JP2006297274A - Treating apparatus and treating method for substrate - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は搬送される基板の上面にこの基板の搬送方向と交差する方向に沿って処理液を直線状に供給して処理する基板の処理装置及び処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a processing method for processing a substrate by supplying a processing liquid in a straight line along a direction intersecting the substrate transport direction on the upper surface of the substrate to be transported.
たとえば、液晶表示装置の製造工程においては、ガラス製の基板に回路パターンを形成する工程がある。回路パターンを形成する場合、成膜された基板にレジストを塗布してから露光し、露光後に現像液によって現像処理してからエッチング液でエッチング処理することで、基板の表面に回路パターンを精密に形成する。 For example, in the manufacturing process of a liquid crystal display device, there is a process of forming a circuit pattern on a glass substrate. When forming a circuit pattern, the resist is applied to the film-formed substrate and then exposed. After the exposure, the resist pattern is developed with a developing solution and then etched with an etching solution. Form.
基板に回路パターンを形成したならば、その基板の表面に付着残留するレジスト膜やレジスト残渣などの有機物を剥離液によって除去する。剥離液によって有機物を除去したならば、その基板の板面を洗浄液で洗浄処理してから次工程に受け渡すということが行われる。 When the circuit pattern is formed on the substrate, organic substances such as a resist film and a resist residue remaining on the surface of the substrate are removed with a stripping solution. If the organic substance is removed by the stripping solution, the substrate surface of the substrate is cleaned with the cleaning solution and then transferred to the next step.
基板を現像液、エッチング液、剥離液及び洗浄液などの処理液で処理する場合、上記基板を搬送手段によって所定方向に搬送しながら、この基板の上面に上記処理液を、基板の搬送方向と交差する方向に直線状に供給して処理するということが行なわれている。下記に示す特許文献1には搬送される基板に処理液を供給するノズル体が示されている。 When processing a substrate with a processing solution such as a developing solution, an etching solution, a stripping solution, or a cleaning solution, the processing solution is crossed with the substrate transport direction on the upper surface of the substrate while the substrate is transported in a predetermined direction by a transport means. It is performed to supply and process in a straight line in the direction. Patent Document 1 shown below shows a nozzle body that supplies a processing liquid to a substrate to be transported.
特許文献1に示されたノズル体は、下面に複数の吐出口が長手方向に沿って所定間隔で形成されている。このノズル体には供給された処理液を滞留させる液溜め室と、一端が上記吐出口に連通し、他端が上記液溜め室に連通して液溜め室に滞留する処理液を吐出口に流通させて吐出させる液吐出流路を備えている。 In the nozzle body disclosed in Patent Document 1, a plurality of discharge ports are formed on the lower surface at predetermined intervals along the longitudinal direction. The nozzle body has a liquid storage chamber in which the supplied processing liquid is retained, and one end communicated with the discharge port, and the other end communicated with the liquid storage chamber. A liquid discharge flow path is provided for circulation and discharge.
そして、上記構成のノズル体は、長手方向を上記基板の搬送方向と交差する方向に沿わせて搬送される上記基板の上方に配置される。それによって、上記吐出口から処理液を流出させれば、その処理液を所定方向に搬送される基板の上面に、搬送方向と交差する方向に沿って直線状に供給することができるようになっている。
上記ノズル体の液溜め室には供給管が接続され、この供給管から処理液が液溜め室に供給される。処理液はこの液溜め室に滞留しながら液吐出流路を通ってノズル体の下面に形成された吐出口から流出する。 A supply pipe is connected to the liquid reservoir chamber of the nozzle body, and the processing liquid is supplied from the supply pipe to the liquid reservoir chamber. The processing liquid flows out from the discharge port formed on the lower surface of the nozzle body through the liquid discharge flow channel while staying in the liquid storage chamber.
しかしながら、このような構成によると、処理液が供給管から液溜め室に供給される際、処理液が空気を巻き込むことがある。処理液が空気を巻き込むと、その空気が気泡となって処理液とともに吐出口から基板に供給される。 However, according to such a configuration, when the processing liquid is supplied from the supply pipe to the liquid storage chamber, the processing liquid may involve air. When the processing liquid entrains air, the air becomes bubbles and is supplied to the substrate together with the processing liquid from the discharge port.
基板に供給された気泡は破裂せずに残留することがあり、その場合には基板の気泡が残留した部分に処理液が付着しない状態或いは他の部分に比べて付着量が少ない状態となるから、処理液による基板の処理にむらが生じるということがある。 The bubbles supplied to the substrate may remain without being ruptured. In this case, the treatment liquid does not adhere to the portion where the bubbles remain on the substrate, or the amount of adhesion is less than other portions. In some cases, unevenness occurs in the processing of the substrate by the processing liquid.
この発明は、基板に処理液を搬送方向と交差する方向に沿って直線状に供給する場合、気泡を含まない処理液を供給することができるようにした基板の処理装置及び処理方法を提供することにある。 The present invention provides a substrate processing apparatus and a processing method capable of supplying a processing liquid that does not contain bubbles when a processing liquid is linearly supplied to a substrate along a direction intersecting the transport direction. There is.
この発明は、搬送される基板の上面を処理液供給手段から供給される処理液によって処理する処理装置にであって、
上記処理液供給手段は、
容器本体と、
この容器本体内を上記処理液が供給される流入部及びこの流入部に供給された処理液がオーバフローして流入する貯液部に区画した仕切体と、
上記貯液部の底壁に形成されこの貯液部に上記流入部から流入して所定の高さで貯えられた処理液を上記基板の上面に供給する流出部と、
上記流入部の側壁の上端部に形成され上記流入部に供給された処理液の液面が上記仕切体の上端とほぼ同じ高さに上昇したときにその液面に浮遊する気泡を上記貯液部に流入させずに上記容器本体の外部に流出させる排出部と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
The present invention is a processing apparatus for processing an upper surface of a substrate to be transported by a processing liquid supplied from a processing liquid supply means,
The treatment liquid supply means includes
A container body;
A partition body partitioned into an inflow portion to which the processing liquid is supplied and a liquid storage portion into which the processing liquid supplied to the inflow portion overflows and flows in the container body;
An outflow part that is formed on the bottom wall of the liquid storage part and that supplies the processing liquid flowing into the liquid storage part from the inflow part and stored at a predetermined height to the upper surface of the substrate;
When the liquid level of the processing liquid formed at the upper end portion of the side wall of the inflow portion and supplied to the inflow portion rises to substantially the same height as the upper end of the partition, bubbles floating on the liquid surface are stored in the liquid storage A substrate processing apparatus comprising: a discharge unit that flows out of the container main body without flowing into the unit.
上記流出部は、上記貯液部の底壁に上記基板の搬送方向と交差する方向に沿って所定間隔で形成され上記貯液部に貯えられた処理液を上記基板の上面に直線状に流出する複数のノズル孔からなることが好ましい。 The outflow part is formed on the bottom wall of the liquid storage part at a predetermined interval along the direction intersecting the substrate transport direction, and the processing liquid stored in the liquid storage part flows linearly to the upper surface of the substrate. It is preferable to consist of a plurality of nozzle holes.
上記流入部に接続されこの流入部に上記処理液を供給する給液管と、
上記流入部に設けられこの流入部内を2つの部屋に区画するとともに上記給液管から一方の部屋に供給された処理液を衝突させてその勢いを減少させてから他方の部屋にオーバフローさせる上記仕切体よりも低い高さの衝突壁とを備えていることが好ましい。
A liquid supply pipe connected to the inflow portion and supplying the processing liquid to the inflow portion;
The partition which is provided in the inflow part and divides the inside of the inflow part into two chambers and causes the processing liquid supplied to the one room from the liquid supply pipe to collide to reduce its momentum and then overflow to the other room. It is preferable to provide a collision wall having a height lower than that of the body.
上記排出部は、上記流入部の側壁の上端部に形成された山形状の凹凸部であって、その凹部の下端は上記仕切体の上端とほぼ同じ高さに設定されていることが好ましい。 The discharge part is a mountain-shaped uneven part formed at the upper end part of the side wall of the inflow part, and the lower end of the recess part is preferably set at substantially the same height as the upper end of the partition.
上記流入部の側壁の外側には、上記排出部から気泡とともに排出される処理液を受ける排液部が設けられていることが好ましい。 It is preferable that a drainage part for receiving the processing liquid discharged from the discharge part together with the bubbles is provided outside the side wall of the inflow part.
この発明は、搬送される基板の上面に処理液を供給して処理する処理方法であって、
上記基板を搬送する工程と、
所定の位置に搬送された基板の上面に、この基板の搬送方向と交差する方向に沿って上記処理液を直線状に供給する工程と、
上記基板に処理液を供給する前に、その処理液に含まれる気泡を除去する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。
The present invention is a processing method for supplying and processing a processing liquid on the upper surface of a substrate to be transported,
Conveying the substrate;
Supplying the processing liquid in a straight line along the direction intersecting the transport direction of the substrate on the upper surface of the substrate transported to a predetermined position;
And a step of removing bubbles contained in the processing liquid before supplying the processing liquid to the substrate.
この発明によれば、処理液が気泡を巻き込んでも、その処理液が基板に供給される前に気泡が除去されるから、基板上に気泡が残留して処理液による処理が均一に行なえなくなるのを防止できる。 According to the present invention, even if the processing liquid entrains bubbles, the bubbles are removed before the processing liquid is supplied to the substrate, so that bubbles remain on the substrate and the processing with the processing liquid cannot be performed uniformly. Can be prevented.
以下、この発明の一実施の形態を図面を参照して説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1は処理装置の幅方向に沿う縦断面図である。この処理装置はチャンバ1を備えている。このチャンバ1は、上面が開口した本体部2と、この本体部2の上面開口を開閉する蓋体部3とによって構成されている。蓋体部3は幅方向の一側が上記本体部2にヒンジ4によって回動可能に連結され、幅方向他側には図示しないハンドルが設けられている。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view along the width direction of the processing apparatus. The processing apparatus includes a chamber 1. The chamber 1 includes a
上記チャンバ1の本体部2の底部の幅方向両端部には支持部材11が設けられている。一対の支持部材11にはユニット化された搬送装置12が着脱可能に設置される。この搬送装置12は上記支持部材11の上面に載置される一対のベース部材13を有する。一対のベース部材13は複数、たとえば3本の連結部材14(図1に1本だけ示す)によって連結されている。
各ベース部材13には支持板15が長手方向に沿って設けられている。一対の支持板15の対応する位置には軸受16が所定間隔で設けられている。対応する一対の軸受16には搬送軸17が両端部を回転自在に支持されている。つまり、一対のベース部材13には複数の搬送軸17がチャンバ1の幅方向と直交する長手方向に対して所定間隔で設けられている。
Each
なお、図示しないがチャンバ1の長手方向一側壁には搬入口が形成され、他側には搬出口が形成されていて、上記搬入口からチャンバ1内に液晶表示装置に用いられるガラス製の基板Wが供給されるようになっている。 Although not shown, a carry-in port is formed on one side wall in the longitudinal direction of the chamber 1 and a carry-out port is formed on the other side. The glass substrate used for the liquid crystal display device from the carry-in port into the chamber 1 is used. W is supplied.
各搬送軸17には複数の搬送ローラ18が所定間隔で設けられている。上記連結部材14の両端部には上記搬入口から供給されて上記搬送ローラ18によって後述するように搬送される基板Wの幅方向両端部をガイドするガイドローラ19が設けられている。ガイドローラ19は搬送ローラ18により搬送される基板Wが蛇行するのを防止している。
Each
上記搬送軸17は駆動機構21によって回転駆動されるようになっている。この駆動機構21は駆動源22を有し、この駆動源22の出力軸23には駆動歯車24が嵌着されている。この駆動歯車24には取付け軸25に嵌着された従動歯車26が噛合している。上記取付け軸25と上記搬送軸17の端部には互いに噛合する歯車(図示せず)が設けられている。
The
それによって、上記駆動源22が作動すれば、上記搬送軸17が回転駆動されるから、上記チャンバ1内に供給された基板Wが上記搬送軸17に設けられた搬送ローラ18に支持されて搬送されるようになっている。
Accordingly, when the
上記チャンバ1内には、上記搬送軸17に設けられた搬送ローラ18よって水平な状態で搬送される基板Wの上面に現像液、エッチング液、剥離液或いは洗浄液などの処理液Lを基板Wの搬送方向と直交する幅方向に沿って直線状に供給する処理液供給手段としての処理液供給装置31が設けられている。
In the chamber 1, a processing liquid L such as a developing solution, an etching solution, a stripping solution or a cleaning solution is applied to the upper surface of the substrate W which is transported in a horizontal state by a
上記処理液供給装置31は図2乃至図4に示すように容器本体32を有する。この容器本体32は上記基板Wの幅方向、つまりチャンバ1の幅方向に沿って細長い、上面が開口した箱型状に形成されている。この容器本体32の幅寸法は上記基板Wの幅寸法よりも長く設定されていて、内部は容器本体32の長手方向に沿って設けられた仕切体33によってこの長手方向と直交する方向に流入部34と貯液部35とに区画されている。この実施の形態では、上記流入部34は図4に矢印で示す基板Wの搬送方向の上流側に位置し、貯液部35は下流側に位置している。
The processing
上記流入部34の側壁34aの下部には、この側壁34aの幅方向に沿って複数の給液口体36が長手方向に等間隔で設けられている。各給液口体36には処理液の給液管37の一端が接続されている。給液管37の他端は図示しない処理液の供給部に連通している。それによって、上記容器本体32の流入部34には上記側壁34aの下部から処理液が所定の圧力で供給されるようになっている。
A plurality of liquid
上記流入部34には、この流入部34内を上記供給口体36側に位置する第1の部屋38aと、上記貯液部35側に位置する第2の部屋38bとに区画した衝突壁39が容器本体32の長手方向全長にわたって設けられている。
The
上記衝突壁39の高さは上記仕切体33の高さよりも低く設定されている。それによって、上記供給口体36から第1の部屋38aに供給された処理液Lは衝突壁39に衝突して勢いが弱められながら第1の部屋38aに溜まって液面が上昇する。そして、液面が衝突壁39とほぼ同じ高さに上昇すると、その衝突壁39を図4に矢印で示すようにオーバフローして第2の部屋38bに流入する。
The height of the
処理液Lは供給口体36から第1の部屋38aに勢いよく流入することで、空気を巻き込み、それが気泡の発生の原因となる。しかしながら、供給口体36から第1の部屋38aに流入した処理液Lは衝突壁39で衝突して勢いが弱められて衝突壁39をオーバフローして第2の部屋38bに流入する。
The treatment liquid L vigorously flows into the
つまり、処理液Lは第1の部屋38aに流入するときの勢いで乱流が生じて気泡の発生を招くが、第2の部屋38bには乱流を生じることなく静かに流入するため、そのときに気泡の発生を招くということがほとんどない。
In other words, the treatment liquid L generates turbulence due to the momentum when it flows into the
処理液Lが第2の部屋38bにオーバフローし、流入部34の液面が仕切体33の上端とほぼ同じ高さになると、処理液Lは図4に矢印で示すように仕切体33をオーバフローして貯液部35に流入する。そのときも、処理液Lはオーバフローによって貯液部35に乱流とならずに静かに流入するため、乱流の発生を招くことがない。
When the processing liquid L overflows into the
上記貯液部35の底壁35aには、図3に示すように流出部を形成する複数のノズル孔40が容器本体32の幅方向に沿って所定の間隔で一列に形成されている。この実施の形態では、上記ノズル孔40は孔径が0.5mmで、ピッチが0.7mmに設定されている。
As shown in FIG. 3, a plurality of nozzle holes 40 forming an outflow portion are formed in the
それによって、貯液部35内に処理液Lが仕切体3の上端の高さで貯えられていると、その高さによる圧力で0.7mmのピッチで形成された隣り合うノズル孔40から流出する処理液1は連なり、一直線となって基板Wの上面に供給される。つまり、流出部を複数のノズル孔40によって形成しても、処理液Lは各ノズル孔40ごとに分かれることなく、基板Wの幅方向に沿って直線状に連なって基板Wの上面に供給される。
As a result, when the processing liquid L is stored in the
上記実施の形態では複数のノズル孔40から流出する処理液Lが直線状となるよう、隣り合うノズル孔40のピッチを0.7mmとしたが、ピッチが0.7mmよりも小さければ、複数のノズル孔40から流出する処理液Lを直線状となるように連なった状態で基板Wに供給することができる。
In the above embodiment, the pitch of the adjacent nozzle holes 40 is set to 0.7 mm so that the processing liquid L flowing out from the plurality of nozzle holes 40 is linear, but if the pitch is smaller than 0.7 mm, a plurality of The processing liquid L flowing out from the
なお、隣り合うノズル孔40から流出する処理液が連なるノズル孔40のピッチは、ノズル孔40から流出する処理液Lに加わる貯液部35の液面の高さや処理液Lの粘度などによって異なる。実験によれば、純水の場合にはノズル孔40のピッチを1.0mmとすると、隣り合うノズル孔40から流出する処理液Lは連なることなく分離し、0.7mmとしたときに直線状に連なることが確認された。
In addition, the pitch of the nozzle holes 40 in which the processing liquid flowing out from the adjacent nozzle holes 40 is continuous varies depending on the height of the liquid surface of the
したがって、処理液Lが純水の場合、ノズル孔40のピッチは0.7mmよりも小さければ、隣り合うノズル孔40から流出する処理液Lを、各ノズル孔40ごとに分離させずに、直線状に連なった状態で供給することができる。
Therefore, when the treatment liquid L is pure water, if the pitch of the nozzle holes 40 is smaller than 0.7 mm, the treatment liquid L flowing out from the adjacent nozzle holes 40 is not separated for each
上記流入部34の側壁34aの上部には、図5に示すように凹部41aと凸部41bが交互に形成された山形状の排出部としての凹凸部41が設けられている。つまり、凹凸部41の凹部41aと凸部41bはそれぞれ上下逆向きの三角形状になっていて、凹部41aの谷の下端の高さHは上記仕切体33の上端の高さとほぼ同じに設定されている。
On the upper part of the
それによって、上記給液口体36から流入部34に供給された処理液Lの液面が仕切体33及び凹部41aの下端とほぼ同じ高さになると、流入部34の液面に浮遊する気泡が処理液Lとともに上記貯液部35に流れずに、上記凹部41aを通って上記流入部34の側壁34aの外側に形成された排液部42に流出する。
Accordingly, when the liquid level of the processing liquid L supplied from the liquid
つまり、上記凹凸部41の凹部41aは逆三角形状となっているため、その谷の部分を流れる処理液Lの流速は仕切体33の上端をオーバフローする処理液Lの流速よりも速くなる。そのため、流入部34の処理液Lの液面には、貯液部35側よりも排液部42側に向かう流れが生じ易くなるため、その液面に気泡が浮遊していれば、その気泡は排液部42に流れ、貯液部35に流れるのが阻止される。
That is, since the
上記排液部42には図示しない排液管が接続されている。それによって、排液部42に気泡とともに流入した処理液Lは上記排液管を通じて適所に排出されるようになっている。
なお、容器本体32の上面開口は、メッシュなどによって形成された図示しない蓋部材によって覆うようにしてもよい。
A drain pipe (not shown) is connected to the
In addition, you may make it cover the upper surface opening of the container
このような構成の処理装置によれば、流入部34の側壁34aの下部に設けられた供給口体36から第1の部屋38aに所定の圧力で供給された処理液Lは、衝突壁39に衝突することで勢いが弱められる。処理液Lが第1の部屋38aに勢いよく流入することで、乱流が生じて空気を巻き込むから、その空気が気泡となった処理液Lに含まれることになる。
According to the processing apparatus having such a configuration, the processing liquid L supplied at a predetermined pressure from the
第1の部屋38aに流入した処理液Lの液面が上昇すると、処理液Lは衝突壁39をオーバフローして第2の部屋38bに流入し、流入部34の液面が上昇する。流入部34に供給される処理液Lは、衝突壁39によって勢いが弱められるため、流入部34の液面が上昇するときに乱流が生じて空気を巻き込むということがない。
When the liquid level of the processing liquid L flowing into the
つまり、処理液Lが流入部34の第1の部屋38aに流入するときには所定の圧力で流入するため、気泡の発生を招く。しかしながら、その後は気泡の発生を招くことがないから、流入部34における気泡の発生を抑制することができる。
That is, when the processing liquid L flows into the
このようにして流入部34に供給された処理液Lの液面が仕切体33の上端及び凹凸部41の凹部41aの下端とほぼ同じ高さまで上昇すると、流入部34の処理液Lの液面には、上記凹部41aを通って排液部42に流れと、仕切体33をオーバフローして貯液部35に流れる流れとが生じる。
Thus, when the liquid level of the processing liquid L supplied to the
上記凹部41aは逆山形状に形成されているため、凹部41aを流れる処理液Lの流速は仕切体33をオーバフローする処理液Lの流速よりも速くなる。したがって、流入部34の処理液Lの液面に気泡が浮遊していると、その気泡は流速が速い凹凸部41の凹部41aに流れ、仕切体33をオーバフローすることがないから、貯液部35に気泡が流入することがない。
Since the
仕切体33をオーバフローした処理液Lは上記貯液部35内に所定の高さで貯えられ、その高さによって生じる圧力で貯液部35の底壁35aに形成された複数のノズル孔40から流出する。基板Wに供給される処理液Lには気泡が含まれていないため、基板W上に気泡が付着して処理むらが生じるのを防止することができる。
The processing liquid L overflowing the
隣り合うノズル孔40のピッチを、隣り合うノズル孔40から流出する処理液が連なる間隔に形成したため、処理液Lは基板Wの搬送方向と直交する幅方向に沿って一直線となって流出する。 Since the pitch of the adjacent nozzle holes 40 is formed at an interval where the processing liquid flowing out from the adjacent nozzle holes 40 continues, the processing liquid L flows out in a straight line along the width direction orthogonal to the transport direction of the substrate W.
そのため、所定方向に搬送される基板Wの幅方向全長に処理液Lをむらなく均一に供給することができるから、そのことによっても基板Wの上面全体をむらが生じることなく均一に処理することができる。 For this reason, the processing liquid L can be uniformly supplied over the entire length in the width direction of the substrate W transported in a predetermined direction, so that the entire upper surface of the substrate W can be processed uniformly without causing unevenness. Can do.
複数のノズル孔40のピッチと孔径によって、隣り合うノズル孔40から流出する処理液Lを基板Wの幅方向に対して直線状に供給することができる。つまり、貯液部35に供給された処理液Lに圧力を加えなくとも、その液面の高さによる圧力で処理液Lを直線状に供給することができる。
そのため、処理液Lに圧力を加える場合に比べて処理液Lの使用量を減少させることができるから、ランニングコストを低くすることが可能となる。貯液部35の液面の高さは、処理液Lの供給量と、ノズル孔40の孔径と数とによって設定することができ、通常は供給量をノズル口40からの流出量よりもわずかに多くなるよう設定しておく。それによって、貯液部35の液面を仕切体33の上端とほぼ同じに設定することができるから、その高さに応じた圧力で処理液Lをノズル孔40から流出させることができる。
The processing liquid L flowing out from the adjacent nozzle holes 40 can be supplied linearly with respect to the width direction of the substrate W by the pitch and the hole diameter of the plurality of nozzle holes 40. That is, even if no pressure is applied to the processing liquid L supplied to the
Therefore, since the amount of the treatment liquid L used can be reduced as compared with the case where pressure is applied to the treatment liquid L, the running cost can be reduced. The height of the liquid surface of the
なお、上記一実施の形態では供給部として貯液部の底壁に複数のノズル孔を所定間隔で形成したが、ノズル孔に代わり上記底壁にスリットを形成するようにしてもよい。 In the above embodiment, a plurality of nozzle holes are formed at predetermined intervals on the bottom wall of the liquid storage unit as the supply unit. However, slits may be formed on the bottom wall instead of the nozzle holes.
1…チャンバ、31…処理液供給装置(処理液供給手段)、32…容器本体、33…仕切体、34…流入部、35…貯液部、37…給液管、38a…第1の部屋、38b…第2の部屋、39…衝突壁、41…凹凸部(排出部)、41a…凹部、41b…凸部。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Chamber, 31 ... Processing liquid supply apparatus (processing liquid supply means), 32 ... Container body, 33 ... Partition body, 34 ... Inflow part, 35 ... Liquid storage part, 37 ... Liquid supply pipe, 38a ... 1st chamber , 38b ... second chamber, 39 ... collision wall, 41 ... uneven part (discharge part), 41a ... concave part, 41b ... convex part.
Claims (6)
上記処理液供給手段は、
容器本体と、
この容器本体内を上記処理液が供給される流入部及びこの流入部に供給された処理液がオーバフローして流入する貯液部に区画した仕切体と、
上記貯液部の底壁に形成されこの貯液部に上記流入部から流入して所定の高さで貯えられた処理液を上記基板の上面に供給する流出部と、
上記流入部の側壁の上端部に形成され上記流入部に供給された処理液の液面が上記仕切体の上端とほぼ同じ高さに上昇したときにその液面に浮遊する気泡を上記貯液部に流入させずに上記容器本体の外部に流出させる排出部と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。 A processing apparatus for processing an upper surface of a substrate to be transported by a processing liquid supplied from a processing liquid supply unit,
The treatment liquid supply means includes
A container body;
A partition body partitioned into an inflow portion to which the processing liquid is supplied and a liquid storage portion into which the processing liquid supplied to the inflow portion overflows and flows in the container body;
An outflow part that is formed on the bottom wall of the liquid storage part and that supplies the processing liquid flowing into the liquid storage part from the inflow part and stored at a predetermined height to the upper surface of the substrate;
When the liquid level of the processing liquid formed at the upper end portion of the side wall of the inflow portion and supplied to the inflow portion rises to substantially the same height as the upper end of the partition, bubbles floating on the liquid surface are stored in the liquid storage A substrate processing apparatus, comprising: a discharge section that flows out of the container main body without flowing into the section.
上記流入部に設けられこの流入部内を2つの部屋に区画するとともに上記給液管から一方の部屋に供給された処理液を衝突させてその勢いを減少させてから他方の部屋にオーバフローさせる上記仕切体よりも低い高さの衝突壁とを備えていることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。 A liquid supply pipe connected to the inflow portion and supplying the processing liquid to the inflow portion;
The partition which is provided in the inflow part and divides the inside of the inflow part into two chambers and causes the processing liquid supplied to the one room from the liquid supply pipe to collide to reduce its momentum and then overflow to the other room. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a collision wall having a height lower than that of the body.
上記基板を搬送する工程と、
所定の位置に搬送された基板の上面に、この基板の搬送方向と交差する方向に沿って上記処理液を直線状に供給する工程と、
上記基板に処理液を供給する前に、その処理液に含まれる気泡を除去する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。 A processing method for supplying and processing a processing liquid on the upper surface of a substrate to be transported,
Conveying the substrate;
Supplying the processing liquid in a straight line along the direction intersecting the transport direction of the substrate on the upper surface of the substrate transported to a predetermined position;
And a step of removing bubbles contained in the processing liquid before supplying the processing liquid to the substrate.
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