が微細化するにつれ顕在化してきたものであり、従来の固体撮像装置においてはそのような課題は存在しなかった。
これに対し、本実施形態によれば、リードフレーム20の外枠部18の一方の面に予め突出部(接続部22)を形成し、この突出部において長尺状の金属基板10の両端部表面に接続して、複合リードフレーム30を形成し、この複合リードフレーム30を用いて固体撮像装置を製造している。このような方法によれば、金属基板上にリードフレームを接続した後にリードフレームを下方から押し上げてこれらを離間させる特許文献2に記載の方法に比べて、金属基板とリードフレームとを精度良く離間させることができる。そのため、これらの絶縁性を確実に保つことができ、固体撮像装置の接続信頼性を向上させることができる。
また、本実施形態において、金属基板10の長手方向両端部の幅は、その中央部の幅よりも狭く構成することができる。
これにより、複合リードフレーム30を上下金型内に収容する際、下金型32上に、インナーリード12が直接載置され、インナーリード12と金属基板10とを距離a離間させることができる。インナーリード12はボンディングパッド42と電気的に接続される箇所であるため、インナーリード12と金属基板10とを確実に離間させることにより金属基板10とリードフレーム20との絶縁性を効果的に保つことができる。これにより、固体撮像装置の接続信頼性がより向上する。
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
例えば、本実施形態においては、外枠部18自体を突出させて接続部22とした例により説明したが、金属基板10とリードフレーム20とを離間させることができれば、外枠部18の一方の面に別部材を固定することにより凸部を形成して接続部としてもよい。また、本実施形態において、金属基板10の両端部の幅が、その中央部の幅よりも狭くなるように構成されている例によって説明したが、本発明の効果を損なわない範囲で、長手方向に一定幅を有する板状の金属基板10を用いることもできる。
本実施形態の固体撮像装置の製造工程を示す工程上面図である。 本実施形態の固体撮像装置の製造工程を示す工程上面図および工程斜視図である。 本実施形態の固体撮像装置の製造工程における工程上面図および工程斜視図である。 本実施形態の製造方法により得られた固体撮像装置の斜視図である。 図4に示す固体撮像装置のC−C’線断面斜視図である。 従来の固体撮像装置の概略斜視図である。
符号の説明
10 金属基板
12 インナーリード
14 アウターリード
16 タイバー
17 リード部
18 外枠部
20 リードフレーム
22 接続部
24 接続手段
30 複合リードフレーム
32 下金型
32a 突き出し面
34 上金型
36 外枠体
36a 下段表面
40 固体撮像素子
41 接着剤
42 ボンディングパッド
44 ボンディングワイヤ
46 ガラス板
100 固体撮像装置
110 セラミック基板
111 接着用ガラス
113 リード部
114 固体撮像素子

Claims (7)

  1. 矩形状の外枠部と、その枠内において該外枠部と一体に形成されたリード部と、該外枠部の一方の面に形成された突出部とを有する一対のリードフレームを、該突出部において長尺状の金属基板の両端部表面に接続して、該リード部と該金属基板表面とが離間している複合リードフレームを形成する工程と、
    前記複合リードフレームを収容した金型内に絶縁性樹脂を供給し、前記金属基板表面と前記リード部との間隙に前記絶縁性樹脂を充填するとともに、前記外枠部と前記リード部との接合部を外方に露出するように複合リードフレームの一部をモールドし外枠体を形成する工程と、
    前記外枠体が形成された前記複合リードフレームに長尺状の固体撮像素子を搭載する工程と、
    前記外枠体の外方に露出した前記接合部を分離する工程と、
    を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  2. 請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法において、
    前記外枠部と前記突出部とは一体に形成されていることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  3. 請求項1または2に記載の固体撮像装置の製造方法において、
    前記複合リードフレームを形成する前記工程の前に、
    矩形状の外枠部と、その枠内において該外枠部と一体に形成されたリード部とを有するリードフレーム板を用意し、このリードフレーム板の前記外枠部の一部を一方に押し出すことによって、該外枠部と一体に形成された突出部を形成する工程を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  4. 請求項1乃至3のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法において、
    前記金属基板の長手方向両端部の幅は、その中央部の幅よりも狭いことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  5. 請求項1乃至4のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法において、
    前記リード部は、前記固体撮像素子と電気的に接続されるインナーリードを含んでなり、
    前記外枠体をモールド成型する前記工程は、
    前記金属基板両端部の両脇に位置する前記インナーリードの下面を下金型に当接するように前記複合リードフレームを前記下金型に載置し、次いで上金型と前記下金型とで前記複合リードフレームを狭持した後、該金型内に絶縁性樹脂を供給し硬化して前記外枠体をモールド成型する工程であることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  6. 請求項1乃至5のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法において、
    前記金属基板は鉄または鉄を主成分とする合金からなることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  7. 請求項1乃至6のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法により得られたことを特徴とする固体撮像装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2913529B1 (fr) * 2007-03-09 2009-04-24 E2V Semiconductors Soc Par Act Boitier de circuit integre,notamment pour capteur d'image, et procede de positionnement

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07161954A (ja) * 1993-12-10 1995-06-23 Nec Corp 固体撮像素子用キャビティケース
JPH08153844A (ja) * 1994-11-28 1996-06-11 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2002334975A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Nec Corp 半導体装置の支持構造、ccd半導体装置、その製造方法、及び、ccd半導体装置用パッケージ
JP2004146530A (ja) * 2002-10-23 2004-05-20 Mitsui Chemicals Inc 樹脂製中空パッケージ

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5223746A (en) * 1989-06-14 1993-06-29 Hitachi, Ltd. Packaging structure for a solid-state imaging device with selectively aluminium coated leads
JPH07161949A (ja) 1993-12-02 1995-06-23 Hitachi Ltd 固体撮像装置とその製造方法
JP4056765B2 (ja) 2001-02-28 2008-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4519424B2 (ja) 2003-06-26 2010-08-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 樹脂モールド型半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07161954A (ja) * 1993-12-10 1995-06-23 Nec Corp 固体撮像素子用キャビティケース
JPH08153844A (ja) * 1994-11-28 1996-06-11 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2002334975A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Nec Corp 半導体装置の支持構造、ccd半導体装置、その製造方法、及び、ccd半導体装置用パッケージ
JP2004146530A (ja) * 2002-10-23 2004-05-20 Mitsui Chemicals Inc 樹脂製中空パッケージ

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