JP2006319242A - 露光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 複数の構成機器を気体バネを用いて支持した場合でも構成機器同士の接触を防止する。
【解決手段】 移動ステージ４０を用いてパターンの像を投影光学系ＰＬにより基板Ｗに露光する。第１気体室３００ａに供給した気体の圧力により投影光学系ＰＬを支持する第１支持装置３００と、第２気体室１８０に供給した気体の圧力により移動ステージ４０を支持する第２支持装置５８と、第１気体室３００ａの排気量と第２気体室１８０の排気量とを異ならせて、投影光学系ＰＬと移動ステージ４０との干渉を防止する排気装置７０、８０と、を備えた。
【選択図】 図１

Description

本発明は、露光装置に関し、特に基板に対して、投影光学系及び液体を介して露光する際に用いて好適な露光装置に関するものである。

半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する、所謂フォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。近年、デバイスパターンのより一層の高集積化に対応するために投影光学系の更なる高解像度化が望まれている。投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短いほど、また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。そのため、露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大している。そして、現在主流の露光波長はＫｒＦエキシマレーザの２４８ｎｍであるが、更に短波長のＡｒＦエキシマレーザの１９３ｎｍも実用化されつつある。また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度（ＤＯＦ）も重要となる。解像度Ｒ、及び焦点深度δはそれぞれ以下の式で表される。
Ｒ＝ｋ１・λ／ＮＡ … （１）
δ＝±ｋ２・λ／ＮＡ^２ … （２）
ここで、λは露光波長、ＮＡは投影光学系の開口数、ｋ１、ｋ２はプロセス係数である。（１）式、（２）式より、解像度Ｒを高めるために、露光波長λを短くして、開口数ＮＡを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。

焦点深度δが狭くなり過ぎると、投影光学系の像面に対して基板表面を合致させることが困難となり、露光動作時のフォーカスマージンが不足するおそれがある。そこで、実質的に露光波長を短くして、且つ焦点深度を広くする方法として、例えば下記特許文献１に開示されている液浸法が提案されている。この液浸法は、投影光学系の下面と基板表面との間を水や有機溶媒等の液体で満たして液浸領域を形成し、液体中での露光光の波長が空気中の１／ｎ（ｎは液体の屈折率で通常１．２〜１．６程度）になることを利用して解像度を向上するとともに、焦点深度を約ｎ倍に拡大するというものである。
国際公開第９９／４９５０４号パンフレット

しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
液浸法を実現させるためには、投影光学系の先玉レンズと、ウエハテーブル（ウエハステージ）に吸着保持されたウエハとの間は表面張力で液体を保持できる程度の僅かな隙間しか許容されない。そのため、露光処理を実施するためのソフトウェアのバグによる暴走や、停電による制御不能状態、地震等によりウエハが投影光学系や、液体を供給する液体供給装置に接触してしまう可能性がある。

また、これら投影光学系やウエハテーブルには、気体室に気体が供給される気体バネにより支持される構成のものがあるが、この構成においては、不測の事態が生じた場合、例えば地震の揺れにより、気体バネに支持された装置が他の構造物と接触して損傷を受ける虞がある。そのため、このような事態が生じた際には、気体室から迅速に排気して速やかに安定した状態とすることが好ましいが、上述したように、投影光学系の先玉レンズとウエハとの間には僅かな隙間しか存在しないため、これらが接触する可能性が高くなる。

本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、露光装置を構成する構成機器同士の接触を防止することのできる露光装置を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す図１ないし図７に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の露光装置は、移動ステージ（４０）を用いてパターンの像を投影光学系（ＰＬ）により基板（Ｗ）に露光する露光装置（ＥＸ）であって、第１気体室（３００ａ）に供給した気体の圧力により投影光学系（ＰＬ）を支持する第１支持装置（３００）と、第２気体室（１８０）に供給した気体の圧力により移動ステージ（４０）を支持する第２支持装置（５８）と、第１気体室（３００ａ）の排気量と第２気体室（１８０）の排気量とを異ならせて、投影光学系（ＰＬ）と移動ステージ（４０）との干渉を防止する排気装置（７０、８０）と、を備えたことを特徴とするものである。

従って、本発明の露光装置では、投影光学系（ＰＬ）及び移動ステージ（４０）を安定状態とするために、第１気体室（３００ａ）及び第２気体室（１８０）を排気する際に排気装置（７０、８０）によって第１気体室（３００ａ）の排気量と第２気体室（１８０）の排気量とを異ならせることにより、投影光学系（ＰＬ）と移動ステージ（４０）との干渉・衝突を防止することができる。

また、本発明の露光装置は、基板（Ｗ）を載置する基板ステージ（４０）と、基板（Ｗ）に液体（ＬＱ１）を供給する液体供給装置（１）とを備え、液体（ＬＱ１）を介して基板（Ｗ）にパターンを露光する露光装置（ＥＸ）において、第１気体室（３００ａ）に供給した気体の圧力により液体供給装置（１）を支持する第１支持装置（３００）と、第２気体室（１８０）に供給した気体の圧力により基板ステージ（４０）を支持する第２支持装置（５８）と、第２気体室（１８０）の排気量を第１気体室（３００ａ）の排気量よりも大きくして、液体供給装置（１）と基板ステージ（４０）との干渉を防止する排気装置（７０、８０）と、を備えたことを特徴とするものである。

従って、本発明の露光装置では、液体供給装置（１）及び基板ステージ（４０）を安定状態とするために、第１気体室（３００ａ）及び第２気体室（１８０）を排気する際に排気装置（７０、８０）によって第２気体室（１８０）の排気量を第１気体室（３００ａ）の排気量よりも大きくすることにより、液体供給装置（１）と基板ステージ（４０）との間の距離が大きくなり、液体供給装置（１）と基板ステージ（４０）との干渉・衝突を防止することができる。

なお、本発明をわかりやすく説明するために、一実施例を示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。

本発明では、露光装置を構成する、各構成機器に損傷が及ぶことを回避することができる。

以下、本発明の露光装置の実施の形態を、図１ないし図８を参照して説明する。
図１は、露光装置ＥＸの構成を示す模式図である。露光装置ＥＸは、レチクル（マスク）Ｒとウエハ（基板）Ｗとを一次元方向に同期移動しつつ、レチクルＲに形成された回路パターンを投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上の各ショット領域に転写するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置、いわゆるスキャニング・ステッパである。

なお、以下の説明において、投影光学系ＰＬの光軸と一致する方向をＺ軸方向、Ｚ軸方向に垂直な平面内でレチクルＲとウエハＷとの同期移動方向（走査方向）をＹ軸方向、Ｚ軸方向及びＹ軸方向に垂直な方向（非走査方向）をＸ軸方向とする。更に、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわり方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

露光装置ＥＸは、光源５からの照明光によりレチクルを照明する照明光学系１０、レチクルＲを保持するレチクルステージ２０、レチクルから射出される照明光をウエハＷ上に投影する投影光学系ＰＬ、ウエハＷを保持するウエハステージ（基板ステージ、移動ステージ）４０、レチクルステージ２０と投影光学系ＰＬ等を保持する本体フレーム１００と、本体フレーム１００及びウエハステージ４０を下方から支持する基礎フレーム２００等を備える。

照明光学系１０は、ハウジング１１と、その内部に所定の位置関係で配置されたリレーレンズ系、光路折り曲げ用ミラー、コンデンサレンズ系等から成る光学部品を備える。そして、光源５から射出されたレーザビームは、照明光学系１０に入射し、レーザビームの断面形状が整形されるとともに照度分布がほぼ均一な照明光（露光光）となってレチクル上に照射される。
この照明光学系１０は、本体フレーム１００を構成する第２架台１２０の上面に固定された上方向（Ｚ方向）に伸びる照明系支持コラム１２によって支持される。

レチクルステージ２０は、レチクルＲを保持するレチクル微動ステージと、レチクル微動ステージと一体に走査方向であるＸ軸方向に所定ストロークで移動するレチクル粗動ステージと、これらを移動させるリニアモータ等（いずれも不図示）を備える。そして、レチクル微動ステージには、矩形開口が形成されており、開口周辺部に設けられたレチクル吸着機構によりレチクルＲが真空吸着等により保持される。また、レチクル微動ステージの２次元的な位置及び回転角、並びにレチクル粗動ステージのＸ軸方向の位置は、不図示のレーザ干渉計により高精度に計測され、この計測結果に基づいてレチクルＲの位置及び速度が制御される。
このレチクルステージ２０は、本体フレーム１００を構成する後述の第２架台１２０の上面に不図示の非接触ベアリング（例えば気体静圧軸受け）を介して浮上支持される。

投影光学系ＰＬは、物体面側（レチクル側）と像面側（ウエハ側）の両方がテレセントリックであり、所定の投影倍率β（βは、例えば１／５）で縮小する縮小系が用いられる。このため、レチクルＲに照明光学系１０から照明光（紫外パルス光）が照射されると、レチクルＲ上に形成された回路パターン領域のうちの紫外パルス光によって照明された部分からの結像光束が投影光学系ＰＬに入射し、その回路パターンの部分倒立像が紫外パルス光の各パルス照射の度に投影光学系ＰＬの像面側の視野中央にＹ軸方向に細長いスリット状又は矩形状（多角形）に制限されて結像される。これにより、投影された回路パターンの部分倒立像は、投影光学系ＰＬの結像面に配置されたウエハＷ上の複数のショット領域のうちの１つのレジスト層に縮小転写される。
また、投影光学系ＰＬは、外壁（鏡筒）にフランジ３１が設けられ、本体フレーム１００を構成する後述の第１架台１１０に設けられた孔部１１１に挿入されて、当該第１架台１１０にフランジ３１を介して支持される。

本体フレーム１００は、投影光学系ＰＬ等を支持する第１架台１１０と、投影光学系ＰＬの上方に配置されるレチクルステージ２０等を支持する第２架台１２０とから構成される。第１架台１１０は、板形の部材からなり、円筒状の投影光学系ＰＬの外径よりもやや大きく形成された孔部１１１を備え、この孔部１１１に投影光学系ＰＬが挿入されて、投影光学系ＰＬを支持する。第２架台１２０は、レチクルステージ２０を戴置する支持盤１２１と、支持盤１２１の外周部の下面から下方に伸びて、第１架台１１０と連結する複数の支柱１２２とから構成される。支柱１２２は、第２架台１２０の安定性を考慮すると３本であることが望ましいが、これに限るものではない。また、支持盤１２１と複数の支柱１２２とは、ボルト等の締結手段等で連結される構造であっても、一体に形成される構造であってもよい。そして、支柱１２２がボルト等の締結手段により第１架台１１０と締結されることにより、第１架台１１０と第２架台１２０とが一体に構成される。なお、支柱１２２と第１架台１１０とは、第１架台１１０に支持される投影光学系ＰＬと第２架台１２０に支持されるレチクルステージ２０とが所定の位置関係となるように調整されて締結される。

基礎フレーム２００は、クリーンルームの床部Ｆ上に３つのレベリングフット２１１を介して略水平に載置される。基礎フレーム２００は、ウエハステージ４０を戴置するベース部２０１と、ベース部２０１の上面から上方向に所定の長さで伸びる複数の支柱２０２とを備える。そして、支柱２０２上には、エアマウント３００を介して、本体フレーム１００（及び投影光学系ＰＬ、レチクルステージ２０）が浮上支持される。なお、支柱２０２は、本体フレーム１００の安定性を考慮すると３本であることが望ましいが、これに限るものではない。また、ベース部２０１と複数の支柱２０２とは、締結手段等で連結される構造であっても、一体に形成される構造であってもよい。また、床部Ｆ上には、加速度計等からなる地震感知センサＦＳが設置されている。地震感知センサＦＳが感知した結果は、制御装置ＣＯＮＴに出力される。

エアマウント３００は、いわゆる空気バネ（気体バネ）であり、後述する気体供給系７０からエア室３００ａに供給されたエアの圧力によって、本体フレーム１００を基礎フレーム２００上に床部Ｆから振動的に分離して支持している。エアマウント３００は、本体フレーム１００を非接触で駆動する不図示のアクチュエータと、本体フレーム１００上に取り付けられた加速度計と、本体フレーム１００の位置を非接触で検出する位置センサ（いずれも不図示）と共に、床振動を遮断しつつ本体フレーム１００の位置を制御するアクティブ防振台を構成している。アクティブ防振台を構成するアクチュエータおよび位置センサは床部Ｆの振動を遮断するため非接触方式のものが採用されており、本体フレーム１００とは所定の距離をおいて離間している。なお、不図示のアクチュエータを省略して、エアマウント３００の内圧を制御することによりアクティブ防振台を構成してもよい。この所定の距離を確保するために、エアマウント３００に支持された本体フレーム１００は、水平面（ＸＹ面）内の移動量が１〜２ｍｍ程度となるように規制される。そして、地震等により露光装置ＥＸに大きな振動が加わった際、本体フレーム１００が規制を超えて移動しないように本体フレーム１００の移動を拘束するストッパシステム３１０が設置されている。

ストッパシステム３１０は、本体フレーム１００の移動を規制する装置であって、図２に示すように、第１架台１１０から水平方向に延出する延出部３１１と、支柱２０２上に立設されたコラム２０３に設けられ、延出部３１１とＺ方向両側に所定の隙間をもって対向配置された係合部３１２とから構成される。なお、ストッパシステム３１０は、実際には本体フレーム１００の移動を６軸（Ｘ、Ｙ、Ｚ、θＸ、θＹ、θＺ）について規制するが、ここではＺ軸方向の規制についてのみ説明する。
係合部３１２には、延出部３１１のＺ方向両側に位置して、所定のストロークをもって弾性変形する弾性体としてスプリング３１３が対向配置されている。

ウエハステージ４０は、ウエハＷを保持するウエハテーブルＷＴと、定盤２１に支持されてウエハテーブルＷＴと一体的にリニアモータ等の駆動装置によりＹ軸方向に連続移動するとともにＸ軸方向にステップ移動し、更にθＺ方向に微少移動可能なＸＹステージ４１とを備える。定盤２１は、基礎フレーム２００を構成するベース部２０１上に、レベリングフットＬＦ１を介して支持される。なお、レベリングフットＬＦ１は省略してもよい。このＸＹステージ４１には、本願出願人が先に出願した特願２００４−２１５４３９号に記載されているような自重キャンセラ機構５８（図１参照）が設けられている。この自重キャンセラ機構は、ベローズに内圧をかけてウエハステージ４０を支える支持部と、ガイド面としての移動面２１ａに対向してウエハステージ４０を移動面２１ａに対して浮上させるエアベアリング部とを有している。

より詳細には、図３の縦断面図に示すように、自重キャンセラ機構５８は、下端部（−Ｚ側端部）が開口し、上端部（＋Ｚ側端部）が閉塞された円筒状のシリンダ部１７０Ａと、当該シリンダ部１７０Ａの内部に前記開口を介して挿入され、シリンダ部１７０Ａに対して相対移動可能なピストン部１７０Ｂとを備えており、ウエハステージ４０の重心位置に配置される。シリンダ部１７０Ａの内部のピストン部１７０Ｂより上方には、ほぼ気密状態の空間１８０が形成されている。空間１８０には、シリンダ部１７０Ａの一部に形成された不図示の開口を介して後述する気体供給系８０から、例えばヘリウムなどの希ガスあるいは窒素、またはエア（本実施形態ではエアを採用）が陽圧で供給される。

ピストン部１７０Ｂには、下端面（−Ｚ側端面）に形成された溝１７４ｂと、上端面から底面まで達し、下端部ではノズル状に縮径した状態で溝１７４ｂに連通する通気管路１７４ａとが形成されている。そして、空間１８０が陽圧空間であるため、通気管路１７４ａの下端のノズル部からエアが噴出され、溝１７４ｂ内にガスの流れが生じる。これにより、ピストン部１７０Ｂの底面と定盤２１の移動面２１ａとの間のエアの静圧（隙間内圧力）により、ピストン部１７０Ｂの底面には一種の気体静圧軸受（スラスト軸受）が形成され、ピストン部１７０Ｂが定盤２１の上方に非接触で支持される。

また、シリンダ部１７０Ａには、下端部近傍に内周面の全周にわたって、凹溝１７２ｄを挟んで環状凸部１７２ａ、１７２ｂが形成されている。凹溝１７２ｄの内部底面には、シリンダ部１７０Ａの内部空間と外部とを連通する貫通孔１７２ｃが形成されている。ピストン部１７０Ｂは、上端面の周縁近傍に４つの通気管路１７６ａ〜１７６ｄ（図３では、１７６ａ、１７６ｃのみ図示）が高さ方向中央部近傍まで掘り下げられた状態で形成されている。各通気管路１７６ａ〜１７６ｄの下端部近傍には、ピストン部１７０Ｂの外周面の外側に連通する絞り孔１７８が貫通形成されている。そして、ピストン部１７０Ｂは、外周面と環状凸部１７２ａ、１７２ｂとの間に所定のクリアランスが形成された状態でシリンダ部１７０Ａに挿入されている。

そして、通気管路１７４ａと同様に、通気管路１７６ａ〜１７６ｄから絞り孔１７８を介してエアが環状凸部１７２ｂに対して噴出されることで、環状凸部１７２ｂとピストン部１７０Ｂ外周面との間のエアの静圧により、環状凸部１７２ａ、１７２ｂとピストン部１７０Ｂ外周面との間に所定のクリアランスが形成される。つまり、ピストン部１７０Ｂの周壁には、実質的に気体静圧軸受（ラジアル軸受）が形成される。
従って、自重キャンセラ機構５８においては、上端部でＸＹステージ４１を支持した際に、その自重は空間１８０の陽圧により支持されるとともに、定盤２１の移動面２１ａとの間にはスラスト軸受の作用により常にクリアランスを維持できる。また、ＸＹステージ４１に傾斜する方向（θＸ、θＹ）の力が作用した場合には、ラジアル軸受の作用によりクリアランスが維持されるので、ＸＹステージ４１の傾斜が吸収される。

図１に示すように、気体供給系７０は、電磁弁７１、エア供給源９０と電磁弁７１との間に設けられた配管７２、エアマウント３００と電磁弁７１との間に設けられた配管７３、配管７２に介装され制御装置ＣＯＮＴの制御下でエアマウント３００に供給するエア量（エア圧）を制御する制御弁７４から構成されている。
電磁弁７１は、制御装置ＣＯＮＴで制御された３方弁で構成され、通電時には配管７２と配管７３とを連通させて、制御弁７４で制御されたエアをエアマウント３００に供給させ、非通電時（停電時）には、配管７３と一端が大気開放された排気管７５とを連通させる。排気管７５には絞り７６が介装されている。

同様に、気体供給系８０は、電磁弁８１、エア供給源９０と電磁弁８１との間に設けられた配管８２、自重キャンセラ機構５８の空間１８０と電磁弁８１との間に設けられた配管８３、配管８２に介装され制御装置ＣＯＮＴの制御下で空間１８０に供給するエア量（エア圧）を制御する制御弁８４から構成されている。
電磁弁８１は、制御装置ＣＯＮＴで制御された３方弁で構成され、通電時には配管８２と配管８３とを連通させて、制御弁８４で制御されたエアを空間１８０に供給させ、非通電時（停電時）には、配管８３と一端が大気開放された排気管８５とを連通させる。排気管８５には絞り８６が介装されている。
本実施形態では、電磁弁７１、８１の非通電時に、絞り８６を介して空間１８０から排気される量が、絞り７６を介してエアマウント３００（エア室３００ａ）から排気される量よりも大きくなるように、絞り７６、８６の絞り径が設定されている。

図４に示してあるように、ウエハテーブルＷＴとＸＹステージ４１との間には、ボイスコイルモータ等のアクチュエータが複数設けられ、これらのアクチュエータを駆動することにより、ウエハテーブルＷＴはＸＹステージ４１に対して、Ｚ軸方向、θＸ方向（Ｘ軸回りの回転方向）、及びθＹ方向（Ｙ軸回りの回転方向）の３方向の微少運動が可能であり、全体として、６自由度を有する。ＸＹステージ４１のＸＹ方向位置及びθＸ方向、θＹ方向、θＺ方向の回転角は、ウエハテーブルＷＴの＋Ｙ側の反射面４１Ｙに計測ビームを照射するレーザ干渉計４４、及びウエハテーブルＷＴの＋Ｘ側の反射面４１Ｘに計測ビームを照射するレーザ干渉計４２により高精度に計測され、この計測結果に基づいてＸＹステージ４１、ひいてはウエハＷの位置及び速度が制御される。

ＸＹステージ４１を駆動する駆動装置は、ＸＹステージ４１をＸ方向にロングストロークで駆動するとともに、Ｙ方向、Ｚ方向、θｘ（Ｘ軸周りの回転方向）、θｙ（Ｙ軸周りの回転方向）、θｚ（Ｚ軸周りの回転方向）に微小駆動する第１駆動系２７と、ＸＹステージ４１及び第１駆動系２７をＹ方向にロングストロークで駆動する第２駆動系２８ａ，２８ｂとを備えている。ベース部２０１には、Ｘ方向の一側と他側との端部近傍にＹ方向を長手方向として上方に突出した突部ＦＣａ，ＦＣｂが設けられており、突部ＦＣａ，ＦＣｂの上方には、第２駆動系２８ａ，２８ｂを構成するＹ方向に延びるＹ軸用の固定子３８ａ，３８ｂがそれぞれ配設されている。これらの固定子３８ａ，３８ｂの間には、可動子３９ａ，３９ｂが固定子３８ａ，３８ｂの内側からそれぞれ挿入されている。これらのＹ軸用の固定子３８ａ，３８ｂは、それぞれの下面に設けられた不図示の気体静圧軸受、例えばエアベアリングによって突部ＦＣａ，ＦＣｂの上方において所定のクリアランスを介して浮上支持されている。これはウエハステージ４０のＹ方向の移動により発生した反力により、固定子３８ａ，３８ｂがＹ方向のＹカウンタマスとして逆方向に移動して、この反力を運動量保存の法則により相殺するためである。

また、第２駆動系２８ａ，２８ｂには、Ｙ軸方向に関しては、ウエハステージ４０と一体的に移動し、Ｘ方向に関してはウエハステージ４０に追従して移動するチューブキャリア２９が設けられている。チューブキャリア２９は、電気配線やエア供給管等、ウエハステージ４０に供給される各種用力のチューブ類を中継するものである。

このチューブキャリア２９とウエハステージ４０との間には、ストッパシステム３１０と同様の構成を有し、ウエハステージ４０の移動を規制するストッパシステム３２０が設けられている。ストッパシステム３２０は、図５に示すように、チューブキャリア２９から水平方向に延出する延出部３２１と、ＸＹステージ４１の側面に設けられ、延出部３２１とＺ方向両側に所定の隙間をもって対向配置された係合部３２２とから構成される。なお、ストッパシステム３２０においても、実際にはウエハステージ４０の移動を６軸方向について規制するが、ここでもＺ軸方向の規制についてのみ説明する。
係合部３２２には、延出部３２１のＺ方向両側に位置して、所定のストロークをもって弾性変形する弾性体としてスプリング３２３が対向配置されている。

本実施形態の露光装置ＥＸは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、投影光学系ＰＬを構成する複数の光学素子のうち、図６に示すように、投影光学系ＰＬの像面に最も近い光学素子ＬＳ１の下面Ｔ１と基板Ｐとの間の空間Ｋ１を液体ＬＱ１で満たして液浸領域ＬＲ１を形成する第１液浸機構１と、光学素子ＬＳ１と、光学素子ＬＳ１に次いで投影光学系ＰＬの像面に近い光学素子ＬＳ２との間の空間Ｋ２を液体ＬＱ２で満たして液浸領域ＬＲ２を形成する第２液浸機構２を有している。この液浸機構１、２の動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。

第１液浸機構１は、液体供給部５１、ノズル部材７、液体供給部５１からの液体ＬＱ１をノズル部材７に供給する供給管１３、液体回収部６１を備えている。
液体供給部５１は、純水製造装置、供給する液体（純水）ＬＱ１の温度を調整する温調装置、及び供給する液体ＬＱ１中の気体成分を低減するための脱気装置等を備えている。液体回収部６１は、回収管２３を介してノズル部材７から液体ＬＱ１を回収可能な真空ポンプ、気液分離器等からなるものである。

供給管１３の中途には、通電時には当該供給管１３を開放して液体ＬＱ１を流動させ、非通電時には供給管１３を閉じる電磁弁１６が介装されている。同様に、回収管２３の中途には、通電時には当該回収管２３を開放して液体ＬＱ１を流動させ、非通電時には回収管２３を閉じる電磁弁１７が介装されている。これら電磁弁１６、１７への通電は制御装置ＣＯＮＴによって制御される。

ノズル部材７は、投影光学系ＰＬの像面側近傍、具体的には投影光学系ＰＬの像面側端部の光学素子ＬＳ１の近傍に配置され、ウエハＷ（ウエハステージ４０）の上方において投影光学系ＰＬの先端部の周りを囲むように設けられた環状部材であり、投影光学系ＰＬ（の鏡筒）に支持部材ＰＬａを介して支持・搭載されている。
ノズル部材７の下面７Ａには、ウエハＷ上に液体ＬＱ１を供給する供給口６２が設けられている。また、ノズル部材７の内部には、供給管１３の接続部と供給口６２とを接続する内部流路１４が形成されている。
更に、ノズル部材７の下面７Ａには、ウエハＷ上の液体ＬＱ１を回収する回収口２２が設けられている。回収口２２は、ノズル部材７の下面７Ａにおいて、供給口６２を囲むように、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに対して供給口６２の外側に環状に設けられている。また、ノズル部材７の内部には、回収管２３の接続部と回収口２２とを接続する内部流路２４が形成されている。

第２液浸機構２は、液体ＬＱ２を投影光学系ＰＬの光学素子ＬＳ２と光学素子ＬＳ１との間の空間Ｋ２に供給するためのものであって、液体供給部５１とほぼ同等の構成を有し液体ＬＱ２を送出可能な液体供給部５２と、液体供給部５２からの液体ＬＱ２を鏡筒ＰＫの内部に形成された供給流路３４に供給する供給管３３と、鏡筒ＰＫの内側（内部空間）に配置され空間Ｋ２に対して液体ＬＱ２を供給する供給口３２が形成された供給部材３５と、空間Ｋ２の液体ＬＱ２を回収する回収口４２が設けられた回収部材４５と、液体回収部６１とほぼ同等の構成を有し鏡筒ＰＫの内部に形成された回収流路４４及び回収管４３を介して液体ＬＱ２を回収する液体回収部６３とを備えている。

供給管３３の中途には、通電時には当該供給管３３を開放して液体ＬＱ２を流動させ、非通電時には供給管３３を閉じる電磁弁１８が介装されている。同様に、回収管４３の中途には、通電時には当該回収管４３を開放して液体ＬＱ２を流動させ、非通電時には回収管４３を閉じる電磁弁１９が介装されている。これら電磁弁１８、１９への通電は制御装置ＣＯＮＴによって制御される。

本実施形態においては、液体供給部５１から供給される液体ＬＱ１、及び液体供給部５２から供給される液体ＬＱ２として純水が用いられる。すなわち、本実施形態においては、液体ＬＱ１と液体ＬＱ２とは同一の液体である。純水はＡｒＦエキシマレーザ光のみならず、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）も透過可能である。

また、本実施形態の露光装置には、投影光学系ＰＬ（及び第１液浸機構１のノズル部材７）とウエハＷ（ウエハテーブルＷＴ）との相対位置、すなわち空間Ｋ１の隙間の距離を検出する検出装置５０が設けられている。検出装置５０の検出結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。

上記の構成の露光装置ＥＸでは、空間Ｋ１に液体ＬＱ１の液浸領域ＬＲ１を形成する際、制御装置ＣＯＮＴは、電磁弁１６、１７を開いた状態で液体供給部５１より液体ＬＱ１を送出し、供給管１３、及びノズル部材７の内部流路１４を介して、ウエハＷの上方に設けられている供給口６２よりウエハＷ上の空間Ｋ１に液体ＬＱ１を供給する。また、空間Ｋ１の液体ＬＱ１は、回収口２２より回収され、ノズル部材７の内部流路２４、及び回収管２３を介して液体回収部６１に回収される。同様に、空間Ｋ２に液体ＬＱ２の液浸領域ＬＲ２を形成する際、制御装置ＣＯＮＴは、電磁弁１８、１９を開いた状態で液体供給部５２より液体ＬＱ２を送出し、供給管３３、供給流路３４、供給部材３５の内部流路を介して、供給口３２より空間Ｋ２に液体ＬＱ２を供給する。また、空間Ｋ２の液体ＬＱ２は、回収口４２より回収され、回収部材４５の内部流路、回収流路４４、及び回収管４３を介して液体回収部６３に回収される。

そして、光学素子ＬＳ１の下面Ｔ１側の空間Ｋ１、及び上面Ｔ２側の空間Ｋ２のそれぞれの光路空間を液体ＬＱ１、及び液体ＬＱ２で満たすことで、光学素子ＬＳ２の下面や光学素子ＬＳ１の上面Ｔ２での反射損失が低減され、大きな像側開口数を確保した状態で、ウエハＷを良好に露光することができる。

すなわち、露光装置ＥＸにおいては、照明光のもとで、レチクルＲの照明領域内の回路パターンの像が、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱ１、ＬＱ２を介して投影倍率βで表面にレジストが塗布されたウエハＷ上のスリット状の露光領域（照明領域に共役な領域）に投影される。この状態でレチクルＲとウエハＷとを同期して所定の走査方向（Ｘ軸方向）に移動することで、ウエハＷ上の一つのショット領域にレチクルＲの回路パターンが転写される。

このような通常運転が行われている際には、制御装置ＣＯＮＴは気体供給系７０に対して電磁弁７１を開かせて、制御弁７４で制御されたエア供給源９０からのエア量を配管７２、７３を介してエアマウント３００に供給し、供給したエア圧により第１架台１１０を介して投影光学系ＰＬを支持する。同様に、制御装置ＣＯＮＴは気体供給系８０に対して電磁弁８１を開かせて、制御弁８４で制御されたエア供給源９０からのエア量を配管８２、８３を介して自重キャンセラ機構５８の空間１８０に供給し、供給したエア圧によりウエハステージ４０を支持する。

ここで、ウエハＷ上の空間Ｋ１の隙間、すなわちウエハＷと投影光学系ＰＬ（光学素子ＬＳ１）との隙間の距離、またはウエハＷとノズル部材７との隙間の距離は検出装置５０により常時検出され、制御装置ＣＯＮＴによりモニターされているが、ソフトバグによる暴走等が生じて隙間の距離が閾値を超えて狭くなった場合には、制御装置ＣＯＮＴは、気体供給系７０、８０における電磁弁７１、８１を閉じ（通電を停止させ）る。また、制御装置ＣＯＮＴは、第１液浸機構１及び第２液浸機構２における制御弁７４、８４を閉じて空間Ｋ１、Ｋ２への液体ＬＱ１、ＬＱ２の供給を停止させ、当該空間Ｋ１、Ｋ２の液体を液体回収部６１、６３により回収させる。

そして、電磁弁７１、８１が閉じることにより、配管７３と排気管７５とが連通し、エアマウント３００（エア室３００ａ）のエアが排気管７５から排気されることによって、第１架台１１０（及び投影光学系ＰＬ、ノズル部材７）が−Ｚ側（下側）へ下降する。また、配管８３と排気管８５とが連通し、自重キャンセラ機構５８の空間１８０のエアが排気管８５から排気されることによって、図３に示したシリンダ部１７０Ａ（及びウエハステージ４０）が−Ｚ側（下側）へ下降する。これら投影光学系ＰＬ、ノズル部材７及びウエハステージ４０の下降に際しては、絞り８６を介して空間１８０から排気される単位時間当たりの量が、絞り７６を介してエアマウント３００（エア室３００ａ）から排気される単位時間当たりの量よりも大きいいため、ウエハステージ４０の方が投影光学系ＰＬ、ノズル部材７よりも大きな速度で下降することになる。
つまり、投影光学系ＰＬ、ノズル部材７及びウエハステージ４０の下降が進むのに従って、空間Ｋ１の隙間の距離が大きくなるため、投影光学系ＰＬとウエハＷ（ウエハステージ４０）及びノズル部材７とウエハＷ（ウエハステージ４０）との干渉が回避される。

この絞り７６、８６の大きさは、投影光学系ＰＬ、ノズル部材７（これらの場合は第１架台１１０）及びウエハステージ４０を迅速に着地させて安定状態とするために、投影光学系ＰＬにおける光学素子がずれない程度に可能な限り大きく設定される。

投影光学系ＰＬ及びノズル部材７の下降に際しては、図２に示したストッパシステム３１０において第１架台１１０から延出する延出部３１１が係合部３１２に係合することにより、その移動が規制されるため、第１架台１１０の移動距離が長く下降速度が増加した場合の下降停止時の衝撃が緩和される。延出部３１１は、係合部３１２への係合時に、実際には−Ｚ側のスプリング３１３を介して係合することになるが、このとき、スプリング３１３を圧縮して撓ませながら係合するため、第１架台１１０の下降時の衝撃が吸収される。

同様に、ウエハステージ４０及びウエハＷの下降に際しては、図５に示したストッパシステム３２０においてチューブキャリア２９から延出する延出部３２１が係合部３２２に係合することにより、その移動が規制されるため、ウエハステージ４０の移動距離が長く下降速度が増加した場合の下降停止時の衝撃が緩和される。ここで、延出部３２１は、係合部３２２への係合時に、実際には＋Ｚ側のスプリング３２３を介して係合することになるが、このとき、スプリング３２３を圧縮して撓ませながら係合するため、ウエハステージ４０の下降時の衝撃が吸収される。

また、地震の発生等により露光装置ＥＸに揺れが生じた際には、地震感知センサＦＳが揺れを感知して制御装置ＣＯＮＴに出力する。制御装置ＣＯＮＴは、感知された揺れの大きさが所定の閾値を超えている場合、上述したウエハＷ上の空間Ｋ１の隙間が狭くなった場合と同様に、気体供給系７０、８０における電磁弁７１、８１を閉じ（通電を停止させ）るとともに、第１液浸機構１における電磁弁１６、１７、第２液浸機構２における電磁弁１８、１９を閉じる（通電を停止させる）。

これにより、地震の揺れによって、投影光学系ＰＬやノズル部材７とウエハＷ（ウエハステージ４０）とが干渉することを防止できる。また、投影光学系ＰＬ、ノズル部材７及びウエハステージ４０を着地させる過程で、これらが干渉することを回避することができる。特に、地震発生時に伝播速度が大きいＰ波（縦波）を地震感知センサＦＳに感知させることにより、揺れの大きいＳ波（横波）が到達する前に、予め投影光学系ＰＬ、ノズル部材７及びウエハステージ４０を着地させて安定状態としておくことが可能になる。
また、地震の揺れが生じた場合には、ストッパシステム３１０、３２０において延出部３１１、３１２がスプリング３１３、３２３を介して係合部３１２、３２２に係合するため、スプリング３１３、３２３の弾性変形により第１架台１１０（すなわち投影光学系ＰＬ、ノズル部材７）及びウエハステージ４０の移動に伴う衝撃を吸収することが可能となる。

続いて、地震発生時も含めて停電時の動作について説明する。
停電により、電力供給が途絶えた場合においても、気体供給系７０、８０における電磁弁７１、８１が閉じるため、投影光学系ＰＬ、ノズル部材７及びウエハステージ４０は、ウエハステージ４０の方が投影光学系ＰＬ、ノズル部材７よりも大きな速度で下降することになり、投影光学系ＰＬとウエハＷ（ウエハステージ４０）及びノズル部材７とウエハＷ（ウエハステージ４０）との干渉が回避される。

また、電力供給が停止された状態では、第１液浸機構１及び第２液浸機構２において電磁弁１６〜１９が閉じられるため、空間Ｋ１、Ｋ２に満たされた液体及び電磁弁１６〜１９より空間Ｋ１、Ｋ２側にある配管１３、２３、３３、４３内の液体のみに漏液を留めることができ、液体供給部５１、５２から供給される液体や、事前に液体回収部６１、６３で回収され空間Ｋ１、Ｋ２側に逆流する液体等で、大量の漏液が発生してウエハステージ４０周辺機器に錆や漏電が生じることを防止できる。

以上のように、本実施の形態では、気体供給系７０、８０により、下方に位置する自重自重キャンセラ機構５８における空間１８０の排気量がエアマウント３００におけるエア室３００ａの排気量よりも大きくなるように排気するので、不測の事態が生じた際に、投影光学系ＰＬ、ノズル部材７、ウエハステージ４０を着地させる際にも、これらの干渉・衝突を防止して、各構成機器に損傷が及ぶことを回避できる。また、本実施の形態では、停電等の電力供給停止時においても、ソフトウェアに頼ることなく投影光学系ＰＬ、ノズル部材７、ウエハステージ４０の干渉・衝突を回避することができるため、完全なフェールセーフの対策を採ることが可能になる。

また、本実施の形態では、ストッパシステム３１０、３２０によって投影光学系ＰＬ、ノズル部材７及びウエハステージ４０の移動を規制するので、下降（移動）停止時に加わる大きな衝撃を緩和することが可能になる。特に、本実施形態では、ストッパシステム３１０、３２０においてスプリング３１３、３２３を設け下降時の衝撃を吸収するので、これら構成機器の損傷をより確実に回避することが可能である。
さらに、本実施形態では、上述したように、地震、ソフトバグによる暴走、停電等、露光装置ＥＸの異常発生時に電磁弁１６、１８により供給管１３、３３を閉じて液体供給を停止させるとともに、電磁弁１７、１９により回収管２３、４３を閉じて回収された液体の逆流を阻止するので、漏液を最小限に抑えることができ、大量の漏液が発生してウエハステージ４０周辺機器に錆や漏電が生じることを防止できる。

また、本実施形態では、地震感知センサＦＳにより、例えばＰ波を感知させることにより、大きな揺れが到来する前に予め投影光学系ＰＬ、ノズル部材７及びウエハステージ４０を着地させて安定状態としておくことが可能になり、揺れに起因する衝突等で投影光学系ＰＬ、ノズル部材７及びウエハステージ４０に損傷が及ぶことを、より確実に回避できる。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

例えば、ストッパシステム３２０における延出部３２１をチューブキャリア２９に設ける構成としたが、これに限定されるものではなく、図４に示した第１駆動系２７に設ける構成としてもよい。

また、上記実施形態では、本発明をウエハステージ４０に適用するものとして説明したが、レチクルステージ２０に適用する構成であってもよい。より詳細には、上記実施形態では、エアマウント３００によりレチクルステージ２０と投影光学系ＰＬとが一体で支持される構成であったが、図７に示すように、レチクルステージ２０を支持するエアマウント４００と投影光学系ＰＬを支持するエアマウント５００とがそれぞれ個別に設けられる構成であっても適用可能である。

更に、特開平１１−１３５４００号公報や特開２０００−１６４５０４号公報に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材や各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置における計測ステージにも本発明を適用することができる。

なお、本実施形態における液体としては水を用いることができるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光の光源がＦ_２レーザである場合、このＦ_２レーザ光は水を透過しないので、液体としてはＦ_２レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体と接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体としては、その他にも、露光光に対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系や基板Ｐ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。

また、液体としては、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。更に、石英や蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で光学素子を形成してもよい。

なお、上記各実施形態の基板としては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置としては、マスク（レチクル）と基板とを同期移動してマスクのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクと基板とを静止した状態でマスクのパターンを一括露光し、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

また、露光装置としては、第１パターンと基板とをほぼ静止した状態で第１パターンの縮小像を投影光学系（例えば１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系）を用いて基板上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第２パターンと基板とをほぼ静止した状態で第２パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第１パターンと部分的に重ねて基板上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板を順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。

また、上述の実施形態においては、投影光学系と基板との間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。

露光装置の種類としては、基板に半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いてもよい。

また、国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板上に形成することによって、基板上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

基板ステージやマスクステージにリニアモータ（USP5,623,853またはUSP5,528,118参照）を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。

各ステージの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージの移動面側に設ければよい。

基板ステージの移動により発生する反力は、投影光学系に伝わらないように、特開平８−１６６４７５号公報（USP5,528,118）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。
マスクステージの移動により発生する反力は、投影光学系に伝わらないように、特開平８−３３０２２４号公報（USP5,874,820）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。

本実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図８に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

本発明に係る露光装置の構成を示す模式図である。 第１架台におけるストッパシステムの詳細図である。 自重キャンセラ機構の縦断面図である。 ウエハステージの概略構成を示す斜視図である。 ウエハステージにおけるストッパシステムの詳細図である。 投影光学系先端部近傍の拡大断面図である。 別形態の露光装置の概略構成を示す図である。 半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。

符号の説明

ＥＸ…露光装置、 ＰＬ…投影光学系、 Ｒ…レチクル（マスク）、 Ｗ…ウエハ（基板）、 １…第１液浸機構（液体供給装置）、 ４０…ウエハステージ（基板ステージ、移動ステージ）、 ５８…自重キャンセラ機構（第２支持装置）、 ７０、８０…気体供給系（排気装置）、 １８０…空間（第２気体室）、 ３００…エアマウント（第１支持装置）、 ３００ａ…エア室（第１気体室）、 ３１０、３２０…ストッパシステム（規制装置）

Claims (10)

1. 移動ステージを用いてパターンの像を投影光学系により基板に露光する露光装置であって、
   第１気体室に供給した気体の圧力により前記投影光学系を支持する第１支持装置と、
   第２気体室に供給した気体の圧力により前記移動ステージを支持する第２支持装置と、
   前記第１気体室の排気量と前記第２気体室の排気量とを異ならせて、前記投影光学系と前記移動ステージとの干渉を防止する排気装置と、を備えたことを特徴とする露光装置。
2. 請求項１記載の露光装置において、
   前記移動ステージは前記基板を載置しており、
   前記排気装置は、前記第２気体室の排気量を前記第１気体室の排気量よりも大きくすることを特徴とする露光装置。
3. 請求項１または２記載の露光装置において、
   前記投影光学系と前記移動ステージとの相対位置を検出する検出装置を備え、
   前記排気装置は、前記検出装置の検出結果に応じて前記第１気体室の排気量と前記第２気体室の排気量とを異ならせることを特徴とする露光装置。
4. 請求項１から３のいずれか一項に記載の露光装置において、
   前記投影光学系及び前記移動ステージの少なくとも一方の移動を規制する規制装置を備えたことを特徴とする露光装置。
5. 基板を載置する基板ステージと、前記基板に液体を供給する液体供給装置とを備え、前記液体を介して前記基板にパターンを露光する露光装置において、
   第１気体室に供給した気体の圧力により前記液体供給装置を支持する第１支持装置と、
   第２気体室に供給した気体の圧力により前記基板ステージを支持する第２支持装置と、
   前記第２気体室の排気量を前記第１気体室の排気量よりも大きくして、前記液体供給装置と前記基板ステージとの干渉を防止する排気装置と、を備えたことを特徴とする露光装置。
6. 請求項５記載の露光装置において、
   前記パターンを前記基板に投影する投影光学系を備え、
   前記液体供給装置が前記投影光学系に搭載されていることを特徴とする露光装置。
7. 請求項５または６記載の露光装置において、
   前記液体供給装置は、前記露光装置の異常を検出した際に前記液体の供給を停止することを特徴とする露光装置。
8. 請求項５から７のいずれか一項に記載の露光装置において、
   前記液体供給装置と前記基板ステージとの相対位置を検出する検出装置を備え、
   前記排気装置は、前記検出装置の検出結果に応じて前記第２気体室の排気量を前記第１気体室の排気量よりも大きくすることを特徴とする露光装置。
9. 請求項５から８のいずれか一項に記載の露光装置において、
   前記液体供給装置及び前記基板ステージの少なくとも一方の移動を規制する規制装置を備えたことを特徴とする露光装置。
10. 請求項１から９のいずれか一項に記載の露光装置において、
    前記排気装置は、前記露光装置の異常を検出した際に前記排気動作を行うことを特徴とする露光装置。
    

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