JP2006252851A - 高周波加熱電源装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第一の半導体スイッチング素子3および第二の半導体スイッチング素子4を駆動するためのDRIVE信号は駆動用制御IC部14にて与えられ、入力電流一定制御を行うために入力基準信号Refを用いている。この際、入力基準信号Refに対する入力電流の変化量を蓄積情報POWとして捉えて、さらにebm追従バイアス回路20内で各入力シーケンスに応じた重み付けをすべく抵抗ネットワークにて最適に定数設定して周波数変調波形をそのままにバイアスを与えてインバータ動作における周波数変調追従を行う。これにより、温度変化に伴うマグネトロン発振しきい値ebmの変化や各入力ステップにも容易に対応して高調波電流成分拡大を抑制した。
【選択図】図1
Description
図1は本発明に係わるマグネトロン駆動用のインバータ回路を示している。直流電源1、リーケージトランス2、第一の半導体スイッチング素子3、第二の半導体スイッチング素子4、第一のコンデンサ5、第二のコンデンサ6、第三のコンデンサ7、駆動用制御IC14、全波倍電圧整流回路11およびマグネトロン12とで主回路が構成されている。主回路の構成は図8と同じであるので、重複説明は省略する。
図4は上記実施の形態1にて示した方式に加えて周波数変調波形に与えるバイアス値に上限を設けた場合の回路を示している。マグネトロン温度変化により生じる発振しきい値ebmの低下で入力電流を一定に保つには動作周波数を高くする必要があり、すなわち周波数変調波形に与えるバイアスを上昇させることとなる。この際、定格+側の+20%、+30%といった異常電圧で且つ低出力(例えば600W入力)でマグネトロン温度が上昇した時を想定すると入力電流を一定に保つためにバイアス値も際限なく上昇してしまう。この場合、インバータ動作周波数としては高くなる方向でありスイッチングスピードに対する限界もあるため、最悪の場合スイッチング誤りによる破壊も懸念される。これを回避するためにバイアス値に対して上限を設けることにより、定格+側の異常電圧時のインバータ動作周波数を制限でき、スイッチング誤りによる破壊を改善した(請求項2)。
図5は上記実施の形態1にて示した方式に加えて周波数変調波形に与えるバイアス値に下限を設けた場合の回路を示している。周波数変調波形に与えるバイアスを下げれば全体的なインバータ動作周波数が下がり高出力が得られる。この際、定格−側の減電圧において高出力を得るためにはインバータ動作周波数をさらに下げなければならない。実際にはインバータ動作周波数には人間の可聴領域もあり18KHzが下限として考えられており、最低周波数制限として別途周波数変調波形に下限が与えられている。しかし、バイアス自体に下限がなければ減電圧時、最終的にはインバータ動作周波数は一定になり、商用電源のSIN波に応じた周波数変調が得られず高調波成分を多く含んだ入力電流となる恐れがある。また、インバータ部品の冷却面から見ると定格の−20%、−30%という異常電圧時の冷却性能というのは低下してきており、逆に高出力時には熱破壊の懸念もある。これらを回避するためにバイアス値に対して下限を設け、定格−側の異常電圧時には入力電流増大を防ぎ、高調波成分拡大と熱破壊を改善した(請求項3)。
図6は上記実施の形態2と実施の形態3の両方を兼ね備えた方式の回路図を示しており、バイアス値に上限と下限を設けることで電源電圧が定格より+側、−側に異常に変動した際の懸念事項を全て解決できる(請求項4)。図7は実施の形態4におけるPOW−バイアス値の特性を示すグラフである。電源電圧が+側、−側に異常に変動してPOWの設定が変化してもバイアス値は上限、下限の間しか推移できず安全である。
2 リーケージトランス
3 第一の半導体スイッチング素子
4 第二の半導体スイッチング素子
5 第一のコンデンサ
6 第二のコンデンサ
7 第三のコンデンサ
11 全波倍電圧整流回路
12 マグネトロン
14 駆動用制御IC部
15 周波数変調作成回路
16 発振回路
17 デッドタイム作成回路
18 スイッチング素子駆動回路
19 入力一定制御回路
20 ebm追従バイアス回路
Claims (4)
- 商用電源を用いて半導体スイッチング素子にて高周波スイッチング動作をさせることによりマグネトロンを駆動する高周波加熱電源装置において、前記マグネトロンの温度変化による発振しきい値ebmの低下に対する入力電流一定制御(周波数変調波形の制御)はその入力電流変化量を蓄積情報として積算していき、その情報を基にフィードバック制御され、前記周波数変調波形の制御において各入力電流基準信号により与えられるバイアスの設定値を変えられることを特徴とした高周波加熱電源装置。
- 前記バイアスには上限が設けられていることを特徴とした請求項1記載の高周波加熱電源装置。
- 前記バイアスには下限が設けられていることを特徴とした請求項1記載の高周波加熱電源装置。
- 前記バイアスには上限と下限が設けられていることを特徴とした請求項1記載の高周波加熱電源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005065262A JP2006252851A (ja) | 2005-03-09 | 2005-03-09 | 高周波加熱電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005065262A JP2006252851A (ja) | 2005-03-09 | 2005-03-09 | 高周波加熱電源装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2006252851A true JP2006252851A (ja) | 2006-09-21 |
Family
ID=37093122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005065262A Pending JP2006252851A (ja) | 2005-03-09 | 2005-03-09 | 高周波加熱電源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2006252851A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111313681A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-06-19 | 珠海格力电器股份有限公司 | Boost PFC高频等效电路的建模方法及装置 |
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2005
- 2005-03-09 JP JP2005065262A patent/JP2006252851A/ja active Pending
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CN111313681A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-06-19 | 珠海格力电器股份有限公司 | Boost PFC高频等效电路的建模方法及装置 |
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