JP2006313801A - 配線基板およびモールド金型 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体チップを搭載した配線基板を樹脂モールドするにあたり、配線基板表面の凹凸形状に起因して発生する配線基板破損やモールド樹脂漏れを防止することを目的とする。
【解決手段】 上部モールド金型６に切欠き部６ａを設け、配線基板１の配線パターン１ａはこの切欠き部６ａを通ってモールド樹脂４の内部と外部との境界を跨ぐ。これにより、上部モールド金型６は凸形状部には接触せず配線パターン１ａへの応力集中が均一化されて配線基板の破損を防止できる。また上部モールド金型６は配線パターン１ａの無い平坦な領域で配線基板１と接触するため、配線基板表面の凹凸段差による隙間からのモールド樹脂漏れを防止できる。
【選択図】 図２

Description

本発明は、その構成の一部に配線基板を用いた半導体装置の製造方法に関し、特に配線基板に搭載した半導体チップをモールド金型にて樹脂モールドするのに用いる配線基板およびモールド金型に関する。

従来、その構成の一部に配線基板を用いた半導体装置の製造方法の一工程として、配線基板に搭載した半導体チップをモールド金型にて樹脂モールドする方法が実用化されている。

半導体チップはモールド金型の内部空間であるキャビティに収められ、モールド樹脂は圧力をかけられることでキャビティに移送されるが、ここでモールド樹脂がキャビティから外部に漏れないよう配線基板をモールド金型でしっかり把持する必要がある。

配線基板は絶縁体上に配線パターンが設けられ、それをソルダーレジストが保護する構造になっており、これを断面でみると配線パターン上のソルダーレジスト表面は配線パターンの無い領域に比べて凸形状となっている。モールド金型で把持する領域にこれら配線パターンが配置されていると、モールド金型の配線基板との接触面はこの凸形状で規制されるため、配線パターンの無い領域である凹部ではモールド金型と配線基板との間に隙間を生じ、そこからモールド樹脂が漏れるという課題があった。

また更に、配線基板表面のこうした凹凸を潰すことで樹脂漏れなきようモールド金型の把持力を上げた場合、応力集中によって配線基板を破損してしまうという課題があった。
それら課題への対策技術として、配線パターンを変形させることでモールド金型による配線基板の把持力を均一化し、配線基板への応力集中を緩和する方法がある（例えば、特許文献１参照）。
特開２０００−３２３６１１号公報

しかしながら、従来の方法ではモールド金型による配線基板への応力集中を緩和するだけで、不具合の原因であるモールド金型が把持する領域の配線基板の凹凸は依然として解消することは出来なかった。

本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、樹脂漏れ及び配線基板の破損を防止することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の請求項１記載の配線基板は、１または複数の切欠き部を設けたモールド金型に把持されて、搭載された半導体チップをモールドする配線基板であって、１または複数の半導体チップが搭載され、モールド領域外に形成される電極端子と、把持される前記モールド金型の前記切欠き部が位置する領域に形成されて前記半導体チップと前記電極端子を電気的に接続する配線パターンとを有し、前記配線パターンによる凹凸部が前記切欠き部に包含されて前記モールド金型に平坦な領域を把持されることを特徴とする。

請求項２記載の配線基板は、請求項１記載の配線基板において、前記電極端子が半導体基板の裏面に形成された半田ボールであることを特徴とする。
請求項３記載の配線基板は、請求項１記載の配線基板において、前記半導体チップが配線基板の表裏両面に形成されることを特徴とする。

請求項４記載のモールド金型は、１または複数の特定の配置領域にまとめて配線パターンを形成した配線基板を把持して半導体チップをモールドするモールド金型であって、前記配置領域が位置する領域に切欠きを備え、前記配線パターンによる前記配線基板の凹凸部を前記切欠き部で包含し、前記配線基板の平坦な領域を把持することを特徴とする。

請求項５記載のモールド金型は、請求項４記載のモールド金型において、前記切欠きがエアベントとして機能することを特徴とする。
以上により、半導体チップを搭載した配線基板をモールド金型に把持して樹脂モールドする際に、従来発生していた樹脂漏れや配線基板の破損を防止することが出来る。

本発明によると、配線基板がモールド金型に把持されているとき、配線基板表面の凸形状となる配線パターンが形成された配置領域がモールド金型の切欠き部に位置するため、モールド金型による配線パターンへの応力集中は排除され、配線基板の破損を防止することができる。また、モールド金型が接触する配線基板の領域は配線パターンの無い領域のみとなって平坦になるため、モールド金型と配線基板との間に隙間が発生せず樹脂漏れを防止することが出来る。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
まず、図１，図２，図３を用いて実施の形態１について説明する。

図１は実施の形態１において製造された半導体装置の構造を説明する図であり、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイプの半導体装置を示し、図１（ａ）は透過的に見た上面図、図１（ｂ）は断面図、図１（ｃ）は下面図である。図２は実施の形態２における配線パターンの配置領域の断面図、図３は実施の形態１における半導体装置のモールド方法を説明する工程断面図である。

図１において、配線基板１にはその片面に半導体チップ２が搭載され、その同じ面に半導体チップ２を外部環境から保護するようモールド樹脂４が成形されている。半導体チップ２はワイヤー３によって配線基板１のボンディングパッド（図示せず）と電気的に接続されている。ボンディングパッドは配線基板１に設けられた配線パターン１ａと一体に形成されており、配線パターン１ａは配線基板１の下面にグリッドアレイ状に配列された半田ボール５と電気的に接続している。尚、半導体チップ２と配線基板１とを電気的に接続する手法は、ここで示したワイヤー３に替えてバンプを用いたフリップチップ接続であっても構わない。

配線パターン１ａの一部を図１（ａ）に示している。ここで、モールド樹脂４の内部から外部に引き出される配線パターン１ａは、モールド樹脂４の右下隅部に設けられた配線パターンの配置領域Ａに集中して配置されており、この配線パターンの配置領域Ａを跨いでモールド樹脂４の内部と外部とを電気的に接続している。ここでは図示していないが、他のモールド樹脂の内部から外部に引き出す配線パターン１ａも、モールド樹脂４の他の隅部に集中的に配置されている。

図２においては、パターンの配置領域Ａを拡大し、モールド樹脂４の縁に垂直な断面図を図２（ａ）に、平行な断面図を図２（ｂ）に示す。
図２において、配線基板１は上部モールド金型６と下部モールド金型７の間に把持されており、上部モールド金型６は配線基板１表面のソルダーレジスト１ｂに接触して荷重を印可している。ここで、上部モールド金型６には本発明の特徴である切欠き部６ａが設けられており、配線パターン１ａはこの切欠き部６ａの内部を通ってモールド樹脂４の内部から外部に引き出され、配線基板１を貫通してスルーホール充填材１ｆが充填されたスルーホール１ｃを介して下面のランド１ｄと接続している。尚、図１で示した半田ボール５はこのモールドの後の工程でランド１ｄに搭載するため、ここでは図示していない。

配線パターン１ａやランド１ｄは絶縁体である基材１ｅの表面に設けられており、これらをカバーするようソルダーレジスト１ｂが塗工されている。ソルダーレジスト１ｂを設ける目的は、配線パターン１ａ間やランド１ｄ間の短絡を防止である。配線パターン１ａが配置されている箇所ではその厚みに比例してソルダーレジスト１ｂが盛り上がり、配線パターンが無い領域との段差を生じて配線基板１表面の凹凸形状となる。

本実施の形態で示す本発明によれば、配線基板１表面の凸形状部となる配線パターン１ａは、凸形状部の形状と概ね一致する形状の上部モールド金型６の切欠き部６ａに位置するよう集中して配置されており、それ以外の凹部となる平坦な領域を上部モールド金型６で把持するため、配線基板１表面の凹凸の段差による樹脂漏れや凸部への応力集中による配線基板１の破損を防止することが出来る。

ここで、モールド樹脂４には、一般的に８０〜９０重量％程度のシリカフィラーが配合されており、その形状および粒度分布は適宜設定される。近年は球形フィラーが一般的で、その粒径は平均で大体１５〜２５μｍ程度、最大で５０〜８０μｍ程度である。従って、上記モールド金型６の切欠き部６ａにおいて配線基板１表面との隙間は２０〜３０μｍ程度あれば、モールド時にはシリカフィラーがその隙間に挟まることによって、ある程度以上の樹脂漏れは防止することが出来る。また、配線基板１の配線パターン１ａに起因する表面段差は概ね１０〜１５μｍ程度である為、切欠き部６ａでは上記の隙間と合わせて３０〜４５μｍ程度の深さがあれば、樹脂漏れを起こさず、かつ配線基板１に接触することなくモールドすることが可能となる。

但し、実際には、この数値は配線基板１の厚みバラツキおよびモールド金型６の把持力によるソルダーレジスト１ｂの潰れ量も加味して慎重に設定する必要がある。更に、後段にて説明するリリースフィルムを介してモールド金型６が配線基板１を把持するモールド工法を使用した場合は、リリースフィルムの潰れ量をも計算して切欠き部６ａの深さを設定する必要がある。

本実施の形態でのモールド方法を図３（ａ）〜（ｅ）に示す。以下、図３（ａ）〜（ｅ）の順で作業の流れを順番に説明する。
まず、図３（ａ）に示すのは、上部モールド金型６と下部モールド金型７との間に、配線基板１に半導体チップ２を搭載してワイヤー３でボンディングしたモールド対象品と、モールド樹脂４とをセットする前段階の状態である。ここで、モールド樹脂４は一般にタブレットと呼ばれる固形の状態である。上部モールド金型６には半導体チップ２が収まるキャビティ６ｂとモールド樹脂４を溶融するカル部６ｃおよびカル部６ｃからキャビティ６ｂまでモールド樹脂４を誘導する通路となるランナー部６ｄが設けられている。下部モールド金型７にはタブレット状のモールド樹脂４を投入するポット部７ａが設けられており、ポット部７ａの内部には溶融したモールド樹脂４をキャビティ６ｂまで移送する為のプランジャー８がセットされている。上部モールド金型６と下部モールド金型７およびプランジャー８は通常１６０℃〜１９０℃程度の温度に保たれており、この熱によってモールド樹脂４が一旦溶融し、その後、硬化する。

次に図３（ｂ）に示すのは、配線基板１が上部モールド金型６と下部モールド金型７との間に把持され、タブレット状のモールド樹脂４がポット部７ａに投入された状態である。ここで、タブレット状のモールド樹脂４は熱により溶融し始める。

次に図３（ｃ）に示すのは、プランジャー８が上昇して溶融したモールド樹脂４がカル部６ｃ、ランナー部６ｄへと移送され、最終的にキャビティ６ｂに充填された状態である。そのまま１分から３分程度の間保持することでモールド樹脂４を硬化させる。このとき、モールド樹脂４にプランジャー８より圧力が印加されることによってモールド樹脂４のボイドを押し潰す。

モールドの欠陥となるボイドの発生原因は大きく二つある。一つはモールド樹脂４が充填されるカル部６ｃ、ランナー部６ｄ、キャビティ６ｂに初期的にあったエアを溶融したモールド樹脂４がその移送中に巻き込むというもの、もう一つはモールド樹脂４のタブレット内部に初期的にあったエアや水分、また樹脂成分そのものがモールド金型の熱により揮発、ガス化してモールド樹脂４中に閉じ込められるというものである。こうしたボイドを低減させるため、上部モールド金型６のキャビティ６ｂの端部に切欠き部６ａを設けてキャビティ６ｂ内部のエアを逃がすことは大変有効である。つまり、この切欠き部６ａはエアベントの役割をも担うという効果がある。

エアベントの形状と位置は、溶融したモールド樹脂４の流動状態を考慮してエアが最も有効に抜けるよう設計されるべきである。そうして設けたエアベント（切欠き部６ａ）に合わせて、配線基板１のモールド樹脂４内部から外部に引き出す配線パターン１ａを集中して配置すれば、上段で説明したように樹脂漏れや配線基板１の破損を防止できる。逆に上部モールド金型６から言えば、この切欠き部６ａは樹脂漏れや配線基板１の破損を防止すると同時にエアベントとしても機能して、きわめて有用である。

切欠き部６ａと配線基板１表面との隙間は２０〜３０μｍ程度あればエアは抜けることが十分可能であり、かつ前段で述べた通りモールド樹脂４に含有されるシリカフィラーはその隙間を通過できない粒径のものが必ず存在する為、モールド時にはシリカフィラーがその隙間に挟まることによってある程度以上の樹脂漏れは防止することが出来る。

尚、ここでの切欠き部６ａは図１および図２を用いた説明に従いモールド樹脂４の隅部に配置しているが、特にこの位置に限定する必要は無い。上述の通り、モールド樹脂４の流動状態より設計しても良いし、またそれに関係なく配線基板１の配線パターン１ａの配置に対応して設計しても構わない。

次に、モールドされた半導体装置を取り出した状態を図３（ｄ）に示す。ここで、モールド樹脂４はカル部６ｃとランナー部６ｄとキャビティ部６ｂが一体化しているため、これら不要の部分を除去することで、最終的に図３（ｅ）に示すモールドを終えた半導体装置を得る。

以上に説明したモールド方法はトランスファーモールド法と呼ばれる。尚、モールド金型から取り出したままではモールド樹脂４は完全には硬化反応を終えていないため、この後にアフターキュアを行うのが一般的である。

これまでの図１、図２、図３を用いた説明では簡略化のため単品の配線基板１を示してきたが、実際の製造ではこの単品分の単位領域を複数個、短冊状またはマトリックス状に配列した配線基板を用いる。また、図３にてモールド樹脂４のタブレットは１個で示しているが、実際の製造ではそうした多数個取りの配線基板に対応する分だけ複数個必要となり、また、配線基板も１枚ずつでなく複数枚を同時にモールドする場合がある。本発明はそうした生産形態に適用できる。

また、多数個取りの配線基板に対し一つのキャビティを用いて一括モールドし、その後ダイシング等の手法で個片化する方法も実用化されている。そうしたモールド方法にも本発明は適用できる。

また、上部モールド金型６からモールド済み製品を離型するのを容易にし、かつモールド金型が配線基板へ与えるダメージを小さくするため、上部モールド金型６とモールド樹脂４の間にリリースフィルムを介してモールドする工法がある。本発明はそうしたリリースフィルムを使用したモールド方法にも適用できる。

また、本実施の形態において配線基板１には半導体チップ２を１個搭載していたが、これは半導体装置の内部構成によって複数の半導体チップを平置きまたは積層して搭載しても構わない。もちろん必要に応じてチップ抵抗器等の電子部品を搭載しても構わない。

また、ここで述べた実施の形態に示す半導体装置はいわゆるＢＧＡタイプであるが、これがランド１ｄに半田ボール５を搭載しない、いわゆるＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）でもよく、電源端子はモールド領域外に形成されれば、いかなる形状であっても構わない。

また、本実施の形態において配線基板１は導体を基材１ｅの両面に形成する両面基板であったが、これは片面基板であっても構わないし、また多層基板であっても構わない。
配線基板１の基材１ｅの素材は一般的にはエポキシ樹脂、ＢＴレジン、ＰＰＥ、ポリイミド等の有機物、もしくはセラミック等の無機物である。ガラスクロス等の繊維素材にエポキシ樹脂やＢＴレジンを含浸した基材１ｅも良く用いられる。また、配線パターン１ａとなる導体としては主にＣｕが使用され、ワイヤー３と接合するボンディングパッドや半田ボール５と接合するランド１ｄでは、それらとの接合性を向上させるためＡｕ、Ｎｉ等によるメッキが施される。メッキは電解メッキと無電解メッキの２タイプが量産化されている。ここで電解メッキの場合、メッキ部への通電用に引出し線を設ける必要があるが、この引出し線も配線パターン１ａと同様に配線基板表面の凹凸の原因となる。この引出し線が配線基板１の上部モールド金型６が把持する領域にあると樹脂漏れや配線基板破損を発生させる要因となるため、本実施の形態で示したのと同じくこれら引出し線を上部モールド金型６の切欠き部６ａに集中して配置するような基板設計を施すことにより、上記の不良発生を防止できる。

モールド樹脂４として一般的に多く使用されるのはエポキシ系の熱硬化性樹脂である。低吸湿性や高耐リフロー性等の諸特性を与えるため、フィラー、低応力材、カップリング剤等を添加している。フィラーにはシリカ粒が一般的に用いられ、その量や粒径分布はモールド樹脂４の特性に大きな影響を及ぼす。
（実施の形態２）
次に、図４，図５を用いて実施の形態２について説明する。ここで、実施の形態１と重複する箇所に関する説明は省略、もしくは簡略化する。

図４は実施の形態２において製造された半導体装置の構造を説明する図であり、図４（ａ）は半導体装置を透過的にみた上面図、図４（ｂ）はその断面図、図４（ｃ）は下面図である。この構造は、例えば、カードタイプの半導体装置等に用いられる。図５は実施の形態２における半導体装置のモールド方法を説明する工程断面図である。

配線基板１１にはその上面端部に外部との接続端子となる電極１１ｂを設けており、下面端部には抵抗、コンデンサ、インダクタ等のチップ部品９を搭載している。電極１１ｂは配線パターン１１ａと導通しており、また、チップ部品９は配線パターン１１ｃと導通している。この配線パターン１１ａと電極１１ｂとは必要に応じてスルーホール（図示せず）を通じて導通してもよい。尚、ここでチップ部品９はカード等の用途，構成の設計によって必要なければ搭載しなくても良いし、この領域に上面と同様に電極を設けても構わない。

配線基板１１にはその上面に第１の半導体チップ２１、第２の半導体チップ２２が搭載され、その下面には第３の半導体チップ２３、第４の半導体チップ２４が搭載されている。それら半導体チップの具体的な機能としては、例えば、第１の半導体チップ２１および第３の半導体チップ２３がメモリー、第２の半導体チップ２２および第４の半導体チップ２４がそのコントローラといった構成が考えられる。

それら半導体チップ２１、２２、２３、２４はワイヤー３によって配線基板１１のボンディングパッド（図示せず）と電気的に接続されており、さらに、それらを外部環境から保護するようモールド樹脂４が配線基板１１の両面に成形されている。ボンディングパッドは、配線パターン１１ａ、下面の配線パターン１１ｃと一体に形成されている。尚、半導体チップ２１、２２，２３，２４と配線基板１１とを電気的に接続する方法は、ワイヤー３に替えてバンプを用いたフリップチップ接続であっても構わない。

配線パターン１１ａおよび１１ｃは、それぞれモールド樹脂４の周縁部における配線パターンの配置領域Ａに集中して配置されており、この配線パターンの配置領域Ａを跨いでモールド樹脂４の内部と外部と電気的に接続している。

本発明によれば、本半導体装置をモールドするにあたり、この配線パターンの配置領域Ａにモールド金型の切欠き部を設けることで、配線パターン１１ａ、１１ｃに起因する配線基板１１表面の凸形状にモールド金型が接触するのを防止し、かつ配線パターン１１ａ、１１ｃの無い平坦な領域をモールド金型が把持することができる。その結果、配線基板１１表面の凹凸の段差起因による樹脂漏れや凸形状部への応力集中による配線基板１１の破損を防止することが出来る。

尚、ここでの配線パターンの配置領域Ａは図４で示した３箇所に特に限定されず、モールド樹脂４の流動状態または配線基板１１の設計上の観点から最適な形状で設けて構わない。

本実施の形態でのモールド方法を図５（ａ）〜（ｅ）に示す。以下、図５（ａ）〜（ｅ）の順で作業の流れを順番に説明する。
まず、図５（ａ）に上部モールド金型６と下部モールド金型７との間にモールド対象品とタブレット状のモールド樹脂４とをセットする前段階の状態を示す。上部モールド金型６には半導体チップ２１、２２が収まるキャビティ６ｂとモールド樹脂４を溶融するカル部６ｃおよびカル部６ｃからキャビティ６ｂまでモールド樹脂４を誘導する通路となるランナー部６ｄが設けられている。下部モールド金型７には半導体チップ２３、２４が収まるキャビティ７ｂ、チップ部品９が収まる逃げ部７ｄが設けられている。ポット部７ａやプランジャー８は実施の形態１と同様である。上部モールド金型６と下部モールド金型７およびプランジャー８は通常１６０℃〜１９０℃程度の温度に保たれており、この熱によってモールド樹脂４が溶融し、また硬化する。

次に、図５（ｂ）に示すのは、配線基板１１が上部モールド金型６と下部モールド金型７との間に把持され、タブレット状のモールド樹脂４がポット部７ａに投入された状態である。ここで、タブレット状のモールド樹脂４は熱により溶融し始める。

次に、図５（ｃ）に示すのは、プランジャー８が上昇して溶融したモールド樹脂４がカル部６ｃ、ランナー部６ｄへと移送され、最終的にキャビティ６ｂおよびキャビティ７ｂに充填された状態である。上部モールド金型６のランナー６ｄから下部モールド金型７のキャビティ７ｂにモールド樹脂４を移送するには、配線基板１１にモールド樹脂４が通過する開口部（図示せず）を設けることで実現する。必要に応じて、下部モールド型７にランナー部を設けても構わない。

キャビティ６ｂおよび７ｂには、図４で示した配線パターンの配置領域Ａに相当する位置に切欠き部６ａおよび７ｃを設けている。切欠き部６ａに配線パターン１１ａを配置し、切欠き部７ｃに配線パターン１１ｃを配置した配線基板１１を用いることで、実施の形態１と同様に樹脂漏れや配線基板１１の破損を防止できる。また、切欠き部６ａおよび７ｃはエアベントとして機能することでモールド樹脂４内部のボイドや未充填を抑制し、品質上きわめて有用である。
次に、図５（ｄ）にモールドされた半導体装置を取り出した状態を示す。ここで、モールド樹脂４はカル部６ｃとランナー部６ｄとキャビティ部６ｂが一体化しているため、これら不要の部分を除去することで、最終的に図５（ｅ）に示すモールドを終えた半導体装置を得る。これを筐体に収め、封着することで本半導体装置はそのままカードとして最終製品となる。

尚、本実施の形態においても実施の形態１と同じく多数個取りの配線基板や複数枚取りのモールド金型、一括モールド法、リリースフィルムモールド法を適用可能である。
また、本実施の形態において配線基板１１には半導体チップを４個搭載していたが、これは半導体装置の内部構成によってもっと多数の半導体チップを平置きまたは積層して搭載しても構わない。もちろん必要に応じてモールド樹脂４の内部にチップ抵抗器等の電子部品を搭載しても構わない。

また、本実施の形態において配線基板１１は両面基板であったが、これは多層基板であっても構わない。

本発明によると、樹脂漏れ及び配線基板の破損を防止することができ、配線基板に搭載した半導体チップをモールド金型にて樹脂モールドする際に用いる配線基板とモールド金型等に有用である。

実施の形態１において製造された半導体装置の構造を説明する図 実施の形態２における配線パターンの配置領域の断面図 実施の形態１における半導体装置のモールド方法を説明する工程断面図 実施の形態２において製造された半導体装置の構造を説明する図 実施の形態２における半導体装置のモールド方法を説明する工程断面図

符号の説明

１ 配線基板
１ａ 配線パターン
１ｂ ソルダーレジスト
１ｃ スルーホール
１ｄ ランド
１ｅ 基材
１ｆ スルーホール充填材
２ 半導体チップ
３ ワイヤー
４ モールド樹脂
５ 半田ボール
６ 上部モールド金型
６ａ 切欠き部
６ｂ キャビティ
６ｃ カル部
６ｄ ランナー部
７ 下部モールド金型
７ａ ポット部
７ｂ キャビティ
７ｃ 切欠き部
７ｄ 逃げ部
８ プランジャー
９ チップ部品
１１ 配線基板
１１ａ 配線パターン
１１ｂ 電極
１１ｃ 配線パターン
２１ 半導体チップ
２２ 半導体チップ
２３ 半導体チップ
２４ 半導体チップ
Ａ 配置領域

Claims (5)

1. １または複数の切欠き部を設けたモールド金型に把持されて、搭載された半導体チップをモールドする配線基板であって、
   １または複数の半導体チップが搭載され、
   モールド領域外に形成される電極端子と、
   把持される前記モールド金型の前記切欠き部が位置する領域に形成されて前記半導体チップと前記電極端子を電気的に接続する配線パターンと
   を有し、前記配線パターンによる凹凸部が前記切欠き部に包含されて前記モールド金型に平坦な領域を把持されることを特徴とする配線基板。
2. 前記電極端子が半導体基板の裏面に形成された半田ボールであることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
3. 前記半導体チップが配線基板の表裏両面に形成されることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
4. １または複数の特定の配置領域にまとめて配線パターンを形成した配線基板を把持して半導体チップをモールドするモールド金型であって、
   前記配置領域が位置する領域に切欠きを備え、
   前記配線パターンによる前記配線基板の凹凸部を前記切欠き部で包含し、前記配線基板の平坦な領域を把持することを特徴とするモールド金型。
5. 前記切欠きがエアベントとして機能することを特徴とする請求項４記載のモールド金型。

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