JP2006286947A - Method and apparatus for cleaning electronic device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To remove fine particles sufficiently without causing any damage on the surface of an electronic device. <P>SOLUTION: An apparatus for cleaning an electronic device comprises a section 50 for supplying cleaning liquid, a section 40 for supplying high pressure air, and a two-fluid nozzle 30 for spraying the cleaning liquid to a semiconductor wafer W while mixing with nitrogen wherein the two-fluid nozzle 30 is composed of a conductive material produced by mixing carbon filler into nonconductive resin. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウエハやディスプレイ等の電子デバイスを洗浄する電子デバイス洗浄方法及び電子デバイス洗浄装置に関し、特にデバイスパターンを損傷することなくパーティクルを除去することができるものに関する。   The present invention relates to an electronic device cleaning method and an electronic device cleaning apparatus for cleaning an electronic device such as a semiconductor wafer or a display, and more particularly to a device capable of removing particles without damaging a device pattern.

半導体装置の製造工程には、半導体ウエハの表面に成膜やエッチングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形成していく工程が含まれる。微細パターンを形成するために、半導体ウエハの両面、特に薄膜形成面を清浄に保つ必要があることから、基板洗浄装置を用いて半導体ウエハの洗浄処理が行われる。このような半導体ウエハの洗浄処理を行う基板洗浄装置では、二流体ノズルを用いて、純水を高圧窒素や高圧窒素により霧化させて、基板にぶつけることによりパーティクルを除去する（例えば、特許文献１参照）。   The manufacturing process of a semiconductor device includes a process of forming a fine pattern by repeatedly performing processes such as film formation and etching on the surface of a semiconductor wafer. In order to form a fine pattern, it is necessary to keep both surfaces of the semiconductor wafer, particularly the thin film forming surface, clean, so that the semiconductor wafer is cleaned using a substrate cleaning apparatus. In such a substrate cleaning apparatus for performing a semiconductor wafer cleaning process, a two-fluid nozzle is used to atomize pure water with high-pressure nitrogen or high-pressure nitrogen and remove the particles by hitting the substrate (for example, Patent Documents). 1).

半導体ウエハと同様に、液晶ディスプレイやＰＤＰ基板等の電子デバイスにおいても同様な洗浄装置を用いて洗浄を行っている。   Similar to semiconductor wafers, electronic devices such as liquid crystal displays and PDP substrates are also cleaned using a similar cleaning apparatus.

なお、二流体ノズルの材質は、金属不純物を考慮しなくてもよい工程ではＳＵＳ製であるが、金属不純物を制御しなくてはならない工程ではテフロン（登録商標）（登録商標）、ＰＥＥＫなどの樹脂製のものが用いられていた。
特開２００２−２７０５６４号公報 The material of the two-fluid nozzle is made of SUS in a process that does not need to consider metal impurities, but in a process that must control metal impurities, Teflon (registered trademark), PEEK, etc. Resin-made ones were used.
JP 2002-270564 A

上述した半導体ウエハの洗浄方法では、次のような問題があった。すなわち、純水を高圧空気や高圧窒素により霧化させてパーティクルを除去する方法では、液体が霧化するとき、及び気体中で搬送されるときに帯電が生じる。この帯電は基板上やスピンカップなど装置の構成材料に移り、帯電した基板は気中の粒子を引き込み、パーティクル汚染されてしまう虞があった。   The above-described semiconductor wafer cleaning method has the following problems. That is, in the method of removing particles by atomizing pure water with high-pressure air or high-pressure nitrogen, charging occurs when the liquid is atomized and transported in gas. This charge is transferred to the constituent materials of the apparatus such as the substrate and spin cup, and the charged substrate may attract particles in the air and may be contaminated with particles.

そこで本発明は、電子デバイスの帯電を防止することでパーティクル汚染を防止できる電子デバイス洗浄装置を提供することを目的としている。   Therefore, an object of the present invention is to provide an electronic device cleaning apparatus that can prevent particle contamination by preventing charging of the electronic device.

前記課題を解決し目的を達成するために、本発明の電子デバイス洗浄装置及び電子デバイス洗浄方法は次のように構成されている。   In order to solve the above problems and achieve the object, an electronic device cleaning apparatus and an electronic device cleaning method of the present invention are configured as follows.

（１）洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、高圧の気体を供給する高圧気体供給手段と、供給された上記洗浄水を上記気体と混合させることで霧状にし、電子デバイスに吹き付ける二流体ノズルとを備え、上記二流体ノズルは、非導電性樹脂にカーボンフィラーが混入された導電性の材料で構成されていることを特徴とする。 (1) Washing water supply means for supplying cleaning water, high-pressure gas supply means for supplying high-pressure gas, and two fluids that are sprayed on an electronic device by mixing the supplied cleaning water with the gas. The two-fluid nozzle includes a conductive material in which a carbon filler is mixed in a non-conductive resin.

（２）前記（１）に記載された電子デバイス洗浄装置であって、上記非導電性樹脂は、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、フッ素樹脂及びこれらの混合物のいずれかを含むことを特徴とする。 (2) The electronic device cleaning apparatus according to (1), wherein the non-conductive resin includes any one of polyimide, polyetheretherketone, fluororesin, and a mixture thereof.

（３）洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、高圧の気体を供給する高圧気体供給手段と、供給された上記洗浄水を上記気体と混合させることで霧状にし、電子デバイスに吹き付ける二流体ノズルとを備え、上記二流体ノズルは、チタン、タンタル、ジルコニウム及びこれらの合金のいずれかの材料で構成されていることを特徴とする。 (3) Washing water supply means for supplying cleaning water, high-pressure gas supply means for supplying high-pressure gas, and two fluids that are sprayed on an electronic device by mixing the supplied cleaning water with the gas. And the two-fluid nozzle is made of any one of titanium, tantalum, zirconium, and alloys thereof.

（４）洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、高圧の気体を供給する高圧気体供給手段と、供給された上記洗浄水を上記気体と混合させることで霧状にし、電子デバイスに吹き付ける二流体ノズルとを備え、上記二流体ノズルは、シリコン、シリコンカーバイド及びこれらの混合物のいずれかに不純物をドープしたもので構成されていることを特徴とする。 (4) Washing water supply means for supplying cleaning water, high pressure gas supply means for supplying high-pressure gas, and two fluids that are sprayed on an electronic device by mixing the supplied cleaning water with the gas. And the two-fluid nozzle is made of silicon, silicon carbide, or a mixture thereof doped with impurities.

（５）前記（１），（３），（４）に記載された電子デバイス洗浄装置であって、上記二流体ノズルは接地されていることを特徴とする。 (5) The electronic device cleaning apparatus according to (1), (3), or (4), wherein the two-fluid nozzle is grounded.

（６）洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、高圧の気体を供給する高圧気体供給手段と、供給された上記洗浄水を上記気体と混合させることで霧状にし、電子デバイスに吹き付ける非導電性の二流体ノズルとを備え、この二流体ノズルには、上記二流体ノズルを通流する上記洗浄水又は上記気体を接地するための接地部位が設けられていることを特徴とする。 (6) Washing water supply means for supplying cleaning water, high-pressure gas supply means for supplying high-pressure gas, and non-conducting that sprays the electronic device by atomizing the supplied cleaning water with the gas. The two-fluid nozzle is provided with a grounding portion for grounding the washing water or the gas flowing through the two-fluid nozzle.

（７）洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、高圧の気体を供給する高圧気体供給手段と、供給された上記洗浄水を上記気体と混合させることで霧状にし、電子デバイスに吹き付ける二流体ノズルと、上記電子デバイスを除電するイオナイザとを備えていることを特徴とする。 (7) Washing water supply means for supplying cleaning water, high-pressure gas supply means for supplying high-pressure gas, and two fluids that are sprayed onto the electronic device by mixing the supplied cleaning water with the gas. A nozzle and an ionizer that neutralizes the electronic device are provided.

（８）洗浄水を供給し、高圧の気体を供給し、供給された上記洗浄水を上記気体と二流体ノズルで混合させることで霧状にし、電子デバイスに吹き付け、上記電子デバイスをイオナイザで除電することを備えていることを特徴とする。 (8) Supply cleaning water, supply high-pressure gas, mix the supplied cleaning water with the gas with a two-fluid nozzle, spray it onto an electronic device, and discharge the electronic device with an ionizer It is characterized by comprising.

本発明によれば、電子デバイスの表面を損傷させることなくパーティクルを除去することが可能となる。   According to the present invention, particles can be removed without damaging the surface of the electronic device.

図１は本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置（電子デバイス洗浄装置）１０の構成を示す説明図、図２及び図３は基板洗浄装置１０における窒素流量とデバイスパターンのダメージ数との関係を示す図である。   FIG. 1 is an explanatory view showing the configuration of a substrate cleaning apparatus (electronic device cleaning apparatus) 10 according to an embodiment of the present invention. FIGS. 2 and 3 show the nitrogen flow rate and the number of device pattern damages in the substrate cleaning apparatus 10. It is a figure which shows a relationship.

電子デバイス洗浄装置１０は、洗浄部２０と、高圧窒素供給部４０と、洗浄水供給部５０と、これら各部を連携して制御する制御部６０とを備えている。   The electronic device cleaning apparatus 10 includes a cleaning unit 20, a high-pressure nitrogen supply unit 40, a cleaning water supply unit 50, and a control unit 60 that controls these units in cooperation.

洗浄部２０は、制御部６０により制御される電動モータ２１と、この電動モータ２１の回転軸２２に取り付けられ、半導体ウエハＷを保持するスピンチャック２３と、スピンチャック２３に対向して配置された二流体ノズル３０とを備えている。   The cleaning unit 20 is attached to the electric motor 21 controlled by the control unit 60, the rotating shaft 22 of the electric motor 21, the spin chuck 23 that holds the semiconductor wafer W, and the spin chuck 23. And a two-fluid nozzle 30.

二流体ノズル３０は、図２に示すように、接地されたノズル本体３１と、このノズル本体３１の中心部に設けられ、高圧窒素が通流するガス流路３２と、このガス流路３２を囲むようにして配置され、洗浄水が通流する洗浄水路３３とを備えている。なお、図１中３４はノズルオリフィスを示している。ガス流路３２は後述する窒素配管４２、洗浄水路３３は後述する洗浄水配管５２にそれぞれ接続されており、それぞれ高圧窒素、洗浄水を導入するように構成されている。また、二流体ノズル３０は、図示しない昇降・移動機構によって、半導体ウエハＷ面内の洗浄水の供給位置を変更できるように支持されている。   As shown in FIG. 2, the two-fluid nozzle 30 includes a grounded nozzle body 31, a gas passage 32 provided at the center of the nozzle body 31, through which high-pressure nitrogen flows, and the gas passage 32. The cleaning water channel 33 is arranged so as to surround and through which the cleaning water flows. In FIG. 1, reference numeral 34 denotes a nozzle orifice. The gas flow path 32 is connected to a nitrogen pipe 42 to be described later, and the cleaning water path 33 is connected to a cleaning water pipe 52 to be described later, and is configured to introduce high-pressure nitrogen and cleaning water, respectively. Further, the two-fluid nozzle 30 is supported so that the supply position of the cleaning water in the surface of the semiconductor wafer W can be changed by an elevating / moving mechanism (not shown).

ノズル本体３１は、例えば、非導電性樹脂（ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、フッ素樹脂及びこれらの混合物等）にカーボンフィラーを混入したものを用いる。なお、チタン、タンタル、ジルコニウム及びこれらの合金を用いてもよい。さらに、シリコン、シリコンカーバイド及びこれらの混合物のいずれかに不純物をドープしたものを用いてもよい。これらの導電性材料は、金属イオンを発生しにくく、または、全く発生せず、金属不純物を制御しなくてはならない電子デバイスの洗浄工程で用いても支障がない。なお、これらの材料の他、金属イオンの発生量が少ない、または、発生しない導電性材料であれば他の材料でもよい。   As the nozzle body 31, for example, a non-conductive resin (polyimide, polyetheretherketone, fluororesin, or a mixture thereof) mixed with a carbon filler is used. Note that titanium, tantalum, zirconium, and alloys thereof may be used. Further, any of silicon, silicon carbide, and a mixture thereof doped with impurities may be used. These conductive materials are unlikely to generate metal ions or are not generated at all, and there is no problem even if they are used in a cleaning process of an electronic device in which metal impurities must be controlled. In addition to these materials, other materials may be used as long as they are conductive materials that generate little or no metal ions.

高圧窒素供給部４０は、高圧窒素発生部４１と、この高圧窒素発生部４１から二流体ノズル３０まで高圧窒素を送るための窒素配管４２と、この窒素配管４２の途中に設けられた圧力調整部４３と、この圧力調整部４３における窒素圧力を測定するための圧力センサ４４と、窒素配管４２の途中に設けられた流量センサ４５とを備えている。なお、圧力調整部４３は制御部６０からの指示により圧力調整が行われる。また、圧力センサ４４及び流量センサ４５の出力は制御部６０に入力されている。   The high-pressure nitrogen supply unit 40 includes a high-pressure nitrogen generation unit 41, a nitrogen pipe 42 for sending high-pressure nitrogen from the high-pressure nitrogen generation unit 41 to the two-fluid nozzle 30, and a pressure adjustment unit provided in the middle of the nitrogen pipe 42 43, a pressure sensor 44 for measuring the nitrogen pressure in the pressure adjusting unit 43, and a flow rate sensor 45 provided in the middle of the nitrogen pipe 42. The pressure adjustment unit 43 performs pressure adjustment according to an instruction from the control unit 60. The outputs of the pressure sensor 44 and the flow sensor 45 are input to the control unit 60.

洗浄水供給部５０は、洗浄水供給タンク５１と、この洗浄水供給タンク５１から二流体ノズル３０まで洗浄水を送るための洗浄水配管５２と、この洗浄水配管５２の途中に設けられた圧力調整部５３と、この圧力調整部５３における洗浄水圧力を測定するための圧力センサ５４と、洗浄水配管５２の途中に設けられた流量センサ５５とを備えている。なお、圧力調整部５３は制御部６０からの指示により圧力調整が行われる。また、圧力センサ５４及び流量センサ５５の出力は制御部６０に入力されている。   The washing water supply unit 50 includes a washing water supply tank 51, a washing water pipe 52 for sending washing water from the washing water supply tank 51 to the two-fluid nozzle 30, and a pressure provided in the middle of the washing water pipe 52. An adjustment unit 53, a pressure sensor 54 for measuring the washing water pressure in the pressure adjustment unit 53, and a flow rate sensor 55 provided in the middle of the washing water pipe 52 are provided. The pressure adjustment unit 53 performs pressure adjustment according to an instruction from the control unit 60. The outputs of the pressure sensor 54 and the flow rate sensor 55 are input to the control unit 60.

このように構成された基板洗浄装置１０では、次のようにして半導体ウエハＷの洗浄を行う。すなわち、電動モータ２１を回転させることにより、半導体ウエハＷを回転させる。このときの回転速度は例えば５００ｒｐｍ程度である。   In the substrate cleaning apparatus 10 configured as described above, the semiconductor wafer W is cleaned as follows. That is, the semiconductor wafer W is rotated by rotating the electric motor 21. The rotation speed at this time is about 500 rpm, for example.

次に、圧力調整部４３，５３を制御部６０からの信号により開き、二流体ノズル３０に窒素と洗浄水が供給されると、洗浄水が高圧窒素によって霧化され、半導体ウエハＷの表面に噴霧される。これにより、パーティクルが流し出される。このとき、制御部６０から各圧力調整部４３，５３に制御信号が送られ、所定の圧力の洗浄水が噴霧されるように窒素と洗浄水の圧力が適切に調整される。同時に、各圧力センサ４４，５４と流量センサ４５，５５から検出された結果が、逐次制御部６０にフィードバックされる。   Next, when the pressure adjusting units 43 and 53 are opened by a signal from the control unit 60 and nitrogen and cleaning water are supplied to the two-fluid nozzle 30, the cleaning water is atomized by high-pressure nitrogen and is applied to the surface of the semiconductor wafer W. Sprayed. Thereby, particles are poured out. At this time, a control signal is sent from the control unit 60 to each of the pressure adjusting units 43 and 53, and the pressure of nitrogen and the cleaning water is appropriately adjusted so that the cleaning water having a predetermined pressure is sprayed. At the same time, the results detected from the pressure sensors 44 and 54 and the flow rate sensors 45 and 55 are fed back to the controller 60 sequentially.

二流体ノズル３０は、上述したように高圧の窒素や洗浄水にさらされても金属イオンがほとんど発生しないため、金属不純物が半導体ウエハＷに付着することはない。また、全体が導電性であり、かつ、接地されているため、帯電した場合であっても除電される。したがって、半導体ウエハＷや清浄部２０が帯電されることがなく、半導体ウエハＷが気中の粒子を引き込み、パーティクル汚染されてしまうのを防止できる。   Since the two-fluid nozzle 30 hardly generates metal ions even when exposed to high-pressure nitrogen or cleaning water as described above, metal impurities do not adhere to the semiconductor wafer W. Further, since the whole is electrically conductive and grounded, the charge is eliminated even when charged. Therefore, the semiconductor wafer W and the cleaning unit 20 are not charged, and it is possible to prevent the semiconductor wafer W from attracting particles in the air and being contaminated with particles.

上述したように、本実施の形態に係る電子デバイス洗浄装置１０によれば、二流体ノズル３０の材質を導電性とすることで、洗浄水が霧化する際の剥離帯電を最小限に抑えることができる。このため、二流体ノズル３０及び半導体ウエハＷ等の帯電を抑えることができ、半導体ウエハＷが気中の粒子を引き込み、パーティクル汚染されてしまうのを防止できる。したがって、洗浄後の基板の清浄度を向上させることが可能となる。   As described above, according to the electronic device cleaning apparatus 10 according to the present embodiment, by making the material of the two-fluid nozzle 30 conductive, it is possible to minimize the peeling charge when the cleaning water atomizes. Can do. Therefore, charging of the two-fluid nozzle 30 and the semiconductor wafer W can be suppressed, and the semiconductor wafer W can be prevented from attracting particles in the air and being contaminated with particles. Therefore, the cleanliness of the substrate after cleaning can be improved.

ここで、実験例について説明する。５５ｎｍのライン／スペースパターンを形成した半導体ウエハＷをパターン検査装置で測定し、欠陥数をカウントした。この半導体ウエハを基板洗浄装置１０で、下記の条件で洗浄した。すなわち、純水０．２ＭＰａ（１００ｍＬ／ｍｉｎ）、高圧空気０．２ＭＰａ（６０Ｌ／ｍｉｎ）、半導体ウエハ回転数５００ｒｐｍである。   Here, an experimental example will be described. The semiconductor wafer W on which the 55 nm line / space pattern was formed was measured with a pattern inspection apparatus, and the number of defects was counted. This semiconductor wafer was cleaned by the substrate cleaning apparatus 10 under the following conditions. That is, pure water 0.2 MPa (100 mL / min), high-pressure air 0.2 MPa (60 L / min), and semiconductor wafer rotation speed 500 rpm.

なお、二流体ノズル３０の材質として、（１）ＰＴＦＥ、（２）カーボンフィラー入りＰＴＦＥ、（３）ＰＥＥＫ、（４）カーボンフィラー入りＰＥＥＫ、（５）チタン、（６）ＳｉＣ（導電性）の６種類を用いた。ＰＴＦＥ及びＰＥＥＫは、非導電性樹脂であり、カーボンフィラーを混入することで導電性となっている。   In addition, as a material of the two-fluid nozzle 30, (1) PTFE, (2) PTFE containing carbon filler, (3) PEEK, (4) PEEK containing carbon filler, (5) titanium, (6) SiC (conductive) Six types were used. PTFE and PEEK are non-conductive resins, and are conductive by mixing carbon filler.

上記の処理後の半導体ウエハＷをパターン検査装置で測定し、欠陥数をカウントした。この結果、欠陥の除去率は（１）５１％、（２）６５％、（３）５５％、（４）６９％、（５）８０％、（６）７４％であった。この結果により、二流体ノズル３０の材質として導電性材料を用いた場合に、帯電による再付着を防止でき、欠陥の除去率が向上することが明らかとなった。   The semiconductor wafer W after the above processing was measured with a pattern inspection apparatus, and the number of defects was counted. As a result, the defect removal rates were (1) 51%, (2) 65%, (3) 55%, (4) 69%, (5) 80%, and (6) 74%. From this result, it has been clarified that, when a conductive material is used as the material of the two-fluid nozzle 30, reattachment due to charging can be prevented and the defect removal rate is improved.

図３は本実施の形態に係る二流体ノズル３０の変形例を示す図である。二流体ノズル３０のノズル本体３１が非導電性材料で形成されている場合には、ノズルオリフィス３４の周囲にチタン等の金属で形成されたアタッチメント（接地部位）３５を取り付け、このアタッチメント３５を接地することで、洗浄水を除電するようにしてもよい。   FIG. 3 is a view showing a modification of the two-fluid nozzle 30 according to the present embodiment. When the nozzle body 31 of the two-fluid nozzle 30 is made of a non-conductive material, an attachment (grounding part) 35 made of metal such as titanium is attached around the nozzle orifice 34, and the attachment 35 is grounded. By doing so, the washing water may be neutralized.

なお、上述したように二流体ノズル３０を除電することで、帯電の発生を防止する他、図１中２４に示すイオナイザを用いることで、帯電した半導体ウエハＷや洗浄部２０を積極的に除電するようにしてもよく、さらに上述した複数の方法を組合せて清浄度を上げるようにしてもよい。   As described above, the discharge of the two-fluid nozzle 30 is prevented to prevent the occurrence of charging, and the charged semiconductor wafer W and the cleaning unit 20 are positively removed by using the ionizer indicated by 24 in FIG. It is also possible to increase the cleanliness by combining a plurality of methods described above.

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of components disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.

本発明の一実施の形態に係る電子デバイス洗浄装置の構成を示す説明図。Explanatory drawing which shows the structure of the electronic device washing | cleaning apparatus which concerns on one embodiment of this invention. 同電子デバイス洗浄装置に組み込まれた二流体ノズルを示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the two-fluid nozzle integrated in the electronic device washing | cleaning apparatus. 同二流体ノズルの変形例を示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the modification of the same 2 fluid nozzle.

符号の説明Explanation of symbols

１０…電子デバイス洗浄装置、２０…洗浄部、３０…二流体ノズル、４０…高圧窒素供給部、５０…洗浄水供給部。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Electronic device washing | cleaning apparatus, 20 ... Cleaning part, 30 ... Two fluid nozzle, 40 ... High-pressure nitrogen supply part, 50 ... Washing water supply part.

Claims (8)

洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、
高圧の気体を供給する高圧気体供給手段と、
供給された上記洗浄水を上記気体と混合させることで霧状にし、電子デバイスに吹き付ける二流体ノズルとを備え、
上記二流体ノズルは、非導電性樹脂にカーボンフィラーが混入された導電性の材料で構成されていることを特徴とする電子デバイス洗浄装置。 Cleaning water supply means for supplying cleaning water;
High-pressure gas supply means for supplying high-pressure gas;
A mist is formed by mixing the supplied cleaning water with the gas, and a two-fluid nozzle that sprays the electronic device,
2. The electronic device cleaning apparatus according to claim 1, wherein the two-fluid nozzle is made of a conductive material in which a carbon filler is mixed into a non-conductive resin. 上記非導電性樹脂は、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、フッ素樹脂及びこれらの混合物のいずれかを含むことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス洗浄装置。   The electronic device cleaning apparatus according to claim 1, wherein the non-conductive resin includes any one of polyimide, polyether ether ketone, fluororesin, and a mixture thereof. 洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、
高圧の気体を供給する高圧気体供給手段と、
供給された上記洗浄水を上記気体と混合させることで霧状にし、電子デバイスに吹き付ける二流体ノズルとを備え、
上記二流体ノズルは、チタン、タンタル、ジルコニウム及びこれらの合金のいずれかの材料で構成されていることを特徴とする電子デバイス洗浄装置。 Cleaning water supply means for supplying cleaning water;
High-pressure gas supply means for supplying high-pressure gas;
A mist is formed by mixing the supplied cleaning water with the gas, and a two-fluid nozzle that sprays the electronic device,
The electronic device cleaning apparatus, wherein the two-fluid nozzle is made of any material of titanium, tantalum, zirconium and alloys thereof. 洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、
高圧の気体を供給する高圧気体供給手段と、
供給された上記洗浄水を上記気体と混合させることで霧状にし、電子デバイスに吹き付ける二流体ノズルとを備え、
上記二流体ノズルは、シリコン、シリコンカーバイド及びこれらの混合物のいずれかに不純物をドープしたもので構成されていることを特徴とする電子デバイス洗浄装置。 Cleaning water supply means for supplying cleaning water;
High-pressure gas supply means for supplying high-pressure gas;
A mist is formed by mixing the supplied cleaning water with the gas, and a two-fluid nozzle that sprays the electronic device,
2. The electronic device cleaning apparatus according to claim 1, wherein the two-fluid nozzle is made of silicon, silicon carbide, or a mixture thereof doped with impurities. 上記二流体ノズルは接地されていることを特徴とする請求項１，３，４いずれか記載の電子デバイス洗浄装置。   5. The electronic device cleaning apparatus according to claim 1, wherein the two-fluid nozzle is grounded. 洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、
高圧の気体を供給する高圧気体供給手段と、
供給された上記洗浄水を上記気体と混合させることで霧状にし、電子デバイスに吹き付ける非導電性の二流体ノズルとを備え、
この二流体ノズルには、上記二流体ノズルを通流する上記洗浄水又は上記気体を接地するための接地部位が設けられていることを特徴とする電子デバイス洗浄装置。 Cleaning water supply means for supplying cleaning water;
High-pressure gas supply means for supplying high-pressure gas;
A mist is formed by mixing the supplied cleaning water with the gas, and a non-conductive two-fluid nozzle that sprays the electronic device,
The two-fluid nozzle is provided with a grounding portion for grounding the washing water or the gas flowing through the two-fluid nozzle. 洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、
高圧の気体を供給する高圧気体供給手段と、
供給された上記洗浄水を上記気体と混合させることで霧状にし、電子デバイスに吹き付ける二流体ノズルと、
上記電子デバイスを除電するイオナイザとを備えていることを特徴とする電子デバイス洗浄装置。 Cleaning water supply means for supplying cleaning water;
High-pressure gas supply means for supplying high-pressure gas;
A two-fluid nozzle that atomizes the supplied wash water with the gas and blows it onto the electronic device;
An electronic device cleaning apparatus comprising: an ionizer that neutralizes the electronic device. 洗浄水を供給し、
高圧の気体を供給し、
供給された上記洗浄水を上記気体と二流体ノズルで混合させることで霧状にし、電子デバイスに吹き付け、
上記電子デバイスをイオナイザで除電することを備えていることを特徴とする電子デバイス洗浄方法。 Supply cleaning water,
Supply high pressure gas,
The supplied cleaning water is atomized by mixing it with the gas and the two-fluid nozzle, and sprayed on the electronic device.
A method for cleaning an electronic device, comprising: neutralizing the electronic device with an ionizer.
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