JP2006297686A - Support plate - Google Patents

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Hiroyuki Hirano
博之 平野
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Sekisui Chemical Co Ltd
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Sekisui Chemical Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a support plate used for supporting a sheetlike article when the sheetlike article like a silicon wafer is ground or diced and capable of easily cutting off a gate mark projection by a cutter or a nipper without damaging a product. <P>SOLUTION: The gate mark projections 1 are vertically provided to the outer edge part of the upper surface of the support plate 21 at opposed positions. When the gate mark projections 1 are cut off by the nipper or the like, they become slightly thicker than the product to become an obstruction in a case that the silicon wafer is ground. Accordingly, the gate mark projection 1 are made less than the wall thickness of the product using a drilling machine. By setting the positions of the gate mark projections 1 to the outer edge part of the support plate, the gate mark projections 1 can be easily cut off by the cutter or the nipper without damaging the product. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば、シリコンウェハーのような板状物を研磨またはダイシングする際にこれを支持しておくのに用いられる熱可塑性樹脂製の支持プレートに関する。   The present invention relates to a support plate made of a thermoplastic resin used for supporting a plate-like object such as a silicon wafer when it is polished or diced.

半導体集積回路(以下ICチップという)は、通常、高純度シリコン単結晶などをスライスしてシリコンウェハーとしたのち、フォトレジストを利用してウェハー表面に所定の回路パターンを形成して、次いでウェハー裏面を研磨機により研磨して、ウェハーの厚さを薄くし、最後にウェハーをダイシングしてチップ化することにより、製造されている。   A semiconductor integrated circuit (hereinafter referred to as an IC chip) is usually formed by slicing a high-purity silicon single crystal or the like into a silicon wafer, forming a predetermined circuit pattern on the wafer surface using a photoresist, and then backside the wafer. Is polished by a polishing machine to reduce the thickness of the wafer, and finally the wafer is diced into chips.

近年、ICチップの用途が広がり、厚さ50μm程度の極めて薄いシリコンウェハー(以下、極薄ウェハーという)が要求されるようになってきた。しかしながら、極薄ウェハーは、従来の厚さ100〜600μm程度のものに比べて、ソリが大きく衝撃により割れ易くなるので取扱性に劣り、従来のシリコンウェハーと同様に加工しようとすると破損する場合がある。   In recent years, the use of IC chips has been expanded, and an extremely thin silicon wafer (hereinafter referred to as an ultrathin wafer) having a thickness of about 50 μm has been required. However, the ultra-thin wafer is inferior in handling because it has a large warp and is easily cracked by impact compared to a conventional one having a thickness of about 100 to 600 μm, and it may be damaged if it is processed in the same way as a conventional silicon wafer is there.

また、極薄ウェハーは、衝撃によるダメージを受け易く研磨工程またはダイシング工程で破損する危険性が高く、ICチップにバンプ(微細電極)を作製する際にも破損し易いため、歩留まりが悪い。このため、極薄ウェハーからICチップを製造する過程においてウェハーの取扱性を良くすることが求められている。   In addition, an ultra-thin wafer is easily damaged by an impact and has a high risk of breakage in a polishing process or a dicing process, and is easily broken when a bump (fine electrode) is formed on an IC chip, so that the yield is poor. For this reason, it is required to improve the handleability of the wafer in the process of manufacturing the IC chip from the ultra-thin wafer.

この要求に対して、支持テープを用いてウェハーを支持プレートに貼り付け、支持プレートに固定した状態でウェハーを研磨する方法が提案されている。この方法によれば、ウェハーの取扱性が向上し、極薄ウェハーおよびICチップを歩留まりよく製造することができる。   In response to this requirement, a method has been proposed in which a wafer is affixed to a support plate using a support tape, and the wafer is polished while being fixed to the support plate. According to this method, the handleability of the wafer is improved, and ultrathin wafers and IC chips can be manufactured with a high yield.

支持テープとしては様々なテープが開発されており(特許文献1参照)、特に支持テープに光による刺激を与えることにより同テープの粘着力を制御する方式の市販品もある(積水化学工業社製「セルファBG」など)。このような光による粘着力の制御方式では、熱による刺激を与えて粘着力を制御する方式より、ウェハーに対してダメージが少なく、周辺の装置に対しても悪影響がないと考えられる。支持プレートとしてはガラス製のものが広く用いられている。これは、ガラスが可視光や紫外線を透過し支持テープの粘着力を制御することができ、取扱性は良くないものの、線膨張係数が低く、研磨に適していることによる。   Various tapes have been developed as support tapes (see Patent Document 1). In particular, there is a commercially available product that controls the adhesive strength of the tape by applying light stimulation to the support tape (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.). "Selfa BG"). In such a method for controlling the adhesive force by light, it is considered that there is less damage to the wafer and no adverse effect on peripheral devices than the method of controlling the adhesive force by applying heat stimulation. A glass plate is widely used as the support plate. This is because glass can transmit visible light and ultraviolet light and can control the adhesive force of the support tape, and the handleability is not good, but it has a low coefficient of linear expansion and is suitable for polishing.

近年、支持プレートとしてプラスチック製のものが開発されている。しかし、これには、剛性が弱く、線膨張係数が大きく、シリコンウェハーへの適用範囲が狭いといった難点がある。これらのプラスチック製の支持プレートは、例えば特許文献2に記載の装置を用いて成形されている。
特開2003−171624号公報 特開昭55−146714号公報
In recent years, plastic support plates have been developed. However, this has drawbacks such as low rigidity, a large linear expansion coefficient, and a narrow range of application to silicon wafers. These plastic support plates are formed using, for example, the apparatus described in Patent Document 2.
JP 2003-171624 A JP-A-55-146714

特許文献2記載の装置を用いる支持プレートの製造方法では、溶融樹脂を支持プレート成形用のキャビティの中央に注入し、ここから半径方向外方に同心円状に広がるように溶融樹脂を流動させる。この装置では、ゲートと呼ばれる溶融樹脂の流入口がキャビティの中央に開口し、成形型から出した成型品すなわち支持プレートにはゲート相当位置に突起が残ることになる。   In the manufacturing method of the support plate using the apparatus described in Patent Document 2, the molten resin is injected into the center of the cavity for forming the support plate, and the molten resin is caused to flow so as to spread concentrically outward from the radial direction. In this apparatus, an inflow port of a molten resin called a gate opens at the center of the cavity, and a projection remains at a position corresponding to the gate in a molded product, that is, a support plate, which is taken out from the mold.

特許請求の範囲および明細書全体を通して、型出し後の成形品に残っている突起を「ゲート跡突起」と呼び、この突起を切除した後の成型品表面において同突起が存在していた部分を「ゲート跡」と呼び、ゲート跡突起またはゲート跡を更に切除または研削して形成した面を「ゲート部除去面」と呼ぶこととする。また、ゲート、およびこれにより形成されたゲート跡突起の大きさや形状は限定されるものでなく、例えば円錐形、角錐形、円錐台形、角錐台形、円柱形、角柱形、断面半円形等のものであってもよい。また、ゲート跡突起には、上記形状のものが基部を残して切除されたものも含まれる。   Throughout the claims and the entire specification, the protrusions remaining on the molded product after molding are referred to as “gate trace protrusions”, and the portions where the protrusions existed on the surface of the molded product after the protrusions have been cut off. A surface formed by further cutting or grinding the gate mark protrusion or the gate mark is called a “gate portion removal surface”. Further, the size and shape of the gate and the gate mark protrusion formed thereby are not limited, and for example, a cone, a pyramid, a truncated cone, a truncated pyramid, a cylinder, a prism, a semicircular section, etc. It may be. Further, the gate trace protrusions include those in which the above-mentioned shape is excised leaving the base.

成形品をウェハー研磨用の支持プレートとして使用するためには、このゲート跡突起を切除する必要がある。しかし、同突起は上述のようにプレート中央部にあるため、これを切除する際に中央部以外の部分、例えば周縁部に、カッターやニッパーなどの切除工具が接触し、製品を傷つけることがある。また、突起位置が中央部にあるため、その切除跡がプレート面より突出している場合は、この面を下にして置いた場合にプレートががたつく
問題があり、切除跡がプレート面より凹没している場合は、がたつきは防止できるものの、研磨時の押圧力によりウェハーが凹み、均一な加工ができないという問題があった。
In order to use the molded product as a support plate for polishing a wafer, it is necessary to cut off the gate trace protrusion. However, since the protrusion is located at the center of the plate as described above, a cutting tool such as a cutter or a nipper may come into contact with a portion other than the center, for example, a peripheral portion, to damage the product. . In addition, because the protrusion is located in the center, if the excision trace protrudes from the plate surface, there is a problem that the plate rattles when placed with this surface down, and the excision trace is recessed from the plate surface. In this case, although the rattling can be prevented, there is a problem that the wafer is recessed due to the pressing force during polishing, and uniform processing cannot be performed.

本発明は、従来技術の上記問題点を解決することができる支持プレートを提供することを課題とする。   This invention makes it a subject to provide the support plate which can solve the said problem of a prior art.

請求項1に記載の発明は、射出成形法により製せられた、研磨またはダイシングすべきシリコンウェハーを支持するための熱可塑性樹脂からなる支持プレートであって、ゲート跡突起またはゲート跡が一方のプレート面の外縁部に位置することを特徴とする支持プレートである(図1参照)。   The invention according to claim 1 is a support plate made of an injection molding method and made of a thermoplastic resin for supporting a silicon wafer to be polished or diced, wherein the gate trace protrusion or the gate trace is one of the two. It is a support plate located in the outer edge part of a plate surface (refer FIG. 1).

この発明による支持プレートは、ゲートを支持プレート成形用のキャビティの外縁部に開口させることで、ゲート跡突起を一方のプレート面の外縁部に形成したものである。このようにゲート跡突起の位置を支持プレートの外縁部にすることで、ゲート跡突起をカッターやニッパーなどで容易に、かつ、製品に傷をつけることなく切除することができる。   In the support plate according to the present invention, the gate trace is formed on the outer edge portion of one plate surface by opening the gate at the outer edge portion of the cavity for forming the support plate. Thus, by setting the position of the gate mark protrusion to the outer edge portion of the support plate, the gate mark protrusion can be easily removed with a cutter or a nipper without damaging the product.

請求項2に記載の発明は、射出成形法により製せられた、研磨またはダイシングすべきシリコンウェハーを支持するための熱可塑性樹脂からなる支持プレートであって、ゲート跡突起またはゲート跡がプレートの周側面に位置することを特徴とする支持プレートである。   The invention according to claim 2 is a support plate made of a thermoplastic resin made by an injection molding method for supporting a silicon wafer to be polished or diced, wherein the gate trace protrusion or the gate trace is formed on the plate. The support plate is located on a peripheral side surface.

ゲート跡突起は、プレートの周側面に直接形成されていてもよいし(図9参照)、支持プレートの外周面に設けられた外方突部に形成されていてもよい(図2参照)。   The gate trace protrusion may be formed directly on the peripheral side surface of the plate (see FIG. 9), or may be formed on an outward projection provided on the outer peripheral surface of the support plate (see FIG. 2).

この発明による支持プレートは、ゲートを支持プレート成形用のキャビティの周側面に開口させることで、ゲート跡突起をプレートの周側面に形成したものである。このようにゲート跡突起の位置を支持プレートの周側面にすることで、ゲート跡突起の除去を一層容易に行うことができ、切除に伴って製品に傷をつけることもない。   In the support plate according to the present invention, gate traces are formed on the peripheral side surface of the plate by opening the gate on the peripheral side surface of the cavity for forming the support plate. Thus, by making the position of the gate trace protrusion on the peripheral side surface of the support plate, the gate trace protrusion can be removed more easily, and the product is not damaged with the excision.

ゲート跡突起の向きは限定されないが、外方突状であることが好ましい。   Although the direction of the gate mark protrusion is not limited, it is preferably an outward protrusion.

請求項3に記載の発明は、ゲート跡突起またはゲート跡が複数、好ましくは2〜4設けられていることを特徴とする請求項1または2記載の支持プレートである。   A third aspect of the present invention is the support plate according to the first or second aspect, wherein a plurality of gate trace protrusions or gate traces, preferably 2 to 4, are provided.

複数のゲート跡突起またはゲート跡の相対位置は限定されないが、これらは支持プレートの中心を挟んで互いに対向して位置することが好ましい。   The relative positions of the plurality of gate traces or gate traces are not limited, but they are preferably positioned to face each other across the center of the support plate.

直径100〜150mmの支持プレートを成形する場合、ゲートは1つでもよいが、直径のより大きな支持プレートを成形する場合は、ゲートを複数設けることで、ゲートを経てキャビティに溶融樹脂を流し込む際の抵抗を低くすることができ、溶融樹脂を低圧でキャビティに充填させることができ、圧力損失を減らし、これによって製品の寸法精度を高め、均質・高精度の製品を成形することができる。   When molding a support plate having a diameter of 100 to 150 mm, one gate may be used. However, when molding a support plate having a larger diameter, by providing a plurality of gates, the molten resin is poured into the cavity through the gates. The resistance can be lowered, the molten resin can be filled into the cavity at a low pressure, the pressure loss can be reduced, and thereby the dimensional accuracy of the product can be increased, and a homogeneous and highly accurate product can be molded.

請求項4に記載の発明は、請求項1または2記載の支持プレートにおいて、ゲート部除去面がプレート面或いはプレート周側面と面一であるか、またはプレート面或いはプレート周側面より凹没していることを特徴とする支持プレートである。   According to a fourth aspect of the present invention, in the support plate according to the first or second aspect, the gate portion removal surface is flush with the plate surface or the plate peripheral side surface, or is recessed from the plate surface or the plate peripheral side surface. It is a support plate characterized by being.

ゲート跡突起またはゲート跡を更に切除または研削してゲート部除去面を形成する際、ゲート跡突起またはゲート跡の切除はカッターやニッパーなどの切除工具を用いて行うことができ、レーザーなどを使って行うこともできる。  When the gate mark protrusion or gate mark is further cut or ground to form the gate removal surface, the gate mark protrusion or gate mark can be cut with a cutting tool such as a cutter or nipper, using a laser or the like. Can also be done.

凹没したゲート部除去面の深さは限定されないが、好ましくは50μm以下である。   The depth of the recessed gate portion removal surface is not limited, but is preferably 50 μm or less.

凹没したゲート部除去面の研削は、例えば、ボール盤などの工作機械にエンドミルやドリルなどの刃を取り付けこれらの刃を回転させることにより行うことができる。こうして形成された凹没したゲート部除去面を有する面を裏面とし、表面にウェハーを貼り付け、ウェハーの研磨またはダイシングを行う。   Grinding of the recessed gate portion removal surface can be performed, for example, by attaching a blade such as an end mill or a drill to a machine tool such as a drilling machine and rotating these blades. The surface having the recessed gate portion removal surface formed in this way is used as the back surface, a wafer is attached to the surface, and the wafer is polished or diced.

請求項5に記載の発明は、請求項1記載の支持プレートにおいて、プレートを貫く貫通孔によりゲート跡が除去されていることを特徴とする支持プレートである。   The invention according to claim 5 is the support plate according to claim 1, wherein the gate mark is removed by a through hole penetrating the plate.

貫通孔の形状は、断面円形、断面矩形などであってよい。貫通孔の形成は、例えば、ボール盤などの工作機械にエンドミルやドリルなどの刃を取り付けこれらの刃を回転させることにより行うことができる。この方法は、カッターやニッパーなどの工具を用いる方法より容易であり、しかもプレートの他の部分に無用の傷を付ける恐れが極めて少ない。 こうして形成された貫通孔を有する支持プレートを使用する場合は、プレートにこれより小径のウェハーを貼り付ければ、貫通孔の影響を全く受けることなく、ウェハーの研磨またはダイシングを行うことができる(図8参照)。   The shape of the through hole may be a circular cross section, a rectangular cross section, or the like. The through holes can be formed by, for example, attaching a blade such as an end mill or a drill to a machine tool such as a drilling machine and rotating these blades. This method is easier than the method using a tool such as a cutter or a nipper, and there is very little risk of causing unnecessary scratches on other portions of the plate. When using a support plate having a through-hole formed in this way, if a wafer having a smaller diameter than this is attached to the plate, the wafer can be polished or diced without any influence of the through-hole (see FIG. 8).

請求項6に記載の発明は、ゲート跡突起のプレート厚み方向寸法がプレート厚みより小さいことを特徴とする請求項2記載の支持プレートである。   The invention according to claim 6 is the support plate according to claim 2, wherein the dimension of the gate trace protrusion in the plate thickness direction is smaller than the plate thickness.

ゲート跡突起のプレート厚み方向寸法は、図9に示すように、プレート厚さ未満であればよいが、溶融樹脂の流動性を考慮すると、好ましくはプレート厚さの1/2以上かつプレート厚さ未満である。   As shown in FIG. 9, the dimension of the gate trace protrusion in the plate thickness direction may be less than the plate thickness. However, in consideration of the fluidity of the molten resin, it is preferably at least 1/2 of the plate thickness and the plate thickness. Is less than.

この発明による支持プレートは、プレート面全面が利用できるので、支持プレートにこれとほぼ同径のウェハーを貼り付け(図10参照)、ウェハーの研磨またはダイシングを行うのに好適に用いることができる。   Since the entire plate surface can be used, the support plate according to the present invention can be suitably used for attaching a wafer having substantially the same diameter to the support plate (see FIG. 10) and polishing or dicing the wafer.

ゲート跡突起のプレート厚み方向寸法がプレート厚みを越えると、支持プレートにこれとほぼ同径のウェハーを載せる際にゲート跡突起とウェハーが干渉してウェハーを載せることができない。   When the dimension of the gate trace protrusion in the plate thickness direction exceeds the plate thickness, the wafer trace protrusion and the wafer interfere with each other when the wafer having the same diameter is placed on the support plate, and the wafer cannot be placed.

請求項7に記載の発明は、請求項2記載の支持プレートにおいて、ゲート部除去面がプレートの周側面と同心状に湾曲していることを特徴とする支持プレートである。   The invention according to claim 7 is the support plate according to claim 2, wherein the gate portion removal surface is concentrically curved with the peripheral side surface of the plate.

ゲート跡突起またはゲート跡を切除または研削して形成されるゲート部除去面は、プレートの周側面と面一であってもよいしプレートの周側面より盛上がっていてもよいし、もしくは凹没していてもよいが、前二者の場合は除去面がプレートの周側面と同心状に湾曲していることが好ましい。図4はゲート部除去面がプレートの周側面より盛上がっている例を示し、図5および図6はゲート部除去面がプレートの周側面より凹没している例を示す。ゲート部除去面がプレートの周側面より凹没している場合、その深さは好ましくは5μm〜1mm程度である。  The gate part removal surface formed by cutting or grinding the gate trace protrusion or the gate trace may be flush with the peripheral side surface of the plate, may be raised from the peripheral side surface of the plate, or may be recessed. However, in the former two cases, it is preferable that the removal surface be curved concentrically with the peripheral side surface of the plate. 4 shows an example in which the gate portion removal surface is raised from the peripheral side surface of the plate, and FIGS. 5 and 6 show examples in which the gate portion removal surface is recessed from the peripheral side surface of the plate. When the gate portion removal surface is recessed from the peripheral side surface of the plate, the depth is preferably about 5 μm to 1 mm.

ゲート部除去面をプレートの周側面と同心状に湾曲させるには、例えば、カッター、ニッパー、エンドミル、グラインダーなどを用いて、ゲート部除去面を所望面に研削する。   In order to curve the gate portion removal surface concentrically with the peripheral side surface of the plate, for example, the gate portion removal surface is ground to a desired surface using a cutter, a nipper, an end mill, a grinder, or the like.

ゲート跡突起の除去により形成されたゲート部除去部がプレートの周側面より突出していて、かつ、プレートの周側面と同心状に湾曲していない場合は、支持プレートの周側面を挟持しながら搬送を行うウェハー研磨装置においては、支持プレートの搬送時に突出状のゲート部除去部がウェハー研磨装置に当たって支持プレートとウェハーが落ちる恐れがある。この発明では、ゲート部除去面がプレートの周側面と同心状に湾曲しているので、このような問題が避けられる。   When the gate part removal part formed by removing the gate trace protrusion protrudes from the peripheral side surface of the plate and is not curved concentrically with the peripheral side surface of the plate, it is conveyed while pinching the peripheral side surface of the support plate In the wafer polishing apparatus that performs the above, there is a possibility that the protruding gate portion removing portion hits the wafer polishing apparatus when the support plate is transported and the support plate and the wafer fall. In the present invention, since the gate portion removal surface is concentrically curved with the peripheral side surface of the plate, such a problem can be avoided.

請求項1記載の発明によれば、ゲート跡突起が外縁部に位置するため、ゲート跡突起をカッターやニッパーなどで容易に、かつ、製品に傷をつけることなく切除することができる。   According to the first aspect of the present invention, since the gate trace protrusion is located at the outer edge portion, the gate trace protrusion can be easily excised with a cutter, a nipper or the like without damaging the product.

請求項2記載の発明によれば、ゲート跡突起がプレート周側面に位置するため、ゲート跡突起の除去を一層容易に行うことができ、切除に伴って製品に傷をつけることもない。 請求項3記載の発明によれば、複数のゲート跡突起を形成するように、ゲートを複数設けることで、ゲートを経てキャビティに溶融樹脂を流し込む際の抵抗を低くすることができ、溶融樹脂を低圧でキャビティに充填させることができ、圧力損失を減らし、これによって製品の寸法精度を高め、均質・高精度の製品を成形することができる。   According to the second aspect of the present invention, since the gate trace protrusion is located on the peripheral surface of the plate, the gate trace protrusion can be more easily removed, and the product is not damaged with the excision. According to the invention of claim 3, by providing a plurality of gates so as to form a plurality of gate trace protrusions, it is possible to reduce the resistance when the molten resin is poured into the cavity through the gates. The cavity can be filled at a low pressure, reducing the pressure loss, thereby increasing the dimensional accuracy of the product and forming a homogeneous and high-precision product.

請求項4記載の発明によれば、ゲート部除去面がプレート面或いはプレート周側面と面一であるか、またはプレート面或いはプレート周側面より凹没しているので、該除去面を下向きにしてプレートを置いてもがたつきが生じることがない。   According to the fourth aspect of the present invention, the gate portion removal surface is flush with the plate surface or the plate circumferential side surface, or is recessed from the plate surface or the plate circumferential side surface. No rattling occurs when the plate is placed.

請求項5記載の発明によれば、プレートを貫く貫通孔によりゲート跡が除去されているので、支持プレートにこれより小径のウェハーを貼り付けば、貫通孔の影響を全く受けることなく、ウェハーの研磨またはダイシングを行うことができる(図8参照)。   According to the fifth aspect of the present invention, since the gate mark is removed by the through hole penetrating the plate, if a wafer having a smaller diameter is attached to the support plate, the influence of the through hole is not affected at all. Polishing or dicing can be performed (see FIG. 8).

請求項6記載の発明によれば、ゲート跡突起のプレート厚み方向寸法はプレート厚みより小さいので、プレート面全面を利用でき、支持プレートにこれとほぼ同径のウェハーを貼り付け、ウェハーの研磨またはダイシングを行うことができる。   According to the invention of claim 6, since the dimension of the gate trace protrusion in the plate thickness direction is smaller than the plate thickness, the entire plate surface can be used, and a wafer having substantially the same diameter as this is attached to the support plate. Dicing can be performed.

請求項7記載の発明によれば、ゲート部除去面がプレートの周側面と同心状に湾曲しているので、支持プレートのコンベヤ搬送時に突出状のゲート部除去部がウェハー研磨装置に当たって支持プレートとウェハーが落ちるという問題が起こらない。   According to the seventh aspect of the present invention, since the gate portion removal surface is concentrically curved with the peripheral side surface of the plate, the protruding gate portion removal portion hits the wafer polishing apparatus when the support plate is conveyed by the conveyor. The problem of falling wafers does not occur.

つぎに、本発明を具体的に説明するために、本発明の実施例を挙げる。   Next, in order to describe the present invention specifically, examples of the present invention will be given.

まず、射出成形法による成形品の製造金型の例を示す。   First, an example of a mold for producing a molded product by an injection molding method is shown.

金型例1
図13に従来の金型を示す。図13において、(10)は射出成形機のノズルから射出された溶融樹脂を受け入れるスプルー、(8) は溶融樹脂の通り道であるランナー、(9) はスプルー(10)からランナー(8) を経て来た溶融樹脂を金型(12)のキャビティ(11)に導入する流入口であるゲートである。(13)はヒータである。
Mold example 1
FIG. 13 shows a conventional mold. In FIG. 13, (10) is a sprue that receives the molten resin injected from the nozzle of the injection molding machine, (8) is a runner that is a passage for the molten resin, and (9) is from the sprue (10) through the runner (8). It is a gate which is an inflow port for introducing the molten resin coming into the cavity (11) of the mold (12). (13) is a heater.

この金型(12)では、ゲート(9) はキャビティ(11)の中央に開口しているので、成形終了後にキャビティ(11)から取り出した成形品すなわち支持プレート(21)には、図12に示すように、その上面中央にゲート跡突起(1)が残る。ゲート跡突起(1)はこのように支持プレート(21)の中央部に位置するため、これを切除するカッターやニッパーなどの切除装置や工具を支持プレート(21)の中央部に移動させる必要があり、その際、切除装置や工具が接触し、支持プレート(21)の表面を傷つけることがある。   In this mold (12), since the gate (9) is opened in the center of the cavity (11), the molded product taken out from the cavity (11) after the molding is completed, that is, the support plate (21) is shown in FIG. As shown, the gate trace protrusion (1) remains in the center of the upper surface. Since the gate trace protrusion (1) is located at the center of the support plate (21) in this way, it is necessary to move a cutter or nipper or other cutting device or tool for cutting this to the center of the support plate (21). In this case, the cutting device or tool may come into contact with the surface of the support plate (21).

この金型(12)を用いて射出成形を行ったところ、キャビティ(11)の直径200mmで、射出成形機のノズルから射出される溶融樹脂の溶融樹脂圧力は44MPaであり、得られた製品すなわち支持プレート(21)の肉厚のバラツキは±9.5μmであった。   When injection molding was performed using this mold (12), the cavity (11) had a diameter of 200 mm and the molten resin pressure of the molten resin injected from the nozzle of the injection molding machine was 44 MPa. The variation in thickness of the support plate (21) was ± 9.5 μm.

金型例2
図11に改善された金型の例を示す。図11において、キャビティ(11)は外周面の対向する2か所に外方突部(11a)を有し、これら外方突部(11a) にゲート(9) が開口している。この構造により溶融樹脂はゲート(9) を経てキャビティ(11)にその外周部から流れ込む。
Mold example 2
FIG. 11 shows an example of an improved mold. In FIG. 11, the cavity (11) has outward projections (11a) at two opposing positions on the outer peripheral surface, and a gate (9) is opened in these outward projections (11a). With this structure, the molten resin flows into the cavity (11) from the outer periphery through the gate (9).

この金型(12)では、ゲート(9) はキャビティ(11) の外周面に設けられた一対の外方突部(11a)に開口しているので、成形終了後にキャビティ(11)から取り出した成形品すなわち支持プレート(21)の一対の外方突部(21a)に、図2に示すように、 それぞれゲート跡突起(1)が残る。   In this mold (12), the gate (9) is opened to a pair of outward projections (11a) provided on the outer peripheral surface of the cavity (11), so that it is removed from the cavity (11) after completion of molding. As shown in FIG. 2, gate trace protrusions (1) remain on the molded product, that is, the pair of outward protrusions (21a) of the support plate (21).

金型例3
図11において、キャビティ(11)は外周面に等間隔で4か所に外方突部(11a)を有し、これら外方突部(11a) にゲート(9) が開口している。その他の構成は金型例2と同じである。
Mold example 3
In FIG. 11, the cavity (11) has outer protrusions (11a) at four positions at equal intervals on the outer peripheral surface, and a gate (9) is opened in these outer protrusions (11a). Other configurations are the same as those of the mold example 2.

この金型(12)では、ゲート(9) はキャビティ(11) の外周面に設けられた4つの外方突部(11a)に開口しているので、成形終了後にキャビティ(11)から取り出した成形品すなわち支持プレート(21)の 4つの外方突部(21a)にそれぞれゲート跡突起(1)が残る。   In this mold (12), since the gate (9) is open to four outward projections (11a) provided on the outer peripheral surface of the cavity (11), the gate (9) is taken out from the cavity (11) after completion of molding. Gate trace protrusions (1) remain on the four outer protrusions (21a) of the molded product, that is, the support plate (21).

には4つの外方突部(21a)が残る。 There remain four outward projections (21a).

この金型(12)を用いて射出成形を行ったところ、キャビティ(11)の直径200mmで、射出成形機のノズルから射出される溶融樹脂の溶融樹脂圧力は31MPaであり、得られた製品すなわち支持プレート(21)の肉厚のバラツキは±7.5μmであった。したがって、金型例1を用いた場合に比べ、溶融樹脂の低圧化への効果および製品の寸法精度向上の効果が認められる。   When injection molding was performed using this mold (12), the cavity (11) had a diameter of 200 mm and the molten resin pressure of the molten resin injected from the nozzle of the injection molding machine was 31 MPa. The variation in thickness of the support plate (21) was ± 7.5 μm. Therefore, compared with the case where the mold example 1 is used, an effect of reducing the pressure of the molten resin and an effect of improving the dimensional accuracy of the product are recognized.

支持プレートの作製例1
図1において、支持プレート(21)の上面の外縁部に対向する位置にゲート跡突起(1) が垂直に設けられている。
Production example 1 of support plate
In FIG. 1, a gate trace protrusion (1) is provided vertically at a position facing the outer edge of the upper surface of the support plate (21).

ゲート跡突起(1) を切除する際は、ニッパーなどで切除を行うとゲート跡突起が製品より若干厚くなり、ウェハーを研磨する場合に障害になるので、ボール盤などを用いてゲート跡突起が製品の肉厚より薄くなるようにする。   When cutting the gate trace protrusion (1), the gate trace protrusion will become slightly thicker than the product if it is cut with a nipper, etc., which will be an obstacle when polishing the wafer. Make it thinner than the wall thickness.

支持プレートの作製例2
図2において、支持プレート(21)の外周面の対向する位置に一対の外方突部(21a)が設けられ、これら外方突部(21a)の一方の面にそれぞれゲート跡突起(1)が形成されている。ゲート跡突起(1) は外方突部(21a)の一方の面に対し垂直に設けられている。
Production example 2 of support plate
In FIG. 2, a pair of outward projections (21a) are provided at positions opposed to the outer peripheral surface of the support plate (21), and gate trace projections (1) are formed on one surface of these outward projections (21a), respectively. Is formed. The gate trace protrusion (1) is provided perpendicular to one surface of the outward protrusion (21a).

支持プレートの作製例3
図3において、支持プレート(21)の外周面の対向する位置に一対の外方突部(21a)が設けられ、これら外方突部(21a) はその基端部から先端部に掛けて肉薄となるように傾斜す
る上面を有する。そして、このように傾斜する上面にそれぞれゲート跡突起(1)が形成されている。ゲート跡突起(1) は外方突部(21a)の一方の面に対し垂直に設けられている。
Production example 3 of support plate
In FIG. 3, a pair of outward projections (21a) are provided at opposing positions on the outer peripheral surface of the support plate (21), and these outward projections (21a) are thinned from the base end portion to the distal end portion. The upper surface is inclined so as to be Gate trace protrusions (1) are formed on the inclined upper surface in this way. The gate trace protrusion (1) is provided perpendicular to one surface of the outward protrusion (21a).

支持プレートの作製例4
図4の例では、支持プレート(21)の周側面に残ったゲート跡突起が基部を残して除去されることで、プレートの周側面より盛上がったゲート部除去部(3) が形成され、その外周面すなわちゲート部除去面(3a) が支持プレート(21)の周側面と同心状に湾曲している。
Production example 4 of support plate
In the example of FIG. 4, the gate trace protrusion remaining on the peripheral side surface of the support plate (21) is removed leaving the base, thereby forming a gate portion removal portion (3) that rises from the peripheral side surface of the plate, The outer peripheral surface, that is, the gate portion removal surface (3a) is curved concentrically with the peripheral side surface of the support plate (21).

支持プレートの作製例5
図5の例では、支持プレート(21)の周側面に残ったゲート跡突起が除去されることで、プレートの周側面より凹んだ円形のゲート部除去部(4) が形成され、その底面すなわちゲート部除去面(4a) が支持プレート(21)の周側面と同心状に湾曲している。円形のゲート部除去部(4) の深さは約0.1mmである。
Production example 5 of support plate
In the example of FIG. 5, the gate trace protrusion remaining on the peripheral side surface of the support plate (21) is removed, thereby forming a circular gate portion removal portion (4) recessed from the peripheral side surface of the plate. The gate portion removal surface (4a) is concentrically curved with the peripheral side surface of the support plate (21). The depth of the circular gate portion removal portion (4) is about 0.1 mm.

支持プレートの作製例6
図6の例では、支持プレート(21)の周側面に残ったゲート跡突起が除去されることで、プレートの周側面より凹んだ矩形のゲート部除去部(5) が形成され、その底面すなわちゲート部除去面(5a) が支持プレート(21)の周側面と同心状に湾曲している。矩形のゲート部除去部(5) の深さは約0.1mmである。
Production example 6 of support plate
In the example of FIG. 6, the gate trace protrusion remaining on the peripheral side surface of the support plate (21) is removed to form a rectangular gate portion removal portion (5) recessed from the peripheral side surface of the plate. The gate portion removal surface (5a) is concentrically curved with the peripheral side surface of the support plate (21). The depth of the rectangular gate portion removing portion (5) is about 0.1 mm.

支持プレートの作製例7
図7において、支持プレート(21)の一方のプレート面の外縁部に残ったゲート跡突起が除去されることで、円形のゲート部除去部(6) が形成され、その底面すなわちゲート部除去面(6a) がプレートの周側面より凹んでいる。円形のゲート部除去部(6) の深さは約0.1mmである。
Production example 7 of support plate
In FIG. 7, by removing the gate trace protrusion remaining on the outer edge of one plate surface of the support plate (21), a circular gate portion removal portion (6) is formed. (6a) is recessed from the peripheral side of the plate. The depth of the circular gate portion removal portion (6) is about 0.1 mm.

支持プレートの作製例8
図8において、支持プレート(21)の周側面に残ったゲート跡突起が除去されることで、ゲート部除去面が形成され、同除去面にプレート(21)を貫く円形の貫通孔(7) が設けられている。支持プレート(21)にこれより小径のウェハー(31)を貼り付け、ウェハーの研磨またはダイシングを行う。
Production example 8 of support plate
In FIG. 8, the gate trace protrusion remaining on the peripheral side surface of the support plate (21) is removed to form a gate portion removal surface, and a circular through hole (7) penetrating the plate (21) on the removal surface. Is provided. A wafer (31) having a smaller diameter is attached to the support plate (21), and the wafer is polished or diced.

支持プレートの作製例9
図9において、支持プレート(21)の周側面に残ったゲート跡突起(18) のプレート厚み方向寸法は、プレート厚さの約2/3である。
Production example 9 of support plate
In FIG. 9, the dimension of the gate trace protrusion (18) remaining on the peripheral side surface of the support plate (21) in the plate thickness direction is about 2/3 of the plate thickness.

支持プレートの作製例10
図10において、支持プレートの作製例9の支持プレート(21)にこれとほぼ同径のウェハー(31)が張り付けられている。
Preparation Example 10 of Support Plate
In FIG. 10, a wafer (31) having substantially the same diameter as that of the support plate (21) of Production Example 9 of the support plate is pasted.

本発明による支持プレートを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the support plate by this invention. 本発明による支持プレートを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the support plate by this invention. 本発明による支持プレートの一部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a part of support plate by this invention. 本発明による支持プレートの一部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a part of support plate by this invention. 本発明による支持プレートの一部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a part of support plate by this invention. 本発明による支持プレートの一部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a part of support plate by this invention. 本発明による支持プレートを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the support plate by this invention. 本発明による支持プレートを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the support plate by this invention. 本発明による支持プレートの一部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a part of support plate by this invention. 本発明による支持プレートを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the support plate by this invention. 本発明による支持プレートを製造するための金型を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the metal mold | die for manufacturing the support plate by this invention. 従来の支持プレートを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the conventional support plate. 従来の支持プレートを製造するための金型を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the metal mold | die for manufacturing the conventional support plate.

符号の説明Explanation of symbols

(1) (18) :ゲート跡突起
(21) :支持プレート
(21a):外方突部
(3) (4) (5) (6) :ゲート部除去部
(3a)(4a)(5a)(6a):ゲート部除去面
(7) :貫通孔
(31) :ウェハー
(1) (18): Gate trace protrusion
(21): Support plate
(21a): Outward protrusion
(3) (4) (5) (6): Gate part removal part
(3a) (4a) (5a) (6a): Gate part removal surface
(7): Through hole
(31): Wafer

Claims (7)

射出成形法により製せられた、研磨またはダイシングすべきシリコンウェハーを支持するための熱可塑性樹脂からなる支持プレートであって、ゲート跡突起またはゲート跡が一方のプレート面の外縁部に位置することを特徴とする支持プレート。   A support plate made of a thermoplastic resin made by an injection molding method for supporting a silicon wafer to be polished or diced, wherein the gate trace protrusion or gate trace is located at the outer edge of one plate surface Support plate characterized by. 射出成形法により製せられた、研磨またはダイシングすべきシリコンウェハーを支持するための熱可塑性樹脂からなる支持プレートであって、ゲート跡突起またはゲート跡がプレートの周側面に位置することを特徴とする支持プレート。   A support plate made of a thermoplastic resin made by an injection molding method for supporting a silicon wafer to be polished or diced, characterized in that the gate trace protrusion or gate trace is located on the peripheral side surface of the plate Support plate. ゲート跡突起またはゲート跡が複数設けられていることを特徴とする請求項1または2記載の支持プレート。   3. The support plate according to claim 1, wherein a plurality of gate trace protrusions or gate traces are provided. 請求項1または2記載の支持プレートにおいて、ゲート部除去面がプレート面或いはプレート周側面と面一であるか、またはプレート面或いはプレート周側面より凹没していることを特徴とする支持プレート。   3. The support plate according to claim 1, wherein the gate portion removal surface is flush with the plate surface or the plate peripheral side surface or is recessed from the plate surface or the plate peripheral side surface. 請求項1記載の支持プレートにおいて、プレートを貫く貫通孔によりゲート跡が除去されていることを特徴とする支持プレート。   2. The support plate according to claim 1, wherein a gate mark is removed by a through hole penetrating the plate. ゲート跡突起のプレート厚み方向寸法がプレート厚みより小さいことを特徴とする請求項2記載の支持プレート。   3. The support plate according to claim 2, wherein the dimension of the gate trace protrusion in the plate thickness direction is smaller than the plate thickness. 請求項2記載の支持プレートにおいて、ゲート部除去面がプレートの周側面と同心状に湾曲していることを特徴とする支持プレート。


3. The support plate according to claim 2, wherein the gate portion removal surface is curved concentrically with the peripheral side surface of the plate.


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* Cited by examiner, † Cited by third party
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