JP2004311817A - 研磨パッドとそれを用いた研磨方法 - Google Patents
研磨パッドとそれを用いた研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004311817A JP2004311817A JP2003105209A JP2003105209A JP2004311817A JP 2004311817 A JP2004311817 A JP 2004311817A JP 2003105209 A JP2003105209 A JP 2003105209A JP 2003105209 A JP2003105209 A JP 2003105209A JP 2004311817 A JP2004311817 A JP 2004311817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing pad
- gpa
- film
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【課題】被研磨面に研磨傷を導入せず、高速に研磨可能な研磨パッドを得る。
【解決手段】架橋樹脂粒子と、架橋樹脂粒子よりも弾性率の低い樹脂マトリックスから構成された研磨パッド。架橋樹脂粒子の25℃における弾性率が1.0GPa以上10.0GPa以下であって、粒子径の平均が5μm以上300μm以下である前記の研磨パッド。架橋樹脂粒子と樹脂マトリックスの25℃における弾性率の差が0.3GPa以上3.0GPa以下である前記の研磨パッド。
【選択図】 図1
【解決手段】架橋樹脂粒子と、架橋樹脂粒子よりも弾性率の低い樹脂マトリックスから構成された研磨パッド。架橋樹脂粒子の25℃における弾性率が1.0GPa以上10.0GPa以下であって、粒子径の平均が5μm以上300μm以下である前記の研磨パッド。架橋樹脂粒子と樹脂マトリックスの25℃における弾性率の差が0.3GPa以上3.0GPa以下である前記の研磨パッド。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子製造技術に使用される化学機械研磨(CMP)方法に関し、基板表面の研磨工程、特にシャロー・トレンチ素子分離、金属配線等の溝への埋め込み層の形成工程、層間絶縁の平坦化工程等において使用されるCMP用研磨パッド及びそれを用いた基板の研磨方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
現在の超大規模集積回路は、実装密度を高める傾向にあり、種々の微細加工技術が研究・開発されている。既に、集積回路のデザインルールは、サブハーフミクロンのオーダーになっている。このような厳しい微細化要求を満足するために開発されている技術の一つにCMP(ケミカルメカニカルポリッシング)技術がある。この技術は、半導体装置の製造工程において、露光を施す層を完全に平坦化し、露光技術の負担を軽減し、歩留りを安定させることが出来る。例えば、層間絶縁膜、埋め込み金属配線部、BPSG膜の平坦化、シャロートレンチ素子分離等を行う際に必須となる技術である。
【0003】
CMPでは、研磨される膜を形成した基板を研磨パッドに押し当て加圧し、研磨剤を被研磨膜と研磨パッドとの間に供給しながら、基板もしくは研磨パッドを動かして研磨を行っている。
この際、研磨パッドとしては発泡ポリウレタン系が一般に使われてきているが、近年、絶縁膜表面及び銅薄膜表面で、研磨剤中の研磨粒子を起因とする研磨傷の発生が大きな問題になっている。研磨剤中の砥粒を小さくすることによってこの研磨傷を低減することが出来る。(非特許文献1参照)
【0004】
【非特許文献1】微粒子工学大系 第II巻応用技術 (2002年1月18日発行)294〜305頁
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
このようにCMP用研磨剤の持つ機械的研磨作用を小さくすることで研磨傷の低減が可能であるが、従来の発泡ウレタン系パッドでは無機絶縁膜や金属膜研磨において十分な研磨速度を得ることが出来ない。小さな研磨粒子の研磨剤を用いるには、パッドに機械研磨作用を持たせることが効果的である。しかしながら、機械研磨作用の高いパッドでは、被研磨面に傷を導入してしまう。また機械研磨作用の低いパッドでは高い研磨速度が得られないという問題があった。
本発明は、半導体素子製造工程における層間絶縁膜、BPSG膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜の平坦化、埋め込み配線形成時の余剰の金属膜を平坦化及び除去するCMP技術において、酸化珪素膜などの被研磨物の凹凸平坦化や金属膜の平坦化及び除去を効率良く、高速に行い、同時に基板上の研磨傷の発生を低減出来る研磨パッドを提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
1)本発明は、架橋樹脂粒子と、架橋樹脂粒子よりも弾性率の低い樹脂マトリックスから構成された、基板又は基板上に形成された薄膜を研磨するための研磨パッドに関する。
2)また、本発明は、架橋樹脂粒子の25℃における弾性率が1.0GPa以上10.0GPa以下であって、粒子径の平均が5μm以上300μm以下である1)の研磨パッドに関する。
3)また、本発明は、架橋樹脂粒子と樹脂マトリックスの25℃における弾性率の差が0.3GPa以上3.0GPa以下である1)〜2)記載の研磨パッドに関する。
4)また、本発明は、架橋樹脂粒子の粒子径の平均が5μm以上300μm以下であって、架橋樹脂粒子の含有量が10重量部以上50重量部以下である1)〜3)記載の研磨パッドに関する。
5)また、本発明は、基板上の被研磨膜を1)〜4)記載の研磨パッドに押し当て、研磨液を被研磨膜と研磨パッドとの間に供給しながら、基板と研磨パッドを相対的に動かして被研磨膜を研磨する研磨方法に関する。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明の研磨パッドは、架橋樹脂粒子と架橋樹脂粒子よりも低い弾性率を有する樹脂マトリックスから構成される。パッド表面のSEM写真を図1に示す。図1に示されるように研磨時には架橋樹脂粒子の一部分が露出していることが好ましい。
架橋樹脂粒子の弾性率はマトリックス樹脂の弾性率より高いものを用いる。
【0008】
絶縁膜のCMPメカニズムは例えば、トライボロジスト 第45巻第10号(2000年10月15日発行)713〜720頁に開示されている。絶縁膜のCMPメカニズムは、砥粒で引き起こされた塑性変形中の酸化水和であって、その塑性変形が摩擦熱で促進されると共に、軟質になった含水表面層が砥粒によって除去される。本発明の研磨パッドはパッド表面から一部露出している架橋樹脂粒子で上記反応層を除去する作用を担う。
【0009】
架橋樹脂粒子の弾性率が低いと機械的作用がなく、1.0GPa以上10.0GPa以下の弾性率であることが好ましい。被研磨膜が酸化珪素等の比較的硬度の高い絶縁膜の場合、特に2.0GPa以上10.0GPa以下の弾性率であることが好ましい。また、被研磨膜がCu等の比較的硬度の低い金属の場合は研磨傷が入りやすいため、架橋樹脂粒子の弾性率は1.0GPa以上5.0GPa以下であることが好ましい。
【0010】
また、マトリックス樹脂の弾性率が高すぎると研磨面に研磨傷が導入されてしまうので、マトリックス樹脂の弾性率は、応力緩和できるように低い弾性率であることが好ましい。しかしながら、弾性率が低すぎると、架橋樹脂粒子が研磨に寄与しなくなる。研磨傷が導入されず、かつ高速に研磨するには架橋樹脂粒子とマトリックス樹脂の25℃の弾性率の差が0.3GPa以上3.0GPa以下であることが好ましい。
【0011】
架橋樹脂粒子としては、特に限定はしないが、熱硬化性樹脂粒子(エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アクリル樹脂等の架橋物)や熱可塑系樹脂の架橋粒子(架橋PE、架橋PMMA等)、光硬化性樹脂粒子等を用いることが出来る。またマトリックス樹脂としては、特に限定はしないが、熱可塑性樹脂(ポリアミド、PE、PP、ABS、PC等)や液状熱硬化性樹脂を用いることが出来る。
【0012】
架橋樹脂粒子の平均径は、5μm以上300μm以下が好ましい。粒子径が小さすぎると研磨速度が低下し、また粒子径が大きすぎると研磨傷が増加する。
【0013】
本発明に使用するCMP研磨剤としては、特に限定はしないが、研磨剤粒子が小さい、あるいは含まれていない研磨剤が好ましい。例えば、酸化セリウム粒子を用いた絶縁膜用研磨剤の場合、酸化セリウム粒子と分散媒からなる組成物を分散させ、必要に応じて添加剤を添加することによって得られる。この場合、酸化セリウム粒子含有量は0.05重量%以上3重量%以下の範囲が望ましい。酸化セリウム粒子は、その製造方法を特に限定しないが、CMP研磨剤中の酸化セリウム粒子の結晶子サイズ径は3nm〜50nm以下であることが好ましい。
【0014】
また金属膜用研磨材としては、金属の酸化剤、酸化金属溶解剤、保護膜形成剤、水溶性ポリマ及び水等からなる砥粒を全く含まない研磨液や、これに砥粒を添加した研磨剤を用いる事が出来る。
【0015】
本発明の研磨パッドで研磨される基板としては、半導体基板すなわち回路素子と配線パターンが形成された段階の半導体基板、回路素子が形成された基板等が挙げられる。このような半導体基板上に形成された酸化珪素膜層あるいは窒化珪素膜層、あるいは金属膜を上記CMP研磨剤で研磨することによって、酸化珪素膜や金属膜の凹凸を解消し、半導体基板全面に渡って平滑な面とすることが出来る。
【0016】
本発明の研磨パッドを使用して研磨を行う装置としては、特に制限はなく、円盤型研磨装置、リニア型研磨装置、ウエブ型研磨装置等で用いることが出来る。一例としては半導体基板を保持するホルダと研磨パッドを貼り付けた(回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある)定盤を有する一般的な研磨装置がある。研磨条件に特に制限はないが、研磨対象に合わせ最適化を図ることが好ましい。研磨している間、研磨パッドには研磨剤をポンプ等で連続的に供給する。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に研磨剤で覆われていることが好ましい。
研磨終了後の半導体基板は、流水中で良く洗浄後、スピン洗浄機等を用いて半導体基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。
【0017】
本発明の研磨パッドは、半導体基板に形成された酸化珪素膜だけでなく、所定の配線を有する配線板に形成された酸化珪素膜、ガラス、窒化珪素等の無機絶縁膜、ポリシリコン、Al、Cu、Ti、TiN、W、Ta、TaN等を主として含有する膜、フォトマスク・レンズ・プリズム等の光学ガラス、ITO等の無機導電膜、ガラス及び結晶質材料で構成される光集積回路・光スイッチング素子・光導波路、光ファイバーの端面、シンチレータ等の光学用単結晶、固体レーザ単結晶、青色レーザLED用サファイヤ基板、SiC、GaP、GaAs等の半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス或いはアルミ基板、磁気ヘッド等を研磨することが出来る。
【0018】
【実施例】
以下、実施例により、本発明を説明するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。
(パッドの作製)
【0019】
(実施例1)
架橋PMMA樹脂粒子(平均粒径50μm、弾性率3.1GPa)とタブレット形状のABS樹脂市販品(弾性率1.7GPa)を、架橋PMMA粒子35重量部に対しABS樹脂65重量部の割合でヘンシェルミキサーを用いて均一に混合(ドライブレンド)した。混合物を2軸押出機で溶融混練し、架橋PMMA粒子をABS樹脂マトリックス中に分散させた。溶融混練した樹脂は紐状に押し出して水で冷却し、カットして樹脂混合物のタブレットを得た。このタブレットを十分に乾燥した後、押し出し成型機を用いロールで圧延して厚み1mmのシート状に加工した。この樹脂シートをφ600mmの円盤状に切り出し、さらに表面に幅2mm、深さ0.6mm、ピッチ1.5mmの格子状の溝を旋盤加工し、研磨用パッドとした。研磨パッド全体の弾性率は1.9GPaであった。
【0020】
(実施例2)
架橋PMMA樹脂粒子(平均粒径50μm、弾性率3.1GPa)とアクリル系液状熱硬化性樹脂組成物(メタクリル酸メチル49重量部、ポリエチレングリコールジメタクリレート49重量部、硬化剤(有機化酸化物)2重量部配合)を、架橋PMMA粒子20重量部に対しアクリル系液状熱硬化性樹脂組成物80重量部の割合でホモミキサーを用いて均一に混合した。得られた樹脂混合液を常温で3分間減圧脱泡して樹脂混合液中に巻き込んだ空気を除去した。さらに樹脂混合液を、厚み2mm、650mm角のシートを成形できる金型に流し込み、60℃で1時間加熱、60℃から140℃に2時間で昇温、140℃で1時間加熱して硬化させた。このシートをφ600mmの円盤状に切り出し、さらに表面に幅2mm、深さ0.6mm、ピッチ1.5mmの格子状の溝を旋盤加工し、研磨用パッドとした。研磨パッド全体の弾性率は0.9GPaであった。
【0021】
(比較例1)
実施例1に用いたタブレット状ABS樹脂市販品を押し出し成形機で厚み1mmのシート状に加工した。この樹脂シートをφ600mmの円盤状に切り出し、さらに表面に幅2mm、深さ0.6mm、ピッチ1.5mmの格子状の溝を旋盤加工し、研磨用パッドとした。研磨パッド全体の弾性率は1.7GPaであった。
【0022】
(比較例2)
タブレット状PMMA樹脂市販品を押し出し成形機で厚み1mmのシート状に加工した。この樹脂シートをφ600mmの円盤状に切り出し、さらに表面に幅2mm、深さ0.6mm、ピッチ1.5mmの格子状の溝を旋盤加工し、研磨用パッドとした。研磨パッド全体の弾性率は2.9GPaであった。
【0023】
(比較例3)
市販のポリウレタン発泡パッドを研磨パッドとした。研磨パッドの弾性率は0.3GPaであった。
【0024】
(研磨剤の作製方法)
絶縁膜研磨用として、次のように研磨剤を作製した。55gのCe(NH4)2(NO3)6を10kgの純水に溶解し、次にこの溶液にアンモニア水(25%水溶液)を加えてpH5.5として水酸化セリウム21gを含む懸濁液を遠心分離(4000rpm、5分間)して固液分離した後、液体を除去し、新たに純水を加えた。この操作をさらに3回繰り返して洗浄を行った。洗浄後に得られた水酸化セリウム懸濁液を遠心分離(4000rpm、5分間)して固液分離した後、液体を除去し、新たに純水を加えた。この操作をさらに3回繰り返して洗浄を行った。洗浄後に得られた水酸化セリウム懸濁液中の粒子の比表面積をBET法によって測定したところ、200m2/gであった。また、透過型電子顕微鏡で粒子の観察を行ったところ、1次粒子径は5nmであった。
【0025】
金属膜用の研磨剤としては、研磨粒子を含まない研磨液として、HS−C430−A3(日立化成工業株式会社製、商品名)を用いた。
【0026】
(絶縁膜の研磨)
研磨膜としてTEOS−プラズマCVD法で酸化珪素絶縁膜を形成させたφ200mmシリコンウエハを、基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーにセットし、実施例1、2及び比較例1〜3のパッドを貼り付けたφ600mmの定盤上に絶縁膜を下にしてホルダーを載せ、さらに加工荷重が30kPaになるように設定した。パッド上に上記研磨剤を200ml/minの速度で滴下しながら、定盤およびウエハをそれぞれ75rpmで2分間回転させ、絶縁膜を研磨した。研磨後のウエハを純水で良く洗浄後、乾燥した。光干渉式膜厚測定装置を用いて、研磨前後の膜厚変化から研磨速度を測定した。また、研磨傷は、光学顕微鏡を用いて暗視野にて絶縁膜表面を観察し、ウエハ表面に存在する研磨に起因する傷を数えた。
【0027】
(金属膜の研磨)
研磨膜として、スパッタ及びメッキ法でCu膜を形成させたφ200mmシリコンウエハを用い、加工荷重を20kPaにし、その他は上記方法と同様の条件でCu膜の研磨、洗浄及び乾燥を行った。シート抵抗測定機を用いて抵抗値を測定し、抵抗率から膜厚を計算して、CMP前後での膜厚差を求め計算した。研磨傷に関しては、光学顕微鏡を用いて、暗視野にてCu膜表面を観察し、ウエハ表面に存在する研磨に起因する傷を数えた。
【0028】
実施例及び比較例として作製した研磨パッドの物性を表1に、研磨評価結果を表2に示す。これらの結果から、本発明の実施例が比較例と比較し、研磨速度が高く、研磨傷が少ないことが分かる。
【0029】
【表1】
【表2】
【0030】
【発明の効果】
本発明により、半導体素子製造工程における層間絶縁膜、BPSG膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜の平坦化、埋め込み配線形成時の余剰の金属膜を平坦化及び除去するCMP技術において、酸化珪素膜などの被研磨物の凹凸平坦化や金属膜の平坦化及び除去を効率良く、高速に行い、同時に基板上の研磨傷の発生を低減出来る研磨パッドを得ることが出来る。
【0031】
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1で作製した研磨パッド表面の走査型電子顕微鏡写真
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子製造技術に使用される化学機械研磨(CMP)方法に関し、基板表面の研磨工程、特にシャロー・トレンチ素子分離、金属配線等の溝への埋め込み層の形成工程、層間絶縁の平坦化工程等において使用されるCMP用研磨パッド及びそれを用いた基板の研磨方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
現在の超大規模集積回路は、実装密度を高める傾向にあり、種々の微細加工技術が研究・開発されている。既に、集積回路のデザインルールは、サブハーフミクロンのオーダーになっている。このような厳しい微細化要求を満足するために開発されている技術の一つにCMP(ケミカルメカニカルポリッシング)技術がある。この技術は、半導体装置の製造工程において、露光を施す層を完全に平坦化し、露光技術の負担を軽減し、歩留りを安定させることが出来る。例えば、層間絶縁膜、埋め込み金属配線部、BPSG膜の平坦化、シャロートレンチ素子分離等を行う際に必須となる技術である。
【0003】
CMPでは、研磨される膜を形成した基板を研磨パッドに押し当て加圧し、研磨剤を被研磨膜と研磨パッドとの間に供給しながら、基板もしくは研磨パッドを動かして研磨を行っている。
この際、研磨パッドとしては発泡ポリウレタン系が一般に使われてきているが、近年、絶縁膜表面及び銅薄膜表面で、研磨剤中の研磨粒子を起因とする研磨傷の発生が大きな問題になっている。研磨剤中の砥粒を小さくすることによってこの研磨傷を低減することが出来る。(非特許文献1参照)
【0004】
【非特許文献1】微粒子工学大系 第II巻応用技術 (2002年1月18日発行)294〜305頁
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
このようにCMP用研磨剤の持つ機械的研磨作用を小さくすることで研磨傷の低減が可能であるが、従来の発泡ウレタン系パッドでは無機絶縁膜や金属膜研磨において十分な研磨速度を得ることが出来ない。小さな研磨粒子の研磨剤を用いるには、パッドに機械研磨作用を持たせることが効果的である。しかしながら、機械研磨作用の高いパッドでは、被研磨面に傷を導入してしまう。また機械研磨作用の低いパッドでは高い研磨速度が得られないという問題があった。
本発明は、半導体素子製造工程における層間絶縁膜、BPSG膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜の平坦化、埋め込み配線形成時の余剰の金属膜を平坦化及び除去するCMP技術において、酸化珪素膜などの被研磨物の凹凸平坦化や金属膜の平坦化及び除去を効率良く、高速に行い、同時に基板上の研磨傷の発生を低減出来る研磨パッドを提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
1)本発明は、架橋樹脂粒子と、架橋樹脂粒子よりも弾性率の低い樹脂マトリックスから構成された、基板又は基板上に形成された薄膜を研磨するための研磨パッドに関する。
2)また、本発明は、架橋樹脂粒子の25℃における弾性率が1.0GPa以上10.0GPa以下であって、粒子径の平均が5μm以上300μm以下である1)の研磨パッドに関する。
3)また、本発明は、架橋樹脂粒子と樹脂マトリックスの25℃における弾性率の差が0.3GPa以上3.0GPa以下である1)〜2)記載の研磨パッドに関する。
4)また、本発明は、架橋樹脂粒子の粒子径の平均が5μm以上300μm以下であって、架橋樹脂粒子の含有量が10重量部以上50重量部以下である1)〜3)記載の研磨パッドに関する。
5)また、本発明は、基板上の被研磨膜を1)〜4)記載の研磨パッドに押し当て、研磨液を被研磨膜と研磨パッドとの間に供給しながら、基板と研磨パッドを相対的に動かして被研磨膜を研磨する研磨方法に関する。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明の研磨パッドは、架橋樹脂粒子と架橋樹脂粒子よりも低い弾性率を有する樹脂マトリックスから構成される。パッド表面のSEM写真を図1に示す。図1に示されるように研磨時には架橋樹脂粒子の一部分が露出していることが好ましい。
架橋樹脂粒子の弾性率はマトリックス樹脂の弾性率より高いものを用いる。
【0008】
絶縁膜のCMPメカニズムは例えば、トライボロジスト 第45巻第10号(2000年10月15日発行)713〜720頁に開示されている。絶縁膜のCMPメカニズムは、砥粒で引き起こされた塑性変形中の酸化水和であって、その塑性変形が摩擦熱で促進されると共に、軟質になった含水表面層が砥粒によって除去される。本発明の研磨パッドはパッド表面から一部露出している架橋樹脂粒子で上記反応層を除去する作用を担う。
【0009】
架橋樹脂粒子の弾性率が低いと機械的作用がなく、1.0GPa以上10.0GPa以下の弾性率であることが好ましい。被研磨膜が酸化珪素等の比較的硬度の高い絶縁膜の場合、特に2.0GPa以上10.0GPa以下の弾性率であることが好ましい。また、被研磨膜がCu等の比較的硬度の低い金属の場合は研磨傷が入りやすいため、架橋樹脂粒子の弾性率は1.0GPa以上5.0GPa以下であることが好ましい。
【0010】
また、マトリックス樹脂の弾性率が高すぎると研磨面に研磨傷が導入されてしまうので、マトリックス樹脂の弾性率は、応力緩和できるように低い弾性率であることが好ましい。しかしながら、弾性率が低すぎると、架橋樹脂粒子が研磨に寄与しなくなる。研磨傷が導入されず、かつ高速に研磨するには架橋樹脂粒子とマトリックス樹脂の25℃の弾性率の差が0.3GPa以上3.0GPa以下であることが好ましい。
【0011】
架橋樹脂粒子としては、特に限定はしないが、熱硬化性樹脂粒子(エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アクリル樹脂等の架橋物)や熱可塑系樹脂の架橋粒子(架橋PE、架橋PMMA等)、光硬化性樹脂粒子等を用いることが出来る。またマトリックス樹脂としては、特に限定はしないが、熱可塑性樹脂(ポリアミド、PE、PP、ABS、PC等)や液状熱硬化性樹脂を用いることが出来る。
【0012】
架橋樹脂粒子の平均径は、5μm以上300μm以下が好ましい。粒子径が小さすぎると研磨速度が低下し、また粒子径が大きすぎると研磨傷が増加する。
【0013】
本発明に使用するCMP研磨剤としては、特に限定はしないが、研磨剤粒子が小さい、あるいは含まれていない研磨剤が好ましい。例えば、酸化セリウム粒子を用いた絶縁膜用研磨剤の場合、酸化セリウム粒子と分散媒からなる組成物を分散させ、必要に応じて添加剤を添加することによって得られる。この場合、酸化セリウム粒子含有量は0.05重量%以上3重量%以下の範囲が望ましい。酸化セリウム粒子は、その製造方法を特に限定しないが、CMP研磨剤中の酸化セリウム粒子の結晶子サイズ径は3nm〜50nm以下であることが好ましい。
【0014】
また金属膜用研磨材としては、金属の酸化剤、酸化金属溶解剤、保護膜形成剤、水溶性ポリマ及び水等からなる砥粒を全く含まない研磨液や、これに砥粒を添加した研磨剤を用いる事が出来る。
【0015】
本発明の研磨パッドで研磨される基板としては、半導体基板すなわち回路素子と配線パターンが形成された段階の半導体基板、回路素子が形成された基板等が挙げられる。このような半導体基板上に形成された酸化珪素膜層あるいは窒化珪素膜層、あるいは金属膜を上記CMP研磨剤で研磨することによって、酸化珪素膜や金属膜の凹凸を解消し、半導体基板全面に渡って平滑な面とすることが出来る。
【0016】
本発明の研磨パッドを使用して研磨を行う装置としては、特に制限はなく、円盤型研磨装置、リニア型研磨装置、ウエブ型研磨装置等で用いることが出来る。一例としては半導体基板を保持するホルダと研磨パッドを貼り付けた(回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある)定盤を有する一般的な研磨装置がある。研磨条件に特に制限はないが、研磨対象に合わせ最適化を図ることが好ましい。研磨している間、研磨パッドには研磨剤をポンプ等で連続的に供給する。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に研磨剤で覆われていることが好ましい。
研磨終了後の半導体基板は、流水中で良く洗浄後、スピン洗浄機等を用いて半導体基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。
【0017】
本発明の研磨パッドは、半導体基板に形成された酸化珪素膜だけでなく、所定の配線を有する配線板に形成された酸化珪素膜、ガラス、窒化珪素等の無機絶縁膜、ポリシリコン、Al、Cu、Ti、TiN、W、Ta、TaN等を主として含有する膜、フォトマスク・レンズ・プリズム等の光学ガラス、ITO等の無機導電膜、ガラス及び結晶質材料で構成される光集積回路・光スイッチング素子・光導波路、光ファイバーの端面、シンチレータ等の光学用単結晶、固体レーザ単結晶、青色レーザLED用サファイヤ基板、SiC、GaP、GaAs等の半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス或いはアルミ基板、磁気ヘッド等を研磨することが出来る。
【0018】
【実施例】
以下、実施例により、本発明を説明するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。
(パッドの作製)
【0019】
(実施例1)
架橋PMMA樹脂粒子(平均粒径50μm、弾性率3.1GPa)とタブレット形状のABS樹脂市販品(弾性率1.7GPa)を、架橋PMMA粒子35重量部に対しABS樹脂65重量部の割合でヘンシェルミキサーを用いて均一に混合(ドライブレンド)した。混合物を2軸押出機で溶融混練し、架橋PMMA粒子をABS樹脂マトリックス中に分散させた。溶融混練した樹脂は紐状に押し出して水で冷却し、カットして樹脂混合物のタブレットを得た。このタブレットを十分に乾燥した後、押し出し成型機を用いロールで圧延して厚み1mmのシート状に加工した。この樹脂シートをφ600mmの円盤状に切り出し、さらに表面に幅2mm、深さ0.6mm、ピッチ1.5mmの格子状の溝を旋盤加工し、研磨用パッドとした。研磨パッド全体の弾性率は1.9GPaであった。
【0020】
(実施例2)
架橋PMMA樹脂粒子(平均粒径50μm、弾性率3.1GPa)とアクリル系液状熱硬化性樹脂組成物(メタクリル酸メチル49重量部、ポリエチレングリコールジメタクリレート49重量部、硬化剤(有機化酸化物)2重量部配合)を、架橋PMMA粒子20重量部に対しアクリル系液状熱硬化性樹脂組成物80重量部の割合でホモミキサーを用いて均一に混合した。得られた樹脂混合液を常温で3分間減圧脱泡して樹脂混合液中に巻き込んだ空気を除去した。さらに樹脂混合液を、厚み2mm、650mm角のシートを成形できる金型に流し込み、60℃で1時間加熱、60℃から140℃に2時間で昇温、140℃で1時間加熱して硬化させた。このシートをφ600mmの円盤状に切り出し、さらに表面に幅2mm、深さ0.6mm、ピッチ1.5mmの格子状の溝を旋盤加工し、研磨用パッドとした。研磨パッド全体の弾性率は0.9GPaであった。
【0021】
(比較例1)
実施例1に用いたタブレット状ABS樹脂市販品を押し出し成形機で厚み1mmのシート状に加工した。この樹脂シートをφ600mmの円盤状に切り出し、さらに表面に幅2mm、深さ0.6mm、ピッチ1.5mmの格子状の溝を旋盤加工し、研磨用パッドとした。研磨パッド全体の弾性率は1.7GPaであった。
【0022】
(比較例2)
タブレット状PMMA樹脂市販品を押し出し成形機で厚み1mmのシート状に加工した。この樹脂シートをφ600mmの円盤状に切り出し、さらに表面に幅2mm、深さ0.6mm、ピッチ1.5mmの格子状の溝を旋盤加工し、研磨用パッドとした。研磨パッド全体の弾性率は2.9GPaであった。
【0023】
(比較例3)
市販のポリウレタン発泡パッドを研磨パッドとした。研磨パッドの弾性率は0.3GPaであった。
【0024】
(研磨剤の作製方法)
絶縁膜研磨用として、次のように研磨剤を作製した。55gのCe(NH4)2(NO3)6を10kgの純水に溶解し、次にこの溶液にアンモニア水(25%水溶液)を加えてpH5.5として水酸化セリウム21gを含む懸濁液を遠心分離(4000rpm、5分間)して固液分離した後、液体を除去し、新たに純水を加えた。この操作をさらに3回繰り返して洗浄を行った。洗浄後に得られた水酸化セリウム懸濁液を遠心分離(4000rpm、5分間)して固液分離した後、液体を除去し、新たに純水を加えた。この操作をさらに3回繰り返して洗浄を行った。洗浄後に得られた水酸化セリウム懸濁液中の粒子の比表面積をBET法によって測定したところ、200m2/gであった。また、透過型電子顕微鏡で粒子の観察を行ったところ、1次粒子径は5nmであった。
【0025】
金属膜用の研磨剤としては、研磨粒子を含まない研磨液として、HS−C430−A3(日立化成工業株式会社製、商品名)を用いた。
【0026】
(絶縁膜の研磨)
研磨膜としてTEOS−プラズマCVD法で酸化珪素絶縁膜を形成させたφ200mmシリコンウエハを、基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーにセットし、実施例1、2及び比較例1〜3のパッドを貼り付けたφ600mmの定盤上に絶縁膜を下にしてホルダーを載せ、さらに加工荷重が30kPaになるように設定した。パッド上に上記研磨剤を200ml/minの速度で滴下しながら、定盤およびウエハをそれぞれ75rpmで2分間回転させ、絶縁膜を研磨した。研磨後のウエハを純水で良く洗浄後、乾燥した。光干渉式膜厚測定装置を用いて、研磨前後の膜厚変化から研磨速度を測定した。また、研磨傷は、光学顕微鏡を用いて暗視野にて絶縁膜表面を観察し、ウエハ表面に存在する研磨に起因する傷を数えた。
【0027】
(金属膜の研磨)
研磨膜として、スパッタ及びメッキ法でCu膜を形成させたφ200mmシリコンウエハを用い、加工荷重を20kPaにし、その他は上記方法と同様の条件でCu膜の研磨、洗浄及び乾燥を行った。シート抵抗測定機を用いて抵抗値を測定し、抵抗率から膜厚を計算して、CMP前後での膜厚差を求め計算した。研磨傷に関しては、光学顕微鏡を用いて、暗視野にてCu膜表面を観察し、ウエハ表面に存在する研磨に起因する傷を数えた。
【0028】
実施例及び比較例として作製した研磨パッドの物性を表1に、研磨評価結果を表2に示す。これらの結果から、本発明の実施例が比較例と比較し、研磨速度が高く、研磨傷が少ないことが分かる。
【0029】
【表1】
【表2】
【0030】
【発明の効果】
本発明により、半導体素子製造工程における層間絶縁膜、BPSG膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜の平坦化、埋め込み配線形成時の余剰の金属膜を平坦化及び除去するCMP技術において、酸化珪素膜などの被研磨物の凹凸平坦化や金属膜の平坦化及び除去を効率良く、高速に行い、同時に基板上の研磨傷の発生を低減出来る研磨パッドを得ることが出来る。
【0031】
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1で作製した研磨パッド表面の走査型電子顕微鏡写真
Claims (5)
- 架橋樹脂粒子と、架橋樹脂粒子よりも弾性率の低い樹脂マトリックスから構成された、基板又は基板上に形成された薄膜を研磨するための研磨パッド。
- 架橋樹脂粒子の25℃における弾性率が1.0GPa以上10.0GPa以下であって、粒子径の平均が5μm以上300μm以下である請求項1記載の研磨パッド。
- 架橋樹脂粒子と樹脂マトリックスの25℃における弾性率の差が0.3GPa以上3.0GPa以下である請求項1〜2に記載の研磨パッド。
- 架橋樹脂粒子の粒子径の平均が5μm以上300μm以下であって、架橋樹脂粒子の含有量が10重量部以上50重量部以下である請求項1〜3記載の研磨パッド。
- 基板上の被研磨膜を請求項1〜4記載の研磨パッドに押し当て、研磨液を被研磨膜と研磨パッドとの間に供給しながら、基板と研磨パッドを相対的に動かして被研磨膜を研磨する研磨方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003105209A JP2004311817A (ja) | 2003-04-09 | 2003-04-09 | 研磨パッドとそれを用いた研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003105209A JP2004311817A (ja) | 2003-04-09 | 2003-04-09 | 研磨パッドとそれを用いた研磨方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004311817A true JP2004311817A (ja) | 2004-11-04 |
Family
ID=33467789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003105209A Pending JP2004311817A (ja) | 2003-04-09 | 2003-04-09 | 研磨パッドとそれを用いた研磨方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004311817A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006319052A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法および研磨装置 |
JP2009140865A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Tokai Rubber Ind Ltd | 導電複合粒子、エラストマー複合材料、および変形センサ |
US7597606B2 (en) | 2005-03-30 | 2009-10-06 | Fujitsu Microelectronics Limited | Fabrication process of semiconductor device and polishing method |
-
2003
- 2003-04-09 JP JP2003105209A patent/JP2004311817A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7597606B2 (en) | 2005-03-30 | 2009-10-06 | Fujitsu Microelectronics Limited | Fabrication process of semiconductor device and polishing method |
JP2006319052A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法および研磨装置 |
JP2009140865A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Tokai Rubber Ind Ltd | 導電複合粒子、エラストマー複合材料、および変形センサ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5543494B2 (ja) | パターン化された構造ドメインを含む化学機械平坦化パッド | |
TW425331B (en) | Polishing pads for a semiconductor substrate | |
US20030003857A1 (en) | Polishing pad, and method and apparatus for polishing | |
KR101068068B1 (ko) | 반도체용 연마제, 그 제조 방법 및 연마 방법 | |
TWI228440B (en) | Polishing pad containing embedded liquid microelements and method of manufacturing the same | |
US6488570B1 (en) | Method relating to a polishing system having a multi-phase polishing layer | |
WO2012102187A1 (ja) | Cmp研磨液及びその製造方法、複合粒子の製造方法、並びに基体の研磨方法 | |
KR20090091302A (ko) | 나노미립자 충전재를 갖는 연마 용품 및 그 제조 및 사용 방법 | |
TW201012908A (en) | Structured abrasive article, method of making the same, and use in wafer planarization | |
JP2010153782A (ja) | 基板の研磨方法 | |
TW201213121A (en) | Fixed abrasive pad with surfactant for chemical mechanical planarization | |
JPWO2011048889A1 (ja) | 研磨剤、濃縮1液式研磨剤、2液式研磨剤及び基板の研磨方法 | |
CN1915598A (zh) | 抛光垫及其制造方法 | |
TW531467B (en) | Polishing pad comprising a filled translucent region | |
US20060199473A1 (en) | Polishing pad, process for producing the same and method of polishing therewith | |
CN113941952B (zh) | 一种半导体晶圆的双面抛光工艺 | |
JP3910921B2 (ja) | 研磨布および半導体装置の製造方法 | |
JP2004311817A (ja) | 研磨パッドとそれを用いた研磨方法 | |
JP5587337B2 (ja) | 複数層化学機械平坦化パッド | |
JP2002001648A (ja) | 研磨用パッドおよびそれを用いた研磨装置及び研磨方法 | |
JP2011073085A (ja) | 研磨パッド | |
JP2001315056A (ja) | 研磨用パッドおよびそれを用いた研磨装置及び研磨方法 | |
JP2002158197A (ja) | 研磨用パッドおよびそれを用いた研磨装置ならびに研磨方法 | |
JP2004266186A (ja) | 研磨用パッド及び研磨物の製造法 | |
JP2009094450A (ja) | アルミニウム膜研磨用研磨液及び基板の研磨方法 |