JP2006267466A - 位相シフトマスクとその位相差測定方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 位相差測定用パターンの占有面積を小さくし、位相シフトマスクの転写領域に複数の位相差測定用パターンを配置して、パターン精度を向上させる。
【解決手段】
光学的に転写されるパターンが、シフター部1と非シフター部2とが交互に配置され、位相差測定用パターン100を含む位相シフトマスクにおいて、該位相差測定用パターン100が転写領域内に複数配置されているように構成する。
【選択図】 図1
【解決手段】
光学的に転写されるパターンが、シフター部1と非シフター部2とが交互に配置され、位相差測定用パターン100を含む位相シフトマスクにおいて、該位相差測定用パターン100が転写領域内に複数配置されているように構成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、位相シフトマスクとその位相差測定方法とに係わり、特にマスクの転写領域内に配置する位相差測定用パターンの構成に関する。
近年、半導体装置の高集積化や大チップ化に伴い、マスク・レチクルも微細で、かつ高精度な加工を必要とするようになってきている。それに対応して、通常のリソグラフィーのパターニング精度の限界を超える手段の一つとして、位相シフトマスクがある。
位相シフトマスクの構成や製造方法に対しては、いろいろな方式が提案されている。例えば、エッジ強調方式は、遮光膜パターンの周辺に位相シフタを配置した構成になっている。ここで位相シフタとは、露光した光が透過した時に位相が反転する透明膜のことで、パターンコントラストを向上させることができる(例えば、特許文献1参照)。
ハーフトーン方式は、遮光膜自体に透光性を持たせ、しかも位相が反転する機能を持たせることによって、位相シフタと同等な効果が得られる膜とする。この膜に対して、エッジ強調的な機能をもたせた方式である。エッジ強調方式よりも構成が簡単であり、実用化されている。
レベンソン方式は、繰り返しパターンの透光部に交互に位相シフタを配置し、位相シフタの配置部と未配置部との透過光同士の干渉によって、分離解像度を向上させる方式である。
現在の位相シフトマスクの主流は、ハーフトーン方式とレベンソン方式の二方式であるが、本発明は、レベンソン方式の位相シフトマスクの位相差測定パターン及び測定方法に関する。
図5、図6、図7は、レベンソン方式のマスクの製造工程を示したもので、3図を通してアルファベットで連番になっている。
図5(A)はマスクブランク301の構成を示している。多くの場合、石英基板6の上に、例えば、クロムなどの金属膜あるいは金属酸化物膜からなる遮光膜、ここではクロム膜3が被着された構成になっている。さらに、クロム膜3の上に第1のレジスト膜71を被着した構成になっている。
図5(B)の工程において、マスクブランク301に対して、電子線あるいはレーザービームによって第1のレジスト膜71にパターンを描画し、そのあと現像を行なって第1のレジストパターン711を得る。
次いで、図5(C)の工程において、第1のレジストパターン711をマスクにして、クロム膜3をドライエッチングあるいはウェットエッチングによってエッチングし、クロムパターン33を得る。近年では、高精度なパターンを得るために、電子線による描画とドライエッチングによるエッチングが主流となっている。
図5(D)の工程において、第1のレジストパターン711を除去し、クロムパターン33が形成される。ここで、クロムパターン33の検査を行う。
図5(E)の工程においては、クロムパターン33の検査のために、再び、クロムパターン33の上に第2のレジスト膜72を形成し、さらに、チャージアップ防止のため第2のレジスト膜72の上に導電性膜8を形成する。ここで、次の描画工程を電子線を使わずにレーザービームで行う場合は、導電性膜8は不要である。
図6(F)の描画工程においては、クロムパターン33の上に位相反転パターンを形成する透光部の部位のみに石英基板6が露出するように電子線によるオーバーレイ描画を行う。そして、描画された導電性膜8を除去し、第2のレジスト膜72の現像を行って第2のレジストパターン721を得る。
次いで、図6(G)の工程で、第2のレジストパターン721をマスクにして露出している石英基板6をドライエッチングを行い、ウェーハプロセスにおける露光波長およびシフタ−アンダーカット量によって決まる所望の深さまでエッチングを行うと石英段差パターン61が形成される。
ここで、石英段差パターン61を形成するためのエッチングの深さは、図示してない反射型位相差測定装置でモニタする。反射型位相差測定装置とは、基板裏面からの反射光で位相差を測定する装置で、レジストパターンがついた状態で位相差を測定する装置のことであるが、保証装置ではない。
次いで、図6(H)の工程で、第2のレジストパターン721を除去し、石英段差パターン61のエッチング量を図示してない透過型位相差測定装置で測定する。
次いで、図6(I)において、再び、第3のレジスト膜73および導電性膜8を形成する。
次いで、図6(J)において、図6(F)と同様の工程を経て、第3のレジストパターン731を得る。
次いで、図7(K)の工程で、第3のレジストパターン731をマスクにして、ウェーハプロセスにおける露光波長およびシフタ−アンダーカット量により決まる所望の深さまで反射型位相差測定装置により位相差をモニタしながらエッチングを行う。このエッチングは、フッ酸によるウェットエッチングで行い、石英段差パターン71の側壁にアンダーカット9を形成する。
図7(L)において、第3のレジストパターン731を除去し、レベンソン方式の位相シフトマスク200を得る。ここで、石英基板6をエッチングしてない透光パターンをシフタ−部1、石英基板6をエッチングして位相反転機能を持たせた透光パターンを非シフタ−部2と呼ぶこととする。
ところで、位相シフトマスクの位相差の保証用の測定装置であるが、現在、レーザーテック社のMPMが業界の標準装置となっている。レベンソンマスクの位相差測定パターンおよび測定方法を説明する。
図8は、従来の位相差測定パターンの説明図で、図8(A)は位相差測定用パターン100をクロム膜3の側から見た外観図、図8(B)はその断面構造を示している。
ここで、基本となる構造は、デバイスパターンと同様にレベンソン方式の構造をとっている。
すなわち、シフタ−部1と非シフタ−部2とが交互に配置されている。ただし、パターンのサイズは位相差測定装置の光学倍率や測定可能サイズの関係上数μmとされている。
また、アンダーカットは図示していないが、アンダーカット形成前後で測定への影響はパターンサイズ的に無視できる。
さらに、レーザーテック社のMPMは透過光による測定を行うが、測定原理上シヤリングと呼ばれる透過光を実像に対して、横方向へ一定距離ずらしたシヤリング像の二つに分けて、それぞれの透過光を干渉させて測定している。
図9は、従来の位相差測定用パターンによる位相差測定の説明図である。図9に基づいて、シヤリングについて説明する。
図9において、11は実像シフタ−部、12はシヤリング像シフタ−部、21は実像非シフタ−部、22はシヤリング像非シフタ−部、31は実像クロム膜、32はシヤリング像クロム膜を示す。
図9(A)は、図8の位相差測定用パターン100をMPM上で観察されるイメージで、実像とシヤリング像とが合成されたイメージを示している。図9(B)と図9(C)とは、それぞれ実像51とシヤリング像52との位置関係の断面図を模式的に示したものである。
ここで、注目すべきところは、実像の非シフター部21とシヤリング像のシフター部12、および実像のシフター部11とシヤリング像の非シフター部22の位置が一致していなければならないことである。
すなわち、位相差測定用パターン100を設計する際には、MPMのシヤリング量に合致したピッチで、実像51とシヤリング像52のそれぞれの非シフター部21、22と、シフター部10、11とを配置しなければならない。
MPMでシヤリング量を変えることは可能であるが、光学的な調整が必要であり、そのための工数もかかる。従って、シヤリング量は固定されるのが通常である。また、MPMでの測定は、シヤリング像シフタ−部12と実像非シフタ−部21との重なり部位41と、実像シフタ−部11とシヤリング像非シフタ−部22との重なり部位42との2箇所を透過した光を比較することによって、位相差を測定している。
そこで、図9(D)に示したように、重なり部位41と重なり部位42とが少なくとも1組必要になる。よって、位相差測定用パターン100は、MPMのシヤリング量に合致したピッチでシフタ−部1と非シフタ−部2とが交互に配置されたパターンが横方向に少なくとも3個必要となる。ただし、図9(A)において、シフタ−部1と非シフタ−部2とが入れ代わっていても測定上は問題ない。
なお、図9(D)において、符号43は、実像シフタ−部11とシヤリング像クロム膜32との重なり部位、44は実像クロム膜31とシヤリング像のシフタ−部12との重なり部位をそれぞれ示している。
特開平8−297357号公報
近年、デバイスの要求により、マスクパターンも高密度化、大チップ化、あるいは、複数の異なるチップを配置する要求がなされている。また、位相シフトマスクの位相差の精度も厳しくなってきており、一つのマスク内の複数配置されたチップ毎の位相差の保証も必要となってきている。
そのため、位相差測定装置の業界標準装置、例えば、レーザーテック社製MPMでの測定による位相差を保証するために、位相差測定パターンをマスク内に配置することが必要になってきている。
図8(A)で示した位相差測定用パターン100は、MPMのシヤリング量が10μmの場合、非シフタ−部2とシフタ−部1との配置ピッチは10μm、開口部の横方向のサイズは非シフタ−部2とシフタ−部1との干渉を避けるためにピッチの1/2以下が望ましい。また、測定可能領域(透過光を装置側で取り込み、測定に使用する領域のことで、0.25μmから数μmに設定可能)よりも大きいことが望ましい。さらに、縦方向のサイズは、測定可能領域よりも大きければ測定する上で特に制限はない。
ここでは、測定可能領域を0.5μ×0.5μmと設定し、横方向のサイズはピッチの1/2の5μmにしてある。縦方向のサイズはシフタ−部1と非シフタ−部2とを区別するためにサイズを変える場合があるが、ここでは同一サイズにしてある。
図10は、従来の位相差測定パターンを示している。図8(A)で示したパターンと、そのパターンを90°回転させたパターンを近傍に配置している。
図中、S3=P5=25μm、P6=P8=5μm、P7=10μmである。つまり、幅が5μmで長さが任意のパターンをシフタ−部1と非シフタ−部2を交互に並べた組と、90°回転させた組とを配置した位相差測定用パターン100で、大きな占有面積を占めている。
90°回転させたパターンを配置しているのは、MPM以外の測定装置、例えば、図6(F)と図6(G)に示した第2のレジストパターン721、および図7(K)に示した第3のレジストパターン731とが、クロムパターン33の上にある状態で、マスクの石英基板6の側からの反射光による位相差測定装置などでステージ移動可能範囲に横方向と縦方向に差があり通常方向では測定できない測定箇所を、マスクを90°回転させて測定可能とするために配置している。
実際の位相差保証領域は最大132mm×110mm程度となる。この領域内に位相差測定パターンを配置する訳である。しかし、ここで不具合となってくるのは、位相差測定パターンの占有する面積の大きさである。
図10に示した位相差測定用パターン100では、約50μm×25μmを占めているので、デバイスパターン内に複数個配置することは困難である。良くても、デバイスパターンの四隅に配置するのが限界の場合もある。
このような四隅配置では、プロセスによる位相差のばらつきをモニタすることができず、デバイスパターン内を完全に保証することができない。
もう一つの不具合は、図6(f)と図6(G)および図7(K)で示したマスクを90°回転させて測定した場合、同一箇所をMPMで測定する場合も同様に90°回転して測定しなければならず、工数の増加を伴っている。
そこで、本発明では、レベンソン方式の位相シフトマスクの位相差測定用パターンをデバイスパターンの領域内に複数配置し、デバイスパターン内で位相差をモニタしながら非シフター部を形成し、かつ、デバイスパターン内で位相差を保証するために必要な小面積化した位相差測定用パタ−ンとその測定方法を提供する。
上で述べた課題は、光学的に転写されるパターンが、シフター部と非シフター部とが交互に配置され、位相差測定用パターンを含む位相シフトマスクにおいて、該位相差測定用パターンが転写領域内に複数配置されているように構成された位相シフトマスクによって解決される。
つまり、位相シフトマスクにおいて、転写領域内に位相差測定用パターンを複数配置するようにしている。それによって、従来のような位相差測定用パターンをマスクの周縁部に配置していた位相シフトマスクに較べて、転写されるパターンの精度を確認し格段に向上させることができる。
次いで、少なくとも2×2に配置された矩形パターンで構成され、シフター部と非シフター部とが交互に配置されている位相差測定パターンを、シヤリング機能を有する透過型位相差測定装置で測定するに際して、実像の非シフター部とシヤリング像のシフター部とが重なった部位と、実像のシフター部とシヤリング像の非シフター部とが重なった部位の上下2箇所を測定するように構成された位相シフトマスクの位相差測定方法によって解決される。
つまり、位相差測定用パターンを、少なくとも2×2に配置された矩形パターンで構成し、シフター部と非シフター部とが交互に配置するようにしている。そして、シヤリング機能を有する透過型位相差測定装置を用いて測定するに際しては、実像の非シフター部とシヤリング像のシフター部とが重なった部位と、実像のシフター部とシヤリング像の非シフター部とが重なった部位の上下2箇所を測定するようにしている。
その結果、従来に較べて占有面積の小さな位相差測定用パターンによって位相シフトマスクの評価ができるので、この位相差測定用パターンを位相シフトマスクの転写領域内の複数配置し、転写されるパターンの精度を確認し格段に向上させることができる。
本発明になる位相差測定パターンによれば、従来の位相差測定パターンに比べ、占有面積を従来の1/5にすることができる。その結果、デバイスパターン内に配置できる位相差測定パターンの数を増やすことができ、デバイスパターン内での位相差のモニタが高精度で行うことができる。
従って、今後、ますます高密度化するデバイスの要求を満たす位相シフトマスクの供給が可能となる。
図1は本発明の位相差測定用パターンの説明図、図2は本発明の位相差測定用パターンを90°回転させて測定したときの説明図、図3は本発明の第一の実施例の説明図、図4は本発明の第二の実施例の説明図である。
実施例の提示に先立って、図1によって、本発明の位相差測定用パターンについて説明する。
図1は、本発明の位相差測定用パターンの説明図で、図1(A)は、位相差測定用パターン100の寸法諸元を示したものである。図10と同様に、MPMのシヤリング量が10μm、測定可能領域が0.5×0.5μmの場合の位相差測定用パターン100を示している。
ここでは、開口部の横方向寸法:S1も、縦方向寸法:S2も同一寸法で、S1=S2=5μm(ここでは、シヤリング量の1/2の5μm)である。ピッチは、横方向寸法:P1も、縦方向寸法:P2も、P1=P2=10μmで、2×2で配置している。
図1(C)は、図1(A)の4つの開口パターンの上段の2つの開口パターンの断面を示し、図1(D)は、下段の開口パターンの断面を模式的に示したものである。
この四つの開口パターンの非シフタ−部2とシフタ−部1は、図1(C)と図1(D)に示したように交互に配置している。すなわち、図1(B)のように配置している。
図1(E)は、図1(F)で示した実像51とシヤリング像52とが重なった部位を示しており、図1(F)は、2×2に配置された四つの開口パターンの上段と下段の二つの開口パターンのそれぞれの実像51とシヤリン3像52の断面図を模式的に示したものである。
ここで、MPMで位相差を測定する場合に必要とする実像シフタ−部11とシヤリング像非シフタ−部22との重なり部位41と、シヤリング像シフタ−部12と実像非シフタ−部21との重なり部位42の二つの部位が、図9に示したと同様に、部位41、42として実現しており、位相差の測定が可能なことが分かる。
図2は、図1で示した位相差測定用パターン100のマスクを90°回転してMPMで測定する場合の説明図である。位相差測定用パターン100の寸法諸元は図1と同一である。
図1と比較してみると、実像シフタ−部11とシヤリング像非シフタ−部22との重なり部位41と、シヤリング像シフタ−部22と実像非シフタ−部11との重なり部位42との位置関係が逆になっているだけである。
この結果から、本発明の位相差測定用パターン100を用いれば、一つの位相差測定用パターン100を用いて通常方向の測定も90°回転方向の測定も双方可能であることが分かる。
また、本発明の位相差測定用パターン100の占有面積は、15×15μmであるが、この値は図10で示した従来の位相差測定用パターンの1/5で、非常に小面積に抑えることができる。
〔実施例1〕
図3は、本発明の第一の実施例の説明図である。図3(A)は、第一の実施例における位相差測定用パターン100の寸法諸元を示したものである。ここでは、開口部の横方向寸法:S1も、縦方向寸法:S2も同一寸法で、S1=S2=5μm(ここでは、シヤリング量の1/2の5μm)である。ピッチは、横方向寸法:P1も、縦方向寸法:P2も、P1=P2=10μmである。
〔実施例1〕
図3は、本発明の第一の実施例の説明図である。図3(A)は、第一の実施例における位相差測定用パターン100の寸法諸元を示したものである。ここでは、開口部の横方向寸法:S1も、縦方向寸法:S2も同一寸法で、S1=S2=5μm(ここでは、シヤリング量の1/2の5μm)である。ピッチは、横方向寸法:P1も、縦方向寸法:P2も、P1=P2=10μmである。
図3(B)には、2×2で配置された矩形パターンの位相差測定用パターン100を示す。MPMのシヤリング量10μm分のピッチ、矩形パターンのサイズはシヤリング量の1/2(5μm)に構成しており、非シフタ−部2を左上と右下、シフター部1を右上と左下に配置したパターンを示す。
図3(C)は、図3(B)に示した位相差測定用パターン100の一変形パターンで、第2のシフタ−部10はシフタ−部1の矩形サイズを若干大きめ(1μm程度)にし、シフター部1と非シフター部2が一目見て判断できるようにしたものである。
図3(D)と(E)は、図3(B)、(C)のシフタ−部1と非シフタ−部2および第2のシフタ−部12とのそれぞれの配置を逆にしたものである。
なお、これらの構成は、MPMのシヤリング量、測定可能領域の設定によって如何様にも変化させることがでてきる。
〔実施例2〕
図4は、本発明の第二の実施例の説明図である。図4(A)は、第二の実施例における位相差測定用パターン100の寸法諸元を示したものである。ここでは、開口部の横方向寸法:S1も、縦方向寸法:S2も同一寸法で、S1=S2=5μm(ここでは、シヤリング量の1/3の5μm)である。ピッチは、横方向寸法:P3も、縦方向寸法:P4も、P3=P4=15μmである。
〔実施例2〕
図4は、本発明の第二の実施例の説明図である。図4(A)は、第二の実施例における位相差測定用パターン100の寸法諸元を示したものである。ここでは、開口部の横方向寸法:S1も、縦方向寸法:S2も同一寸法で、S1=S2=5μm(ここでは、シヤリング量の1/3の5μm)である。ピッチは、横方向寸法:P3も、縦方向寸法:P4も、P3=P4=15μmである。
図4(B)には、2×2で配置された矩形パターンの位相差測定用パターン100を示す。MPMのシヤリング量15μm分のピッチ、矩形パターンのサイズはシヤリング量の1/3(5μm)に構成しており、非シフタ−部2を左上と右下、シフター部1を右上と左下に配置したパターンを示す。
図4(C)は、図4(B)に示した位相差測定用パターン100の一変形パターンで、第2のシフタ−部12はシフタ−部1の矩形サイズを若干大きめ(1μm程度)にし、シフター部1と非シフター部2が一目見て判断できるようにしたものである。
図4(D)と図4(E)は、図4(B)と図4(C)のシフタ−部1と非シフタ−部2および第2のシフタ−部10とのそれぞれの配置を逆にしたものである。
なお、これらの構成は、MPMのシヤリング量、測定可能領域の設定によって如何様にも変化させることができる。
ここで、矩形で例示したシフタ−部や非シフタ−部のパターン寸法は、本発明の目的からすれば、占有面積をできるだけ小さくすることが望ましいが、一義的に決まるものではなく種々の変形が可能である。
また、位相差の測定に関しては、レーザテック社のMPMを例示したが、これに限定するものではなく、シヤリング機能を有する透過型位相差測定装置であれば種々の変形が可能である。
1 シフタ−部
11 実像シフタ−部 12 シヤリング像シフタ−部
2 非シフタ−部
21 実像非シフタ−部 22 シヤリング像非シフタ−部
3 クロム膜
31 実像クロム膜 32 シヤリング像クロム膜
41 シヤリング像シフタ−部12と実像非シフタ−部21との重なり部位
42 実像シフタ−部11とシヤリング像非シフタ−部22との重なり部位
43 実像シフタ−部11とシヤリング像クロム膜32との重なり部位
44 実像クロム膜31とシヤリング像のシフタ−部12との重なり部位
51 実像 52 シヤリング像
100 位相差測定用パターン
11 実像シフタ−部 12 シヤリング像シフタ−部
2 非シフタ−部
21 実像非シフタ−部 22 シヤリング像非シフタ−部
3 クロム膜
31 実像クロム膜 32 シヤリング像クロム膜
41 シヤリング像シフタ−部12と実像非シフタ−部21との重なり部位
42 実像シフタ−部11とシヤリング像非シフタ−部22との重なり部位
43 実像シフタ−部11とシヤリング像クロム膜32との重なり部位
44 実像クロム膜31とシヤリング像のシフタ−部12との重なり部位
51 実像 52 シヤリング像
100 位相差測定用パターン
Claims (3)
- 光学的に転写されるパターンが、シフター部と非シフター部とが交互に配置され、位相差測定用パターンを含む位相シフトマスクにおいて、
該位相差測定用パターンが転写領域内に複数配置されている
ことを特徴とする位相シフトマスク。 - 該位相差測定用パターンが、少なくとも2×2に配置された矩形パターンで構成されており、該シフター部と該非シフター部とが交互に配置されている
ことを特徴とする請求項1記載の位相シフトマスク。 - 少なくとも2×2に配置された矩形パターンで構成され、シフター部と非シフター部とが交互に配置されている位相差測定パターンを、シヤリング機能を有する透過型位相差測定装置で測定するに際して、
実像の非シフター部とシヤリング像のシフター部とが重なった部位と、実像のシフター部とシヤリング像の非シフター部とが重なった部位との上下2箇所を測定する
ことを特徴とする位相シフトマスクの位相差測定方法。
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