JP2006276356A - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 明るい表示が可能になると共に、歩留まりの低下を防止し、コントラストを維持することのできる液晶装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 画素間領域１０に照射される光が反射部１４により一度バックライト４１側に反射され、反射板１５により画素領域７へと反射されるので、本来であれば表示に寄与しない光を再利用して表示に寄与させることができる。これにより、明るい表示が可能になる。また、本発明では、配線基板２及びカラーフィルタ基板３の間に偏光板を設ける等の光学設計上の困難が無く、反射部１４及び反射板１５を設けるだけで済む。このため製造が容易になり、歩留まりの低下を防止することができる。
【選択図】 図５

Description

本発明は、液晶装置及び電子機器に関する。

ＩＰＳ（In Plane Switching）型の液晶装置は、ＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶装置に比べて高い視野角を実現できる液晶装置として注目されている。ＩＰＳ型の液晶装置は、液晶を挟持するように対向配置された一対の基板のうち、一方の基板に共通電極と画素電極とが設けられており、当該共通電極と画素電極との間に横電界を発生させる構成となっている。この画素電極は例えばアルミニウム等の金属から形成されており、例えばバックライトからの光が当該画素電極で反射されるため、ＴＮ型の液晶装置に比べて開口率が低くなり、表示画像が暗くなるといったことが指摘されている。

これに対して、一対の基板の間に偏光板を設ける手法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。バックライトからの光が画素電極で反射されても偏光板により再度反射されるので、光を再利用することができ、光を再利用することで輝度が向上し、開口率の低下を補うことができるようになっている。
特開２００１−２０１７６７号公報

しかしながら、特許文献１に記載の手法のように一対の基板の間に偏光板を設けることは、光学設計上非常に困難を極めるものであるため、歩留まりが低くなってしまう。また、一対の基板の間に偏光板を設けた場合、偏光度が低くなってしまうため、コントラストが悪くなってしまう。
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、明るい表示が可能になると共に、歩留まりの低下を防止し、コントラストを維持することのできる液晶装置及び電子機器を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の主たる観点に係る液晶装置は、液晶材料を挟持して対向配置された一対の基板と、前記一対の基板のうち一方の基板の外側に設けられ、前記一方の基板へ向けて光を射出する照明装置と、前記一方の基板にマトリクス状に複数形成される画素領域のそれぞれに設けられ、横電界を発生させる電極と、前記一対の基板のうちいずれかの基板において少なくとも前記画素領域の間の領域に設けられ、前記照明装置から出射された光を前記照明装置に向けて反射する第１反射部と、前記照明装置に設けられ、前記第１反射部で反射された光を前記画素領域へ向けて反射する第２反射部とを具備することを特徴とする。
ここで、上記一方の基板のうち液晶材料を挟持する基板面の側を「内側」とし、当該液晶材料と反対の側を「外側」とする。

一般に、照明装置から射出される光のうち、画素領域に照射される光は表示に寄与し、画素領域の間に照射される光は例えば電極によって反射されたり基板の内側で吸収されたりして表示には寄与しない。本発明では、画素領域の間の領域に照射される光が第１反射部により一度照明装置側に反射され、第２反射部により画素領域へ反射されるので、本来であれば表示に寄与しない光を再利用して表示に寄与させることができる。これにより、明るい表示が可能になる。また、本発明では、一対の基板の間に偏光板を設ける等の光学設計上の困難が無く、第１反射部及び第２反射部を設けるだけで済む。このため製造が容易になり、歩留まりの低下を防止することができる。また、第１反射部が設けられるのは画素領域の間の領域であり、画素領域に入射する光を遮ることが無いため、画素領域に入射した光の透過性、偏光性には何ら悪影響を及ぼすことが無い。従って、表示のコントラストを維持することが可能となる。

また、前記第１反射部が、前記画素領域の周縁部に更に設けられていることが好ましい。
ＩＰＳ型液晶装置においては、一般に、画素領域の周縁部は光透過率が低く、照射される光のうち表示に寄与する光の割合が低い。本発明では、このような画素領域の周縁部にまで第１反射部を拡張して設けることにより、光透過率が低い部分に照射される光を反射し、当該反射した光を再利用することができるので、光の利用効率を高めることができる。

また、前記電極の一部が前記画素領域に設けられており、前記画素領域のうち前記電極の一部が設けられた領域に、前記第１反射部が更に設けられていることが好ましい。
ＩＰＳ型液晶装置においては、画素領域内に電極の一部が設けられていることがある。このような場合、当該電極の一部により光吸収や光反射が起こり、光の損失が生じるため、照射される光のうち表示に寄与する光の割合が低くなる。本発明では、画素領域のうち電極の一部が設けられる領域にまで第１反射部を拡張して設けることにより、当該画素領域内の電極部分に照射される光を再利用することができるので、光の利用効率を高めることができる。

また、前記画素領域のうち前記電極の一部が設けられる領域の近傍の領域に、前記第１反射部が更に設けられていることが好ましい。
画素領域内に電極の一部が設けられているＩＰＳ型液晶装置においては、画素領域のうち電極の一部が設けられる領域の近傍の領域の光透過率が低いため、照射される光のうち表示に寄与する光の割合が低い。本発明では、このような領域にまで第１反射部を拡張して設けることにより、光透過率が低い部分に照射される光を反射し、当該反射した光を再利用することができるので、光の利用効率を高めることができる。

また、前記第１反射部が、金属により形成されていることが好ましい。
金属は光反射率が高いため、第１反射部に照射される光の大部分を再利用することが可能となる。金属としては、例えば光反射率の極めて高いアルミニウム等が好適に用いられる。しかもアルミニウムは安価であるため、低コストで液晶装置を製造することができるという利点がある。

また、前記第１反射部が、誘電体多層膜により形成されていることが好ましい。
誘電体多層膜は金属に比べて導電性が極めて低く、自身から電界を発生することが無いため、液晶装置の駆動時に発生する横電界に悪影響を及ぼすのを防ぐことができる。したがって、画素領域の周縁部や画素領域のうち電極の一部が設けられた領域の近傍の領域等、横電界が形成される部分に第１反射部が設けられる構成を採用する場合には、本発明は特に有効である。

本発明の別の観点に係る電子機器は、上記の液晶装置を搭載したことを特徴とする。
本発明では、明るい表示が可能になると共に、歩留まりの低下を防止し、コントラストを維持することのできる液晶装置を搭載したので、表示特性の高い安価な電子機器を得ることができる。

（第１実施形態）
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。
図１は、本実施形態に係る液晶装置１の構成を示す斜視図である。
同図に示すように、液晶装置１は、液晶パネル４０と、バックライト４１とを主体として構成されている。本実施形態では、パッシブ型の液晶装置を例に挙げて説明する。また、本実施形態の液晶装置１としては、バックライト４１からの光を透過させる透過型の液晶装置を例に挙げて説明する。

液晶パネル４０は、配線基板２とカラーフィルタ基板３とがシール材２６を介して貼り合わされ、当該配線基板２とカラーフィルタ基板３とシール材２６との間に液晶６が挟持された構成になっている。シール材２６は開口部２６ａを有しており、当該開口部２６ａが封止材６２により封止されている。配線基板２の外側（液晶６とは反対側）の表面には偏光板３０が貼り付けられており、カラーフィルタ基板３の外側の表面には偏光板３１が貼り付けられている。

バックライト４１は、液晶パネル４０へ光を照射する照明装置である。当該バックライト４１は、液晶パネル４０の外部であって、例えば配線基板２側に設けられている。バックライト４１のうち液晶パネル４０と反対側の表面には、反射板（第２反射部）１５が設けられている。当該反射板１５は、光を液晶パネル４０の方向へ反射することができるようになっている。

図２は、カラーフィルタ基板３の構成を示す平面図である。
同図に示すように、カラーフィルタ基板３は、例えばガラスやプラスチック等の透明な材料によって形成された矩形の基板である。カラーフィルタ基板３上には遮光層１３が設けられており、遮光層１３で囲まれた領域（画素）に対応して赤色層１６Ｒ、緑色層１６Ｇ、青色層１６Ｂを有するカラーフィルタ１６が設けられている。
また、カラーフィルタ１６を覆うようにオーバーコート層（図示せず）が形成され、オーバーコート層上には配向膜（図示せず）が形成されている。当該配向膜は、例えばポリイミド等からなり、表面がラビング処理された水平配向膜である。

図３は、配線基板２の構成を示す平面図である。
同図に示すように、配線基板２は、例えばガラスや石英等の透明な材料により形成された矩形の基板である。表示領域２ａは、画像や動画等が表示される領域であり、当該表示領域２ａには、走査電極８と、信号電極９とが交差するように設けられている。

走査電極８は、図３中のＸ方向に延在する配線であり、例えばタンタル等の金属により形成されている。信号電極９は、図３中のＹ方向に延在する配線であり、例えばクロム等の金属により形成されている。また、当該走査電極８及び信号電極９により画素領域７が区画されている。当該画素領域７は、カラーフィルタ基板３のカラーフィルタ１６（図２参照）が設けられる領域に平面的に重なるようになっている。また、周縁部２ｂは、カラーフィルタ基板３と対向させたときに張り出している部分（張出部分、図１参照）であり、駆動回路や配線、外部（例えば電源等）に接続するための電極等が形成されている。

図４は、配線基板２の一部を拡大して示す図である。
配線基板２には、走査電極８及び信号電極９の他、反射部（第１反射部）１４とが設けられている。
反射部１４は、各画素領域７の間の領域（画素間領域）１０を覆うように設けられており、例えば光反射率の高いアルミニウム等の金属によって形成されている。当該反射部１４は、図示しない配線等によって特定の電位に接地されており、液晶装置１の駆動時に当該反射部１４からは電界が生じないようになっている。

図５は、液晶装置１の断面の構成を示す図である。同図を参照して、液晶装置１の駆動時の動作を説明する。
液晶装置１を駆動すると、走査電極８と信号電極９との間に横電界Ｅが発生する。当該横電界Ｅによって画素領域７の液晶の配向状態が制御され、これによりここを通過する光の偏光状態も制御される。バックライト４１から射出された光Ｌ１は、偏光板３０を透過し、配線基板２の画素領域７へと入射する。配線基板２の画素領域７に入射した光Ｌ１は、液晶６、カラーフィルタ１６及びカラーフィルタ基板３を透過し、当該カラーフィルタ基板３から液晶装置１の外部に射出される。カラーフィルタ基板３から射出された光Ｌ１が、偏光板３１を通過するが、この時に光の偏光状態に応じて各表示領域毎の透過率が変りこれによって画像や動画として認識されることになる。

一方、バックライト４１から射出された光Ｌ２は、偏光板３０を透過し、配線基板２の画素間領域１０へと入射する。この光Ｌ２は配線基板２の画素間領域１０に入射し、配線基板２を透過するが、画素間領域１０に設けられた反射部１４によって反射される。反射された光Ｌ２は、配線基板２を逆方向に透過し、反射板１５によって反射され、再び液晶パネル４０側に向けて進む。この光Ｌ２が配線基板２の画素領域７に入射した場合、上述した光Ｌ１と同様にカラーフィルタ基板３から射出され、画像や動画として認識されることになる。また、光Ｌ２が再び配線基板２の画素間領域１０に入射した場合、反射部１４により反射され、反射板１５により反射される。つまり、光Ｌ２は、反射部１４及び反射板１５により反射が繰り返され、結局は配線基板２の画素領域７に入射することになる。

このように、本実施形態では、画素間領域１０に照射される光が反射部１４により一度バックライト４１側に反射され、反射板１５により画素領域７へと反射されるので、本来であれば表示に寄与しない光を再利用して表示に寄与させることができる。これにより、明るい表示が可能になる。また、本発明では、配線基板２及びカラーフィルタ基板３の間に偏光板を設ける等の光学設計上の困難が無く、反射部１４及び反射板１５を設けるだけで済む。このため製造が容易になり、歩留まりの低下を防止することができる。また、反射部１４が設けられるのは画素間領域１０であり、画素領域７に入射する光を遮ることが無いため、画素領域７に入射した光の透過性、偏光性には何ら悪影響を及ぼすことが無い。従って、表示のコントラストを維持することが可能となる。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態を説明する。以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。また、本実施形態では、反射部（第１反射部）の構成が第１実施形態とは異なるため、かかる点を中心に説明する。
図６は液晶装置１０１の配線基板１０２における表示領域の一部を拡大して示す図であり、第１実施形態における図４に対応している。図７は、液晶装置１０１の断面の構成を示す図であり、第１実施形態における図５に対応している。

図７に示すように、液晶装置１０１は、液晶パネル１４０と、バックライト１４１とを主体として構成されている。本実施形態では、第１実施形態と同様、パッシブ型の液晶装置を例に挙げて説明する。また、本実施形態の液晶装置１０１としては、バックライト１４１からの光を透過させる透過型の液晶装置を例に挙げて説明する。

液晶パネル１４０は、配線基板１０２とカラーフィルタ基板１０３とが対向して設けられており、当該配線基板１０２とカラーフィルタ基板１０３との間には液晶１０６が挟持された構成になっている。配線基板１０２の外側（液晶１０６とは反対側）の表面には偏光板１３０が貼り付けられており、カラーフィルタ基板１０３の外側の表面には偏光板１３１が貼り付けられている。

バックライト１４１は、液晶パネル１４０へ光を照射する照明装置であり、例えば配線基板１０２の外側に設けられている。バックライト１４１のうち液晶パネル１４０側の表面には、反射板（第２反射部）１１５が設けられている。当該反射板１１５は、第１実施形態と同様、光を液晶パネル１４０の方向へ反射することができるようになっている。
カラーフィルタ基板１０３の主たる構成は、第１実施形態におけるカラーフィルタ基板３とほぼ同様である。カラーフィルタ基板１０３上には遮光層１１３が設けられており、遮光層１１３で囲まれた領域（画素）に対応してカラーフィルタ１６が設けられている。

配線基板１０２の表示領域には、図６に示すように、走査電極１０８と、信号電極１０９とが交差するように設けられている。また、走査電極１０８及び信号電極１０９により画素領域１０７と画素間領域１１０とに区画されている。画素領域１０７の中央には、画素間領域１１０から跨るように走査電極１０８が設けられている。当該画素領域１０７は、カラーフィルタ基板１０３のカラーフィルタ１１６が設けられる領域に平面的に重なるようになっている。

反射部（第１反射部）１１４は、例えばＴｉＯ_２とＳｉＯ_２とを複数組交互に積層した誘電体多層膜によって形成されており（誘電体ミラー）、画素間領域１１０、当該画素間領域１１０の周縁部１１８及び走査電極１０８の近傍１１９を覆うように設けられている。各画素領域１０７には、反射部１１４で囲まれた２つの光透過領域（以下、「透過部」という。）１１７が形成されている。

次に、液晶装置１０１の駆動時の動作を説明する。
液晶装置１０１を駆動すると、走査電極１０８と信号電極１０９との間に横電界Ｅが発生する。当該横電界Ｅによって画素領域１０７の液晶が配向され、光が透過可能になる。バックライト１４１から射出された光Ｌ３は、偏光板１３０を透過し、配線基板１０２へと入射する。図７に示すように、光Ｌ３が例えば画素領域１０７の周縁部１１８（図７中、「Ｐ」で示す部位）に照射された場合、当該周縁部１１８に設けられた反射部１１４によって反射される。反射された光Ｌ３は、配線基板１０２を逆方向に透過し、反射板１１５によって反射され、再び液晶パネル１４０側に向けて進む。この光Ｌ３が配線基板１０２の画素領域１０７（図７中、「Ｑ」で示す部位）に照射された場合、液晶１０６、カラーフィルタ１１６及びカラーフィルタ基板１０３を透過し、当該カラーフィルタ基板１０３から液晶装置１０１の外部に射出される。カラーフィルタ基板１０３から射出された光Ｌ３が偏光板３１を通過し、画像や動画として認識されることになる。

図８は、各画素領域１０７の光透過率（配線基板１０２から入射した光がカラーフィルタ基板１０３から射出される割合）について表したグラフである。縦軸は光透過率を表しており、横軸は図７のＸ方向における位置を表している。なお、説明の便宜上、縮尺は実際のものと異なるようにしている。

画素領域１０７の光透過率は、透光部１１７において最も高く、ａ（最大）からｂ（最小）という範囲の値になっている。逆に言えば、画素領域１０７のうち例えば光透過率がｂ以上となるような部分を「透光部」とすることができる。一方で、周縁部１１８及び走査電極１０８近傍においては、信号電極１０９及び走査電極１０８に近づくにつれて光透過率がｂより段々低くなっている。逆に言えば、画素領域１０７のうち光透過率がｂ未満となるような部分を「周縁部」あるいは「画素電極の近傍」とすることができる。

光透過率ａについては、配線基板１０２、液晶１０６、カラーフィルタ１１６及びカラーフィルタ基板１０３等の光透過率により決定される値である。また、光透過率ｂについては、適宜設定することができる。ｂの値を大きく設定すれば、透光部１１７の範囲が広くなり、周縁部１１８及び走査電極１０８の近傍の範囲が狭くなる。逆に、ｂの値を小さく設定すれば、透光部１１７の範囲が狭くなり、周縁部１１８及び走査電極１０８の近傍の範囲が広くなる。

液晶装置１０１に反射部１１４を設けない場合、例えば駆動時に光Ｌ３が入射した画素領域１０７のＰ部分の光透過率はｃであり、反射板１１５で反射された光Ｌ３が入射した画素領域１０７のＱ部分の光透過率はｄである。反射部１１４を設けない場合、Ｐ部分から画素領域１０７に入射した光Ｌ３のうち、（１−ｃ）の光が吸収あるいは反射されてしまい、ｃの光しか表示に寄与しないことになる。一方、反射部１１４を設けた上記の例では、光Ｌ３は、Ｐ部分で反射部１１４により反射され、反射板１１５により再度反射された結果、光透過率がｄのＱ部分から入射することになる。（１−ｄ）の光の吸収あるいは反射、また、反射部１１４及び反射板１１５での光の損失を考慮しても、Ｐ部分から入射する場合に比べて、高い割合で表示に寄与することになる。

ＩＰＳ型液晶装置においては、一般に、画素領域の周縁部や、画素領域のうち画素電極が設けられる領域の近傍においては光透過率が低いため、照射される光のうち表示に寄与する光の割合が低い。
これに対して、本実施形態では、このような画素領域１０７の周縁部１１８及び走査電極１０８の近傍１１９にまで反射部１１４を拡張して設けることにより、光透過率が低い部分に照射される光を反射し、当該反射した光を再利用することができるので、光の利用効率を高めることができる。

なお、画素電極においても光吸収や光反射が起こり、光の損失が生じるため、照射される光のうち表示に寄与する光の割合が低くなる。これに対して、本実施形態では、走査電極１０８の一部が設けられた画素領域１０７においても反射部１１４を設けるようにしている。このような領域にまで反射部１１４を拡張して設けることにより、光を再利用することができ、光の利用効率を高めることができる。

また、本実施形態では、反射部１１４として誘電体ミラーを用いている。誘電体は金属に比べては導電性が極めて低く、自身から電界を発生することが無いため、液晶装置１０１の駆動時に発生する横電界Ｅに悪影響を及ぼすのを防ぐことができる。したがって、画素領域１０７の周縁部１１８や走査電極１０８の近傍の領域１１９等、横電界Ｅが形成される部分に反射部１１４が設けられる本実施形態のような構成を採用する場合には、特に有効である。

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態を説明する。以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。また、本実施形態では、スイッチング素子として薄膜ダイオード（ＴＦＤ）を用いたアクティブマトリクス型の液晶装置２０１を例にあげて説明する点、上記各実施形態とは異なっている。本実施形態で図示しない部位（例えば、カラーフィルタ基板やバックライト、反射板等）については、第１実施形態とほぼ同様の構成であるものとする。

図９は、液晶装置２０１におけるアクティブマトリクス基板２０２の一部の構成を示す平面図である。
同図に示すように、アクティブマトリクス基板２０２には、走査電極２０８と、信号電極２０９と、第１の画素電極２１１と、スイッチング素子２２０と、第２の画素電極２１２とが設けられており、走査電極２０８、信号電極２０９、第１の画素電極２１１及び第２の画素電極２１２によって区切られた画素領域２０７が形成されている。走査電極２０８と信号電極２０９とは、ほぼ直交するように設けられている。走査電極２０８は、例えばクロムやアルミニウム等の金属により形成されている。信号電極２０９は、例えばタンタル等の金属により形成されている。信号電極２０９の表面は絶縁層で覆われている。絶縁層は、信号電極２０９を構成する例えばタンタル等の酸化物で構成されている。

各第１の画素電極２１１は、例えばクロムやアルミニウム等の金属により形成されており、スイッチング素子２２０に電気的に接続されている。各スイッチング素子２２０は、例えば薄膜ダイオード（ＴＦＤ）等の素子により構成されており、ダイオードの一方が第１の画素電極２１１に接続され、他方が走査電極２０８に接続されている。

各第２の画素電極２１２は、例えばタンタル等の金属により形成され、信号電極２０９に接続されており、信号電極２０９との接続部分から画素領域２０７の周縁部に沿うように形成されている。第２の画素電極２１２の表面は、絶縁層で覆われている。絶縁層は、第２の画素電極２１２を構成する例えばタンタル等の酸化層により構成されている。

第１の画素電極２１１と第２の画素電極２１２とは、絶縁層を介して対向して設けられており、保持容量２２１を形成している。また、第２の画素電極２１２には、信号電極を介して例えばいわゆるＬＣコモン電位と呼ばれる電位（第１の画素電極２１１により液晶に印加される交流電圧の中心電位）が共通に印加されるようになっており、各第１の画素電極２１１との間で横電界が発生するようになっている。

画素電極２１１と共通電極２１２とは、絶縁層を介して対向して設けられており、保持容量２２１を形成している。また、共通電極２１２には、信号電極を介して例えばいわゆるＬＣコモン電位と呼ばれる電位（画素電極２１１により液晶に印加される交流電圧の中心電位）が共通に印加されるようになっており、各画素電極２１１との間で横電界が発生するようになっている。

各画素領域２０７の間の領域（画素間領域２１０）には、当該画素間領域２１０を覆うように反射部２１４が設けられている。反射部２１４は、例えばアルミニウム等の光反射率が高い金属や、誘電体ミラー等により形成されている。なお、画素領域２０７は、図示しないカラーフィルタ基板のカラーフィルタが設けられる領域に平面的に重なるようになっている。

本実施形態では、画素間領域２１０に照射される光が反射部２１４により一度バックライト側に反射され、バックライトに設けられた反射板により画素領域２０７へ反射されるので、本来であれば表示に寄与しない光を再利用して表示に寄与させることができる。これにより、明るい表示が可能になる。また、反射部２１４及び反射板を設けるだけで済むので製造が容易になり、歩留まりの低下を防止することができる。さらに、反射部２１４が設けられるのは画素間領域２１０であり、画素領域２０７に入射する光を遮ることは無いため、画素領域２０７に入射した光の透過性、偏光性には何ら悪影響を及ぼすことが無い。従って、表示のコントラストを維持することが可能となる。このように、ＴＦＤを用いたアクティブマトリクス型の液晶装置２０１にも本発明を適用することが可能である。

（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態を説明する。以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。また、本実施形態では、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型の液晶装置３０１を例にあげて説明する点、上記各実施形態とは異なっている。本実施形態で図示しない部位（例えば、カラーフィルタ基板やバックライト、反射板等）については、第１実施形態とほぼ同様の構成であるものとする。

図１０は、液晶装置３０１におけるアクティブマトリクス基板３０２の一部の構成を示す平面図である。
同図に示すように、アクティブマトリクス基板３０２には、ゲート電極３０８と、ソース電極３０９と、第１の画素電極３１１と、半導体層３２０と、第２の画素電極３１２とが設けられている。ゲート電極３０８、ソース電極３０９、第１の画素電極３１１及び第２の画素電極３１２によって区切られた画素領域３０７が形成されている。ゲート電極３０８とソース電極３０９とは、ほぼ直交するように設けられている。ゲート電極３０８は、例えばアルミニウム等の金属により形成されており、半導体層３２０を横切るように設けられている。ソース電極３０９は、例えばアルミニウム等の金属により形成されている。

各第１の画素電極３１１は、例えばアルミニウム等の金属により形成されており、半導体層３２０のドレイン側に電気的に接続されている。各半導体層３２０は、例えば多結晶シリコン等により構成されたトランジスタ（ＴＦＴ）素子であり、トランジスタのドレイン側が第１の画素電極３１１に接続され、ソース側がソース電極３０９に接続されている。

各第２の画素電極３１２は、例えばアルミニウム等の金属により形成されており、画素領域３０７の周縁部に沿うように形成されている。第２の画素電極３１２の表面は、例えば絶縁層で覆われている。絶縁層は、第２の画素電極３１２を構成する例えばタンタル等の酸化層により構成されている。第２の画素電極３１２と第１の画素電極３１１との間には、横電界が発生するようになっている。

各画素領域３０７の間の領域（画素間領域３１０）には、当該画素間領域３１０を覆うように反射部３１４が設けられている。反射部３１４は、例えばアルミニウム等の光反射率が高い金属や、誘電体ミラー等により形成されている。なお、画素領域３０７は、図示しないカラーフィルタ基板のカラーフィルタが設けられる領域に平面的に重なるようになっている。

本実施形態では、画素間領域３１０に照射される光が反射部３１４により一度バックライト側に反射され、バックライトに設けられた反射板により画素領域３０７へ反射されるので、本来であれば表示に寄与しない光を再利用して表示に寄与させることができる。これにより、明るい表示が可能になる。また、反射部３１４及び反射板を設けるだけで済むので製造が容易になり、歩留まりの低下を防止することができる。さらに、反射部３１４が設けられるのは画素間領域３１０であり、画素領域３０７に入射する光を遮ることは無いため、画素領域３０７に入射した光の透過性、偏光性には何ら悪影響を及ぼすことが無い。従って、表示のコントラストを維持することが可能となる。このように、ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液晶装置３０１にも本発明を適用することが可能である。

（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器について、携帯電話を例にあげて説明する。
図１１は、携帯電話４００の全体構成を示す斜視図である。
携帯電話４００は、筺体４０１、複数の操作ボタンが設けられた操作部４０２、画像や動画、文字等を表示する表示部４０３を有する。表示部４０３には、本発明に係る液晶装置１、１０１、２０１、３０１が搭載される。
本発明では、明るい表示が可能になると共に、歩留まりの低下を防止し、コントラストを維持することのできる液晶装置１、１０１、２０１、３０１を搭載したので、表示特性の高い安価な電子機器を得ることができる。

本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。

例えば、図１２に示すように、ＴＦＤを用いたアクティブマトリクス型の液晶装置２０１において、反射部２１４が、例えば光反射率の高い誘電体によって形成されており（誘電体ミラー）、画素間領域２１０、当該画素間領域２１０の周縁部２１８及び第１の画素電極２１１の近傍２１９を覆うように設けられる構成にし、各画素領域２０７に、反射部２１４で囲まれた２つの透過部２１７が形成される構成にしても良い。

また、図１３に示すように、ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液晶装置３０１において、反射部３１４が、例えば光反射率の高い誘電体によって形成されており（誘電体ミラー）、画素間領域３１０、当該画素間領域３１０の周縁部３１８及び第１の画素電極３１１の近傍３１９を覆うように設けられる構成にし、各画素領域３０７に、反射部３１４で囲まれた２つの透過部３１７が形成される構成にしても良い。更に、例えば図１の偏光板３０、３１は位相差板等の他の光学素子との組み合わせであっても良い。

本発明の第１実施形態に係る液晶装置の構成を示す斜視図である。 液晶装置のカラーフィルタ基板の構成を示す平面図である。 液晶装置の配線基板の構成を示す平面図である。 配線基板の一部の構成を示す平面図である。 液晶装置の断面構成を示す断面図である。 本発明の第２実施形態に係る液晶装置の一部の構成を示す平面図である。 本実施形態に係る液晶装置の断面構成を示す断面図である。 画素領域の光透過率を示す図である。 本発明の第３実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図である。 本発明の第４実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図である。 本発明に係る電子機器の構成を示す斜視図である。 本発明に係る液晶装置の他の構成を示す平面図（その１）である。 本発明に係る液晶装置の他の構成を示す平面図（その２）である。

符号の説明

１、１０１、２０１、３０１…液晶装置 ２、１０２…配線基板 ７、１０７、２０７、３０７…画素領域 １０、１１０、２１０、３１０…画素間領域 １１、１１１、２１１、３１１…第１の画素電極 １４、１１４、２１４、３１４…反射部 １８、１１８、２１８、３１８…周縁部 １９、１１９、２１９、３１９…近傍 １５、１１５…反射板 ４１、１４１…バックライト ２０２、３０２…アクティブマトリクス基板 ４００…携帯電話

Claims (7)

1. 液晶材料を挟持して対向配置された一対の基板と、
   前記一対の基板のうち一方の基板の外側に設けられ、前記一方の基板へ向けて光を射出する照明装置と、
   前記一方の基板にマトリクス状に複数形成される画素領域のそれぞれに設けられ、横電界を発生させる電極と、
   前記一対の基板のうちいずれかの基板において少なくとも前記画素領域の間の領域に設けられ、前記照明装置から出射された光を前記照明装置に向けて反射する第１反射部と、
   前記照明装置に設けられ、前記第１反射部で反射された光を前記画素領域へ向けて反射する第２反射部と
   を具備することを特徴とする液晶装置。
2. 前記第１反射部が、前記画素領域の周縁部に更に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記電極の一部が前記画素領域に設けられており、
   前記画素領域のうち前記電極の一部が設けられた領域に、前記第１反射部が更に設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の液晶装置。
4. 前記画素領域のうち前記電極の一部が設けられる領域の近傍の領域に、前記第１反射部が更に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
5. 前記第１反射部が、金属により形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちいずれか一項に記載の液晶装置。
6. 前記第１反射部が、誘電体多層膜により形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちいずれか一項に記載の液晶装置。
7. 請求項１乃至請求項６のうちいずれか一項に記載の液晶装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
   

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