JP2006294922A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 不純物を含む銅めっき膜をシリコン基板1の上に成膜した後、銅めっき膜を結晶成長させて、複数の銅結晶粒とそれらの粒界に分布する不純物層とで構成された第一銅膜9cを形成する。次に、第一銅膜9cより不純物濃度が高い第二銅膜10を第一銅膜9cの上に形成し、第二銅膜10に含まれる不純物を第一銅膜9cに拡散させて、第一銅膜9cの結晶粒界に偏析する不純物濃度を高める。
このように形成することにより、第一銅膜9cの結晶粒の粒径は十分に大きくなる。これにより、結晶粒界における拡散パスを減少させ、EM耐性を向上させることができる。また、第一銅膜9cに発生するボイドの移動を抑え、SM耐性を向上させることができる。
【選択図】 図4
Description
銅はドライエッチングによる加工が困難であることから、一般に銅配線はダマシン法と呼ばれる方法により形成される。
まず、基板上に成膜した層間絶縁膜にトレンチ(溝)を形成する。次に、トレンチの内面を被覆するようにバリアメタル膜および銅シード膜を順次形成する。次に、トレンチを埋め込むように、めっき法により銅めっき膜を形成する。さらに、その銅めっき膜を熱処理により結晶成長させる。その後、トレンチの外部に形成した銅めっき膜、銅シード膜、およびバリアメタル膜を化学機械研磨により除去する(例えば、特許文献1参照)。
すなわち、SM耐性向上と、EM耐性向上はトレードオフの関係にあり、両立させることが困難であった。
本発明のその他の特徴については、以下において詳細に説明する。
図1〜図5は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
図1に示すように、本実施の形態で形成する半導体装置は、シリコン基板1の主面上に形成される。まず、シリコン基板1の主面上にトランジスタなどの素子(図示しない)を形成する。次に、その上に、全面に下部絶縁膜2を形成する。ここで、最終的に形成される銅配線の配線幅が小さい微細配線領域を領域Aとする。また、最終的に形成される銅配線の配線幅が、領域Aで形成される銅配線よりも相対的に大きい領域を領域Bとする。
次に、領域Aの下部絶縁膜2の表面に埋め込み型の下部配線3aを形成し、領域Bの下部絶縁膜2の表面に埋め込み型の下部配線3bを形成する。
次に、層間絶縁膜5およびライナー膜4を選択的にエッチングして、下部配線3aの上の内側位置にトレンチ6aを形成し、下部配線3bの上の内側位置にトレンチ6bを形成する。
このとき、領域Aの銅めっき膜9は、オーバーグロース(局所的に膜厚が厚くなること)により、中央部の膜厚が端部付近よりも相対的に厚く形成されている。これに対して領域Bの銅めっき膜9は、ほぼ平坦に成膜されている。
アクセラレーターは光沢剤とも呼ばれ、例えばメルカプド、ジスルフィド等を含有する有機硫黄化合物からなる。この添加剤は、めっき面全体に吸着して光沢、埋め込み性を改善することができる。
サプレッサーは抑制剤とも呼ばれ、例えばポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のグリコールを含有するポリオールエーテルからなる。この添加剤は、めっき面全体に吸着し、均一電着性を確保することができる。
レベラーは平滑剤とも呼ばれ、例えばアミン等を含む含窒素有機化合物からなる。この添加剤は、電界が生じたときにカソード反応の電界強度の大きい部分に付着して析出反応を抑制し、オーバーグロースを低減することができる。
このようにして、複数の銅結晶粒とそれらの粒界に分布する不純物層とで構成された第一銅膜9cをシリコン基板1の上に形成する。これにより、第一銅膜9cの比抵抗を小さくし、膜質を安定させることができる。
まず、第一の処理として、図3に示すように、第一銅膜9cより不純物濃度が高い第二銅膜10を第一銅膜9cの上に形成する処理を行う。引き続き、第二の処理として、図4に示すように、第二銅膜10に含まれる不純物を第一銅膜9cに拡散させる処理を行う。
このようにして、不純物濃度を第一銅膜9cより相対的に高くした第二銅膜10を形成する。このとき第二銅膜10の不純物濃度は、Sが10〜100ppm、Cが25〜150ppm、Clが25〜200ppm程度であり、第一銅膜9c(銅めっき膜9)と比較して高濃度である。
このとき、第二銅膜10から第一銅膜9cへ拡散した不純物は、第一銅膜9cの結晶粒の粒界に偏析する。従って、第一銅膜9cの不純物濃度を高める工程を行わない場合と比較して、第一銅膜9cの結晶粒の粒界に偏析する不純物濃度が高められている。
これにより、領域Aのトレンチ6a内部の第一銅膜9cと比較して、領域Bのトレンチ6b内部の第一銅膜9cの不純物濃度を均一かつ十分に高めることができる。
このとき、銅配線12aの幅は、銅配線12bの幅よりも相対的に小さくなっている。
図6(b)および図6(c)に示した第一銅膜9aは、本実施の形態における第二銅膜10を用いた不純物濃度を高める工程を行っていない。この場合、第一銅膜9aの結晶粒の粒径と、第一銅膜9aの結晶粒の粒界に偏析する不純物濃度は、めっき形成時に銅めっき膜9に取り込まれた不純物濃度により決定される。
めっき形成時に銅めっき膜9に取り込まれた不純物濃度が低い場合、図6(b)に示すように、第一銅膜9aの結晶粒の粒径は大きく、結晶粒の粒界に偏析する不純物濃度は低くなる。めっき形成時に銅めっき膜9に取り込まれた不純物濃度が高い場合、図6(c)に示すように、第一銅膜9aの結晶粒の粒径は小さく、結晶粒の粒界に偏析する不純物濃度は高くなる。
また、上記銅膜の結晶粒界に偏析する不純物濃度とストレスマイグレーション耐性(以下「SM耐性」という)の関係について説明する。上記不純物濃度が低くなると、銅膜に発生するボイドの移動を抑制できなくなるため、SM耐性が劣化する。逆に、上記不純物濃度が高くなるに従い、上記ボイドの移動を抑制できるようになるため、SM耐性が向上する。
すなわち、図6(a)〜(c)に示した第一銅膜9aの結晶粒の粒径が大きくなるに従いEM耐性が向上し、第一銅膜9aの結晶粒の粒界に偏析する不純物濃度が高くなるに従いSM耐性が向上する。
また、従来の製造方法により形成した図6(c)の第一銅膜9aは、結晶粒の粒径が小さい。この場合、図6(a)に示した銅膜9aと比較してEM耐性が劣る。
これに対して、本実施の形態の製造方法により形成した図6(a)に示す第一銅膜9aは、図2に示したように、低不純物濃度の銅めっき膜9を形成し、結晶成長させたものである。このため、結晶成長段階で、不純物により結晶成長が阻害されることなく進むので、結晶粒の粒径は大きい。従ってEM耐性を向上させることができる。さらに第一銅膜9aは、図4に示したように、結晶成長後に不純物濃度を高めたものである。このため、第一銅膜9aの結晶粒の粒界に偏析する不純物濃度は高い。従ってSM耐性を向上させることができる。
しかし、前述したように、領域Aの第一銅膜9cと比較して、領域Bの第一銅膜9cの不純物濃度を均一かつ十分に高めるようにした(図4参照)。これにより、領域Bの銅配線12bのように、特に線幅が大きい銅配線のSM耐性を効率的に向上させることができる。
次に、第一銅膜9cの不純物濃度を高めるようにした。この方法として、第一銅膜9cより不純物濃度が高い第二銅膜10を第一銅膜9cの上に形成し、第二銅膜10に含まれる不純物を第一銅膜9cに拡散させるようにした。
さらに、バリアメタル膜7、銅シード膜8、第一銅膜9cおよび第二銅膜10を加工して、領域Aにバリアメタル膜7a、銅シード膜8a、および第一銅膜9aからなる銅配線12aを形成し、領域Bにバリアメタル膜7b、銅シード膜8b、および第一銅膜9bからなる銅配線12bを形成するようにした。
以上より、銅配線のEM耐性およびSM耐性をともに向上させるようにした半導体装置の製造方法を得ることができる。
図7〜図9は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、実施の形態1と同一の方法により、シリコン基板1の主面上にトランジスタなどの素子を形成した後、第一銅膜9cをシリコン基板1の上に形成するまでの工程(図1および図2参照)を行う。
これにより、第一銅膜9c表面の不純物濃度の分布ばらつきを、実施の形態1で示した第二銅膜10の不純物濃度の分布ばらつきよりも小さくすることができる。
前述したように、第一銅膜9c表面の不純物濃度の分布ばらつきを、実施の形態1で形成した第二銅膜10の不純物濃度の分布ばらつきよりも小さくするようにした。これにより、不純物濃度を高めた後の第一銅膜9cの不純物濃度の分布ばらつきを、実施の形態1で示した方法よりも小さくすることができる。
従って、実施の形態1の効果に加えて、SM耐性を均一性良く向上させることができる。
その他の構成については、実施の形態1と同様であるので、説明を省略する。
図10〜図13は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、実施の形態1と同一の方法により、シリコン基板1の主面上にトランジスタなどの素子を形成した後、第一銅膜9cをシリコン基板1の上に形成するまでの工程(図1および図2参照)を行う。
なお、実施の形態1で示した第一銅膜9cの不純物濃度を高める工程(図3および図4参照)は、なされていない。
上記イオン注入は、銅配線12aおよび銅配線12bを形成した後に行うようにした。このため、第一銅膜9aの表面に形成される不純物層14の深さと、第一銅膜9bの表面に形成される不純物層14の深さは同等となっている。
次に、図13に示すように、不純物層14に含まれる不純物を第一銅膜9a、9bに拡散させて、第一銅膜9a、9bの不純物濃度を高める。例えば、実施の形態1で示した、第二銅膜10に含まれる不純物を第一銅膜9cに拡散させる工程(図4参照)の熱処理と同様にして行う。
その他の構成については、実施の形態1と同様であるので、説明を省略する。
これにより、第一銅膜9aの結晶粒界に偏析する不純物濃度と、第一銅膜9bの結晶粒界に偏析する不純物濃度とを同等とすることができる。従って、最終的に形成される配線の線幅によらず、SM耐性を均一性良く向上させることができる。
さらに、銅配線12aの表面に不純物を注入して、第一銅膜9a、9bの表面に不純物層14を形成するようにした。そして、不純物層14に含まれる不純物を第一銅膜9a、9bに拡散させて、第一銅膜9a、9bの不純物濃度を高めるようにした。
Claims (6)
- 複数の銅結晶粒とそれらの粒界に分布する不純物とで構成された第一銅膜を基板上に形成する工程と、
前記第一銅膜の不純物濃度を高める工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第一銅膜を形成する工程を、不純物を含む銅めっき膜を基板上に成膜した後、前記銅めっき膜を結晶成長させることにより形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第一銅膜の不純物濃度を高める工程を、前記第一銅膜より不純物濃度が高い第二銅膜を前記第一銅膜の上に形成し、前記第二銅膜に含まれる不純物を前記第一銅膜に拡散させることにより行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第一銅膜の不純物濃度を高める工程を、前記第一銅膜の表面に不純物を注入して不純物層を形成し、前記不純物層に含まれる不純物を前記第一銅膜に拡散させることにより行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第一銅膜の不純物濃度を高める工程の後に、前記第一銅膜を加工して銅配線を形成し、前記加工は前記第一銅膜の膜厚を減少させる工程であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第一銅膜を形成する工程の後、前記第一銅膜の不純物濃度を高める工程の前に、前記第一銅膜を加工して銅配線を形成し、前記加工は前記第一銅膜の膜厚を減少させる工程であることを特徴とする請求項1、2、又は4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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