JP7034743B2

JP7034743B2 - Board processing equipment

Info

Publication number: JP7034743B2
Application number: JP2018013007A
Authority: JP
Inventors: 藤好友佐
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2018-01-29
Filing date: 2018-01-29
Publication date: 2022-03-14
Anticipated expiration: 2038-01-29
Also published as: JP2019134000A

Description

本発明は、回転する基板の周縁部に処理液を供給して、当該周縁部を処理する技術に関する。 The present invention relates to a technique of supplying a treatment liquid to a peripheral portion of a rotating substrate to treat the peripheral portion.

半導体装置の製造工程には、被処理基板である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という）を回転させながら、当該ウエハの周縁部に薬液等の処理液を供給することにより当該周縁部の不要膜または汚染物質を除去する周縁部洗浄工程がある。このような洗浄は、ベベル洗浄またはエッジ洗浄と呼ばれる。 In the manufacturing process of a semiconductor device, a semiconductor wafer as a substrate to be processed (hereinafter, simply referred to as “wafer”) is rotated, and a processing liquid such as a chemical solution is supplied to the peripheral portion of the wafer so that the peripheral portion is unnecessary. There is a peripheral cleaning step to remove the film or contaminants. Such cleaning is called bevel cleaning or edge cleaning.

特許文献１には、上記の周縁部洗浄工程を実施するための基板処理装置が開示されている。この基板処理装置は、ウエハを水平姿勢で保持して回転させるスピンチャックと、回転するウエハの周縁部に処理液を供給する処理液ノズルと、ウエハの周囲を囲むとともにウエハから外方に飛散する処理液を回収するカップ体と、リング状のカバー部材とを備えている。カバー部材はウエハの上面の周縁部に近接して当該周縁部を上方から覆う。当該周縁部よりも半径方向内側にあるウエハの中央部はカバー部材に覆われずに露出している。カップ体の内部空間が、カップ体の下部に設けられた排気口を介して排気され、このとき、ウエハの上方にある気体（例えばクリーンエア）が、カバー部材の下面とウエハの周縁部の上面との間の隙間をウエハの外側に向けて通過し、カップ体の内部空間に流入する。 Patent Document 1 discloses a substrate processing apparatus for carrying out the above-mentioned peripheral edge cleaning step. This substrate processing device has a spin chuck that holds and rotates the wafer in a horizontal position, a processing liquid nozzle that supplies the processing liquid to the peripheral edge of the rotating wafer, and surrounds the wafer and scatters outward from the wafer. It includes a cup body for collecting the treatment liquid and a ring-shaped cover member. The cover member is close to the peripheral edge of the upper surface of the wafer and covers the peripheral edge from above. The central portion of the wafer located inside the peripheral portion in the radial direction is exposed without being covered by the cover member. The internal space of the cup body is exhausted through the exhaust port provided in the lower part of the cup body, and at this time, the gas (for example, clean air) above the wafer is discharged from the lower surface of the cover member and the upper surface of the peripheral portion of the wafer. It passes through the gap between the wafer and the outside of the wafer and flows into the internal space of the cup body.

上記の構成によれば、処理液のミスト（ミストは細径のノズルから処理液が吐出されるときに、あるいはノズルから吐出された処理液がウエハの上面の周縁部に衝突して跳ね返ることにより生じる）が、カバー部材の下面とウエハの周縁部の上面との間の隙間をウエハの外側に向けて通過する気体に乗って流れ、カップ体の内部空間に流入する。このため、ウエハの上面の周縁部付近を漂う処理液のミストがウエハに再付着することによってパーティクルが生じることを抑制することができる。 According to the above configuration, the mist of the treatment liquid (the mist is generated when the treatment liquid is discharged from a nozzle having a small diameter, or the treatment liquid discharged from the nozzle collides with the peripheral edge of the upper surface of the wafer and bounces off. (Provided) flows on the gas passing through the gap between the lower surface of the cover member and the upper surface of the peripheral edge of the wafer toward the outside of the wafer, and flows into the internal space of the cup body. Therefore, it is possible to suppress the generation of particles due to the reattachment of the mist of the treatment liquid floating near the peripheral edge of the upper surface of the wafer to the wafer.

しかしながら、要求されるパーティクルレベルによっては、より高いレベルでのミストの付着防止が求められる場合もある。また、カバー部材がウエハから離れているとき、ウエハが回転していないときなどには、ウエハの周囲を漂うミストがウエハに再付着しやすくなるという問題もある。これらの点において、特許文献１に記載の構成にはさらなる改善の余地がある。 However, depending on the required particle level, it may be required to prevent mist from adhering at a higher level. Further, when the cover member is separated from the wafer or the wafer is not rotated, there is a problem that the mist floating around the wafer is likely to reattach to the wafer. In these respects, the configuration described in Patent Document 1 has room for further improvement.

特開２０１４－０８６６３９号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-0866639

本発明は、基板の周囲を漂う処理液のミストが基板に付着することを防止または少なくとも大幅に抑制することができる技術を提供することを目的としている。 An object of the present invention is to provide a technique capable of preventing or at least significantly suppressing the mist of a treatment liquid floating around a substrate from adhering to the substrate.

本発明の一実施形態によれば、基板を保持して回転させる基板保持回転部と、前記基板保持回転部により保持された基板の周縁部に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板の周囲の空間に気体分子由来のイオンを供給して、前記空間内を浮遊する帯電した処理液のミストを除電する除電器と、を備えた基板処理装置が提供される。 According to one embodiment of the present invention, a substrate holding rotating portion that holds and rotates a substrate, a processing liquid supply unit that supplies a processing liquid to a peripheral edge portion of the substrate held by the substrate holding rotating portion, and the substrate. Provided is a substrate processing apparatus provided with a static eliminator for supplying ions derived from gas molecules to the space surrounding the space to eliminate the mist of the charged treatment liquid floating in the space.

上記本発明の実施形態によれば、基板の周囲に浮遊している帯電した処理液のミストを除電することにより、静電気力によりミストが基板に付着して基板を汚染することを防止することができる。 According to the above-described embodiment of the present invention, by eliminating static electricity from the mist of the charged treatment liquid floating around the substrate, it is possible to prevent the mist from adhering to the substrate and contaminating the substrate due to electrostatic force. can.

本発明の実施の形態に係る液処理装置の縦断面図である。It is a vertical sectional view of the liquid processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 図１に示す液処理装置のカバー部材、その昇降機構、および処理液供給部を示す平面図である。It is a top view which shows the cover member of the liquid processing apparatus shown in FIG. 1, the elevating mechanism thereof, and the processing liquid supply part. 図１の右側のウエハの外周縁付近の領域を拡大して詳細に示す縦断面図である。FIG. 3 is a vertical cross-sectional view showing in detail an enlarged region near the outer peripheral edge of the wafer on the right side of FIG. 1. ノズルについて説明する図である。It is a figure explaining the nozzle. カバー部材に組み込まれる除電器の概略縦断面図である。It is a schematic vertical sectional view of the static eliminator incorporated in a cover member. 液処理装置において実行される処理の一例の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of an example of the processing executed in a liquid processing apparatus.

以下に、添付図面を参照して、本発明による基板処理装置の一実施形態としての液処理装置１について説明する。この液処理装置１は、半導体装置が形成される円形の基板である半導体ウエハＷの表面の周縁部に薬液を供給することにより、当該ウエハＷの周縁部に形成された不要な膜を除去するとともに当該周縁部から汚染物質を除去する。 Hereinafter, the liquid processing apparatus 1 as an embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The liquid treatment device 1 removes an unnecessary film formed on the peripheral edge of the wafer W by supplying a chemical solution to the peripheral edge of the surface of the semiconductor wafer W, which is a circular substrate on which the semiconductor device is formed. At the same time, the contaminants are removed from the peripheral area.

図１及び図２に示すように、液処理装置１は、ウエハＷを水平姿勢で鉛直軸周りに回転可能に保持するウエハ保持部３と、ウエハ保持部３に保持されたウエハＷの周囲を囲みウエハＷから飛散した処理液を受けるカップ体２と、ウエハ保持部３に保持されたウエハＷの上面の周縁部を覆うリング状のカバー部材５と、カバー部材５を昇降させる昇降機構（移動機構）６と、ウエハ保持部３に保持されたウエハＷに処理流体を供給する処理流体供給部７Ａ，７Ｂと、を備えている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the liquid processing apparatus 1 has a wafer holding portion 3 that rotatably holds the wafer W in a horizontal posture around a vertical axis, and a circumference of the wafer W held by the wafer holding portion 3. A cup body 2 that receives the processing liquid scattered from the surrounding wafer W, a ring-shaped cover member 5 that covers the peripheral edge of the upper surface of the wafer W held by the wafer holding portion 3, and an elevating mechanism (movement) that raises and lowers the cover member 5. The mechanism) 6 and the processing fluid supply units 7A and 7B for supplying the processing fluid to the wafer W held by the wafer holding unit 3 are provided.

上述した液処理装置１の構成部材であるカップ体２、ウエハ保持部３、カバー部材５などは１つのハウジング（チャンバ）１１内に収容されている。ハウジング１１の天井部付近（図示例ではハウジング１１の側壁上部）には外部から清浄ガス（図示例では清浄空気）を取り込む清浄空気導入ユニット（ファンフィルタユニット）１４が設けられている。また、ハウジング１１の床面近傍にはハウジング１１内の雰囲気を排気する排気口（ハウジング排気口）１５が設けられている。清浄空気導入ユニット１４を、ハウジング１１の天井壁の中央部に設けてもよい。清浄ガスは、清浄空気（クリーンエア）の他に、クリーンドライエア、窒素ガス等の他のガスであってもよい。ハウジング１１の一つの側壁には、シャッター１２により開閉される搬入出口１３が設けられている。ハウジング１１の外部に設けられた図示しないウエハ搬送機構の搬送アームが、ウエハＷを保持した状態で、搬入出口１３を通過することができる。 The cup body 2, the wafer holding portion 3, the cover member 5, and the like, which are the constituent members of the liquid processing apparatus 1 described above, are housed in one housing (chamber) 11. A clean air introduction unit (fan filter unit) 14 that takes in clean gas (clean air in the illustrated example) from the outside is provided near the ceiling of the housing 11 (upper side wall of the housing 11 in the illustrated example). Further, an exhaust port (housing exhaust port) 15 for exhausting the atmosphere inside the housing 11 is provided near the floor surface of the housing 11. The clean air introduction unit 14 may be provided at the center of the ceiling wall of the housing 11. The clean gas may be other gas such as clean dry air and nitrogen gas in addition to clean air (clean air). A carry-in outlet 13 opened and closed by a shutter 12 is provided on one side wall of the housing 11. A transfer arm of a wafer transfer mechanism (not shown) provided outside the housing 11 can pass through the carry-in outlet 13 while holding the wafer W.

ウエハ保持部３は、円板形状のバキュームチャックとして構成されており、その上面がウエハ吸着面３１となっている。ウエハ吸着面３１の中央部には吸引口３２が開口している。ウエハ保持部３の下面中央部には、中空円筒形状の回転軸４４が鉛直方向に延びている。回転軸４４の内部空間には、吸引口３２に接続された吸引管路（図示せず）が通っている。この吸引管路は、ハウジング１１の外側において、真空ポンプ４２に接続されている。真空ポンプ４２を駆動することにより、ウエハ保持部３によりウエハＷを吸着保持することができる。 The wafer holding portion 3 is configured as a disk-shaped vacuum chuck, and the upper surface thereof is a wafer suction surface 31. A suction port 32 is opened at the center of the wafer suction surface 31. A hollow cylindrical rotating shaft 44 extends in the vertical direction at the center of the lower surface of the wafer holding portion 3. A suction pipe line (not shown) connected to the suction port 32 passes through the internal space of the rotating shaft 44. This suction line is connected to the vacuum pump 42 on the outside of the housing 11. By driving the vacuum pump 42, the wafer W can be adsorbed and held by the wafer holding unit 3.

回転軸４４は、軸受け４５１を内蔵した軸受ケーシング４５に支持されており、軸受ケーシング４５は、ハウジング１１の床面に支持されている。回転軸４４は、回転軸４４上の被動プーリー４６１、駆動モータ４６３の回転軸上の駆動プーリー４６２、被動プーリー４６１及び駆動プーリー４６２間に掛け渡された駆動ベルト４６４からなる回転駆動機構４６により、所望の速度で回転させることができる。ウエハ保持部３、回転軸４４及び回転駆動機構４６等により基板保持回転部が形成される。 The rotating shaft 44 is supported by a bearing casing 45 having a built-in bearing 451, and the bearing casing 45 is supported by the floor surface of the housing 11. The rotary shaft 44 is provided by a rotary drive mechanism 46 including a driven pulley 461 on the rotary shaft 44, a drive pulley 462 on the rotary shaft of the drive motor 463, a driven pulley 461, and a drive belt 464 spanned between the drive pulleys 462. It can be rotated at the desired speed. The substrate holding rotating portion is formed by the wafer holding portion 3, the rotating shaft 44, the rotating drive mechanism 46, and the like.

図３に示すように、カップ体２は、ウエハ保持部３の外周を取り囲むように設けられた、有底円環形状の部材である。カップ体２は、ウエハＷに供給された後にウエハＷの外方に飛散する薬液を受け止めて回収し、液処理装置１の外部に排出する役割を有する。 As shown in FIG. 3, the cup body 2 is a bottomed ring-shaped member provided so as to surround the outer periphery of the wafer holding portion 3. The cup body 2 has a role of receiving and collecting the chemical liquid scattered to the outside of the wafer W after being supplied to the wafer W and discharging it to the outside of the liquid treatment device 1.

ウエハ保持部３により保持されたウエハＷの下面と、このウエハＷの下面に対向するカップ体２の内周側部分２１の上面２１１との間には、比較的小さな（例えば２～３ｍｍ程度の高さの）隙間が形成される。ウエハＷに対向する上面２１１には、２つのガス吐出口２１２、２１３が開口している。これら２つのガス吐出口２１２、２１３は、同心の大径の円周および小径の円周に沿ってそれぞれ連続的に延びており、半径方向外向きに、かつ、斜め上方向に、ウエハＷの下面に向けて、ホットＮ_２ガス（加熱された窒素ガス）を吐出する。詳細には、ガス導入ライン２１４から常温のＮ_２ガスが円環状のガス拡散空間２１５に供給され、ガス拡散空間２１５内を流れるときに常温のＮ_２ガスがヒーター２１６により加熱されてホットＮ_２ガスとなり、ガス吐出口２１２、２１３から吐出される。このホットＮ_２ガスは、ウエハＷの被処理部位であるウエハＷの周縁部を加熱することにより薬液の反応を促進させ、かつ、ウエハＷの表面（上面）に向けて吐出された後に飛散する処理液のミストがウエハの裏面（下面）に周り込むことを防止する。 The space between the lower surface of the wafer W held by the wafer holding portion 3 and the upper surface 211 of the inner peripheral side portion 21 of the cup body 2 facing the lower surface of the wafer W is relatively small (for example, about 2 to 3 mm). A gap (of height) is formed. Two gas discharge ports 212 and 213 are opened on the upper surface 211 facing the wafer W. These two gas discharge ports 212 and 213 extend continuously along a concentric large-diameter circumference and a small-diameter circumference, respectively, and extend outward in the radial direction and diagonally upward in the wafer W. Hot _N2 gas (heated nitrogen gas) is discharged toward the lower surface. Specifically, the normal temperature N ₂ gas is supplied from the gas introduction line 214 to the annular gas diffusion space 215, and when flowing in the gas diffusion space 215, the normal temperature N ₂ gas is heated by the heater 216 to be hot N ₂ . It becomes gas and is discharged from the gas discharge ports 212 and 213. This hot N ₂ gas accelerates the reaction of the chemical solution by heating the peripheral portion of the wafer W, which is the portion to be processed of the wafer W, and is ejected toward the surface (upper surface) of the wafer W and then scattered. Prevents the mist of the treatment liquid from wrapping around the back surface (lower surface) of the wafer.

カップ体２の外周側部分２４には、上部が開放した２本の円環状の凹部２４１，２４２がカップ体２の周方向に沿って形成されている。凹部２４１，２４２の間は、円環状の分離壁２４３により仕切られている。外側の凹部２４１の底部に排液路２４４が接続されている。また内側の凹部２４２の底部には排気口（カップ排気口）２４７が設けられており、この排気口２４７に排気路２４５が接続されている。排気路２４５には、エジェクタあるいは真空ポンプ等の排気装置２４６が接続されており、この液処理装置１の動作中には、排気路２４５を介してカップ体２の内部空間が常時吸引され、内側の凹部２４２内の圧力がカップ体２外部のハウジング１１内の圧力よりも低く維持されている。 In the outer peripheral side portion 24 of the cup body 2, two annular recesses 241,242 having an open upper portion are formed along the circumferential direction of the cup body 2. The recesses 241,242 are partitioned by an annular separation wall 243. A drainage channel 244 is connected to the bottom of the outer recess 241. Further, an exhaust port (cup exhaust port) 247 is provided at the bottom of the inner recess 242, and an exhaust passage 245 is connected to the exhaust port 247. An exhaust device 246 such as an ejector or a vacuum pump is connected to the exhaust passage 245, and during the operation of the liquid treatment device 1, the internal space of the cup body 2 is constantly sucked through the exhaust passage 245 and is inside. The pressure in the recess 242 of the cup body 2 is kept lower than the pressure in the housing 11 outside the cup body 2.

カップ体２の内周側部分２１の外周部（ウエハＷの周縁の下方の位置）から半径方向外側に向けて環状の案内板２５が延びている。案内板２５は半径方向外側にゆくにしたがって低くなるように傾斜している。案内板２５は内側の凹部２４２の全体および外側の凹部２４１の内周側部分の上方を覆い、かつ、案内板２５の先端部２５１（半径方向外側周縁部）は、下方に向けて屈曲して外側の凹部２４１内に突入している。 An annular guide plate 25 extends outward in the radial direction from the outer peripheral portion (position below the peripheral edge of the wafer W) of the inner peripheral side portion 21 of the cup body 2. The guide plate 25 is inclined so as to become lower as it goes outward in the radial direction. The guide plate 25 covers the entire inner recess 242 and above the inner peripheral side portion of the outer recess 241 and the tip portion 251 (radial outer peripheral edge portion) of the guide plate 25 is bent downward. It plunges into the outer recess 241.

また、カップ体２の外周側部分２４の外周部には、外側の凹部２４１の外側の壁面と連続する外周壁２６が設けられている。外周壁２６は、その内周面により、ウエハＷから外方に飛散する流体（処理液のミスト（液滴）、ガスおよびこれらの混合物など）を受け止め、外側の凹部２４１に向けて案内する。外周壁２６は、水平面に対して２５～３０度の角度を成して半径方向外側に向かうほど低くなるように傾斜する内側の流体受け面２６１と、流体受け面２６１の上端部から下方に延びる返し部２６２を有している。案内板２５の上面２５２と流体受け面２６１との間に、ガス（空気、Ｎ_２ガス等）とウエハＷから飛散した処理液のミストとが流れる排気流路２７が形成される。 Further, an outer peripheral wall 26 continuous with the outer wall surface of the outer concave portion 241 is provided on the outer peripheral portion of the outer peripheral side portion 24 of the cup body 2. The outer peripheral wall 26 receives the fluid (mist (droplet) of the treatment liquid, gas and a mixture thereof, etc.) scattered outward from the wafer W by its inner peripheral surface, and guides the fluid toward the outer recess 241. The outer peripheral wall 26 extends downward from the inner fluid receiving surface 261 and the upper end portion of the fluid receiving surface 261 which are inclined so as to form an angle of 25 to 30 degrees with respect to the horizontal plane and become lower toward the outside in the radial direction. It has a return portion 262. An exhaust flow path 27 through which a gas (air, _N2 gas, etc.) and a mist of the treatment liquid scattered from the wafer W flow is formed between the upper surface 252 of the guide plate 25 and the fluid receiving surface 261.

排気流路２７を通って外側の凹部２４１に流入したガスおよびミストの混合流体は、案内板２５と分離壁２４３との間を流れて内側の凹部２４２に流入する。案内板２５と分離壁２４３との間を通過するときに、混合流体の流れ方向が急激に転向され、混合流体に含まれるミスト（液滴）は、案内板２５の先端部２５１または分離壁２４３に衝突して、流体から分離され、案内板２５の下面あるいは分離壁２４３の表面を伝わって外側の凹部２４１に流入し、排液路２４４から排出される。ミストが取り除かれて内側の凹部２４２に流入した流体は排気路２４５から排出される。 The mixed fluid of gas and mist that has flowed into the outer recess 241 through the exhaust flow path 27 flows between the guide plate 25 and the separation wall 243 and flows into the inner recess 242. When passing between the guide plate 25 and the separation wall 243, the flow direction of the mixed fluid is suddenly changed, and the mist (droplet) contained in the mixed fluid is transferred to the tip portion 251 of the guide plate 25 or the separation wall 243. Is separated from the fluid, flows through the lower surface of the guide plate 25 or the surface of the separation wall 243, flows into the outer recess 241 and is discharged from the drainage passage 244. The fluid from which the mist has been removed and has flowed into the inner recess 242 is discharged from the exhaust passage 245.

カバー部材５は、処理が実行されるときに、ウエハ保持部３に保持されたウエハＷの上面の周縁部と対向するように配置されるリング形状の部材である。カバー部材５は、後に詳述するように、ウエハＷの上面の周縁部の近傍を流れてカップ体２内に引き込まれる気体を整流するとともに気体の流速を増大させ、ウエハＷの上面にウエハＷから飛散した処理液がウエハＷに再度付着することを抑制する。 The cover member 5 is a ring-shaped member arranged so as to face the peripheral edge portion of the upper surface of the wafer W held by the wafer holding portion 3 when the process is executed. As will be described in detail later, the cover member 5 rectifies the gas flowing in the vicinity of the peripheral edge of the upper surface of the wafer W and being drawn into the cup body 2, and increases the flow velocity of the gas, so that the wafer W is placed on the upper surface of the wafer W. It is possible to prevent the treatment liquid scattered from the wafer W from adhering to the wafer W again.

図３に示すように、カバー部材５は、当該カバー部材５の中央開口を画定する内周面５１と、ウエハＷに対向する水平な下面５２とを有している。内周面５１は、鉛直方向に延びる上側面部分５１１と、ウエハＷに近づくに従って半径方向外側に向かうように傾斜する下側面部分５１２とを有している。下側面部分５１２とウエハＷの上面との間に、鉛直方向の隙間Ｇが形成されている。カバー部材５の外周縁５２１はウエハＷの外周端Ｗｅよりも半径方向外側に位置している。また、カバー部材５の下面５２の内周縁５３はウエハＷの周縁部Ｗｐの内周縁Ｗｉよりも半径方向内側に位置している。これにより、隙間Ｇを通過する気流が、少なくともウエハＷの周縁部Ｗｐにおいて、水平にウエハＷの外側に向けて流れる。なお、ここで「ウエハＷの周縁部Ｗｐ」とは、デバイスが形成されていない円環状の領域を意味している。「ウエハＷの周縁部Ｗｐの内周縁Ｗｉ」とは、ウエハＷの中心を中心とするデバイス形成領域の外接円、すなわち、ウエハＷの中心を中心とする円であって、当該円より外側にデバイス形成領域が全く含まれないように決定された最小半径を有する円である。ウエハＷの周縁部Ｗｐの半径方向幅、すなわちウエハＷの外周端ＷｅからウエハＷの周縁部Ｗｐの内周縁Ｗｉまでの半径方向距離は、例えば約３ｍｍである。 As shown in FIG. 3, the cover member 5 has an inner peripheral surface 51 that defines the central opening of the cover member 5, and a horizontal lower surface 52 that faces the wafer W. The inner peripheral surface 51 has an upper side surface portion 511 extending in the vertical direction and a lower side surface portion 512 inclined toward the outer side in the radial direction as the wafer W approaches. A vertical gap G is formed between the lower side surface portion 512 and the upper surface of the wafer W. The outer peripheral edge 521 of the cover member 5 is located radially outside the outer peripheral edge We of the wafer W. Further, the inner peripheral edge 53 of the lower surface 52 of the cover member 5 is located inside the inner peripheral edge Wi of the peripheral edge portion Wp of the wafer W in the radial direction. As a result, the airflow passing through the gap G flows horizontally toward the outside of the wafer W at least at the peripheral edge portion Wp of the wafer W. Here, the “peripheral portion Wp of the wafer W” means an annular region in which a device is not formed. The "inner peripheral edge Wi of the peripheral edge portion Wp of the wafer W" is an circumscribed circle of the device forming region centered on the center of the wafer W, that is, a circle centered on the center of the wafer W, and is outside the circle. A circle with a minimum radius determined so that no device forming region is included. The radial width of the peripheral edge portion Wp of the wafer W, that is, the radial distance from the outer peripheral edge We of the wafer W to the inner peripheral edge Wi of the peripheral edge portion Wp of the wafer W is, for example, about 3 mm.

図２は、ウエハ保持部３にウエハＷが保持され、かつ、カバー部材５が処理位置に位置したときの状態を示す平面図である。図２において、カバー部材５に覆われて隠れているウエハＷの外周端（エッジ）Ｗｅが一点鎖線で示されている。また、カバー部材５の内周縁は符号５ｅで示されている。このようにカバー部材５の中央部が開放されていることにより、ウエハＷのほぼ全面を覆う円板形状のカバー部材と比較して、カバー部材の下面とウエハＷとの間に形成される流路の流路抵抗が小さくなるため、カップ体２の内部空間を吸引する排気能力が低くても、十分な吸引を行うことができる。 FIG. 2 is a plan view showing a state in which the wafer W is held by the wafer holding portion 3 and the cover member 5 is located at the processing position. In FIG. 2, the outer peripheral edge (edge) We of the wafer W covered and hidden by the cover member 5 is shown by a alternate long and short dash line. Further, the inner peripheral edge of the cover member 5 is indicated by reference numeral 5e. Since the central portion of the cover member 5 is opened in this way, the flow formed between the lower surface of the cover member and the wafer W is compared with the disk-shaped cover member that covers almost the entire surface of the wafer W. Since the flow path resistance of the path is small, sufficient suction can be performed even if the exhaust capacity for sucking the internal space of the cup body 2 is low.

図２示すように、カバー部材５には、複数の除電器９０が内蔵されている。除電器９０はイオナイザーとも呼ばれる。除電器９０は、カバー部材５の円周方向に沿って概ね等間隔で配置されている。図２には、８つの除電器９０が記載されているが、この数に限定されるものではない。 As shown in FIG. 2, a plurality of static eliminators 90 are built in the cover member 5. The static eliminator 90 is also called an ionizer. The static eliminators 90 are arranged at substantially equal intervals along the circumferential direction of the cover member 5. FIG. 2 shows eight static eliminators 90, but is not limited to this number.

各除電器９０の構成として公知の構成を採用することができる。除電器９０の構成の一例を図５に概略的に示す。除電器９０は、ガス通路９１内に設けられた放電針９２を有する。ガス通路９１内にはガス供給源９３からクリーンエア（空気）が供給される。放電針９２には、電源９４からＡＣ電圧またはＤＣ電圧が印加される。これにより空気を構成する分子がイオン化され、陽イオン９６及び陰イオン９７が生成される。ガス通路９１は、カバー部材５の内周面５１上で開口して、吐出口９５を形成している。生成されたイオンは、ガス通路９１内の空気の流れに乗って、カバー部材５の概ね中心（リングの中心）に向けて、吐出口９５から概ね水平方向に吐出される。カバー部材５の内周面５１に吐出口９５を設けることにより、処理液のミスト９９が付着することより吐出口９５が塞がれることを防止することができる。 A known configuration can be adopted as the configuration of each static eliminator 90. An example of the configuration of the static eliminator 90 is schematically shown in FIG. The static eliminator 90 has a discharge needle 92 provided in the gas passage 91. Clean air (air) is supplied from the gas supply source 93 into the gas passage 91. An AC voltage or a DC voltage is applied to the discharge needle 92 from the power supply 94. As a result, the molecules constituting the air are ionized, and cations 96 and anions 97 are generated. The gas passage 91 opens on the inner peripheral surface 51 of the cover member 5 to form a discharge port 95. The generated ions ride on the air flow in the gas passage 91 and are discharged substantially horizontally from the discharge port 95 toward the substantially center (center of the ring) of the cover member 5. By providing the discharge port 95 on the inner peripheral surface 51 of the cover member 5, it is possible to prevent the discharge port 95 from being blocked due to the adhesion of the mist 99 of the treatment liquid.

別の好適な一実施形態において、除電器９０は、ガス通路（空気通路）から隔離された不活性ガス通路（例えば窒素ガス通路）をカバー部材５の内部に有するように構成してもよい。この場合、放電針は窒素ガス通路内に配置され、空気に触れない状態でイオンを発生させる。窒素ガス通路の流出口から窒素ガスと一緒に流出したイオンは、空気通路の流出口から流出する空気と合流して流れ、上述した吐出口９５と同様の態様でカバー部材５に設けられた吐出口から吐出される。このような方式の除電器は、例えば、株式会社ＴＲＩＮＣから商業的に入手することができる。なお、このような方式の除電器は、株式会社ＴＲＩＮＣにより出願された特許出願に係る特許公開公報、特開２００６－０５９７２６号公報、特開２００６－０３２０５５号公報に記載されている。 In another preferred embodiment, the static eliminator 90 may be configured to have an inert gas passage (eg, a nitrogen gas passage) isolated from the gas passage (air passage) inside the cover member 5. In this case, the discharge needle is arranged in the nitrogen gas passage and generates ions without touching the air. The ions flowing out together with the nitrogen gas from the outlet of the nitrogen gas passage merge with the air flowing out from the outlet of the air passage and flow, and the discharge provided in the cover member 5 in the same manner as the discharge port 95 described above. It is discharged from the outlet. Such a type of static eliminator can be commercially obtained from, for example, TRINC Co., Ltd. It should be noted that such a static eliminator is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-059726 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-032055 relating to the patent application filed by TRINC Co., Ltd.

図１及び図２に示すように、カバー部材５を昇降させる昇降機構６は、カバー部材５を支持する支持体５８に取り付けられた複数（本例では４つ）のスライダー６１と、各スライダー６１を貫通して鉛直方向に延びるガイド支柱６２とを有している。各スライダー６１には、リニアアクチュエータ例えばシリンダモータ６３のロッド６３１が連結されている。シリンダモータ６３を駆動することにより、スライダー６１がガイド支柱６２に沿って上下動し、これによりカバー部材５を昇降させることができる。カップ体２はカップ昇降機構（詳細は図示せず）の一部を成すリフタ６５に支持されており、リフタ６５を図１に示す状態から下降させると、カップ体２が下降し、ウエハ搬送機構の搬送アーム（図示せず）とウエハ保持部３との間でのウエハＷの受け渡しが可能となる。 As shown in FIGS. 1 and 2, the elevating mechanism 6 for raising and lowering the cover member 5 includes a plurality of (four in this example) sliders 61 attached to a support 58 that supports the cover member 5, and each slider 61. It has a guide column 62 extending in the vertical direction through the guide column 62. A linear actuator, for example, a rod 631 of a cylinder motor 63 is connected to each slider 61. By driving the cylinder motor 63, the slider 61 moves up and down along the guide column 62, whereby the cover member 5 can be raised and lowered. The cup body 2 is supported by a lifter 65 that forms part of a cup elevating mechanism (details are not shown), and when the lifter 65 is lowered from the state shown in FIG. 1, the cup body 2 is lowered and the wafer transfer mechanism is used. The wafer W can be transferred between the transfer arm (not shown) and the wafer holding portion 3.

次に、図１、図２及び図４を参照して、処理流体供給部７Ａ，７Ｂについて説明する。処理流体供給部７Ａは、薬液（本例ではＨＦ）を吐出する薬液ノズル７１Ａと、リンス液（本例ではＤＩＷ（純水））を吐出するリンスノズル７２Ａと、乾燥用ガス（本例ではＮ_２ガス）を吐出するガスノズル７３Ａとを有している。薬液ノズル７１Ａ、リンスノズル７２Ａおよびガスノズル７３Ａは共通のノズルホルダ７４Ａに取り付けられている。ノズルホルダ７４Ａは、カバー部材５を支持する支持体５８（図３を参照）に取り付けられたリニアアクチュエータ７５Ａ例えばシリンダモータに取り付けられている。リニアアクチュエータ７５Ａを駆動することにより、ノズル７１Ａ～７３ＡからウエハＷ上への処理流体の供給位置をウエハＷ半径方向に移動させることができる。 Next, the processing fluid supply units 7A and 7B will be described with reference to FIGS. 1, 2 and 4. The processing fluid supply unit 7A includes a chemical liquid nozzle 71A for discharging a chemical liquid (HF in this example), a rinse nozzle 72A for discharging a rinse liquid (DIW (pure water) in this example), and a drying gas (N in this example). It has a gas nozzle 73A that discharges ₂ gas). The chemical solution nozzle 71A, the rinse nozzle 72A and the gas nozzle 73A are attached to a common nozzle holder 74A. The nozzle holder 74A is attached to a linear actuator 75A, for example, a cylinder motor, which is attached to a support 58 (see FIG. 3) that supports the cover member 5. By driving the linear actuator 75A, the supply position of the processing fluid from the nozzles 71A to 73A onto the wafer W can be moved in the radial direction of the wafer W.

図２及び図４（ａ）に示すように、ノズル７１Ａ～７３Ａは、カバー部材５の内周面に形成された凹所５６Ａに収容されている。各ノズル７１Ａ～７３Ａは、図４（ｂ）において矢印Ａで示すように、斜め下方に向けて、かつ、矢印Ａで示す吐出方向がウエハの正回転方向Ｒｗの成分を持つように処理流体を吐出する。これにより、処理流体が液体である場合に生じうるミスト（処理液がウエハＷに衝突することに起因して生じるミスト）の発生を抑制することができる。各ノズル７１Ａ～７３Ａには、各々に接続された図示しない処理流体供給機構から上記の処理流体が供給される。各処理流体供給機構はそれぞれ、タンク等の処理流体の供給源と、処理流体供給源からノズルに処理流体を供給する管路と、管路に設けられ開閉弁、流量調整弁等の流れ制御デバイスにより構成することができる。 As shown in FIGS. 2 and 4A, the nozzles 71A to 73A are housed in the recess 56A formed on the inner peripheral surface of the cover member 5. As shown by the arrow A in FIG. 4B, the nozzles 71A to 73A are directed diagonally downward, and the processing fluid is applied so that the ejection direction indicated by the arrow A has a component of the forward rotation direction Rw of the wafer. Discharge. As a result, it is possible to suppress the generation of mist (mist generated due to the collision of the processing liquid with the wafer W) that may occur when the processing fluid is a liquid. The above-mentioned processing fluid is supplied to each of the nozzles 71A to 73A from a processing fluid supply mechanism (not shown) connected to each nozzle. Each processing fluid supply mechanism has a processing fluid supply source such as a tank, a pipeline for supplying the processing fluid from the processing fluid supply source to the nozzle, and a flow control device such as an on-off valve and a flow rate adjusting valve provided in the pipeline. Can be configured by

処理流体供給部７Ｂは、処理流体供給部７Ａと実質的に同一の構成要素、すなわち、薬液ノズル７１Ｂと、リンスノズル７２Ｂと、ガスノズル７３Ｂと、ノズルホルダ７４Ｂとを有する。ノズル７１Ｂ～７３Ｂは、カバー部材５の内周面に形成された凹所５６Ｂに収容されている。ノズルホルダ７４Ｂは、ノズルホルダ７４Ａと同様に、リニアアクチュエータ７５Ｂにより、ウエハ半径方向に移動させることができる。ウエハＷの円周方向に関するノズル７１Ｂ～７３Ｂの並び順は、ノズル７１Ａ～７３Ａと逆である。また、各ノズル７１Ｂ～７３Ｂからは、吐出方向がウエハの逆回転方向の成分を持つように処理流体が吐出される。つまり、概略的に述べると、処理流体供給部７Ｂは、処理流体供給部７Ａを概ね鏡像反転した構成を有している。本実施形態では、薬液ノズル７１Ａから酸性の薬液が供給され、薬液ノズル７１Ｂからはアルカリ性の薬液が供給される。 The processing fluid supply unit 7B has substantially the same components as the processing fluid supply unit 7A, that is, a chemical solution nozzle 71B, a rinse nozzle 72B, a gas nozzle 73B, and a nozzle holder 74B. The nozzles 71B to 73B are housed in a recess 56B formed on the inner peripheral surface of the cover member 5. Similar to the nozzle holder 74A, the nozzle holder 74B can be moved in the wafer radial direction by the linear actuator 75B. The arrangement order of the nozzles 71B to 73B with respect to the circumferential direction of the wafer W is opposite to that of the nozzles 71A to 73A. Further, the processing fluid is discharged from each of the nozzles 71B to 73B so that the discharge direction has a component in the reverse rotation direction of the wafer. That is, roughly speaking, the processing fluid supply unit 7B has a configuration in which the processing fluid supply unit 7A is substantially mirror-inverted. In the present embodiment, the acidic chemical solution is supplied from the chemical solution nozzle 71A, and the alkaline chemical solution is supplied from the chemical solution nozzle 71B.

また、図３に示すように、カップ体２の内周側部分２１において、ガス吐出口２１３のさらに外側には、複数の（図では１つだけ表示されている）処理液吐出口２２が円周方向に関して異なる位置に形成されている。各処理液吐出口２２は、ウエハＷの下面周縁部に向けて、ウエハＷの外方に向けてかつ斜め上向きに処理液を吐出する。複数の処理液吐出口２２のうちの少なくとも一つからは、薬液ノズル７１Ａから吐出される薬液と同じ薬液を吐出することができる。少なくとも他の一つの処理液吐出口２２からは、薬液ノズル７１Ｂから吐出される薬液と同じ薬液を吐出することができる。少なくとも他の一つの処理液吐出口２２からは、リンスノズル７２Ａ，７２Ｂから吐出されるリンス液と同じリンス液を吐出することができる。各処理液吐出口２２には、各ノズル７１Ａ，７１Ｂ，７２Ａ，７２Ｂと同様の図示しない処理流体供給機構が接続されている。 Further, as shown in FIG. 3, in the inner peripheral side portion 21 of the cup body 2, a plurality of processing liquid discharge ports 22 (only one is shown in the figure) are circular on the outer side of the gas discharge port 213. It is formed at different positions in the circumferential direction. Each processing liquid discharge port 22 discharges the processing liquid toward the lower peripheral edge portion of the wafer W toward the outside of the wafer W and diagonally upward. The same chemical solution as the chemical solution discharged from the chemical solution nozzle 71A can be discharged from at least one of the plurality of processing liquid discharge ports 22. The same chemical solution as that discharged from the chemical solution nozzle 71B can be discharged from at least one other processing liquid discharge port 22. The same rinse liquid as the rinse liquid discharged from the rinse nozzles 72A and 72B can be discharged from at least one other treatment liquid discharge port 22. A processing fluid supply mechanism (not shown) similar to each nozzle 71A, 71B, 72A, 72B is connected to each processing liquid discharge port 22.

図１に概略的に示すように、液処理装置１は、その全体の動作を統括制御するコントローラ（制御部）８を有している。コントローラ８は、液処理装置１の全ての機能部品（例えば、回転駆動機構４６、昇降機構６、真空ポンプ４２、各種処理流体供給機構等）の動作を制御する。コントローラ８は、ハードウエアとして例えば汎用コンピュータと、ソフトウエアとして当該コンピュータを動作させるためのプログラム（装置制御プログラムおよび処理レシピ等）とにより実現することができる。ソフトウエアは、コンピュータに固定的に設けられたハードディスクドライブ等の記憶媒体に格納されるか、あるいはＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の着脱可能にコンピュータにセットされる記憶媒体に格納される。このような記憶媒体が図１において参照符号８１で示されている。プロセッサ８２は必要に応じて図示しないユーザーインターフェースからの指示等に基づいて所定の処理レシピを記憶媒体８１から呼び出して実行させ、これによってコントローラ８制御の下で液処理装置１の各機能部品が動作して所定の処理が行われる。 As schematically shown in FIG. 1, the liquid treatment apparatus 1 has a controller (control unit) 8 that controls the overall operation thereof. The controller 8 controls the operation of all the functional parts of the liquid processing device 1 (for example, the rotation drive mechanism 46, the elevating mechanism 6, the vacuum pump 42, various processing fluid supply mechanisms, etc.). The controller 8 can be realized by, for example, a general-purpose computer as hardware and a program (device control program, processing recipe, etc.) for operating the computer as software. The software is stored in a storage medium such as a hard disk drive fixedly provided in the computer, or stored in a removable storage medium such as a CD-ROM, a DVD, or a flash memory. Such a storage medium is indicated by reference numeral 81 in FIG. The processor 82 calls a predetermined processing recipe from the storage medium 81 and executes it based on an instruction from a user interface (not shown) as needed, whereby each functional component of the liquid processing device 1 operates under the control of the controller 8. Then, a predetermined process is performed.

次に、上記コントローラ８の制御の下で行われる液処理装置１の動作について説明する。 Next, the operation of the liquid processing apparatus 1 performed under the control of the controller 8 will be described.

［ウエハ搬入及び保持］
まず、昇降機構６によりカバー部材５を退避位置（図１より上方の位置であって、ガイド支柱６２の上端付近の位置）に位置させるとともに、カップ昇降機構のリフタ６５によりカップ体２を下降させる。次いで、ハウジング１１のシャッター１２を開いて図示しない外部のウエハ搬送機構の搬送アーム（図示せず）をハウジング１１内に進入させ、搬送アームにより保持されたウエハＷをウエハ保持部３の真上に位置させる。次いで、搬送アームをウエハ保持部３の上面より低い位置まで降下させて、ウエハＷをウエハ保持部３の上面に載置する。次いで、ウエハ保持部３によりウエハを吸着する。その後、空の搬送アームをハウジング１１内から退出させる。次いで、カップ体２を上昇させ図１に示す位置に戻すとともに、カバー部材５を図１に示す処理位置まで降下させる。以上の手順により、ウエハＷの搬入及びウエハ保持部３によるウエハＷの保持が完了し、図１に示す状態となる（以上、図６のステップＳ１）。 [Wafer loading and holding]
First, the cover member 5 is positioned at the retracted position (the position above FIG. 1 and near the upper end of the guide column 62) by the elevating mechanism 6, and the cup body 2 is lowered by the lifter 65 of the cup elevating mechanism. .. Next, the shutter 12 of the housing 11 is opened to allow a transfer arm (not shown) of an external wafer transfer mechanism (not shown) to enter the housing 11, and the wafer W held by the transfer arm is placed directly above the wafer holding portion 3. Position it. Next, the transfer arm is lowered to a position lower than the upper surface of the wafer holding portion 3, and the wafer W is placed on the upper surface of the wafer holding portion 3. Next, the wafer is adsorbed by the wafer holding unit 3. After that, the empty transfer arm is retracted from the inside of the housing 11. Next, the cup body 2 is raised and returned to the position shown in FIG. 1, and the cover member 5 is lowered to the processing position shown in FIG. By the above procedure, the loading of the wafer W and the holding of the wafer W by the wafer holding unit 3 are completed, and the state shown in FIG. 1 is reached (the above is step S1 in FIG. 6).

［酸性薬液を用いた第１薬液処理］
次に、ウエハに対する第１薬液処理が行われる。ウエハＷを所定速度（例えば１５００～２５００ｒｐｍの間の適当な回転速度）で反時計回り方向に回転させ（図６のステップＳ２）、また、カップ体２のガス吐出口２１２、２１３からホットＮ_２ガスを吐出させて、ウエハＷ、特に被処理領域であるウエハＷ周縁部を薬液処理に適した温度（例えば６０℃～８０℃の間の適当な温度）まで加熱する。なお、ウエハＷの加熱を必要としない薬液処理を行う場合には、ヒーター２１６を動作させずに常温のＮ_２ガスを吐出してもよい。ウエハＷが十分に加熱されたら、ウエハＷを回転させたままで薬液ノズル７１Ａから酸性の薬液（例えばフッ酸）をウエハＷの上面（デバイス形成面）の周縁部に供給し、ウエハ上面周縁部にある不要な膜を除去する。同時に、薬液用の処理液吐出口２２から薬液ノズル７１Ａから供給される薬液と同じ薬液をウエハＷの下面周縁部に供給し、ウエハ下面周縁部にある不要な膜を除去する。ウエハＷの上下面に供給された薬液は遠心力により外方に拡がりながら流れ、除去された物質と一緒にウエハＷの外方に流出し、カップ体２により回収される。なお、薬液処理を行っている際に、必要に応じてリニアアクチュエータ７５Ａを駆動して薬液を吐出している薬液ノズル７１ＡをウエハＷ半径方向に往復移動させることにより、処理の均一性を向上させることができる（以上、図６のステップＳ３）。 [First chemical treatment with acidic chemicals]
Next, the first chemical solution treatment on the wafer is performed. The wafer W is rotated counterclockwise at a predetermined speed (for example, an appropriate rotation speed between 1500 and 2500 rpm) (step S2 in FIG. 6), and hot N ₂ is obtained from the gas discharge ports 212 and 213 of the cup body 2. The gas is discharged to heat the wafer W, particularly the peripheral portion of the wafer W, which is the area to be processed, to a temperature suitable for chemical treatment (for example, an appropriate temperature between 60 ° C. and 80 ° C.). When the chemical liquid treatment that does not require heating of the wafer W is performed, N ₂ gas at room temperature may be discharged without operating the heater 216. When the wafer W is sufficiently heated, an acidic chemical solution (for example, hydrofluoric acid) is supplied from the chemical solution nozzle 71A to the peripheral edge of the upper surface (device forming surface) of the wafer W while the wafer W is rotated, and is supplied to the peripheral edge of the upper surface of the wafer. Remove some unwanted membranes. At the same time, the same chemical solution as that supplied from the chemical solution nozzle 71A is supplied from the chemical solution discharge port 22 to the lower peripheral edge portion of the wafer W, and an unnecessary film on the lower surface peripheral edge portion of the wafer is removed. The chemical solution supplied to the upper and lower surfaces of the wafer W flows while spreading outward due to centrifugal force, flows out to the outside of the wafer W together with the removed substance, and is recovered by the cup body 2. When the chemical liquid treatment is being performed, the linear actuator 75A is driven to reciprocate the chemical liquid nozzle 71A for discharging the chemical liquid in the wafer W radial direction to improve the uniformity of the treatment. (The above is step S3 in FIG. 6).

［第１リンス処理］
所定時間薬液処理を行った後、引き続きウエハＷの反時計回り方向の回転（回転速度は変更してもよい）およびガス吐出口２１２、２１３からのホットＮ_２ガスの吐出を継続し、薬液ノズル７１Ａおよび薬液用の処理液吐出口２２からの薬液の吐出を停止して、リンスノズル７２Ａおよびリンス液用の処理液吐出口２２からリンス液（ＤＩＷ）をウエハＷの周縁部に供給し、リンス処理を行う。このリンス処理により、ウエハＷの上下面に残存する薬液および反応生成物等が洗い流される。ウエハＷが冷えることを防止する観点から、第１リンス処理で用いるリンス液は、ホットＤＩＷ（加熱されたＤＩＷ）であることが好ましい（以上、図６のステップＳ４）。 [First rinse treatment]
After the chemical treatment for a predetermined time, the wafer W is continuously rotated in the counterclockwise direction (the rotation speed may be changed) and the hot _N2 gas is continuously discharged from the gas discharge ports 212 and 213, and the chemical liquid nozzle is used. The discharge of the chemical liquid from the 71A and the treatment liquid discharge port 22 for the chemical liquid is stopped, and the rinse liquid (DIW) is supplied to the peripheral edge of the wafer W from the rinse nozzle 72A and the treatment liquid discharge port 22 for the rinse liquid to rinse. Perform processing. By this rinsing treatment, the chemical solution, the reaction product, and the like remaining on the upper and lower surfaces of the wafer W are washed away. From the viewpoint of preventing the wafer W from cooling, the rinsing liquid used in the first rinsing treatment is preferably hot DIW (heated DIW) (above, step S4 in FIG. 6).

［アルカリ性薬液を用いた第２薬液処理］
次に、ウエハに対する第２薬液処理が行われる。まず、ウエハＷの回転方向を逆にして、ウエハＷを所定速度（例えば１５００～２５００ｒｐｍの間の適当な回転速度）で時計回り方向に回転させる。ウエハＷの回転方向を切り替えるときに、ウエハＷの回転が一時的に停止することに注意されたい（以上、図６のステップＳ５）。引き続きカップ体２のガス吐出口２１２、２１３からホットＮ_２ガスを吐出させ、薬液ノズル７１Ｂからアルカリ性の薬液（例えばＳＣ１）をウエハＷの上面（デバイス形成面）の周縁部に供給し、ウエハ上面周縁部にある汚染物質を除去する。同時に、薬液用の処理液吐出口２２から薬液ノズル７１Ｂから供給される薬液と同じ薬液をウエハＷの下面周縁部に供給し、ウエハ下面周縁部にある汚染物質を除去する。この第２薬液処理を行うときにも、第１薬液処理を行うときと同様に、薬液ノズル７１ＢをウエハＷ半径方向に往復移動させることが好ましい（以上、図６のステップＳ６）。 [Second chemical treatment using alkaline chemicals]
Next, a second chemical treatment on the wafer is performed. First, the rotation direction of the wafer W is reversed, and the wafer W is rotated clockwise at a predetermined speed (for example, an appropriate rotation speed between 1500 and 2500 rpm). Note that the rotation of the wafer W is temporarily stopped when the rotation direction of the wafer W is switched (above, step S5 in FIG. 6). Subsequently, hot _N2 gas is discharged from the gas discharge ports 212 and 213 of the cup body 2, and an alkaline chemical solution (for example, SC1) is supplied from the chemical solution nozzle 71B to the peripheral edge of the upper surface (device forming surface) of the wafer W to supply the upper surface of the wafer. Remove contaminants on the periphery. At the same time, the same chemical solution as that supplied from the chemical solution nozzle 71B is supplied from the chemical solution discharge port 22 to the lower peripheral edge portion of the wafer W, and the contaminants on the lower surface peripheral edge portion of the wafer are removed. When performing the second chemical solution treatment, it is preferable to reciprocate the chemical solution nozzle 71B in the radial direction of the wafer W as in the case of performing the first chemical solution treatment (above, step S6 in FIG. 6).

［第２リンス処理］
所定時間薬液処理を行った後、引き続きウエハＷの時計回り方向の回転（回転速度は変更してもよい）およびガス吐出口２１２、２１３からのＮ_２ガスの吐出を継続し、薬液ノズル７１Ｂおよび薬液用の処理液吐出口２２からの薬液の吐出を停止して、リンスノズル７２Ｂおよびリンス液用の処理液吐出口２２からリンス液（ＤＩＷ）をウエハＷの周縁部に供給し、リンス処理を行う。このリンス処理により、ウエハＷの上下面に残存する薬液および反応生成物等が洗い流される（以上、図６のステップＳ７）。
［乾燥処理］
所定時間第２リンス処理を行った後、引き続きウエハＷの時計回り方向の回転（回転速度は増加させることが好ましい）およびガス吐出口２１２、２１３からのＮ_２ガスの吐出を継続し、リンスノズル７２およびリンス液用の処理液吐出口２２からのリンス液の吐出を停止して、ガスノズル７３Ｂから乾燥用ガス（Ｎ_２ガス）をウエハＷの周縁部に供給し、乾燥処理を行う。以上により一枚のウエハＷに対する一連の処理が終了する（以上、図６のステップＳ８）。 [Second rinse treatment]
After performing the chemical treatment for a predetermined time, the wafer W is continuously rotated in the clockwise direction (the rotation speed may be changed) and the _N2 gas is continuously discharged from the gas discharge ports 212 and 213, and the chemical liquid nozzle 71B and the chemical liquid nozzle 71B are continuously discharged. The discharge of the chemical liquid from the treatment liquid discharge port 22 for the chemical liquid is stopped, and the rinse liquid (DIW) is supplied to the peripheral edge of the wafer W from the rinse nozzle 72B and the treatment liquid discharge port 22 for the rinse liquid to perform the rinse treatment. conduct. By this rinsing treatment, the chemical solution, the reaction product, and the like remaining on the upper and lower surfaces of the wafer W are washed away (above, step S7 in FIG. 6).
[Drying process]
After performing the second rinsing treatment for a predetermined time, the wafer W is continuously rotated in the clockwise direction (preferably the rotation speed is increased) and _N2 gas is continuously discharged from the gas discharge ports 212 and 213, and the rinse nozzle is used. The discharge of the rinse liquid from 72 and the treatment liquid discharge port 22 for the rinse liquid is stopped, and the drying gas ( _N2 gas) is supplied from the gas nozzle 73B to the peripheral portion of the wafer W to perform the drying treatment. As a result, a series of processes for one wafer W is completed (above, step S8 in FIG. 6).

［ウエハ解放及び搬出］
その後、カバー部材５を上昇させて退避位置に位置させるとともにカップ体２を下降させる。次いで、ハウジング１１のシャッター１２を開いて図示しない外部のウエハ搬送機構の搬送アーム（図示せず）をハウジング１１内に進入させ、空の搬送アームをウエハ保持部３に保持されたウエハＷの下方に位置させた後に上昇させ、ウエハＷの吸着を停止することによりウエハＷを解放したウエハ保持部３から搬送アームがウエハＷを受け取る。その後、ウエハを保持した搬送アームがハウジング１１内から退出する。以上により、１枚のウエハに対する液処理装置における一連の手順が終了する（以上、図６のステップＳ９）。次に処理すべきウエハＷがある場合には（図６のステップＳ１０のＹ）、次のウエハＷに対してステップＳ１からの一連のステップ（処理）を行う。 [Wafer release and unloading]
After that, the cover member 5 is raised to be positioned at the retracted position, and the cup body 2 is lowered. Next, the shutter 12 of the housing 11 is opened to allow a transfer arm (not shown) of an external wafer transfer mechanism (not shown) to enter the housing 11, and an empty transfer arm is placed below the wafer W held by the wafer holding portion 3. The transfer arm receives the wafer W from the wafer holding unit 3 that has released the wafer W by raising the wafer W after being positioned at the wafer W and stopping the adsorption of the wafer W. After that, the transport arm holding the wafer exits from the inside of the housing 11. As described above, a series of procedures in the liquid processing apparatus for one wafer is completed (above, step S9 in FIG. 6). If there is a wafer W to be processed next (Y in step S10 in FIG. 6), a series of steps (processing) from step S1 are performed on the next wafer W.

［除電器の動作］
液処理装置１の通常運転中は、清浄空気導入ユニット１４は常時動作している。また、前述したように、液処理装置１の通常運転中には、排気路２４５を介してカップ体２の内部空間が常時吸引され、内側の凹部２４２内の圧力がカップ体２の外側のハウジング１１内の圧力よりも低く維持されている。従って、液処理装置１の通常運転中は、カップ体２の上方からガス（通常は清浄空気）がカップ体２の排気流路２７に流入している。 [Operation of static eliminator]
During the normal operation of the liquid treatment device 1, the clean air introduction unit 14 is always in operation. Further, as described above, during the normal operation of the liquid treatment device 1, the internal space of the cup body 2 is constantly sucked through the exhaust passage 245, and the pressure inside the inner recess 242 is applied to the outer housing of the cup body 2. It is kept below the pressure in 11. Therefore, during the normal operation of the liquid treatment device 1, gas (usually clean air) flows into the exhaust flow path 27 of the cup body 2 from above the cup body 2.

ウエハＷがウエハ保持部３に保持されており、かつ、カバー部材５が処理位置にあるときには、前述した隙間Ｇ（ウエハＷの上面とカバー部材５の下面との間の隙間）を通って、ガス（清浄空気）がカップ体２の内部に流入する（図５の矢印Ｆ１を参照）。また、ウエハＷが回転しているときには、ウエハＷの上面の近傍にある清浄空気が、ウエハＷの回転の影響を受けてウエハＷの上面の近傍を通ってウエハＷの外方に向かって流れ、カップ体２の排気流路２７に流入する（図５の矢印Ｆ２を参照）。 When the wafer W is held by the wafer holding portion 3 and the cover member 5 is in the processing position, the wafer W passes through the above-mentioned gap G (the gap between the upper surface of the wafer W and the lower surface of the cover member 5). Gas (clean air) flows into the inside of the cup body 2 (see arrow F1 in FIG. 5). Further, when the wafer W is rotating, clean air in the vicinity of the upper surface of the wafer W flows toward the outside of the wafer W through the vicinity of the upper surface of the wafer W under the influence of the rotation of the wafer W. , Flows into the exhaust flow path 27 of the cup body 2 (see arrow F2 in FIG. 5).

上述したウエハＷの上面側のガスの流れに加えて、ウエハＷの下面側には、ガス吐出口２１２，２１３からウエハＷの下面に沿ってウエハＷの外方に向けて流れた後に排気流路２７に流入するＮ_２ガスの流れが形成されている。 In addition to the gas flow on the upper surface side of the wafer W described above, the exhaust flow flows from the gas discharge ports 212 and 213 toward the outside of the wafer W along the lower surface of the wafer W on the lower surface side of the wafer W. A flow of _N2 gas flowing into the road 27 is formed.

第１薬液処理、第１リンス処理、第２薬液処理及び第２リンス処理を実行しているときには、ノズル（７１Ａ，７１Ｂ，７２Ａ，７２Ｂ）から吐出された液体（薬液またはリンス液）ミスト（図５で参照符号９９を付けた）が生じ、主にウエハＷの上面の周縁部の上方の空間内を漂う。このミストは、細径のノズルから液体が吐出されるときに、あるいはノズルから吐出された液体がウエハの上面の周縁部に衝突して跳ね返ることにより生じる。 Liquid (chemical solution or rinse solution) mist discharged from nozzles (71A, 71B, 72A, 72B) during the first chemical solution treatment, the first rinse treatment, the second chemical solution treatment, and the second rinse treatment (FIG. A reference numeral 99 is attached in 5), and the wafer W floats mainly in the space above the peripheral edge of the upper surface of the wafer W. This mist is generated when the liquid is ejected from the nozzle having a small diameter, or when the liquid ejected from the nozzle collides with the peripheral edge of the upper surface of the wafer and bounces off.

ウエハＷ上面側には上述した清浄空気の流れが形成されているため、浮遊しているミストは、ウエハＷの上面に付着し難い。 Since the above-mentioned clean air flow is formed on the upper surface side of the wafer W, the floating mist is unlikely to adhere to the upper surface of the wafer W.

しかし、ウエハＷの上面側に上述したガスの流れの全て形成されていないときには、浮遊しているミストがウエハＷの上面に付着し易い状況が生じる。 However, when all of the above-mentioned gas flows are not formed on the upper surface side of the wafer W, a situation occurs in which floating mist easily adheres to the upper surface of the wafer W.

具体的には、例えば、ウエハＷの回転が停止しているときには、ウエハＷの上面の近傍を通ってウエハＷの外方に向かって流れるガスの流れ（図５の矢印Ｆ２で示す流れ）が無くなるため、ミストがウエハＷの上面に付着し易くなる。例えば、前述したように、第１リンス処理から第２薬液処理に移行するときに、ウエハＷの回転が一時的に停止する。このときには、ウエハＷの上面の周縁部の近傍に比較的多くのミストが浮遊している。このミストの殆どはリンス液（ＤＩＷ）のミストである。ＤＩＷは導電性が無いため、ノズルから吐出されるまでの間に、リンス液通路の壁面との摩擦により帯電しやすく、また、ウエハＷに衝突したときにも摩擦により帯電しやすい。このように帯電したミストは、ミストと逆電位に帯電しやすいウエハＷの上面（処理液が供給されるウエハＷの周縁部だけでなく、周縁部よりも内側の部分つまり半導体デバイスが形成されている部分）に引き寄せられてそこに付着しやすい傾向にある。 Specifically, for example, when the rotation of the wafer W is stopped, the flow of gas flowing toward the outside of the wafer W through the vicinity of the upper surface of the wafer W (flow indicated by the arrow F2 in FIG. 5) flows. Since it disappears, mist easily adheres to the upper surface of the wafer W. For example, as described above, the rotation of the wafer W is temporarily stopped when shifting from the first rinsing treatment to the second chemical liquid treatment. At this time, a relatively large amount of mist is suspended in the vicinity of the peripheral edge of the upper surface of the wafer W. Most of this mist is a rinse liquid (DIW) mist. Since the DIW has no conductivity, it is easily charged by friction with the wall surface of the rinse liquid passage until it is discharged from the nozzle, and is easily charged by friction even when it collides with the wafer W. The mist charged in this way forms the upper surface of the wafer W that is easily charged to the opposite potential to the mist (not only the peripheral portion of the wafer W to which the processing liquid is supplied, but also the inner portion of the peripheral portion, that is, the semiconductor device). It tends to be attracted to (the part where it is) and easily adhere to it.

上記問題を解決するため、本実施形態では、第１リンス処理から第２薬液処理へ移行するときにウエハＷの回転を逆転させる時点よりもやや前の時点から、除電器９０から除電用のイオンを吐出する。このイオンは、清浄空気導入ユニット１４から隙間Ｇを通って、カップ体２内の排気流路２７に流入する清浄空気の流れに乗って流れる。このときに、イオンは、ウエハＷの上面の周縁部の近傍の空間内を浮遊しているミストに接触し、また、ウエハＷの上面の周縁部近傍に接触し、ミスト（負に帯電し易い）及びウエハＷ（正に帯電し易い）を除電する。これにより、静電気力によりミストがウエハＷの上面に付着することを防止または大幅に抑制することができる。つまり、除電されたミストは、ウエハＷに引きつけられることなく、隙間Ｇを通る清浄空気の流れと一緒にカップ体２の排気流路２７に流入する。 In order to solve the above problem, in the present embodiment, ions for static elimination from the static eliminator 90 are performed from a time slightly before the time when the rotation of the wafer W is reversed when shifting from the first rinsing treatment to the second chemical liquid treatment. Is discharged. This ion flows from the clean air introduction unit 14 through the gap G and rides on the flow of clean air flowing into the exhaust flow path 27 in the cup body 2. At this time, the ions come into contact with the mist floating in the space near the peripheral edge of the upper surface of the wafer W, and also come into contact with the vicinity of the peripheral edge of the upper surface of the wafer W, and the mist (prone to be negatively charged). ) And the wafer W (which is easily charged positively) are statically eliminated. As a result, it is possible to prevent or significantly suppress the mist from adhering to the upper surface of the wafer W due to the electrostatic force. That is, the statically eliminated mist flows into the exhaust flow path 27 of the cup body 2 together with the flow of clean air passing through the gap G without being attracted to the wafer W.

また、上記乾燥処理の終了後（ウエハＷの回転の停止後）から、ウエハＷの搬出が行われるまでの間も、ウエハＷが回転しておらず、また、乾燥処理時にウエハＷから飛散したリンス液（ＤＩＷ）のミストがウエハＷの周縁部近傍の空間内を浮遊している。このため、ミストがウエハＷの上面に付着しやすい状況にある。従って、このときも、除電器９０から除電用のイオンを吐出することが好ましい。具体的には、乾燥処理終了時のウエハＷの回転が停止するやや前の時点から、ウエハＷの搬出が完了するまでの間、除電器９０から除電用のイオンを吐出することが好ましい。 Further, the wafer W did not rotate from the end of the drying process (after the rotation of the wafer W was stopped) until the wafer W was carried out, and was scattered from the wafer W during the drying process. The mist of the rinse liquid (DIW) is floating in the space near the peripheral edge of the wafer W. Therefore, the mist tends to adhere to the upper surface of the wafer W. Therefore, also at this time, it is preferable to discharge the static elimination ions from the static eliminator 90. Specifically, it is preferable to discharge the static elimination ions from the static eliminator 90 from a time slightly before the rotation of the wafer W at the end of the drying process stops until the wafer W is completely carried out.

なお、ある一枚のウエハＷ（第１ウエハＷ）の処理が終了して当該ウエハＷが液処理装置１から搬出された後、次に処理すべき別のウエハＷ（第２ウエハＷ）が液処理装置１のハウジング１１内に搬入される。第２ウエハＷが搬入されるとき、液処理装置１内には、第１ウエハＷの処理の時に生成されたミストが未だに浮遊している場合もあり、これが第２ウエハＷに付着するおそれがある。従って、このときも、除電器９０から除電用のイオンを吐出することが好ましい。具体的には第２ウエハＷが液処理装置１内に搬入されたときから、ウエハＷの回転が開始するやや後の時点まで、除電器９０から除電用のイオンを吐出することが好ましい。 After the processing of one wafer W (first wafer W) is completed and the wafer W is carried out from the liquid processing apparatus 1, another wafer W (second wafer W) to be processed next is transferred. It is carried into the housing 11 of the liquid treatment device 1. When the second wafer W is carried in, the mist generated during the processing of the first wafer W may still be floating in the liquid processing apparatus 1, and this may adhere to the second wafer W. be. Therefore, also at this time, it is preferable to discharge the static elimination ions from the static eliminator 90. Specifically, it is preferable to discharge the static elimination ions from the static eliminator 90 from the time when the second wafer W is carried into the liquid treatment device 1 to a time slightly after the rotation of the wafer W starts.

ウエハＷの搬出時及び搬入時には、図示しない搬送アームとウエハ保持部３との間でウエハＷの受け渡しが可能となるように、カバー部材５がウエハ保持部３（またはウエハＷ）から上方に離れた退避位置に位置する。この場合にも、清浄空気導入ユニット１４からカバー部材５の中央開口を通ってカップ体２に流入する清浄空気に乗ってイオンが流れ、ウエハＷの上面の近傍を通過するため、ミスト及びウエハＷの除電を行うことができる。 When the wafer W is carried out and carried in, the cover member 5 is separated upward from the wafer holding portion 3 (or the wafer W) so that the wafer W can be transferred between the transfer arm (not shown) and the wafer holding portion 3. It is located in the retracted position. Also in this case, ions flow from the clean air introduction unit 14 on the clean air flowing into the cup body 2 through the central opening of the cover member 5 and pass near the upper surface of the wafer W, so that the mist and the wafer W It is possible to eliminate static electricity.

除電器９０は、上述した期間以外の期間にも動作させておいても構わない。例えば、液処理装置１の運転中は常時除電気を動作させておいてもよい。 The static eliminator 90 may be operated for a period other than the above-mentioned period. For example, the electricity removal may be always operated during the operation of the liquid treatment device 1.

この液処理装置に１により実施される液処理は、上記のものに限定されるものではない。例えば、薬液は上述したＨＦ及びＳＣ－２に限らず、公知の任意の薬液であってもよい。また、ウエハＷに供給される薬液は一種類でも構わない。この場合も、ウエハＷの上面にミストが付着しやすいとき（例えば乾燥工程の終了時から次のウエハＷが搬入するまでの間）に、除電器８０を動作させればよい。また、処理対象の基板は、半導体ウエハに限らず、周縁部の洗浄が必要な各種の円形基板、例えばガラス基板、セラミック基板等であってもよい。 The liquid treatment carried out by 1 in this liquid treatment apparatus is not limited to the above. For example, the chemical solution is not limited to the above-mentioned HF and SC-2, and may be any known chemical solution. Further, only one kind of chemical solution may be supplied to the wafer W. In this case as well, the static eliminator 80 may be operated when mist is likely to adhere to the upper surface of the wafer W (for example, from the end of the drying step to the delivery of the next wafer W). Further, the substrate to be processed is not limited to the semiconductor wafer, and may be various circular substrates that require cleaning of the peripheral portion, for example, a glass substrate, a ceramic substrate, or the like.

Ｗ基板（半導体ウエハ）
Ｇ隙間
１４清浄ガス供給部
２カップ体
２４５カップ体の排気口
２４７カップ体の排気口
３，４４，４５，４６基板保持回転部
５カバー部材
５１カバー部材の内周面
５２カバー部材の下面
６カバー部材の移動機構
７Ａ，７Ｂ処理液供給部
７１Ａ，７１Ｂ処理液ノズル（薬液ノズル）
７２Ａ，７２Ｂ処理液ノズル（リンスノズル）
８制御部
９０除電器
９５除電器の吐出口 W substrate (semiconductor wafer)
G Gap 14 Clean gas supply part 2 Cup body 245 Cup body exhaust port 247 Cup body exhaust port 3,44,45,46 Board holding rotating part 5 Cover member 51 Inner peripheral surface of cover member 52 Lower surface of cover member 6 Cover Member movement mechanism 7A, 7B Treatment liquid supply unit 71A, 71B Treatment liquid nozzle (chemical liquid nozzle)
72A, 72B Treatment liquid nozzle (rinse nozzle)
8 Control unit 90 Static eliminator 95 Discharge port of static eliminator

Claims

The board holding and rotating part that holds and rotates the board,
A processing liquid supply unit that supplies the processing liquid to the peripheral portion of the substrate held by the substrate holding rotating unit, and a processing liquid supply unit.
A static eliminator that supplies ions derived from gas molecules to the space around the substrate to eliminate mist of the charged treatment liquid floating in the space.
A cup body that surrounds the substrate held by the substrate holding and rotating portion and collects the processing liquid that is held by the substrate holding and rotating portion and that scatters outward from the rotating substrate, and the substrate can pass through. With a cup body that has an upper opening,
Equipped with
The static eliminator is a substrate processing apparatus having a plurality of ion ejection ports arranged at intervals along the circumferential direction of the upper opening in the vicinity of the peripheral edge of the upper opening .

An exhaust port for sucking the internal space of the cup body and
A ring-shaped cover member having a lower surface and an inner peripheral surface,
A moving mechanism for moving the cover member between the processing position and the retracting position,
Further prepare
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the cover member has the plurality of ion ejection ports of the static eliminator.

When the cover member is in the processing position, the cover member covers the peripheral edge of the upper surface of the substrate held by the substrate holding rotating portion, and when the cover member is in the processing position, the cover member is said. The central portion of the upper surface of the substrate, which is radially inside the peripheral edge of the upper surface of the substrate, is exposed without being covered by the cover member.
The lower surface of the cover member forms a gap between the lower surface of the cover member and the peripheral edge of the upper surface of the substrate held by the substrate holding rotating portion, and when the internal space of the cup body is exhausted, the cup body is said to have a gap. The gas above the internal space is introduced from the space surrounded by the inner peripheral surface of the cover member into the internal space of the cup body through the gap.
The substrate processing apparatus according to claim 2 , wherein the inner peripheral surface of the cover member has the plurality of ion ejection ports of the static eliminator.

The substrate processing apparatus according to claim 2 or 3 , wherein when the cover member is in the retracted position, the cover member is located above the substrate farther from the substrate than the processing position.

A clean gas supply unit that supplies clean gas from a position higher than the substrate held by the substrate holding rotating portion is further provided, and the gas supplied from the clean gas supply unit is sucked through the exhaust port. The substrate processing apparatus according to any one of claims 2 to 4 , which is sucked into the internal space of the cup body.

Further comprising a control unit for controlling the operation of the static eliminator, the control unit is when the substrate is in the substrate processing apparatus and at least the substrate is not rotated by the substrate holding rotating unit. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5 , which operates the static eliminator.