JP2006269450A - レーザによる成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真空チャンバ1内に基板2を取り付け、真空チャンバ1の外部から真空チャンバ1の窓4を通して、高出力半導体レーザ光9を直接照射または均熱板を介して基板2に照射して加熱し、基板2上に膜を形成する成膜装置において、基板2に照射するレーザ光9をデフォーカス光とし、基板2から漏れたレーザ光を吸収するために、真空チャンバ1内で基板2の背後に水冷ヒートシンク11を設けたことを特徴とする。上記ヒートシンク11は基板2のサイズと同等以上の穴を有している。
【選択図】図1
Description
2 基板
3 基板載置部
4 プロセスウインドウ
5 マスフロー
6 排気ポンプ
7 圧力制御バルブ
8 連続発振高出力半導体レーザ発振器
9 レーザ光(デフォーカス光)
10 光学レンズ部
11 ヒートシンク板
12 赤外線透過窓
13 放射温度計
Claims (3)
- 真空チャンバ内に基板を取り付け、真空チャンバの外部から真空チャンバの窓を通して、高出力半導体レーザ光を基板に直接照射して基板を加熱し、基板上に膜を形成する成膜装置において、基板に照射するレーザ光をデフォーカス光とし、基板から漏れたレーザ光を吸収するために、真空チャンバ内で基板の背後に水冷ヒートシンクを設けたことを特徴とするレーザによる成膜装置。
- 真空チャンバ内に基板を取り付け、真空チャンバの外部から真空チャンバの窓を通して、高出力半導体レーザ光を均熱板を介して基板に照射して加熱し、基板上に膜を形成する成膜装置において、基板に照射するレーザ光をデフォーカス光とし、基板から漏れたレーザ光を吸収するために、真空チャンバ内で基板の背後に水冷ヒートシンクを設けたことを特徴とする請求項1記載のレーザによる成膜装置。
- 上記ヒートシンクが基板サイズと同等以上の穴を有していることを特徴とする請求項1または2記載のレーザによる成膜装置。
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