JP2006319052A - 半導体装置の製造方法および研磨装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および研磨装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006319052A JP2006319052A JP2005138705A JP2005138705A JP2006319052A JP 2006319052 A JP2006319052 A JP 2006319052A JP 2005138705 A JP2005138705 A JP 2005138705A JP 2005138705 A JP2005138705 A JP 2005138705A JP 2006319052 A JP2006319052 A JP 2006319052A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing pad
- substrate
- conditioning
- abrasive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板の研磨工程を含む半導体装置の製造方法において、前記基板の研磨工程を、前記基板表面の凹凸を、前記基板を研磨パッド上で、研磨剤を使って化学機械研磨することにより平坦化し、その際、研磨パッドとして、無発泡型研磨パッドを使い、研磨剤として、凹部の研磨を抑制できる研磨剤を使う。
【選択図】 図10
Description
以下、本発明の第1実施例を説明する。本発明の第1実施例では、先に説明した図1のCMP装置10を使う。
[第2実施例]
図9は、前記本発明の第1実施例を実行するのに適合された、本発明の第2実施例によるCMP装置10Aの構成を示す。
[第3実施例]
図13は、図1のCMP装置10において、2種類のコンディショニングを可能とするコンディショナの構成を示す。
前記基板の研磨工程は、
前記基板表面の凹凸を、前記基板を研磨パッド上で、研磨剤を使って化学機械研磨することにより、平坦化する工程を含み、
前記研磨パッドとして、無発泡型研磨パッドを使い、
前記研磨剤として、凹部の研磨を抑制できる研磨剤を使うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記コンディショニング工程は、前記研磨パッドの表面を、表面状態の異なる少なくとも第1および第2のコンディショニングディスクにより研削する工程を含むことを特徴とする付記1記載の半導体装置の製造方法。
各々の研磨プラテンに対応して設けられ、被処理基板を保持し、これを回動させながら前記研磨パッドに押圧する基板キャリアと、
前記各々の研磨パッドに研磨剤を供給する研磨剤供給機構と、
を備えた研磨装置であって、
前記各々の研磨パッドには、前記研磨パッドをコンディショニングするコンディショニングディスクを保持する少なくとも第1および第2のコンディショナが協働し、
前記各々のコンディショナは、前記コンディショニングディスクを、前記研磨パッドに、回動させながら押圧することを特徴とする研磨装置。
前記制御装置は、各々の研磨プラテンにおいて前記第1および第2のコンディショナを、前記研磨プラテン上に装着された研磨パッドが、第1のコンディショナにより、繰り返しコンディショニングされるように、また所定の積算コンディショニング時間に達すると、第2のコンディショナによりコンディショニングされるように制御することを特徴とする請求項13〜16のうち、いずれか一項記載の研磨装置。
前記各々のコンディショナは、複数のコンディショニングディスクを保持することを特徴とする付記17〜19のうち、いずれか一項記載の研磨装置。
11,11A〜11C プラテン
12 研磨パッド
13 基板キャリア
14 基板
15,151〜153,45,451〜453コンディショニングディスク
15A 座金
15B 合金層
15C 砥粒
16 研磨剤
21 絶縁膜
21G 配線溝
22 バリアメタル
23 Cu膜
23G Cuパターン
Claims (8)
- 基板の研磨工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記基板の研磨工程は、
前記基板表面の凹凸を、前記基板を研磨パッド上で、研磨剤を使って化学機械研磨することにより、平坦化する工程を含み、
前記研磨パッドとして、無発泡型研磨パッドを使い、
前記研磨剤として、凹部の研磨を抑制できる研磨剤を使うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記研磨工程は、さらに前記研磨パッドの表面をコンディショニングする工程を含み、
前記コンディショニング工程は、前記研磨パッドの表面を、表面状態の異なる少なくとも第1および第2のコンディショニングディスクにより研削する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記基板表面には導電膜が露出しており、前記化学機械研磨工程は、前記導電膜を研磨することを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記研磨剤は、金属の酸化剤と、防食剤と、金属および金属酸化物に対して溶解作用を有する化学物質と、純水とからなることを特徴とする請求項3または4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化剤は、前記砥粒を、3wt%以下の濃度で含むことを特徴とする請求項1〜4のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板表面には絶縁膜が露出しており、前記化学機械研磨工程は、前記絶縁膜を研磨することを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
- 各々回動され、研磨パッドを担持する一または複数の研磨プラテンと、
各々の研磨プラテンに対応して設けられ、被処理基板を保持し、これを回動させながら前記研磨パッドに押圧する基板キャリアと、
前記各々の研磨パッドに研磨剤を供給する研磨剤供給機構と、
を備えた研磨装置であって、
前記各々の研磨パッドには、前記研磨パッドをコンディショニングするコンディショニングディスクを保持する少なくとも第1および第2のコンディショナが協働し、
前記各々のコンディショナは、前記コンディショニングディスクを、前記研磨パッドに、回動させながら押圧することを特徴とする研磨装置。 - 前記研磨装置は、さらに制御装置を含み、
前記制御装置は、各々の研磨プラテンにおいて前記第1および第2のコンディショナを、前記研磨プラテン上に装着された研磨パッドが、第1のコンディショナにより、繰り返しコンディショニングされるように、また所定の積算コンディショニング時間に達すると、第2のコンディショナによりコンディショニングされるように制御することを特徴とする請求項7記載の研磨装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005138705A JP2006319052A (ja) | 2005-05-11 | 2005-05-11 | 半導体装置の製造方法および研磨装置 |
US11/186,808 US7348276B2 (en) | 2005-03-30 | 2005-07-22 | Fabrication process of semiconductor device and polishing method |
TW094125128A TWI259529B (en) | 2005-03-30 | 2005-07-25 | Fabrication process of semiconductor device and polishing method |
US12/010,029 US7597606B2 (en) | 2005-03-30 | 2008-01-18 | Fabrication process of semiconductor device and polishing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005138705A JP2006319052A (ja) | 2005-05-11 | 2005-05-11 | 半導体装置の製造方法および研磨装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006319052A true JP2006319052A (ja) | 2006-11-24 |
Family
ID=37539466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005138705A Pending JP2006319052A (ja) | 2005-03-30 | 2005-05-11 | 半導体装置の製造方法および研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006319052A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009059914A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2011071215A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 研磨方法および半導体装置の製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10146750A (ja) * | 1996-11-13 | 1998-06-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
JP2002066905A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-05 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法及びその装置 |
JP2003179017A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 研磨装置及び研磨装置における研磨パッドのドレッシング方法 |
JP2004243518A (ja) * | 2004-04-08 | 2004-09-02 | Toshiba Corp | 研摩装置 |
JP2004311817A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨パッドとそれを用いた研磨方法 |
-
2005
- 2005-05-11 JP JP2005138705A patent/JP2006319052A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10146750A (ja) * | 1996-11-13 | 1998-06-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
JP2002066905A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-05 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法及びその装置 |
JP2003179017A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 研磨装置及び研磨装置における研磨パッドのドレッシング方法 |
JP2004311817A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨パッドとそれを用いた研磨方法 |
JP2004243518A (ja) * | 2004-04-08 | 2004-09-02 | Toshiba Corp | 研摩装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009059914A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2011071215A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 研磨方法および半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4095731B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
US7597606B2 (en) | Fabrication process of semiconductor device and polishing method | |
US6423640B1 (en) | Headless CMP process for oxide planarization | |
US7104869B2 (en) | Barrier removal at low polish pressure | |
KR20030078002A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP2000301454A5 (ja) | ||
KR20000058021A (ko) | 화학적 기계적 연마 처리 및 부품 | |
JP2003514061A (ja) | 誘電性CMPスラリーにおけるCsOHの使用 | |
US20060194518A1 (en) | Methods for planarization of Group VIII metal-containing surfaces using a fixed abrasive article | |
KR20010093086A (ko) | 금속 반도체 구조물에서의 화학-기계적 편평화 공정 동안디슁율을 감소시키는 방법 | |
US20020197935A1 (en) | Method of polishing a substrate | |
JP2006278977A (ja) | 半導体装置の製造方法および研磨方法 | |
JP3668046B2 (ja) | 研磨布及びこの研磨布を用いた半導体装置の製造方法 | |
CN112405335A (zh) | 化学机械平坦化工具 | |
JP2006203188A (ja) | 研磨組成物及び研磨方法 | |
US20080220585A1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
JP5444596B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US6899612B2 (en) | Polishing pad apparatus and methods | |
JP4698144B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006319052A (ja) | 半導体装置の製造方法および研磨装置 | |
JP2006332322A (ja) | 研磨パッドのドレッシング方法及び研磨装置 | |
JP2004128112A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2004296596A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005260185A (ja) | 研磨パッド | |
JP2008153571A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20080729 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081028 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081225 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090915 |