JP2006322978A - 液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】 液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造の提供。
【解決手段】 基板と、該基板を被覆する第1導電金属層と、該第1導電金属層を被覆する第1絶縁層と、該第1絶縁層を被覆する第2導電金属層と、該第2導電金属層を被覆する第2絶縁層と、該第2絶縁層を被覆し、且つ一部領域が該第2導電金属層に対応する画素電極と、を包含し、該画素電極と第2導電金属層の対応する重畳領域にあって、第2絶縁層が挟まれて画素保存コンデンサ構造が形成されている。該第2導電金属層はコモン電極を包含し、該第2導電金属層が形成するコモン電極が、金属層の不透光性により画素の遮光層とされ、余分のバックライトモジュールの光線を遮断し、各画素間の光線の相互干渉を防止し、全体のディスプレイパネルのコントラストを高める。
【選択図】 図4
【解決手段】 基板と、該基板を被覆する第1導電金属層と、該第1導電金属層を被覆する第1絶縁層と、該第1絶縁層を被覆する第2導電金属層と、該第2導電金属層を被覆する第2絶縁層と、該第2絶縁層を被覆し、且つ一部領域が該第2導電金属層に対応する画素電極と、を包含し、該画素電極と第2導電金属層の対応する重畳領域にあって、第2絶縁層が挟まれて画素保存コンデンサ構造が形成されている。該第2導電金属層はコモン電極を包含し、該第2導電金属層が形成するコモン電極が、金属層の不透光性により画素の遮光層とされ、余分のバックライトモジュールの光線を遮断し、各画素間の光線の相互干渉を防止し、全体のディスプレイパネルのコントラストを高める。
【選択図】 図4
Description
本発明は一種の液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造に係り、特にアクティブマトリクス液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造であって、画素の開口率を高め、全体のパネル表示の輝度を向上できるものに関する。
液晶ディスプレイ(LCD)は低輻射性及び軽量薄型でコンパクトな長所により、広く使用され、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ(TFT LCD)は、そのコントラストと視角の特徴から、現在市場で主流のディスプレイとなっている。液晶自身は不発光であるため、TFT LCDの光源はバックライトとされる。このバックライトからの光線はTFT LCDの各層、例えば偏光片、カラーフィルタ等を通過するため、実際に表示される輝度はもとの光源の10%程度となる。輝度の不足を解消するため、パネル開口率を高めてパネルの表示輝度を向上するため、いかにディスプレイパネル上の画素の開口率を高めるかがパネル研究開発者の努力目標となっている。
図1は伝統的なTFT LCDの画素構造表示図である。周知の技術のディスプレイ領域構造として図示されるのは、薄膜トランジスタスイッチ素子を使用したアクティブマトリクス液晶ディスプレイパネル10の構造の実例である。この液晶ディスプレイパネル10は、各マトリクスブロックに配置されたTFT2とTFT2のソース(画素電極)に接続された画素コンデンサ1を具えている。該画素コンデンサ1は画素電極とコモン電極接点4間に介在する液晶層が形成する液晶コンデンサ1aと、該液晶コンデンサ1aに平行な保存コンデンサ1bを包含する。液晶コンデンサ1a、保存コンデンサ1bの別端は対応基板のコモン電極接点4に電気的に接続される。走査信号線3はTFT2のゲートに電気的に接続され、データ信号線5はTFT2のドレインに電気的に接続される。該TFT2は走査信号線3が提供する信号によりTFT2をオン/オフの状態となす。TFT2がオンされる時、画像信号電圧はデータ信号線5を通りTFT2のソース(画素電極)に供給され、該TFT2のドレインが画素コンデンサ1に対してドレインに対応する電圧準位まで充電する。そのうち、符号8と9はそれぞれドライバICに接続された走査信号線接点8、データ信号線接点9とされる。
別に液晶ディスプレイパネル10にあって静電防護回路7が走査信号線3と等電位線接点6の間、及びデータ信号線5と等電位線接点6の間に介在する。静電電圧が発生する時、静電防護回路7により静電電圧が排除され、これによりTFT2の静電電圧による破壊が防止される。そのうち、該静電電圧は液晶ディスプレイパネルの製造工程において、アクティブマトリクス基板(その上にスイッチ素子を具えた基板)が組み合わされる時、特にドライバICを配置する工程で発生する。
図2は周知の技術の画素レイアウト表示図である。それは、TFT11、遮光層13、第1導電金属層で形成された走査信号線14、アクティブ領域15、第2導電金属層で形成されたデータ信号線16、画素電極17及びコモン電極18を包含する。その保存コンデンサ製造の方式は、第1導電金属層で形成されたコモン電極18と第2導電金属層で形成されたTFT11のソース(画素電極)の対応する重畳領域19を形成する、というものである。このほか、遮光層13で漏光防止し、液晶ディスプレイ内部の余分のバックライトモジュールの光線を遮断し、各画素間の光源の相互干渉を防止し、表示のコントラストを高め、こうして画素に保存コンデンサと遮光の効果を具備させている。しかし、一定面積の情況では、この設計方法の開口率は大きくない。これは保存コンデンサ形成に必要な重畳領域19の面積をあまり小さくできないためであり、該遮光層13が一定の面積を占拠し、液晶パネルに対して高解析度が求められる傾向にあって、この設計方法はその開口率を更に圧縮させてしまう。
前述の欠点に対して、特許文献1において第1導電金属層で形成したコモン電極と透明導電層−画素電極(例えばITO)の対応重畳領域を利用して保存コンデンサを形成する構造が提出されている。この設計方法は伝統的なレイアウト方法に較べて高い開口率を有するが、そのコモン電極と画素電極の間はTFT素子工程であり、このため二層の絶縁層、即ち第1絶縁層即ちゲート絶縁層と、第2絶縁層即ちパッシベーション層(passivation)を具え、二つの平板間のコンデンサ公式から分かるように、二つの平板間のキャパシタンスは平板間の距離と反比例するため、特許文献1に記載の第1導電金属層−コモン電極と透明導電層−画素電極の厚さはこれら絶縁層の厚さにより縮小が難しく、このため一定のストレージキャパシタンスの画素設計下にあって、各画素が必要とするストレージキャパシタンスの製造のために一定の重畳領域が必要となる。
上述の欠点を解決するため、本発明の主要な目的は一種の液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造を提供することにあり、それは、第2導電金属層で形成したコモン電極と透明導電層で形成した画素電極の対応する重畳領域に第2絶縁層が挟まれ、画素累積電荷の保存コンデンサ形態が形成されたものとする。第2絶縁層は単一厚さとされ、且つ単一厚さの制御可能な特性により、周知のものに較べて少ない重畳面積で画素が必要とする保存キャパシタンスを達成でき、これにより本発明の画素は周知の技術に較べてその開口率が高められ、全体のパネル表示の輝度を向上できるものとされる。
本発明の次の目的は、一種の液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造を提供することにあり、それは、コモン電極が画素電極と保存コンデンサを形成すると共に、該コモン電極の不透光性により、コモン電極が該画素の遮光層とされ、余分のバックライトモジュールの光線を遮断し、これにより全体のディスプレイパネルのコントラストが高められ、周知の技術のように別に遮光層を設置する必要がないものとされる。
請求項1の発明は、液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造において、
基板(100)と、
該基板(100)を被覆する第1導電金属層と、
該第1導電金属層を被覆する第1絶縁層(101)と、
該第1絶縁層(101)を被覆する第2導電金属層と、
該第2導電金属層を被覆する第2絶縁層(102)と、
該第2絶縁層(102)を被覆し、且つ一部領域が該第2導電金属層に対応する画素電極(170)と、
を包含し、該画素電極(170)と第2導電金属層の対応する重畳領域(200)にあって、第2絶縁層(102)が挟まれて画素保存コンデンサ構造が形成されたことを特徴とする、液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造としている。
請求項2の発明は、請求項1記載の液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造において、第1導電金属層が液晶ディスプレイパネルの走査信号線(110)とされたことを特徴とする、液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造としている。
請求項3の発明は、請求項1記載の液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造において、第2導電金属層が液晶ディスプレイパネルのデータ信号線(150)及びコモン電極(151)とされたことを特徴とする、液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造としている。
請求項4の発明は、請求項3記載の液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造において、コモン電極(151)と画素電極(170)の対応する重畳領域(200)にあって、第2絶縁層(102)が挟まれて画素保存コンデンサ構造が形成されたことを特徴とする、液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造としている。
基板(100)と、
該基板(100)を被覆する第1導電金属層と、
該第1導電金属層を被覆する第1絶縁層(101)と、
該第1絶縁層(101)を被覆する第2導電金属層と、
該第2導電金属層を被覆する第2絶縁層(102)と、
該第2絶縁層(102)を被覆し、且つ一部領域が該第2導電金属層に対応する画素電極(170)と、
を包含し、該画素電極(170)と第2導電金属層の対応する重畳領域(200)にあって、第2絶縁層(102)が挟まれて画素保存コンデンサ構造が形成されたことを特徴とする、液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造としている。
請求項2の発明は、請求項1記載の液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造において、第1導電金属層が液晶ディスプレイパネルの走査信号線(110)とされたことを特徴とする、液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造としている。
請求項3の発明は、請求項1記載の液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造において、第2導電金属層が液晶ディスプレイパネルのデータ信号線(150)及びコモン電極(151)とされたことを特徴とする、液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造としている。
請求項4の発明は、請求項3記載の液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造において、コモン電極(151)と画素電極(170)の対応する重畳領域(200)にあって、第2絶縁層(102)が挟まれて画素保存コンデンサ構造が形成されたことを特徴とする、液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造としている。
本発明は周知の技術の欠点を解決した一種の液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造を提供し、それは、第2導電金属層で形成したコモン電極と透明導電層で形成した画素電極の対応する重畳領域に第2絶縁層が挟まれ、画素累積電荷の保存コンデンサ形態が形成されたものとする。第2絶縁層は単一厚さとされ、且つ単一厚さの制御可能な特性により、周知のものに較べて少ない重畳面積で画素が必要とする保存キャパシタンスを達成でき、これにより本発明の画素は周知の技術に較べてその開口率が高められ、全体のパネル表示の輝度を向上できる。
本発明の液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造は、コモン電極が画素電極と保存コンデンサを形成すると共に、該コモン電極の不透光性により、コモン電極が該画素の遮光層とされ、余分のバックライトモジュールの光線を遮断し、これにより全体のディスプレイパネルのコントラストが高められ、周知の技術のように別に遮光層を設置する必要がない。
本発明は一種の液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造を提供し、それは、基板と、該基板を被覆する第1導電金属層と、該第1導電金属層を被覆する第1絶縁層と、該第1絶縁層を被覆する第2導電金属層と、該第2導電金属層を被覆する第2絶縁層と、該第2絶縁層を被覆し、且つ一部領域が該第2導電金属層に対応する画素電極と、を包含し、該画素電極と第2導電金属層の対応する重畳領域にあって、第2絶縁層が挟まれて画素保存コンデンサ構造が形成されている。
該第2導電金属層はコモン電極を包含し、該第2導電金属層が形成するコモン電極が、金属層の不透光性により画素の遮光層とされ、余分のバックライトモジュールの光線を遮断し、各画素間の光線の相互干渉を防止し、全体のディスプレイパネルのコントラストを高める。
該第2導電金属層はコモン電極を包含し、該第2導電金属層が形成するコモン電極が、金属層の不透光性により画素の遮光層とされ、余分のバックライトモジュールの光線を遮断し、各画素間の光線の相互干渉を防止し、全体のディスプレイパネルのコントラストを高める。
図3は薄膜トランジスタ(TFT)の断面図である。以下に先ず本発明のTFT工程について説明する。まず、第1導電金属層で、TFT構造のゲート51と画素の走査信号線を基板50の表面に形成する。その材料の成膜はスパッタ設備で行い、その材料はモリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム及びアルミ合金からなる群より選択された少なくとも一つとし、必要によりマルチレイヤーを形成する。その次に、第1絶縁層でゲート絶縁層52と半導体層を形成する。そのうち、半導体層の成膜にはPECVD設備を使用し、連続の方式で、ゲート絶縁層52(例えばSiNx)、a−Si:H本質層53、及びn+Siオームコンタクト膜54を形成し、そのうちa−Si:H本質層53とSiNxのゲート絶縁層52は連続成膜され、ゆえにこの方法により良好なSiNxとa−Si:H半導体膜の界面が得られる。続いてリソグラフィーとエッチングモジュールを利用して該TFTの必要とするアクティブ領域パターンを形成する。その後、更に第2導電金属層をスパッタしリソグラフィー工程を利用し、TFT構造のドレイン、ソース55のパターンを形成し、その後、ドライエッチング方式で背向チャネル端のn+Siオームコンタクト膜54をエッチングする。続いて薄膜工程でCVDにより第2絶縁層56を堆積させ、パッシベーション層を形成する。続いてリソグラフィー工程で異なる金属層を接続させる部分に孔を形成する。続いて透明導電層をスパッタして画素電極57を形成する。その材料は例えばITOとする。続いて、リソグラフィー工程で画素領域のパターンを形成し、TFT工程を完成する。
以上に本発明のTFTの構造を説明したが、次に、図4、5を共に参照されたい。それは本発明の画素構造の第1実施態様を示す。本発明は、基板100と、該基板100を被覆し且つ液晶ディスプレイパネルの走査信号線110とされる第1導電金属層と、該第1導電金属層を被覆する第1絶縁層101と、該第1絶縁層101を被覆し該液晶ディスプレイパネルのデータ信号線150とコモン電極151とされる第2導電金属層と、該第2導電金属層を被覆する第2絶縁層102と、透明導電層で形成されて該第2絶縁層102を被覆し、且つ一部領域が該第2導電金属層のコモン電極151に対応する画素電極170と、を具え、画素電極と第2導電金属層が形成するコモン電極151間の対応する重畳領域200にあって、画素電極170と第2導電金属層に第2絶縁層102が挟まれたコンデンサ構造が形成されている。
本発明では第2導電金属層で形成したコモン電極151と透明導電層で形成した画素電極170の対応する重畳領域200を利用して画素保存コンデンサ構造が形成されている。この第1実施態様の構造は、TFT300、第1導電金属層で形成され基板100表面においてパターン化された走査信号線110を具え、そのうち、走査信号線110は横向き態様とされ、且つ第1導電金属層で形成される。更に、第2導電金属層で形成された縦向き態様のデータ信号線150、及び該画素の内側に沿って設けられるコモン電極151を具えている。その後、更に第2絶縁層102が堆積されてパッシベーション層が形成される。コンタクトウインドウ152と透明導電層が画素電極170(そのうち該コンタクトウインドウ152は該TFT300のソースと該画素電極170を接続するのに用いられる)を形成し、コモン電極151と一部の画素電極170の対応する重畳領域200に第2絶縁層102が挟まれて、画素累積電荷の保存コンデンサ形態が形成される。
図6は本発明の画素構造の第2実施態様を示す。これにおいても、第2導電金属層で形成したコモン電極151と透明導電層で形成した画素電極170の対応する重畳領域200に、画素の保存コンデンサ構造が形成される。第2実施態様の第1実施態様と異なるところは、第1導電金属層で形成される走査信号線110が縦向き態様に改められ、第2導電金属層で形成されるデータ信号線150が横向き態様に改められたことである。この第2実施態様の画素構造は、TFT300、基板100表面においてパターン化され第1導電金属層で形成された走査信号線110、第2導電金属層で形成されて横向き態様を呈するデータ信号線150、及び画素の内側に位置するコモン電極151を具えている。その後、更に第2絶縁層102が堆積され、パッシベーション層が形成され、コンタクトウインドウ152と透明導電層で形成された画素電極170が設けられる(そのうち、コンタクトウインドウ152はTFT300のソースと画素電極170を接続するのに用いられる)。コモン電極151と画素電極170の対応部分に第2絶縁層102が挟まれて画素累積電荷の保存コンデンサ形態が形成される。
また、本発明中、第2導電金属層で形成されるコモン電極151が一部画素電極170との対応する重畳領域200が保存コンデンサを形成すると共に、該第2導電金属層の不透光性により、コモン電極151が画素の遮光層とされて余分のバックライトモジュールの光線を遮断し、全体のディスプレイパネルのコントラストを高め、伝統的な技術のように別に遮光層を設ける必要がない。
以上は本発明の好ましい実施例の説明であって本発明の実施範囲を限定するものではなく、以上の説明及び図面の記載に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
51 ゲート
52 ゲート絶縁層
53 a−Si:H本質層
54 n+Siオームコンタクト膜
55 ドレイン、ソース
56 第2絶縁層
57 画素電極
100 基板
101 第1絶縁層
102 第2絶縁層
110 走査信号線
150 データ信号線
151 コモン電極
152 コンタクトウインドウ
170 画素電極
200 重畳領域
300 TFT
52 ゲート絶縁層
53 a−Si:H本質層
54 n+Siオームコンタクト膜
55 ドレイン、ソース
56 第2絶縁層
57 画素電極
100 基板
101 第1絶縁層
102 第2絶縁層
110 走査信号線
150 データ信号線
151 コモン電極
152 コンタクトウインドウ
170 画素電極
200 重畳領域
300 TFT
Claims (4)
- 液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造において、
基板(100)と、
該基板(100)を被覆する第1導電金属層と、
該第1導電金属層を被覆する第1絶縁層(101)と、
該第1絶縁層(101)を被覆する第2導電金属層と、
該第2導電金属層を被覆する第2絶縁層(102)と、
該第2絶縁層(102)を被覆し、且つ一部領域が該第2導電金属層に対応する画素電極(170)と、
を包含し、該画素電極(170)と第2導電金属層の対応する重畳領域(200)にあって、第2絶縁層(102)が挟まれて画素保存コンデンサ構造が形成されたことを特徴とする、液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造。 - 請求項1記載の液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造において、第1導電金属層が液晶ディスプレイパネルの走査信号線(110)とされたことを特徴とする、液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造。
- 請求項1記載の液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造において、第2導電金属層が液晶ディスプレイパネルのデータ信号線(150)及びコモン電極(151)とされたことを特徴とする、液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造。
- 請求項3記載の液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造において、コモン電極(151)と画素電極(170)の対応する重畳領域(200)にあって、第2絶縁層(102)が挟まれて画素保存コンデンサ構造が形成されたことを特徴とする、液晶ディスプレイパネルの画素保存コンデンサ構造。
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CN102236222A (zh) * | 2010-04-23 | 2011-11-09 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制造方法和液晶显示器 |
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CN102236222B (zh) * | 2010-04-23 | 2013-07-10 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制造方法和液晶显示器 |
US9753335B2 (en) | 2010-04-23 | 2017-09-05 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Array substrate with additional electrode formed above gate line, manufacturing method thereof and liquid crystal display |
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