JP2006313785A - 薄膜抵抗体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ニッケル、クロム、珪素および炭素からなり、珪素および炭素の含有量が40〜65質量%であり、かつ、クロムのニッケルに対する質量比が0.15〜1.1である薄膜に熱処理を施し、比抵抗が500〜3000μΩ・cmであり、かつ、抵抗温度係数が−25〜+25ppm/℃である薄膜抵抗体を得る。前記熱処理の温度は、400〜800℃の範囲内で前記薄膜の組成に応じて選択される。
【選択図】 図1
Description
薄膜抵抗体はNi−Cr合金スパッタリングターゲットとSiCスパッタリングターゲットの同時スパッタリングにより作製した。
Ni−Cr合金スパッタリングターゲットの出力を0.6A、SiCスパッタリングターゲットの出力を0.98Aとし、SiおよびCの成膜速度を実施例1よりも小さくした以外は、実施例1と同様にして薄膜抵抗体を作製した。
Ni−Cr合金スパッタリングターゲットの出力を0.3A、SiCスパッタリングターゲットの出力を1.36Aとし、SiCスパッタリングターゲットの出力に対するNi−Cr合金スパッタリングターゲットの出力を実施例1よりも小さくした以外は、実施例1と同様にして薄膜抵抗体を作製した。
CrのNiに対する質量比が0.15になるようにNi−Cr合金を作製し、これを用いてNi−Cr合金スパッタリングターゲットを作製した。そして、Ni−Cr合金スパッタリングターゲットの出力を0.6A、SiCスパッタリングターゲットの出力を1.45Aとした以外は、実施例1と同様にして薄膜抵抗体を作製した。
CrのNiに対する質量比が1.1になるようにNi−Cr合金を作製し、これを用いてNi−Cr合金スパッタリングターゲットを作製した。そして、Ni−Cr合金スパッタリングターゲットの出力を0.6A、SiCスパッタリングターゲットの出力を1.46Aとした以外は実施例1と同様にして薄膜抵抗体を作製した。
Ni−Cr合金スパッタリングターゲットの出力を1.0A、SiCスパッタリングターゲットの出力を1.05Aとした以外は実施例1と同様にして薄膜抵抗体を作製した。
Ni−Cr合金スパッタリングターゲットの出力を0.2A、SiCスパッタリングターゲットの出力を1.14Aとした以外は実施例1と同様にして薄膜抵抗体を作製した。
CrのNiに対する質量比が0.1になるようにNi−Cr合金を作製し、これを用いてNi−Cr合金スパッタリングターゲットを作製した。そして、Ni−Cr合金スパッタリングターゲットの出力を0.6A、SiCスパッタリングターゲットの出力を1.45Aとした以外は実施例1と同様にして薄膜抵抗体を作製した。
2 薄膜抵抗体
3 Ni電極
4 Au電極
Claims (7)
- ニッケル、クロム、珪素および炭素からなり、珪素および炭素の含有量が40〜65質量%であり、かつ、クロムのニッケルに対する質量比が0.15〜1.1であることを特徴とする薄膜抵抗体。
- 比抵抗が500〜3000μΩ・cmであり、かつ、抵抗温度係数が−25〜+25ppm/℃であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜抵抗体。
- ニッケル、クロム、珪素および炭素からなり、珪素および炭素の含有量が40〜65質量%であり、かつ、クロムのニッケルに対する質量比が0.15〜1.1である薄膜を、抵抗温度係数が−25〜+25ppm/℃となるように熱処理して得られた薄膜抵抗体。
- ニッケル、クロム、珪素および炭素からなるスパッタリングターゲット、またはニッケル−クロム合金からなるスパッタリングターゲットと炭化珪素からなるスパッタリングターゲットをスパッタリング装置に装着し、スパッタリング法により、ニッケル、クロム、珪素および炭素からなり、珪素および炭素の含有量が40〜65質量%であり、かつ、クロムのニッケルに対する質量比が0.15〜1.1である薄膜を形成し、その後該薄膜を熱処理して、比抵抗が500〜3000μΩ・cmであり、かつ、抵抗温度係数が−25〜+25ppm/℃である薄膜抵抗体を形成することを特徴とする薄膜抵抗体の製造方法。
- 前記熱処理の温度が、400〜800℃の範囲内で前記薄膜の組成に応じて選択される温度であることを特徴とする請求項4に記載の薄膜抵抗体の製造方法。
- 抵抗温度係数が−25〜+25ppm/℃となるように熱処理することを特徴とする請求項5に記載の薄膜抵抗体の製造方法。
- ニッケル、クロム、珪素および炭素からなり、珪素および炭素の含有量が40〜65質量%であり、かつ、クロムのニッケルに対する質量比が0.15〜1.1であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
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