JP2006245126A - 電磁波シールド装置およびこの電磁波シールド装置を用いた電子装置 - Google Patents
電磁波シールド装置およびこの電磁波シールド装置を用いた電子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006245126A JP2006245126A JP2005056240A JP2005056240A JP2006245126A JP 2006245126 A JP2006245126 A JP 2006245126A JP 2005056240 A JP2005056240 A JP 2005056240A JP 2005056240 A JP2005056240 A JP 2005056240A JP 2006245126 A JP2006245126 A JP 2006245126A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electromagnetic wave
- wave shielding
- shielding device
- conductor
- case
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
【課題】軽量で生産性に優れたプラスチックのシールドケースを用いた電磁波シールド装置であって、外部に信号が漏洩が小さいものを得ること。
【解決手段】電磁波シールド装置21を、下部導体ケース6と、この下部導体ケース6上に配置された電子回路を設ける配線基板2と、この配線基板2の電子回路を設ける面の少なくとも周囲に形成された導電領域と、この導電領域に形成された複数のスルーホール3,4と、上記導電領域と同様な形状で、且つ上記導電領域に接して設けられた導体層5と、上記基板面側に凹部を有し、且つ上記導体層5の上記導電領域との接触面と対向する面に接して設けられた導電性プラスチックの上部導体ケース1とで構成する。
【選択図】図7
【解決手段】電磁波シールド装置21を、下部導体ケース6と、この下部導体ケース6上に配置された電子回路を設ける配線基板2と、この配線基板2の電子回路を設ける面の少なくとも周囲に形成された導電領域と、この導電領域に形成された複数のスルーホール3,4と、上記導電領域と同様な形状で、且つ上記導電領域に接して設けられた導体層5と、上記基板面側に凹部を有し、且つ上記導体層5の上記導電領域との接触面と対向する面に接して設けられた導電性プラスチックの上部導体ケース1とで構成する。
【選択図】図7
Description
本発明は、配線基板上に設けられた電子回路の電磁波シールド装置およびこの電磁波シールド装置を用いた電子装置に関するものである。
従来の電磁波シールド装置として、下部導体ケースと、この下部導体ケース上に配置された電子回路が設けられた配線基板と、この配線基板の電子回路が設けられた面に形成された導電領域と、この導電領域に形成された複数のスルーホールと、このスルーホール部分に接する面を有し、上記電子回路が設けられた配線基板面に配置された上部導体ケースと、この上部導体ケースと上記配線基板と上記下部導体ケースとを一体に固定する固定手段とを備えた電磁波シールド装置がある。この電磁波シールド装置は、上部導体ケースとと下部導体ケースとに挟まれた部分の配線基板が擬似導波管となり、外部に信号が漏洩するのを、上記スルーホールにより防止できることが開示されている。(例えば、特許文献1参照)。
通常、電磁波シールド装置のケースには、金属が用いられている。しかし、金属のケースは重く、電磁波シールド装置を軽量化しにくいとの問題があった。また、金属を上記特許文献の上部導体ケースに用いる場合は、金属ブロックに凹部を設ける加工が必要であり、電磁波シールド装置の生産性が低いとの問題があった。
このような問題を解決した電磁波シールド装置として、軽量で生産性に優れたプラスチックケースの表面をめっき処理をしてケースとして用いるものがある。このような電磁波シールド装置では、プラスチックケースの表面に形成されためっき膜が、衝撃や電磁波シールド装置に加わる温度サイクルにより剥がれ、外部に信号が漏洩し、電磁波シールド装置の信頼性が低下するとの問題があった。
このような問題を解決した電磁波シールド装置として、軽量で生産性に優れたプラスチックケースの表面をめっき処理をしてケースとして用いるものがある。このような電磁波シールド装置では、プラスチックケースの表面に形成されためっき膜が、衝撃や電磁波シールド装置に加わる温度サイクルにより剥がれ、外部に信号が漏洩し、電磁波シールド装置の信頼性が低下するとの問題があった。
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、軽量で生産性に優れたプラスチックのシールドケースを用いた電磁波シールド装置であって、外部に信号の漏洩が小さいものを得ること、この電磁波シールド装置を用いた電磁波障害の少ない電子装置を得ることである。
本発明の電磁波シールド装置は、下部導体ケースと、この下部導体ケース上に配置された電子回路を設ける配線基板と、この配線基板の電子回路を設ける面の少なくとも周囲に形成された導電領域と、この導電領域に形成された複数のスルーホールと、上記導電領域と同様な形状で、且つ上記導電領域に接して設けられた導体層と、上記基板面側に凹部を有し、且つ上記導体層の上記導電領域との接触面と対向する面に接して設けられた導電性プラスチックの上部導体ケースとで構成されたものである。
本発明の電磁波シールド装置は、下部導体ケースと、この下部導体ケース上に配置された電子回路を設ける配線基板と、この配線基板の電子回路を設ける面の少なくとも周囲に形成された導電領域と、この導電領域に形成された複数のスルーホールと、上記導電領域と同様な形状で、且つ上記導電領域に接して設けられた導体層と、上記基板面側に凹部を有し、且つ上記導体層の上記導電領域との接触面と対向する面に接して設けられた導電性プラスチックの上部導体ケースとで構成されたことにより、軽量で生産性に優れ、外部に信号の漏洩が小さいものとなる。
実施の形態1.
軽量で生産性に優れ、キャビティー表面をめっき処理しないプラスチックのシールドケースとして、導電性プラスッチクのシールドケースを用いた電磁波シールド装置を考案し、その電磁波シールド特性を調べた。
図1は、導電性プラスッチクのシールドケースを用いた電磁波シールド装置の電磁波シールド特性を調べるためのモデル装置の分解図である。図2は、組み立てられたモデル電磁波シールド装置のA−A’断面図である。
図1に示すように、このモデル電磁波シールド装置20は、例えば厚さ0.6mmのビスマレイドトリアジンレジンの配線基板2の表面に、例えば幅1.33mmで長さ105mmである2本のマイクロストリップ配線2aと、導電領域として、上記配線2aを取り囲む導体2bとが形成されている。導体2bには、例えば直径0.5mmでピッチ1.2mmの多数のスルーホール4が設けられ、導体2bは配線基板2の裏面に形成された導体2cと電気的に接続されている。
軽量で生産性に優れ、キャビティー表面をめっき処理しないプラスチックのシールドケースとして、導電性プラスッチクのシールドケースを用いた電磁波シールド装置を考案し、その電磁波シールド特性を調べた。
図1は、導電性プラスッチクのシールドケースを用いた電磁波シールド装置の電磁波シールド特性を調べるためのモデル装置の分解図である。図2は、組み立てられたモデル電磁波シールド装置のA−A’断面図である。
図1に示すように、このモデル電磁波シールド装置20は、例えば厚さ0.6mmのビスマレイドトリアジンレジンの配線基板2の表面に、例えば幅1.33mmで長さ105mmである2本のマイクロストリップ配線2aと、導電領域として、上記配線2aを取り囲む導体2bとが形成されている。導体2bには、例えば直径0.5mmでピッチ1.2mmの多数のスルーホール4が設けられ、導体2bは配線基板2の裏面に形成された導体2cと電気的に接続されている。
例えばアルミニウムの下部導体ケース6は配線基板2の裏面に形成された導体2cに接して設けられている。この下部導体ケース6には、4個の同軸コネクタ7が設けられており、各同軸コネクタ7の芯線7aは、配線基板2に設けられたスルーホール3を通して、マイクロストリップ配線2aと電気的に接続されている。
上部導体ケース1には、例えばステンレス繊維を8重量%(wt%)含有させたポリフェニレンオキシド{ノリル:GEプラスチックス(株)社}の導電性プラスチックが用いられる。図3に示すように、上部導体ケース1は、2個の凹部1cを有するキャビティー構造であり、側壁1bの幅と2個の凹部1cを隔てる隔壁1aの幅とが、上記導体2bと同じ幅である。そして、上部導体ケース1は、その開口と同一面にある側壁部と隔壁部とが切削処理されてステンレス繊維を露出させており、この露出面を導体2bと電気的に接触させて、配線基板2表面に設けられている。
上部導体ケース1と配線基板2と下部導体ケース6とは、ネジ(図示せず)で固定されて、モデル電磁波シールド装置20となっている。
上部導体ケース1には、例えばステンレス繊維を8重量%(wt%)含有させたポリフェニレンオキシド{ノリル:GEプラスチックス(株)社}の導電性プラスチックが用いられる。図3に示すように、上部導体ケース1は、2個の凹部1cを有するキャビティー構造であり、側壁1bの幅と2個の凹部1cを隔てる隔壁1aの幅とが、上記導体2bと同じ幅である。そして、上部導体ケース1は、その開口と同一面にある側壁部と隔壁部とが切削処理されてステンレス繊維を露出させており、この露出面を導体2bと電気的に接触させて、配線基板2表面に設けられている。
上部導体ケース1と配線基板2と下部導体ケース6とは、ネジ(図示せず)で固定されて、モデル電磁波シールド装置20となっている。
上記のような構造のモデル電磁波シールド装置20の電磁波シールド特性を以下のようにして調べた。モデル電磁波シールド装置20において、<1>の同軸コネクタから配線2aの一方に、0.5GHz〜10.5GHzの高周波信号を入力し、<4>の同軸コネクタから配線2aの他方に発生する出力を測定し、上記入力に対する上記出力の値から減衰量(db)を求め、両マイクロストリップ配線2a間の結合とした。図4は、モデル電磁波シールド装置20の電磁波シールド特性を示す図である。図4には、リファレンスとして上部導体ケース1がない場合も示した。
図4から明らかなように、導電性プラスッチクを上部導体ケース1に用いたモデル電磁波シールド装置20では、リファレンスに比べ、減衰量の大幅な増加は認められず、すなわち両マイクロストリップ配線2a間の結合が大きく電磁波シールド特性が良くないことが判明した。
図4から明らかなように、導電性プラスッチクを上部導体ケース1に用いたモデル電磁波シールド装置20では、リファレンスに比べ、減衰量の大幅な増加は認められず、すなわち両マイクロストリップ配線2a間の結合が大きく電磁波シールド特性が良くないことが判明した。
この原因が何によるかを、鋭意検討した。まず、導電性フィラの含有率を15wt%に増やし、導電率を向上させた導電性プラスチックの上部導体ケース1を用いたモデル電磁波シールド装置を作製し、上記と同様な電磁波シールド特性を求め、図5に示した。図5から明らかように、このモデル電磁波シールド装置の減衰量、すなわち両マイクロストリップ配線2a間結合は、上記導電性フィラの含有率を8wt%の導電性プラスチックの上部導体ケース1を用いたモデル電磁波シールド装置の場合と同レベルで、電磁波シールド特性の大幅な改善は認められなかった。
図6は、導電性プラスチックの上部導体ケース1と配線基板2表面の導体2bとの導通機構を説明する模式図である。図6に示すように、上部導体ケース1と導体2bとの導通は、導電性プラスッチクの表面部の導電性フィラ9と導体2bとの接触によるが、導体2bには多数のスルーホール4が設けられており、上記導電性フィラ9と導体2bとの接触面積が低下し、上部導体ケース1と導体2bとの接触抵抗が高くなっている。
その機構は明確ではないが、上部導体ケース1に導電性プラスチックを用いた電磁波シールド装置の電磁波シールド特性が低いのは、上部導体ケース1と導体2bとの接触抵抗が高いためではないかということを見出したので、これを改善する以下の構造の電磁波シールド装置21を考案した。
図6は、導電性プラスチックの上部導体ケース1と配線基板2表面の導体2bとの導通機構を説明する模式図である。図6に示すように、上部導体ケース1と導体2bとの導通は、導電性プラスッチクの表面部の導電性フィラ9と導体2bとの接触によるが、導体2bには多数のスルーホール4が設けられており、上記導電性フィラ9と導体2bとの接触面積が低下し、上部導体ケース1と導体2bとの接触抵抗が高くなっている。
その機構は明確ではないが、上部導体ケース1に導電性プラスチックを用いた電磁波シールド装置の電磁波シールド特性が低いのは、上部導体ケース1と導体2bとの接触抵抗が高いためではないかということを見出したので、これを改善する以下の構造の電磁波シールド装置21を考案した。
図7は、実施の形態1の電磁波シールド装置の構造を示す分解図である。図8は、組み立てられた本実施の形態の電磁波シールド装置のA−A’断面図である。
図7と図8とに示すように、本実施の形態の電磁波シールド装置21は、上記モデル電磁波シールド装置20において、上部導体ケース1と導電領域である導体2bとの間に、導体2bと同形状の導体層を、上部導体ケース1と導体2bとに接して設けたものである。本実施の形態では、導体層として、例えば厚さ0.4mmのステンレス板、すなわち、板状導体層5を用いている。
電磁波シールド装置をこのような構造にすることにより、上部導体ケース1に用いられた導電性プラスチックの接触表面部の導電性フィラの全てが、板状導体層5と接触するとともに、導体2bの表面部の全てが板状導体層5と接触し、上部導体ケース1と導体2bとの接触抵抗が大幅に低減する。
図7と図8とに示すように、本実施の形態の電磁波シールド装置21は、上記モデル電磁波シールド装置20において、上部導体ケース1と導電領域である導体2bとの間に、導体2bと同形状の導体層を、上部導体ケース1と導体2bとに接して設けたものである。本実施の形態では、導体層として、例えば厚さ0.4mmのステンレス板、すなわち、板状導体層5を用いている。
電磁波シールド装置をこのような構造にすることにより、上部導体ケース1に用いられた導電性プラスチックの接触表面部の導電性フィラの全てが、板状導体層5と接触するとともに、導体2bの表面部の全てが板状導体層5と接触し、上部導体ケース1と導体2bとの接触抵抗が大幅に低減する。
次に、モデル電磁波シールド装置20で調べたのと同様にして、本実施の形態の電磁波シールド装置21の電磁波シールド特性を測定した。
図9は本実施の形態の電磁波シールド装置21の電磁波シールド特性を示す図である。
図9には、モデル電磁波シールド装置20と上部導体ケース1を用いないリファレンスの電磁波シールド特性も示した。図9から明らかなように、本実施の形態の電磁波シールド装置21は、リファレンスやモデル電磁波シールド装置20に比べて、減衰量が大きく、すなわち両マイクロストリップ配線2a間の結合が小さく、電磁波シールド特性が大幅に向上している。
図9は本実施の形態の電磁波シールド装置21の電磁波シールド特性を示す図である。
図9には、モデル電磁波シールド装置20と上部導体ケース1を用いないリファレンスの電磁波シールド特性も示した。図9から明らかなように、本実施の形態の電磁波シールド装置21は、リファレンスやモデル電磁波シールド装置20に比べて、減衰量が大きく、すなわち両マイクロストリップ配線2a間の結合が小さく、電磁波シールド特性が大幅に向上している。
本実施の形態では、板状導体層5に、ステンレス板を用いているが、金属板でれば、特に限定されない。
本実施の形態では、配線基板2には、ビスマレイドトリアジンレジンの配線基板のほか、例えば、紙フェノール、紙エポキシ、紙ポリエステル、ガラスエポキシ、テトラフロロエチレン、ポリイミド等の樹脂基板やアルミナ、窒化アルミ、ガラスセラミック等のセラミックス基板やシリコン基板のいずれかを用いることができる。
本実施の形態では、上部導体ケース1に用いられる導電性プラスチックのマトリックス樹脂に、ポリフェニレンオキシドのほか、例えば、全芳香族ポリエステル樹脂、ABS、ポリカーボネート、ポリスチレン、熱可塑性ポリエステル、ポリプロピレン、ポリフェニレンサルファト、ポリアミド等の内のいずれか1種類、もしくは、これらの混合物の熱可塑性プラスチック、または、エポキシ樹脂等の熱硬化性プラスチックを用いることができる。
また、上部導体ケース1に用いられる導電性プラスチックの導電性フィラ9には、ステンレス繊維のほか、例えば、アルミニウム、銅、カーボン、ニッケル、鉄等の繊維や粒子を用いることができる。導電性フィラの含有率は、導電性プラスチック中6〜30wt%の範囲であれば、電気的特性および加工上から好ましい。
本実施の形態では、下部導体ケース6にアルミニウム板を用いているが、金属板でれば、特に限定されない。また、下部導体ケース6には、板状の上記上部導体ケース1に用いた導電性プラスチックも用いることができる。この場合、導電性プラスチック板の導体2cと接する面は、切削処理して導電性フィラを露出させている。
本実施の形態では、配線基板2には、ビスマレイドトリアジンレジンの配線基板のほか、例えば、紙フェノール、紙エポキシ、紙ポリエステル、ガラスエポキシ、テトラフロロエチレン、ポリイミド等の樹脂基板やアルミナ、窒化アルミ、ガラスセラミック等のセラミックス基板やシリコン基板のいずれかを用いることができる。
本実施の形態では、上部導体ケース1に用いられる導電性プラスチックのマトリックス樹脂に、ポリフェニレンオキシドのほか、例えば、全芳香族ポリエステル樹脂、ABS、ポリカーボネート、ポリスチレン、熱可塑性ポリエステル、ポリプロピレン、ポリフェニレンサルファト、ポリアミド等の内のいずれか1種類、もしくは、これらの混合物の熱可塑性プラスチック、または、エポキシ樹脂等の熱硬化性プラスチックを用いることができる。
また、上部導体ケース1に用いられる導電性プラスチックの導電性フィラ9には、ステンレス繊維のほか、例えば、アルミニウム、銅、カーボン、ニッケル、鉄等の繊維や粒子を用いることができる。導電性フィラの含有率は、導電性プラスチック中6〜30wt%の範囲であれば、電気的特性および加工上から好ましい。
本実施の形態では、下部導体ケース6にアルミニウム板を用いているが、金属板でれば、特に限定されない。また、下部導体ケース6には、板状の上記上部導体ケース1に用いた導電性プラスチックも用いることができる。この場合、導電性プラスチック板の導体2cと接する面は、切削処理して導電性フィラを露出させている。
以下に、本実施の形態の電磁波シールド装置21の製造方法の一例を説明する。
配線基板2に設けられる、マイクロストリップ配線2aと導体2bと導体2cとは、常法のリソグラフィー法で形成する。スルーホール3とスルーホール4とは、例えばドリルでの孔開け加工により形成する。上部導体ケース1は、上記導電性プラスチックを用い、例えば射出成形法により形成する。下部導体ケース6は、金属の場合では機械加工で形成し、導電性プラスチックの場合では射出成形法で形成する。板状導体層5は、金属板を機械加工して形成する。同軸コネクタ7は下部導体ケース6にネジで固定する。同軸コネクタ7の芯線7aとマイクロストリップ配線2aとの電気的接続は、はんだ8で接合する。
まず、同軸コネクタを設けた下部導体ケース6を、マイクロストリップ配線2aと各導体2b、2cとを設けた配線基板2に積層する。次に、同軸コネクタ7の芯線7aとマイクロストリップ配線2aとを接合する。次に、スルーホール4が設けられた導体2bに、板状導体層5としての金属板と上部導体ケース1とを、この順に積層する。最後に、積層された下部導体ケース6と配線基板2と板状導電層5と上部導体ケース1とを、ネジで固定し、電磁波シールド装置21を完成さす。
配線基板2に設けられる、マイクロストリップ配線2aと導体2bと導体2cとは、常法のリソグラフィー法で形成する。スルーホール3とスルーホール4とは、例えばドリルでの孔開け加工により形成する。上部導体ケース1は、上記導電性プラスチックを用い、例えば射出成形法により形成する。下部導体ケース6は、金属の場合では機械加工で形成し、導電性プラスチックの場合では射出成形法で形成する。板状導体層5は、金属板を機械加工して形成する。同軸コネクタ7は下部導体ケース6にネジで固定する。同軸コネクタ7の芯線7aとマイクロストリップ配線2aとの電気的接続は、はんだ8で接合する。
まず、同軸コネクタを設けた下部導体ケース6を、マイクロストリップ配線2aと各導体2b、2cとを設けた配線基板2に積層する。次に、同軸コネクタ7の芯線7aとマイクロストリップ配線2aとを接合する。次に、スルーホール4が設けられた導体2bに、板状導体層5としての金属板と上部導体ケース1とを、この順に積層する。最後に、積層された下部導体ケース6と配線基板2と板状導電層5と上部導体ケース1とを、ネジで固定し、電磁波シールド装置21を完成さす。
図10は、本実施の形態の電磁波シールド装置21において、上部導体ケース1にステンレス繊維を8wt%含有させた全芳香族ポリエステル樹脂{ベクトラ:ポリプラスチックス(株)社}の導電性プラスチックを用いた場合の電磁波シールド特性を示す図である。電磁波シールド特性の測定は、上記方法と同じである。
図10から明らかなように、上部導体ケース1に全芳香族ポリエステル樹脂の導電性プラスチック用いた電磁波シールド装置21においても、板状導体層5を設けた構造であり、大幅に電磁波シールド特性が向上している。
本実施の形態の電磁波シールド装置21では、金属板の下部導体ケースに替え、基板裏面の全面にアース電極を形成し、これを下部導体ケースとしても良い。
本実施の形態の電磁波シールド装置21では、マイクロストリップ配線2aと同軸コネクタ7とが設けられているが、これは、電磁波シールド装置21の特性を評価するものであり、これらを設けなくても良い。
本実施の形態の電磁波シールド装置21の基板2面に、複数、例えば2種類の電子部品を搭載し、各電子部品を上部導体ケース1の各凹部に収納すると、軽量で生産性に優れ、2種類の電子部品の電磁波による干渉を防止した電子装置となる。
図10から明らかなように、上部導体ケース1に全芳香族ポリエステル樹脂の導電性プラスチック用いた電磁波シールド装置21においても、板状導体層5を設けた構造であり、大幅に電磁波シールド特性が向上している。
本実施の形態の電磁波シールド装置21では、金属板の下部導体ケースに替え、基板裏面の全面にアース電極を形成し、これを下部導体ケースとしても良い。
本実施の形態の電磁波シールド装置21では、マイクロストリップ配線2aと同軸コネクタ7とが設けられているが、これは、電磁波シールド装置21の特性を評価するものであり、これらを設けなくても良い。
本実施の形態の電磁波シールド装置21の基板2面に、複数、例えば2種類の電子部品を搭載し、各電子部品を上部導体ケース1の各凹部に収納すると、軽量で生産性に優れ、2種類の電子部品の電磁波による干渉を防止した電子装置となる。
実施の形態2.
図11は実施の形態2の電磁波シールド装置における基板2の導体2bを設けた部分の断面図である。図11に示すように、本実施の形態の電磁波シールド装置は、基板2のスルーホール4に樹脂12が充填されており、充填樹脂12面と導体2bの面とが同一面を形成している。そして、この充填樹脂12と導体2bとの同一面上に接して膜状導体層2dが設けられている。
本実施の形態の電磁波シールド装置では、金属板の下部導体ケースに替え、基板裏面の全面にアース電極を形成し、これを下部導体ケースとしても良い。
電磁波シールド装置を本実施の形態の構造にすることにより、上部導体ケース1は膜状導体層2dを介して導体2bと電気的に接続され、金属の板状導体層5を設けなくても上部導体ケース1と導体2bとの接触抵抗が小さくなる。
本実施の形態における膜状導体層2dは、例えばめっきで形成できる。膜状導体層2dは、上部導体ケース1と導体2bとの間に設けられており、めっきで形成しても、剥離などは生じない。
本実施の形態では、膜状導体層2dを導体2b上に設けたが、上部導体ケース1の導体2bと接する部分に設けても同様な効果が得られる。この場合は、スルーホール4に樹脂を充填する必要がなく、さらに、製造工程が簡便となる。
図11は実施の形態2の電磁波シールド装置における基板2の導体2bを設けた部分の断面図である。図11に示すように、本実施の形態の電磁波シールド装置は、基板2のスルーホール4に樹脂12が充填されており、充填樹脂12面と導体2bの面とが同一面を形成している。そして、この充填樹脂12と導体2bとの同一面上に接して膜状導体層2dが設けられている。
本実施の形態の電磁波シールド装置では、金属板の下部導体ケースに替え、基板裏面の全面にアース電極を形成し、これを下部導体ケースとしても良い。
電磁波シールド装置を本実施の形態の構造にすることにより、上部導体ケース1は膜状導体層2dを介して導体2bと電気的に接続され、金属の板状導体層5を設けなくても上部導体ケース1と導体2bとの接触抵抗が小さくなる。
本実施の形態における膜状導体層2dは、例えばめっきで形成できる。膜状導体層2dは、上部導体ケース1と導体2bとの間に設けられており、めっきで形成しても、剥離などは生じない。
本実施の形態では、膜状導体層2dを導体2b上に設けたが、上部導体ケース1の導体2bと接する部分に設けても同様な効果が得られる。この場合は、スルーホール4に樹脂を充填する必要がなく、さらに、製造工程が簡便となる。
図12は本実施の形態の電磁波シールド装置の電磁波シールド特性を示す図である。電磁波シールド特性の測定は、実施の形態1の方法で行っている。図12から明らかなように、本実施の形態の電磁波シールド装置は、図4に示すリファレンスやモデル電磁波シールド装置20の特性に比べて、減衰量が大きく、すなわち両マイクロストリップ配線2a間の結合が小さく、電磁波シールド特性が大幅に向上している。
本実施の形態の電磁波シールド装置21では、マイクロストリップ配線2aと同軸コネクタ7とが設けられているが、これは、電磁波シールド装置21の特性を評価するものであり、これらを設けなくても良い。
本実施の形態の電磁波シールド装置に電子部品を搭載した電子装置は、軽量で生産性に優れ、電磁波障害の少ない電子装置となる。
本実施の形態の電磁波シールド装置21では、マイクロストリップ配線2aと同軸コネクタ7とが設けられているが、これは、電磁波シールド装置21の特性を評価するものであり、これらを設けなくても良い。
本実施の形態の電磁波シールド装置に電子部品を搭載した電子装置は、軽量で生産性に優れ、電磁波障害の少ない電子装置となる。
実施の形態3.
図13は、実施の形態3の電磁波シールド装置の構造を示す分解図である。図14は、組み立てられた本実施の形態の電磁波シールド装置のA−A’断面図である。
本実施の形態の電磁波シールド装置22は、実施の形態1の電磁波シールド装置21と同様な構成であるが、上部導体ケース11の凹部が一個であり、上部導体ケース11の開口と同一面にある側壁部が、板状導体層5となる金属板を介して、導体2bと電気的に接合している。そして、図13に示すように、上部導体ケース11の凹部に対応する配線基板2上には、電子部品10が搭載できるようになっている。
本実施の形態の電磁波シールド装置22では、金属板の下部導体ケースに替え、基板裏面の全面にアース電極を形成し、これを下部導体ケースとしても良い。
本実施の形態の電磁波シールド装置22は、配線基板2に搭載される電子部品10から発生する電磁波が外部に漏れること、あるいは、外部の電磁波による電磁波シールド装置内に搭載される電子部品10への影響を防止できる。
そして、本実施の形態の電磁波シールド装置22に電子部品を搭載した電子装置は、軽量で生産性に優れ、電磁波障害の少ない電子装置となる。
図13は、実施の形態3の電磁波シールド装置の構造を示す分解図である。図14は、組み立てられた本実施の形態の電磁波シールド装置のA−A’断面図である。
本実施の形態の電磁波シールド装置22は、実施の形態1の電磁波シールド装置21と同様な構成であるが、上部導体ケース11の凹部が一個であり、上部導体ケース11の開口と同一面にある側壁部が、板状導体層5となる金属板を介して、導体2bと電気的に接合している。そして、図13に示すように、上部導体ケース11の凹部に対応する配線基板2上には、電子部品10が搭載できるようになっている。
本実施の形態の電磁波シールド装置22では、金属板の下部導体ケースに替え、基板裏面の全面にアース電極を形成し、これを下部導体ケースとしても良い。
本実施の形態の電磁波シールド装置22は、配線基板2に搭載される電子部品10から発生する電磁波が外部に漏れること、あるいは、外部の電磁波による電磁波シールド装置内に搭載される電子部品10への影響を防止できる。
そして、本実施の形態の電磁波シールド装置22に電子部品を搭載した電子装置は、軽量で生産性に優れ、電磁波障害の少ない電子装置となる。
1,11 上部導体ケース、1a 隔壁、1b 側壁、1c 凹部、2 配線基板、2a マイクロストリップ配線、2b マイクロストリップ配線を囲む導体、2c 配線基板の裏面に形成された導体、2d 膜状導体層、3,4 スルーホール、5 板状導体層、6 下部導体ケース、7 同軸コネクタ、7a 芯線、8 はんだ、9 導電性フィラ、10 電子部品、12 充填樹脂、20 モデル電磁波シールド装置、21,22 電磁波シールド装置。
Claims (6)
- 下部導体ケースと、この下部導体ケース上に配置された電子回路を設ける配線基板と、この配線基板の電子回路を設ける面の少なくとも周囲に形成された導電領域と、この導電領域に形成された複数のスルーホールと、上記導電領域と同様な形状で、且つ上記導電領域に接して設けられた導体層と、上記基板面側に凹部を有し、且つ上記導体層の上記導電領域との接触面と対向する面に接して設けられた導電性プラスチックの上部導体ケースとで構成された電磁波シールド装置。
- 導体層が、金属板であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波シールド装置。
- 導体層が、膜状であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波シールド装置。
- 上部導体ケースに複数の凹部を設けたことを特徴とする請求項1に記載の電磁波シールド装置。
- 導電性プラスチックが、ステンレス繊維を含有したポリフェニレンオキシドまたはステンレス繊維を含有した全芳香族ポリエステル樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波シールド装置。
- 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の電磁波シールド装置の基板面に、電子部品が搭載され、この電子部品を上部導体ケースの凹部に収納した電子装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005056240A JP2006245126A (ja) | 2005-03-01 | 2005-03-01 | 電磁波シールド装置およびこの電磁波シールド装置を用いた電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005056240A JP2006245126A (ja) | 2005-03-01 | 2005-03-01 | 電磁波シールド装置およびこの電磁波シールド装置を用いた電子装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006245126A true JP2006245126A (ja) | 2006-09-14 |
Family
ID=37051259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005056240A Withdrawn JP2006245126A (ja) | 2005-03-01 | 2005-03-01 | 電磁波シールド装置およびこの電磁波シールド装置を用いた電子装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006245126A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100942725B1 (ko) | 2007-12-11 | 2010-02-16 | 주식회사 티엘아이 | 노이즈의 유입을 차단시키는 테이프 배선기판 |
-
2005
- 2005-03-01 JP JP2005056240A patent/JP2006245126A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100942725B1 (ko) | 2007-12-11 | 2010-02-16 | 주식회사 티엘아이 | 노이즈의 유입을 차단시키는 테이프 배선기판 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8134086B2 (en) | Electrical isolating structure for conductors in a substrate | |
US20050179600A1 (en) | Low-loss printed circuit board antenna structure and method of manufacture thereof | |
JP2007234500A (ja) | 高速伝送用fpc及びこのfpcに接続されるプリント基板 | |
JP5930069B2 (ja) | 電子基板及びそのコネクタ接続構造 | |
US20070152769A1 (en) | Semi-suspended coplanar waveguide on a printed circuit board | |
US9806474B2 (en) | Printed circuit board having high-speed or high-frequency signal connector | |
US20100308941A1 (en) | High-frequency line structure on resin substrate and method of manufacturing the same | |
US20140034363A1 (en) | Multi-layer transmission lines | |
US20230019563A1 (en) | High-frequency circuit | |
KR20040084780A (ko) | 회로 기판 및 회로 기판 내 공진 감소 방법 | |
JP2011159879A (ja) | シールド付フレキシブルプリント配線板、その製造方法、および電子機器 | |
WO2018042793A1 (ja) | フレキシブルケーブル用コネクタ、フレキシブルケーブル用アダプタ、及び、フレキシブルケーブル | |
JP5107599B2 (ja) | プリント配線板とエッジコネクタとの接続構造及びエッジコネクタ | |
US20060011384A1 (en) | Reducing or eliminating cross-talk at device-substrate interface | |
JP2006245126A (ja) | 電磁波シールド装置およびこの電磁波シールド装置を用いた電子装置 | |
JP2002134868A (ja) | 高速回路基板相互接続 | |
CN112533349B (zh) | 电路板及其制作方法 | |
JP2010016076A (ja) | フレキシブルプリント基板及びこれを備えたリジッドフレキシブルプリント基板 | |
JP5185184B2 (ja) | フレキシブルプリント基板およびその製造方法 | |
JP7449704B2 (ja) | リジッド・フレックス多層プリント配線板 | |
JP3719028B2 (ja) | 電子機器 | |
JP2000022406A (ja) | 平面形伝送線路 | |
WO2023228626A1 (ja) | 配線回路基板、及びその製造方法 | |
TWI491321B (zh) | 柔性電路板及其製作方法 | |
US20210045244A1 (en) | Multiple circuit boards with high-density compression interconnect |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20061205 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090126 |