JP2006236609A - Dielectric layer and manufacturing method of substrate for forming dielectric layer - Google Patents

Dielectric layer and manufacturing method of substrate for forming dielectric layer Download PDF

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紀秀 馬場
Katsuya Kume
克也 久米
Makoto Kai
誠 甲斐
Yasushi Musashijima
康 武蔵島
Toshihiro Hatanaka
逸大 畑中
Shusuke Suzuki
秀典 鈴木
Toshiharu Konishi
俊春 小西
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dielectric layer having high surface flatness, not generating any air bubble at the side of an electrode formed on a glass substrate and hardly generating fluctuation of size, and to provide a manufacturing method of the substrate for forming the dielectric later, a sheet for forming the dielectric layer, the substrate for forming the dielectric layer, and a plasma display panel. <P>SOLUTION: The dielectric layer with double layer structure is formed by laminating a second dielectric layer composed of a sinter of fused glass component having a transition point of 450 to 530°C and softening point of 550 to 620°C, on a first dielectric layer composed of a sinter of fused glass component having a transition point of 400 to 430°C and softening point of 460 to 500°C. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、２層構造の誘電体層、誘電体形成シート、誘電体層形成基板の製造方法、誘電体層形成基板、及びプラズマディスプレイパネルに関する。特に、本発明の２層構造の誘電体層は、プラズマディスプレイパネル前面ガラス基板の誘電体層の形成材料として有用である。   The present invention relates to a dielectric layer having a two-layer structure, a dielectric forming sheet, a method for manufacturing a dielectric layer forming substrate, a dielectric layer forming substrate, and a plasma display panel. In particular, the two-layered dielectric layer of the present invention is useful as a material for forming the dielectric layer of the plasma display panel front glass substrate.

近年、薄型平板状の大型ディスプレイとしては、液晶ディスプレイと共にプラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」ともいう）が注目されている。   In recent years, plasma display panels (hereinafter also referred to as “PDPs”) have attracted attention as liquid crystal displays as thin flat large displays.

図１に３電極面放電型ＰＤＰの一例を示す。図１において、表示面となる前面ガラス基板１には、透明導電膜からなるサステイン電極（表示電極）２が形成され、サステイン電極２上には導電性を補う幅の狭い金属膜からなるバス電極３が形成されている。更に、サステイン電極２、バス電極３を被覆するように誘電体層４が形成され、該誘電体層４を被覆するようにＭｇＯ膜（保護層）５が形成されている。   FIG. 1 shows an example of a three-electrode surface discharge type PDP. In FIG. 1, a sustain electrode (display electrode) 2 made of a transparent conductive film is formed on a front glass substrate 1 serving as a display surface, and a bus electrode made of a narrow metal film that supplements conductivity is formed on the sustain electrode 2. 3 is formed. Further, a dielectric layer 4 is formed so as to cover the sustain electrode 2 and the bus electrode 3, and an MgO film (protective layer) 5 is formed so as to cover the dielectric layer 4.

一方、背面ガラス基板６には、金属膜からなるアドレス電極（データ電極）７が形成され、該アドレス電極７上には誘電体層８が形成されている。アドレス電極７の間には前面ガラス基板１と背面ガラス基板６の間隔を一定に保ち、放電空間を保持するバリアリブ９が形成されている。更に、誘電体層８及びバリアリブ９を被覆するように赤、緑、及び青の３原色の蛍光体層１０が形成されている。   On the other hand, an address electrode (data electrode) 7 made of a metal film is formed on the rear glass substrate 6, and a dielectric layer 8 is formed on the address electrode 7. Barrier ribs 9 are formed between the address electrodes 7 to keep the distance between the front glass substrate 1 and the rear glass substrate 6 constant and to maintain a discharge space. Further, a phosphor layer 10 of three primary colors of red, green and blue is formed so as to cover the dielectric layer 8 and the barrier rib 9.

また、ガラス基板貼り合わせ用のシール層は、前面ガラス基板又は背面ガラス基板に形成される。そして、パネル化工程において、前面ガラス基板と背面ガラス基板とを重ね合わせ、シール層を加熱溶融させることにより両ガラス基板を封着する。さらに、放電空間内には希ガスが封入され、アドレス電極７とサステイン電極２との各交点が画素セルを構成している。   Moreover, the sealing layer for glass substrate bonding is formed in a front glass substrate or a back glass substrate. Then, in the paneling step, the front glass substrate and the rear glass substrate are overlapped, and the both glass substrates are sealed by heating and melting the seal layer. Further, rare gas is sealed in the discharge space, and each intersection of the address electrode 7 and the sustain electrode 2 constitutes a pixel cell.

前記のＰＤＰを構成する誘電体層、バリアリブ、シール層などの材料には、一般的に低融点ガラス成分が用いられ、通常ＰｂＯ−ＳｉＯ２系ガラスなどの鉛成分を含有するガラス成分が主に用いられている。鉛成分はガラスを低融点化させるうえで重要な成分である。しかしながら鉛成分は人体や環境に与える弊害が大きいため、鉛成分の使用削減や全廃が望まれている。 Generally, low melting point glass components are used for materials such as dielectric layers, barrier ribs, and seal layers constituting the PDP, and glass components containing lead components such as PbO-SiO 2 glass are mainly used. It is used. The lead component is an important component for lowering the melting point of glass. However, since the lead component has a great adverse effect on the human body and the environment, it is desired to reduce or eliminate the use of the lead component.

シール層には、（１）封止時に不純物ガスを放出しないこと、（２）比較的低温（４１０〜４８０℃程度）で封着が可能であることの２つが求められる。これらの条件から、現在シール層には鉛成分を多く含有した低融点ガラス成分が用いられているが、近年ではシール層の材料としても無鉛ガラス成分の使用が望まれている。しかしながら、該無鉛ガラス成分は、鉛成分を多く含有したガラス成分よりも高融点であり、パネル化工程時にシール層の無鉛ガラス成分を溶融させるためには、通常よりも２０〜４０℃高い温度で焼成しなければならないというデメリットがある。   The sealing layer is required to have two things: (1) no impurity gas is released during sealing, and (2) sealing is possible at a relatively low temperature (about 410 to 480 ° C.). Under these conditions, a low melting point glass component containing a large amount of lead component is currently used for the seal layer, but in recent years, the use of a lead-free glass component is also desired as a material for the seal layer. However, the lead-free glass component has a higher melting point than the glass component containing a large amount of the lead component, and in order to melt the lead-free glass component of the seal layer during the paneling process, the temperature is 20 to 40 ° C. higher than usual. There is a demerit that it must be fired.

また、シール層の材料だけでなく、誘電体層の材料にも無鉛ガラス成分を用いることが求められている。誘電体層用の無鉛ガラス成分としては、Ｋ２Ｏを含むアルカリ含有非鉛ガラス粉末が開示されている（特許文献１）。また、鉛成分を含有しない無鉛低融点ガラス組成物が開示されている（特許文献２〜４）。 Further, it is required to use a lead-free glass component not only for the material of the seal layer but also for the material of the dielectric layer. As a lead-free glass component for a dielectric layer, an alkali-containing lead-free glass powder containing K 2 O is disclosed (Patent Document 1). Moreover, the lead-free low melting glass composition which does not contain a lead component is disclosed (patent documents 2 to 4).

誘電体層の形成方法としては、ガラス成分、バインダ樹脂及び溶剤を含有するペースト状組成物を電極が固定されたガラス基板の表面に直接塗布して誘電体形成シートを形成し、誘電体形成シートを焼成することにより、前記ガラス基板の表面に誘電体層を形成する方法が挙げられる。また、ガラス成分、アクリル酸エステル系樹脂及び溶剤を含有するペースト状組成物を支持フィルム上に塗布して誘電体形成シートを形成し、支持フィルム上に形成された誘電体形成シートを、電極が固定されたガラス基板の表面に転写し、転写された誘電体形成シートを焼成することにより、前記ガラス基板の表面に誘電体層を形成する方法が開示されている（特許文献５〜８）。   As a method for forming a dielectric layer, a dielectric composition sheet is formed by directly applying a paste-like composition containing a glass component, a binder resin and a solvent to the surface of a glass substrate on which an electrode is fixed. A method of forming a dielectric layer on the surface of the glass substrate by firing is mentioned. Further, a dielectric composition sheet is formed by applying a paste-like composition containing a glass component, an acrylate resin and a solvent on a support film, and the electrode is formed on the dielectric formation sheet formed on the support film. A method is disclosed in which a dielectric layer is formed on the surface of the glass substrate by transferring it to the surface of the fixed glass substrate and firing the transferred dielectric forming sheet (Patent Documents 5 to 8).

誘電体層の材料であるガラス成分としては、焼結ガラス成分や溶融ガラス成分が一般的に使用されている。焼結ガラス成分は、通常溶融ガラス成分よりも転移点及び軟化点が高く、焼成時に軟化によりガラス粒子が相互に結合して緻密化することにより誘電体層を形成する。一方、溶融ガラス成分は、焼成時にガラス粒子が溶けて材料中の気体が脱泡して誘電体層を形成する。   As a glass component that is a material of the dielectric layer, a sintered glass component or a molten glass component is generally used. The sintered glass component usually has a transition point and a softening point higher than those of the molten glass component, and the dielectric layer is formed by the glass particles being bonded and densified by softening during firing. On the other hand, the molten glass component melts glass particles during firing, and gas in the material is defoamed to form a dielectric layer.

溶融ガラス成分を用いて誘電体層を形成し、シール層の材料として無鉛ガラス成分を使用した場合、パネル化工程においてシール層が溶融するまで加熱すると、誘電体層の形成材料である溶融ガラス成分までもが転移点以上となって再度軟化してしまい、その結果、誘電体層の寸法変化が生じたり、表面平滑性が損なわれたりするという問題があった。   When a dielectric layer is formed using a molten glass component and a lead-free glass component is used as the material for the seal layer, the molten glass component that is a material for forming the dielectric layer is heated when the seal layer is melted in the paneling process. As a result, there is a problem that the dimensional change of the dielectric layer occurs or the surface smoothness is impaired.

一方、焼結ガラス成分を用いて誘電体層を形成した場合には、シール層の材料として無鉛ガラス成分を使用した際に、誘電体層の寸法変化や表面平滑性の低下はそれほど問題とならないが、電極近傍に泡が発生し、発生した泡が電極脇で成長して大気泡となり、当該大気泡が電極脇に残存するという別の問題があった。   On the other hand, when a dielectric layer is formed using a sintered glass component, when a lead-free glass component is used as the material for the seal layer, the dimensional change of the dielectric layer and the decrease in surface smoothness are not so problematic. However, there is another problem that bubbles are generated near the electrode, and the generated bubbles grow on the side of the electrode to become large bubbles, and the large bubbles remain on the side of the electrode.

電極近傍での大気泡の発生を抑制することを目的として、アルカリ金属成分を含有するＢ２Ｏ３−ＺｎＯ系ガラスを誘電体層の材料として用いることが開示されている（特許文献９）。
特開２０００−３１３６３５号公報 特開２０００−２２６２３１号公報 特開２００１−１３９３４４号公報 特開２００３−１２８４３０号公報 特開平９−１０２２７３号公報 特開２００１−１８５０２４号公報 特開平１１−３５７８０号公報 国際公開第００／４２６２２号パンフレット 特開２００４−１４６３５７号公報 For the purpose of suppressing the generation of large bubbles in the vicinity of the electrode, it is disclosed that B 2 O 3 —ZnO-based glass containing an alkali metal component is used as a material for the dielectric layer (Patent Document 9).
JP 2000-313635 A JP 2000-226231 A JP 2001-139344 A JP 2003-128430 A JP-A-9-102273 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-185024 Japanese Patent Laid-Open No. 11-35780 International Publication No. 00/42622 Pamphlet JP 2004-146357 A

本発明は、このような従来技術の課題を解決したものであって、ガラス基板上の電極脇に大気泡を生じさせることがなく、寸法変化が起こりにくく、かつ表面平滑性の高い誘電体層を提供することを目的とする。また、誘電体形成シート、誘電体層形成基板の製造方法、誘電体層形成基板、及びプラズマディスプレイパネルを提供することを目的とする。   The present invention solves such a problem of the prior art, does not cause large bubbles on the side of the electrode on the glass substrate, hardly changes in dimensions, and has a high surface smoothness. The purpose is to provide. Another object of the present invention is to provide a dielectric forming sheet, a dielectric layer forming substrate manufacturing method, a dielectric layer forming substrate, and a plasma display panel.

本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討した結果、以下に示す誘電体層により上記目的を達成できることを見出し本発明を完成するに至った。   As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that the above object can be achieved by the following dielectric layer, and have completed the present invention.

すなわち、本発明は、転移点が４００〜４３０℃かつ軟化点が４６０〜５００℃である溶融ガラス成分の焼結体からなる第一誘電体層上に、転移点が４５０〜５３０℃かつ軟化点が５５０〜６２０℃である焼結ガラス成分の焼結体からなる第二誘電体層が積層されている２層構造の誘電体層、に関する。   That is, the present invention provides a transition point of 450 to 530 ° C. and a softening point on a first dielectric layer made of a sintered body of a molten glass component having a transition point of 400 to 430 ° C. and a softening point of 460 to 500 ° C. Relates to a dielectric layer having a two-layer structure in which a second dielectric layer made of a sintered body of a sintered glass component having a temperature of 550 to 620 ° C. is laminated.

本発明の誘電体層は、ガラス基板上の電極脇に大気泡を生じさせることがなく、かつ、シール層の材料として無鉛ガラス成分を使用してパネル化工程を行った場合であっても、寸法変化がほとんど起こらず、優れた表面平滑性を維持することができる。このような効果が発現する理由は明らかではないが、以下のように考えられる。   The dielectric layer of the present invention does not cause large bubbles on the side of the electrode on the glass substrate, and even when the paneling process is performed using a lead-free glass component as the material of the seal layer, Almost no dimensional change occurs, and excellent surface smoothness can be maintained. The reason why such an effect appears is not clear, but is considered as follows.

本発明の誘電体層は、ガラス基板上の電極を被覆する溶融ガラス成分の焼結体からなる第一誘電体層と、該第一誘電体層上に積層された焼結ガラス成分の焼結体からなる第二誘電体層とにより構成されている。第一誘電体層の形成材料である溶融ガラス成分は比較的軟化点が低いため、焼成時において、軟化した流動性の高い溶融ガラス成分は電極脇の空間を完全に埋めることになる。そのため、電極近傍にて泡が発生しても、当該泡は滞留することなく容易に脱泡すると考えられる。   The dielectric layer according to the present invention includes a first dielectric layer made of a sintered body of a molten glass component covering an electrode on a glass substrate, and a sintered glass component laminated on the first dielectric layer. And a second dielectric layer made of a body. Since the molten glass component, which is a material for forming the first dielectric layer, has a relatively low softening point, the softened molten glass component having high fluidity completely fills the space beside the electrode during firing. Therefore, even if bubbles are generated in the vicinity of the electrode, it is considered that the bubbles are easily defoamed without staying.

また、このような２層構造の誘電体層を有するガラス基板を用いてパネル化工程を行うと、第二誘電体層を形成する焼結ガラス成分の焼結体は、シール層が溶融する温度でもほとんど軟化しないため、誘電体層の寸法変化を抑制でき、かつ表面平滑性を高く維持することができると考えられる。   Further, when the panel forming process is performed using the glass substrate having the dielectric layer having such a two-layer structure, the sintered body of the sintered glass component forming the second dielectric layer has a temperature at which the seal layer melts. However, since it is hardly softened, it is considered that the dimensional change of the dielectric layer can be suppressed and the surface smoothness can be kept high.

前記溶融ガラス成分及び焼結ガラス成分は、鉛成分を含有しない無鉛ガラス成分であることが好ましい。鉛成分の使用削減や全廃の観点から誘電体層形成用のガラス成分も鉛成分を含有しないことが好ましい。   The molten glass component and the sintered glass component are preferably lead-free glass components that do not contain a lead component. It is preferable that the glass component for forming the dielectric layer also does not contain a lead component from the viewpoint of reducing the use of the lead component or eliminating it.

本発明は、転移点が４５０〜５３０℃かつ軟化点が５５０〜６２０℃である焼結ガラス成分を含有する焼結ガラス層と、転移点が４００〜４３０℃かつ軟化点が４６０〜５００℃である溶融ガラス成分を含有する溶融ガラス層とが積層されている誘電体形成シート、に関する。   The present invention includes a sintered glass layer containing a sintered glass component having a transition point of 450 to 530 ° C and a softening point of 550 to 620 ° C, a transition point of 400 to 430 ° C and a softening point of 460 to 500 ° C. The present invention relates to a dielectric forming sheet in which a molten glass layer containing a certain molten glass component is laminated.

また本発明は、前記誘電体形成シートを、溶融ガラス層と電極とが接触するように電極を有するガラス基板上に転写する転写工程、及び転写された誘電体形成シートを焼成し、電極を有するガラス基板上に溶融ガラス成分の焼結体からなる第一誘電体層と焼結ガラス成分の焼結体からなる第二誘電体層とにより構成される２層構造の誘電体層を形成する焼成工程を含む誘電体層形成基板の製造方法、に関する。   The present invention also includes a transfer step of transferring the dielectric-forming sheet onto a glass substrate having an electrode so that the molten glass layer and the electrode are in contact, and firing the transferred dielectric-forming sheet to have an electrode. Firing to form a two-layered dielectric layer composed of a first dielectric layer made of a sintered body of a molten glass component and a second dielectric layer made of a sintered body of a sintered glass component on a glass substrate The present invention relates to a method for manufacturing a dielectric layer-formed substrate including steps.

また本発明は、転移点が４００〜４３０℃かつ軟化点が４６０〜５００℃である溶融ガラス成分を含有する溶融ガラス層を、電極を有するガラス基板上に形成する工程、前記溶融ガラス層を焼成して電極を有するガラス基板上に第一誘電体層を形成する工程、転移点が４５０〜５３０℃かつ軟化点が５５０〜６２０℃である焼結ガラス成分を含有する焼結ガラス層を前記第一誘電体層上に形成する工程、及び前記焼結ガラス層を焼成して第一誘電体層上に第二誘電体層を形成する工程を含む誘電体層形成基板の製造方法、に関する。   Moreover, this invention is a process which forms the molten glass layer containing the molten glass component which has a transition point of 400-430 degreeC and a softening point of 460-500 degreeC on the glass substrate which has an electrode, The said molten glass layer is baked. Forming a first dielectric layer on a glass substrate having electrodes, and a sintered glass layer containing a sintered glass component having a transition point of 450 to 530 ° C. and a softening point of 550 to 620 ° C. The present invention relates to a method for producing a dielectric layer-formed substrate, comprising a step of forming on a dielectric layer, and a step of firing the sintered glass layer to form a second dielectric layer on the first dielectric layer.

また本発明は、前記方法によって製造される誘電体層形成基板、に関する。   The present invention also relates to a dielectric layer forming substrate manufactured by the above method.

さらに本発明は、前記誘電体層形成基板を用いたプラズマディスプレイパネル、に関する。   The present invention further relates to a plasma display panel using the dielectric layer-formed substrate.

以下、本発明について詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail.

図２に示すように、本発明の誘電体層１５は、転移点が４００〜４３０℃かつ軟化点が４６０〜５００℃である溶融ガラス成分の焼結体からなる第一誘電体層１３上に、転移点が４５０〜５３０℃かつ軟化点が５５０〜６２０℃である焼結ガラス成分の焼結体からなる第二誘電体層１４が積層された２層構造体である。ここで、転移点とはＤＴＡ曲線の第一吸熱部の肩の温度であり、軟化点とはＤＴＡ曲線の第二吸熱部の裾の温度である。   As shown in FIG. 2, the dielectric layer 15 of the present invention is formed on the first dielectric layer 13 made of a sintered body of a molten glass component having a transition point of 400 to 430 ° C. and a softening point of 460 to 500 ° C. A two-layer structure in which a second dielectric layer 14 made of a sintered body of a sintered glass component having a transition point of 450 to 530 ° C. and a softening point of 550 to 620 ° C. is laminated. Here, the transition point is the temperature of the shoulder of the first endothermic part of the DTA curve, and the softening point is the temperature of the bottom of the second endothermic part of the DTA curve.

第一誘電体層は、転移点が４００〜４３０℃かつ軟化点が４６０〜５００℃である溶融ガラス成分及びバインダ樹脂を少なくとも含有する溶融ガラス含有樹脂組成物からなる溶融ガラス層を焼成することにより形成される。   The first dielectric layer is obtained by firing a molten glass layer composed of a molten glass-containing resin composition containing at least a molten glass component having a transition point of 400 to 430 ° C. and a softening point of 460 to 500 ° C. and a binder resin. It is formed.

一方、第二誘電体層は、転移点が４５０〜５３０℃かつ軟化点が５５０〜６２０℃である焼結ガラス成分及びバインダ樹脂を少なくとも含有する焼結ガラス含有樹脂組成物からなる焼結ガラス層を焼成することにより形成される。   On the other hand, the second dielectric layer is a sintered glass layer comprising a sintered glass-containing resin composition containing at least a sintered glass component having a transition point of 450 to 530 ° C. and a softening point of 550 to 620 ° C. and a binder resin. It is formed by baking.

前記溶融ガラス成分の軟化点が４６０℃未満の場合には、シール層の材料として無鉛ガラス成分を使用した際に、パネル化工程においてシール層が溶融するまで加熱すると、溶融ガラス成分が過剰に軟化してしまい、その結果、誘電体層の寸法変化が生じたり、表面平滑性が損なわれる恐れがある。一方、軟化点が５００℃を超える場合には、焼成時に溶融ガラス成分が十分に溶融せず、それにより脱泡しにくくなるため電極脇に大気泡が残存しやすくなる。   When the softening point of the molten glass component is less than 460 ° C., when a lead-free glass component is used as the material for the sealing layer, the molten glass component is excessively softened by heating until the sealing layer is melted in the paneling process. As a result, the dimensional change of the dielectric layer may occur or the surface smoothness may be impaired. On the other hand, when the softening point exceeds 500 ° C., the molten glass component is not sufficiently melted at the time of firing, thereby making it difficult to defoam, and large bubbles are likely to remain on the side of the electrode.

溶融ガラス成分は、公知のものを特に制限なく用いることができる。例えば、１）酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化珪素（ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系）の混合物、２）酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化珪素、酸化アルミニウム（ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系）の混合物、３）酸化鉛、酸化ホウ素、酸化珪素、酸化カルシウム（ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＣａＯ系）の混合物、４）酸化鉛、酸化ホウ素、酸化珪素、酸化アルミニウム（ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系）の混合物、５）酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化珪素（ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系）の混合物、６）酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化珪素、酸化アルミニウム（ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系）の混合物などを挙げることができる。また、必要に応じてこれらにＮａ２Ｏ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｒＯ、ＴｉＯ２、ＣｕＯ、又はＩｎ２Ｏ３などを添加したものであってもよい。溶融ガラス成分は鉛成分を含有しないことが好ましい。また、溶融ガラス成分の平均粒子径は０．１〜１０μｍであることが好ましい。 A well-known thing can be especially used for a molten glass component without a restriction | limiting. For example, 1) a mixture of zinc oxide, boron oxide, silicon oxide (ZnO—B 2 O 3 —SiO 2 system), 2) zinc oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide (ZnO—B 2 O 3 —SiO 2) mixture of -al 2 O 3 system), 3) lead oxide, boron oxide, silicon oxide, a mixture of calcium oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 -CaO -based), 4) lead oxide, boron oxide, silicon oxide , A mixture of aluminum oxide (PbO—B 2 O 3 —SiO 2 —Al 2 O 3 system), 5) lead oxide, zinc oxide, boron oxide, silicon oxide (PbO—ZnO—B 2 O 3 —SiO 2 system) 6) A mixture of lead oxide, zinc oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide (PbO—ZnO—B 2 O 3 —SiO 2 —Al 2 O 3 system), and the like. Further, if necessary, Na 2 O, CaO, BaO, Bi 2 O 3 , SrO, TiO 2 , CuO, or In 2 O 3 may be added thereto. The molten glass component preferably does not contain a lead component. Moreover, it is preferable that the average particle diameter of a molten glass component is 0.1-10 micrometers.

前記焼結ガラス成分の軟化点が５５０℃未満の場合には、パネル化工程においてシール層が溶融するまで加熱すると、焼結ガラス成分が軟化して誘電体層の寸法変化が生じたり、表面平滑性が損なわれる恐れがあり、一方軟化点が６２０℃を超える場合には、焼結ガラス層の焼成時にガラス基板や電極がダメージを受けるため好ましくない。   When the softening point of the sintered glass component is less than 550 ° C., heating until the sealing layer melts in the paneling process softens the sintered glass component and causes a dimensional change of the dielectric layer, or a smooth surface. On the other hand, when the softening point exceeds 620 ° C., the glass substrate and the electrode are damaged during firing of the sintered glass layer, which is not preferable.

焼結ガラス成分は、公知のものを特に制限なく用いることができる。例えば、１）酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化珪素（ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系）の混合物、２）酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化珪素、酸化アルミニウム（ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系）の混合物、３）酸化鉛、酸化ホウ素、酸化珪素、酸化カルシウム（ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＣａＯ系）の混合物、４）酸化鉛、酸化ホウ素、酸化珪素、酸化アルミニウム（ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系）の混合物、５）酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化珪素（ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系）の混合物、６）酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化珪素、酸化アルミニウム（ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系）の混合物などを挙げることができる。また、必要に応じてこれらにＮａ２Ｏ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｒＯ、ＴｉＯ２、ＣｕＯ、又はＩｎ２Ｏ３などを添加したものであってもよい。焼結ガラス成分は鉛成分を含有しないことが好ましい。また、焼結ガラス成分の平均粒子径は０．１〜１０μｍであることが好ましい。 A well-known thing can be especially used for a sintered glass component without a restriction | limiting. For example, 1) a mixture of zinc oxide, boron oxide, silicon oxide (ZnO—B 2 O 3 —SiO 2 system), 2) zinc oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide (ZnO—B 2 O 3 —SiO 2) mixture of -al 2 O 3 system), 3) lead oxide, boron oxide, silicon oxide, a mixture of calcium oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 -CaO -based), 4) lead oxide, boron oxide, silicon oxide , A mixture of aluminum oxide (PbO—B 2 O 3 —SiO 2 —Al 2 O 3 system), 5) lead oxide, zinc oxide, boron oxide, silicon oxide (PbO—ZnO—B 2 O 3 —SiO 2 system) 6) A mixture of lead oxide, zinc oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide (PbO—ZnO—B 2 O 3 —SiO 2 —Al 2 O 3 system), and the like. Further, if necessary, Na 2 O, CaO, BaO, Bi 2 O 3 , SrO, TiO 2 , CuO, or In 2 O 3 may be added thereto. The sintered glass component preferably does not contain a lead component. Moreover, it is preferable that the average particle diameter of a sintered glass component is 0.1-10 micrometers.

バインダ樹脂は特に制限されず、（メタ）アクリル系樹脂、ビニル系樹脂、セルロース系樹脂などの公知のものを用いることができるが、特に（メタ）アクリル系樹脂を用いることが好ましい。   The binder resin is not particularly limited, and known resins such as (meth) acrylic resins, vinyl resins, and cellulose resins can be used, and it is particularly preferable to use (meth) acrylic resins.

前記（メタ）アクリル系樹脂等のバインダ樹脂は、重量平均分子量５〜５０万であることが好ましく、さらに好ましくは５〜３０万である。重量平均分子量が５万未満の場合には、溶融ガラス含有樹脂組成物や焼結ガラス含有樹脂組成物を支持フィルム上に塗布して溶融ガラス層や焼結ガラス層を形成した転写シートの凝集力が乏しくなり、強度が低くなるため、その後の作業上好ましくない。一方、５０万を超える場合には、組成物の粘度が高くなり、ガラス成分の分散性が悪くなるため好ましくない。   The binder resin such as the (meth) acrylic resin preferably has a weight average molecular weight of 5 to 500,000, more preferably 5 to 300,000. When the weight average molecular weight is less than 50,000, the cohesive force of the transfer sheet in which a molten glass-containing resin composition or a sintered glass-containing resin composition is coated on a support film to form a molten glass layer or a sintered glass layer Since the strength becomes low and the strength becomes low, it is not preferable in the subsequent work. On the other hand, when it exceeds 500,000, the viscosity of the composition is increased, and the dispersibility of the glass component is deteriorated.

前記（メタ）アクリル系樹脂は、アクリル系モノマー及び／又はメタクリル系モノマーの重合体、又はそれらの混合物である。   The (meth) acrylic resin is a polymer of an acrylic monomer and / or a methacrylic monomer, or a mixture thereof.

（メタ）アクリル系モノマーの具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレ−ト、アミル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレートなどのアルキル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、トリル（メタ）アクリレートなどのアリール（メタ）アクリレートなどが挙げられる。   Specific examples of the (meth) acrylic monomer include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, t- Butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, amyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, Ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, lauryl ( Data) acrylate, stearyl (meth) acrylate, alkyl (meth) acrylates such as isostearyl (meth) acrylate, phenyl (meth) acrylate, aryl (meth) acrylates such as tolyl (meth) acrylate.

また、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミド基、及びアミノ基などの極性基含有モノマーを共重合させてもよい。これら極性基含有モノマーを共重合させることにより、溶融ガラス成分の分散性を向上させることができる。極性基含有モノマーの配合割合は、全モノマー成分に対して０．１〜２０モル％であることが好ましい。   Also, polar group-containing monomers such as carboxyl group, hydroxyl group, epoxy group, amide group, and amino group may be copolymerized. By copolymerizing these polar group-containing monomers, the dispersibility of the molten glass component can be improved. The blending ratio of the polar group-containing monomer is preferably 0.1 to 20 mol% with respect to all monomer components.

極性基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、２−メチルシスアクリル酸、アリル酢酸、クロトン酸、マレイン酸、メチルマレイン酸、フマル酸、メチルフマル酸、ジメチルフマル酸、イタコン酸、ビニル酢酸、２−（メタ）アクリロイロキシエチルコハク酸、２−（メタ）アクリロイロキシエチルフタル酸、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリル酸グリシジル、及び（メタ）アクリル酸ジメチルアミノエチルなどが挙げられる。   Examples of polar group-containing monomers include acrylic acid, methacrylic acid, 2-methylcisacrylic acid, allylic acetic acid, crotonic acid, maleic acid, methylmaleic acid, fumaric acid, methyl fumaric acid, dimethyl fumaric acid, itaconic acid, vinyl acetic acid. 2- (meth) acryloyloxyethyl succinic acid, 2- (meth) acryloyloxyethyl phthalic acid, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) Acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 3-hydroxybutyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, (meth) acrylamide, glycidyl (meth) acrylate, and (Meta Such as dimethylaminoethyl acrylate and the like.

前記（メタ）アクリル系樹脂は、ガラス成分１００重量部に対して、５〜５０重量部添加することが好ましく、さらに好ましくは１０〜４０重量部であり、特に好ましくは１５〜３０重量部である。   The (meth) acrylic resin is preferably added in an amount of 5 to 50 parts by weight, more preferably 10 to 40 parts by weight, and particularly preferably 15 to 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the glass component. .

また、（メタ）アクリル系樹脂の転移点は３０℃以下であることが好ましく、さらに好ましくは２０℃以下である。転移点が３０℃を超える場合には、転写シートとした際に可とう性のないシートとなり、段差吸収性や転写性やハンドリング性が悪化してしまうため好ましくない。なお、（メタ）アクリル系樹脂の転移点は、共重合モノマーの組成比を適宜変えることにより前記範囲内に調製することができる。   Moreover, it is preferable that the transition point of (meth) acrylic-type resin is 30 degrees C or less, More preferably, it is 20 degrees C or less. When the transition point exceeds 30 ° C., the transfer sheet is not flexible, and the step absorbability, transferability, and handling properties are deteriorated. In addition, the transition point of (meth) acrylic-type resin can be prepared in the said range by changing suitably the composition ratio of a copolymerization monomer.

溶融ガラス含有樹脂組成物や焼結ガラス含有樹脂組成物を支持フィルム上に塗布して溶融ガラス層や焼結ガラス層を形成した転写シートを作製する場合には、支持フィルム上に均一に塗布できるように該組成物中に溶剤を加えることが好ましい。   When producing a transfer sheet in which a molten glass-containing resin composition or a sintered glass-containing resin composition is applied on a support film to form a molten glass layer or a sintered glass layer, it can be uniformly applied on the support film. Thus, it is preferable to add a solvent to the composition.

溶剤としては、ガラス成分との親和性がよく、且つ、バインダ樹脂との溶解性がよいものであれば特に制限されるものではない。例えば、テルピネオール、ジヒドロ−α−テルピネオール、ジヒドロ−α−テルピニルアセテート、ブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール、イソプロピルアルコール、ベンジルアルコール、テレビン油、ジエチルケトン、メチルブチルケトン、ジプロピルケトン、シクロへキサノン、ｎ−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、シクロへキサノール、ジアセトンアルコール、エチレングリコ−ルモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸−ｎ−ブチル、酢酸アミル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチル−３−エトキシプロピオネート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオール−１−イソブチレート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオール−３−イソブチレートなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、任意の割合で２種類以上を併用してもよい。   The solvent is not particularly limited as long as it has good affinity with the glass component and good solubility with the binder resin. For example, terpineol, dihydro-α-terpineol, dihydro-α-terpinyl acetate, butyl carbitol acetate, butyl carbitol, isopropyl alcohol, benzyl alcohol, turpentine oil, diethyl ketone, methyl butyl ketone, dipropyl ketone, cyclohexanone N-pentanol, 4-methyl-2-pentanol, cyclohexanol, diacetone alcohol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, Diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether , N-butyl acetate, amyl acetate, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl-3-ethoxypropionate, 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol-1 -Isobutyrate, 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol-3-isobutyrate and the like. These may be used alone or in combination of two or more at any ratio.

溶剤の添加量は、ガラス成分１００重量部に対して、１０〜２００重量部であることが好ましく、より好ましくは３０〜１５０重量部である。   The addition amount of the solvent is preferably 10 to 200 parts by weight, more preferably 30 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the glass component.

また、溶融ガラス含有樹脂組成物や焼結ガラス含有樹脂組成物には、可塑剤を添加してもよい。可塑剤を添加することにより、該組成物を支持フィルム上に塗布して溶融ガラス層や焼結ガラス層を形成した転写シートの可とう性や柔軟性、及び溶融ガラス層や焼結ガラス層のガラス基板上への転写性などを調整することができる。   Moreover, you may add a plasticizer to a molten glass containing resin composition and a sintered glass containing resin composition. By adding a plasticizer, the flexibility and flexibility of a transfer sheet in which the composition is applied on a support film to form a molten glass layer or a sintered glass layer, and the molten glass layer or sintered glass layer Transferability onto a glass substrate can be adjusted.

可塑剤としては、公知のものを特に制限なく使用することができる。例えば、ジイソノニルアジペート、ジ−２−エチルヘキシルアジペート、ジブチルジグリコールアジペートなどのアジピン酸誘導体、ジ−２−エチルヘキシルアゼレートなどのアゼライン酸誘導体、ジ−２−エチルヘキシルセバケートなどのセバシン酸誘導体、トリ（２−エチルヘキシル）トリメリテート、トリイソノニルトリメリテート、トリイソデシルトリメリテートなどのトリメリット酸誘導体、テトラ−（２−エチルヘキシル）ピロメリテートなどのピロメリット酸誘導体、プロピレングリコールモノオレートなどのオレイン酸誘導体、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールなどのグリコール系可塑剤などが挙げられる。   As the plasticizer, known ones can be used without particular limitation. For example, adipic acid derivatives such as diisononyl adipate, di-2-ethylhexyl adipate, dibutyl diglycol adipate, azelaic acid derivatives such as di-2-ethylhexyl azelate, sebacic acid derivatives such as di-2-ethylhexyl sebacate, tri ( 2-ethylhexyl) trimellitate, triisononyl trimellitate, trimellitic acid derivatives such as triisodecyl trimellitate, pyromellitic acid derivatives such as tetra- (2-ethylhexyl) pyromellitate, oleic acid derivatives such as propylene glycol monooleate And glycol plasticizers such as polyethylene glycol and polypropylene glycol.

可塑剤の添加量は、ガラス成分１００重量部に対して、２０重量部以下であることが好ましい。可塑剤の添加量が２０重量部を超えると、得られる転写シートの強度が低下してしまうため好ましくない。   The addition amount of the plasticizer is preferably 20 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the glass component. If the added amount of the plasticizer exceeds 20 parts by weight, the strength of the transfer sheet to be obtained is lowered, which is not preferable.

溶融ガラス含有樹脂組成物や焼結ガラス含有樹脂組成物には、上記の成分の他、分散剤、シランカップリング剤、粘着性付与剤、レベリング剤、安定剤、消泡剤などの各種添加剤を添加してもよい。   In addition to the above components, various additives such as dispersants, silane coupling agents, tackifiers, leveling agents, stabilizers and antifoaming agents are added to the molten glass-containing resin composition and sintered glass-containing resin composition. May be added.

以下、本発明の誘電体層及び誘電体層形成基板の製造方法を説明する。図２は、電極１１を有するガラス基板１２上に、第一誘電体層１３と第二誘電体層１４とにより構成される２層構造の誘電体層１５が形成されている誘電体層形成基板１６の断面図である。   Hereinafter, the manufacturing method of the dielectric layer and the dielectric layer forming substrate of the present invention will be described. FIG. 2 shows a dielectric layer forming substrate in which a dielectric layer 15 having a two-layer structure composed of a first dielectric layer 13 and a second dielectric layer 14 is formed on a glass substrate 12 having electrodes 11. 16 is a cross-sectional view of FIG.

本発明の誘電体層及び誘電体層形成基板の製造方法としては、例えば以下のような方法が挙げられる。   Examples of the method for producing the dielectric layer and the dielectric layer-formed substrate of the present invention include the following methods.

まず、支持フィルム上に焼結ガラス層と溶融ガラス層とからなる誘電体形成シートを形成して転写シートを作製する。そして、転写シートの誘電体形成シートを、溶融ガラス層と電極とが接触するように電極を有するガラス基板上に転写する。その後、転写された誘電体形成シートを焼成し、電極を有するガラス基板上に溶融ガラス成分の焼結体からなる第一誘電体層と焼結ガラス成分の焼結体からなる第二誘電体層とにより構成される２層構造の誘電体層を形成する方法である。   First, a transfer sheet is produced by forming a dielectric forming sheet composed of a sintered glass layer and a molten glass layer on a support film. And the dielectric formation sheet of a transfer sheet is transcribe | transferred on the glass substrate which has an electrode so that a molten glass layer and an electrode may contact. Thereafter, the transferred dielectric-forming sheet is fired, and a first dielectric layer made of a sintered body of a molten glass component and a second dielectric layer made of a sintered body of a sintered glass component on a glass substrate having electrodes. And forming a dielectric layer having a two-layer structure.

前記転写シートは、支持フィルム上に形成した焼結ガラス層と溶融ガラス層とからなる誘電体形成シートをガラス基板表面に一括転写するために用いられるものである。   The transfer sheet is used to collectively transfer a dielectric-forming sheet composed of a sintered glass layer and a molten glass layer formed on a support film onto the surface of a glass substrate.

前記転写シートは、焼結ガラス含有樹脂組成物を支持フィルム上に塗布し、溶剤を乾燥除去して焼結ガラス層を形成し、その後、溶融ガラス含有樹脂組成物を焼結ガラス層上に塗布し、溶剤を乾燥除去して溶融ガラス層を形成することにより作製される。また、支持フィルム上に焼結ガラス層を形成した転写シートと、支持フィルム上に溶融ガラス層を形成した転写シートとを貼り合わせて、溶融ガラス層を焼結ガラス層上に転写して作製してもよい。   The transfer sheet is formed by applying a sintered glass-containing resin composition on a support film, drying and removing the solvent to form a sintered glass layer, and then applying a molten glass-containing resin composition on the sintered glass layer. The solvent is then removed by drying to form a molten glass layer. In addition, a transfer sheet in which a sintered glass layer is formed on a support film and a transfer sheet in which a molten glass layer is formed on a support film are bonded together, and the molten glass layer is transferred onto the sintered glass layer. May be.

転写シートを構成する支持フィルムは、耐熱性及び耐溶剤性を有すると共に可とう性を有する樹脂フィルムであることが好ましい。支持フィルムが可とう性を有することにより、ロールコーターなどによってペースト状の焼結ガラス含有樹脂組成物や溶融ガラス含有樹脂組成物を塗布することができ、誘電体形成シートをロール状に巻き取った状態で保存し、供給することができる。   The support film constituting the transfer sheet is preferably a resin film having heat resistance and solvent resistance and flexibility. Since the support film has flexibility, a paste-like sintered glass-containing resin composition or molten glass-containing resin composition can be applied by a roll coater or the like, and the dielectric-forming sheet is wound into a roll. Can be stored and supplied in state.

支持フィルムを形成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリフルオロエチレンなどの含フッ素樹脂、ナイロン、セルロースなどを挙げることができる。   Examples of the resin forming the support film include polyethylene terephthalate, polyester, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyfluoroethylene, and other fluorine-containing resins, nylon, and cellulose.

支持フィルムの厚さは特に制限されないが、２５〜１００μｍ程度であることが好ましい。   The thickness of the support film is not particularly limited, but is preferably about 25 to 100 μm.

なお、支持フィルムの表面には離型処理が施されていることが好ましい。これにより、誘電体形成シートをガラス基板上に転写する工程において、支持フィルムの剥離操作を容易に行うことができる。   In addition, it is preferable that the mold release process is performed to the surface of the support film. Thereby, the peeling operation of a support film can be easily performed in the process of transferring a dielectric formation sheet on a glass substrate.

焼結ガラス含有樹脂組成物や溶融ガラス含有樹脂組成物を支持フィルム上に塗布する方法としては、例えば、グラビア、キス、コンマなどのロールコーター、スロット、ファンテンなどのダイコーター、スクイズコーター、カーテンコーターなどの塗布方法を採用することができるが、支持フィルム上に均一な塗膜を形成できればいかなる方法でもよい。   Examples of a method for applying a sintered glass-containing resin composition or a molten glass-containing resin composition on a support film include, for example, roll coaters such as gravure, kiss, and comma, die coaters such as slots and phantoms, squeeze coaters, and curtains. A coating method such as a coater can be adopted, but any method can be used as long as a uniform coating film can be formed on the support film.

焼結ガラス層の厚さは、焼結ガラス成分の含有率、パネルの種類やサイズなどによっても異なるが、２０〜１００μｍであることが好ましい。厚さが２０μｍ未満である場合には、最終的に形成される誘電体層の総膜厚が不十分となり、所望の誘電特性を確保することができない傾向にある。一方、厚さが１００μｍを超える場合には誘電体層の透明性が低下する傾向にある。   The thickness of the sintered glass layer varies depending on the content of the sintered glass component, the type and size of the panel, and is preferably 20 to 100 μm. When the thickness is less than 20 μm, the total film thickness of the finally formed dielectric layer tends to be insufficient, and desired dielectric characteristics tend not to be ensured. On the other hand, when the thickness exceeds 100 μm, the transparency of the dielectric layer tends to decrease.

溶融ガラス層の厚さは、溶融ガラス成分の含有率、パネルの種類やサイズ、電極の種類や厚さなどによっても異なるが、少なくとも溶融ガラス層の焼結体（第一誘電体層）が電極を完全に被覆することが必要であり、そのため３〜５０μｍであることが好ましい。厚さが３μｍ未満である場合には、溶融ガラス層の焼結体により電極を完全に被覆できない恐れがあり、電極脇に空間部が生じやすく、それにより電極脇に大気泡が発生しやすくなる。一方、厚さが５０μｍを超える場合にはパネル化工程時に溶融ガラス層の焼結体の軟化により、誘電体層の寸法変化が起こりやすくなる傾向にある。   The thickness of the molten glass layer varies depending on the content of the molten glass component, the type and size of the panel, the type and thickness of the electrode, etc., but at least the sintered body of the molten glass layer (first dielectric layer) is the electrode. Is required to be completely covered, and therefore, 3 to 50 μm is preferable. When the thickness is less than 3 μm, there is a possibility that the electrode cannot be completely covered with the sintered body of the molten glass layer, and a space is likely to be formed on the side of the electrode, thereby easily generating large bubbles on the side of the electrode. . On the other hand, when the thickness exceeds 50 μm, the dimensional change of the dielectric layer tends to easily occur due to softening of the sintered body of the molten glass layer during the paneling process.

通常、焼結ガラス層及び溶融ガラス層の総厚さが２０〜１００μｍであれば、大型のパネルに要求される誘電体層の膜厚を十分に確保することができる。   In general, when the total thickness of the sintered glass layer and the molten glass layer is 20 to 100 μm, the film thickness of the dielectric layer required for a large panel can be sufficiently secured.

なお、転写シートは、溶融ガラス層の表面に保護フィルムを設けてもよい。保護フィルムの形成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレンなどが挙げられる。保護フィルムでカバーされた転写シートは、ロール状に巻き取った状態で保存し、供給することができる。なお、保護フィルムの表面は離型処理が施されていることが好ましい。   The transfer sheet may be provided with a protective film on the surface of the molten glass layer. Examples of the material for forming the protective film include polyethylene terephthalate, polyester, polyethylene, and polypropylene. The transfer sheet covered with the protective film can be stored and supplied in a state of being rolled up. The surface of the protective film is preferably subjected to a mold release treatment.

ガラス基板としては、適切な電極が固定された前面ガラス基板や背面ガラス基板が用いられる。   As the glass substrate, a front glass substrate or a rear glass substrate on which appropriate electrodes are fixed is used.

転写工程の一例を以下に示すが、ガラス基板表面に誘電体形成シートが転写されて密着した状態にできれば、その方法は特に制限されるものではない。   An example of the transfer process is shown below, but the method is not particularly limited as long as the dielectric-forming sheet is transferred and adhered to the glass substrate surface.

例えば、転写シートの保護フィルムを剥離した後、電極が固定されたガラス基板の表面に、溶融ガラス層の表面を当接するように転写シートを重ね合わせ、この転写シートを加熱ロール式のラミネーターなどにより熱圧着した後、誘電体形成シートから支持フィルムを剥離除去する。これにより、ガラス基板表面に誘電体形成シートが転写されて密着した状態となる。   For example, after peeling off the protective film of the transfer sheet, the transfer sheet is superposed on the surface of the glass substrate on which the electrode is fixed so that the surface of the molten glass layer comes into contact with the transfer sheet. After thermocompression bonding, the support film is peeled off from the dielectric forming sheet. As a result, the dielectric forming sheet is transferred and brought into close contact with the glass substrate surface.

転写条件としては、例えば、ラミネーターの表面温度２５〜１００℃、ロール線圧０．５〜１５ｋｇ／ｃｍ、移動速度０．１〜５ｍ／分であるが、これら条件に限定されるものではない。また、ガラス基板は予熱されていてもよく、予熱温度は５０〜１００℃程度である。   The transfer conditions are, for example, a laminator surface temperature of 25 to 100 ° C., a roll linear pressure of 0.5 to 15 kg / cm, and a moving speed of 0.1 to 5 m / min, but are not limited to these conditions. The glass substrate may be preheated, and the preheating temperature is about 50 to 100 ° C.

誘電体形成シートの焼成工程の一例を以下に示すが、電極が固定されたガラス基板上に２層構造の誘電体層を形成できればその方法は特に制限されるものではない。   An example of the firing process of the dielectric forming sheet is shown below, but the method is not particularly limited as long as a two-layered dielectric layer can be formed on the glass substrate on which the electrodes are fixed.

誘電体形成シートが形成されたガラス基板を、通常５５０〜６５０℃、好ましくは５７０〜６３０℃の雰囲気下に配置することにより、誘電体形成シート中の有機物質（バインダ樹脂、残存溶剤、各種の添加剤など）が分解除去され、焼結ガラス成分は軟化し、溶融ガラス成分は溶融して焼結する。これにより電極が固定されたガラス基板上には、溶融ガラス成分の焼結体（第一誘電体層）と焼結ガラス成分の焼結体（第二誘電体層）とからなる２層構造の誘電体層が形成され、誘電体層形成基板が製造される。   By disposing the glass substrate on which the dielectric forming sheet is formed in an atmosphere of usually 550 to 650 ° C., preferably 570 to 630 ° C., organic substances (binder resin, residual solvent, various kinds of materials in the dielectric forming sheet) Additives, etc.) are decomposed and removed, the sintered glass component is softened, and the molten glass component is melted and sintered. Thus, on the glass substrate to which the electrodes are fixed, a two-layer structure comprising a sintered body of the molten glass component (first dielectric layer) and a sintered body of the sintered glass component (second dielectric layer) A dielectric layer is formed, and a dielectric layer forming substrate is manufactured.

誘電体層の総厚さは、使用する誘電体形成シートの厚さよって異なるが、１５〜５０μｍ程度である。また、膜厚は均一であるほど好ましく、膜厚公差は±５％以内であることが好ましい。   The total thickness of the dielectric layer varies depending on the thickness of the dielectric forming sheet to be used, but is about 15 to 50 μm. The film thickness is preferably as uniform as possible, and the film thickness tolerance is preferably within ± 5%.

本発明の誘電体層及び誘電体層形成基板の他の製造方法としては、例えば以下のような方法が挙げられる。   Examples of other methods for manufacturing the dielectric layer and the dielectric layer-formed substrate of the present invention include the following methods.

まず、転移点が４００〜４３０℃かつ軟化点が４６０〜５００℃である溶融ガラス成分を含有する溶融ガラス層を、電極を有するガラス基板上に形成し、前記溶融ガラス層を焼成して電極を有するガラス基板上に第一誘電体層を形成する。その後、転移点が４５０〜５３０℃かつ軟化点が５５０〜６２０℃である焼結ガラス成分を含有する焼結ガラス層を前記第一誘電体層上に形成し、前記焼結ガラス層を焼成して第一誘電体層上に第二誘電体層を形成する方法である。以下、詳しく説明する。   First, a molten glass layer containing a molten glass component having a transition point of 400 to 430 ° C. and a softening point of 460 to 500 ° C. is formed on a glass substrate having an electrode, and the molten glass layer is baked to form an electrode. A first dielectric layer is formed on the glass substrate. Thereafter, a sintered glass layer containing a sintered glass component having a transition point of 450 to 530 ° C. and a softening point of 550 to 620 ° C. is formed on the first dielectric layer, and the sintered glass layer is fired. The second dielectric layer is formed on the first dielectric layer. This will be described in detail below.

前記溶融ガラス成分を含有する溶融ガラス層を、電極を有するガラス基板上に形成する方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。例えば、（１）支持フィルム上に溶融ガラス層を形成した転写シートを用いて、電極を有するガラス基板上に溶融ガラス層を転写する方法、（２）スクリーン印刷機を用いたスクリーン印刷法、リバースコータを用いたロールコーティング法、又はカーテンコータ、ダイコータ、スロットコータを用いたコーティング法などにより溶融ガラス含有樹脂組成物をガラス基板上に塗布し乾燥して溶融ガラス層を形成する方法などが挙げられる。   The method in particular of forming the molten glass layer containing the said molten glass component on the glass substrate which has an electrode is not restrict | limited, A well-known method is employable. For example, (1) a method of transferring a molten glass layer onto a glass substrate having an electrode using a transfer sheet having a molten glass layer formed on a support film, (2) a screen printing method using a screen printer, reverse Examples include a method in which a molten glass-containing resin composition is applied onto a glass substrate and dried to form a molten glass layer by a roll coating method using a coater, or a coating method using a curtain coater, a die coater, or a slot coater. .

その後、ガラス基板上の溶融ガラス層を焼成して第一誘電体層を形成する。焼成方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。具体的には、溶融ガラス層が形成されたガラス基板を、通常５５０〜６５０℃、好ましくは５７０〜６３０℃の雰囲気下に配置することにより、溶融ガラス層中の有機物質を分解除去し、さらに溶融ガラス成分を溶融させて焼結させる。これによりガラス基板上には、溶融ガラス成分の焼結体からなる第一誘電体層が形成される。   Thereafter, the molten glass layer on the glass substrate is baked to form a first dielectric layer. The firing method is not particularly limited, and a known method can be employed. Specifically, the glass substrate on which the molten glass layer is formed is usually placed in an atmosphere of 550 to 650 ° C., preferably 570 to 630 ° C., to decompose and remove organic substances in the molten glass layer, The molten glass component is melted and sintered. As a result, a first dielectric layer made of a sintered body of a molten glass component is formed on the glass substrate.

その後、前記焼結ガラス成分を含有する焼結ガラス層を前記第一誘電体層上に形成する。形成方法は特に制限されず、上記と同様の方法を採用することができる。   Thereafter, a sintered glass layer containing the sintered glass component is formed on the first dielectric layer. The formation method is not particularly limited, and the same method as described above can be adopted.

そして、第一誘電体層上の焼結ガラス層を焼成して第二誘電体層を形成する。焼成方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。具体的には、焼結ガラス層が形成されたガラス基板を、通常５５０〜６５０℃、好ましくは５７０〜６３０℃の雰囲気下に配置することにより、焼結ガラス層中の有機物質を分解除去し、さらに焼結ガラス成分を軟化させて焼結させる。これにより第一誘電体層上には、焼結ガラス成分の焼結体からなる第二誘電体層が形成される。   Then, the sintered glass layer on the first dielectric layer is fired to form the second dielectric layer. The firing method is not particularly limited, and a known method can be employed. Specifically, the glass substrate on which the sintered glass layer is formed is usually placed in an atmosphere of 550 to 650 ° C., preferably 570 to 630 ° C., to decompose and remove organic substances in the sintered glass layer. Further, the sintered glass component is softened and sintered. As a result, a second dielectric layer made of a sintered body of a sintered glass component is formed on the first dielectric layer.

上記方法により、ガラス基板上に溶融ガラス成分の焼結体である第一誘電体層と焼結ガラス成分の焼結体である第二誘電体層とからなる２層構造の誘電体層が形成され、本発明の誘電体層形成基板が作製される。   By the above method, a dielectric layer having a two-layer structure comprising a first dielectric layer that is a sintered body of a molten glass component and a second dielectric layer that is a sintered body of a sintered glass component is formed on a glass substrate. Thus, the dielectric layer forming substrate of the present invention is manufactured.

誘電体層形成基板は、その後各種工程を経ることにより前面ガラス基板や背面ガラス基板となる。そして、パネル化工程において前記前面ガラス基板及び背面ガラス基板は封着され、その後各種工程を経ることによりプラズマディスプレイパネルは製造される。   The dielectric layer forming substrate becomes a front glass substrate or a back glass substrate through various processes thereafter. In the paneling process, the front glass substrate and the back glass substrate are sealed, and then the plasma display panel is manufactured through various processes.

本発明の誘電体層形成基板は、溶融ガラス成分の焼結体（第一誘電体層）と焼結ガラス成分の焼結体（第二誘電体層）とからなる２層構造の誘電体層を有しており、この特徴ある誘電体層の構造により、従来問題となっていた電極脇の大気泡の発生、誘電体層の寸法変化、及び誘電体層の表面平滑性の悪化をすべて解決できる。   The dielectric layer forming substrate of the present invention is a dielectric layer having a two-layer structure comprising a sintered body of a molten glass component (first dielectric layer) and a sintered body of a sintered glass component (second dielectric layer). This characteristic dielectric layer structure solves all the problems of large bubbles beside the electrodes, dimensional change of the dielectric layer, and deterioration of the surface smoothness of the dielectric layer, which were problems in the past. it can.

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples, but the present invention is not limited thereto.

（重量平均分子量の測定）
作製したポリマーの重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ）にて測定し、標準ポリスチレンにより換算した。
ＧＰＣ装置：東ソー社製、ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ
カラム：東ソー社製、ＴＳＫｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ ＨＺＭ−Ｈ、Ｈ−ＲＣ、ＨＺ−Ｈ
流量：０．６ｍｌ／ｍｉｎ
濃度：０．２ｗｔ％
注入量：２０μｌ
カラム温度：４０℃
溶離液：ＴＨＦ
製造例
〔（メタ）アクリル系樹脂の調製〕
撹拌羽根、温度計、窒素ガス導入管、冷却器、滴下ロ−トを備えた四つ口フラスコに２−エチルヘキシルメタクリレート（２−ＥＨＭＡ）、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート（ＨＰＭＡ）（重量比：２−ＥＨＭＡ／ＨＰＭＡ＝９０／１０）、重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイド、トルエンを仕込み、緩やかに撹拌しながら窒素ガスを導入し、フラスコ内の液温を７５℃付近に保って約８時間重合反応を行い、固形分５０重量％のメタクリル系樹脂溶液を調製した。得られたメタクリル系樹脂の重量平均分子量は１２万であった。 (Measurement of weight average molecular weight)
The weight average molecular weight of the produced polymer was measured by GPC (gel permeation chromatography) and converted by standard polystyrene.
GPC device: manufactured by Tosoh Corporation, HLC-8220GPC
Column: manufactured by Tosoh Corporation, TSKgel Super HZM-H, H-RC, HZ-H
Flow rate: 0.6ml / min
Concentration: 0.2 wt%
Injection volume: 20 μl
Column temperature: 40 ° C
Eluent: THF
Production Example [Preparation of (meth) acrylic resin]
In a four-necked flask equipped with a stirring blade, thermometer, nitrogen gas inlet tube, cooler, and dropping funnel, 2-ethylhexyl methacrylate (2-EHMA), 2-hydroxypropyl methacrylate (HPMA) (weight ratio: 2- EHMA / HPMA = 90/10), benzoyl peroxide and toluene were added as polymerization initiators, nitrogen gas was introduced while gently stirring, and the polymerization temperature was kept at about 75 ° C. for about 8 hours. And a methacrylic resin solution having a solid content of 50% by weight was prepared. The resulting methacrylic resin had a weight average molecular weight of 120,000.

〔焼結ガラス含有樹脂組成物の調製〕
焼結ガラス成分として、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−アルカリ金属酸化物−アルカリ土類金属酸化物系の無鉛ガラス成分（転移点：４８０℃、軟化点：６００℃）１００重量部、前記メタクリル系樹脂３８重量部、溶剤としてα−テルピネオール６０重量部、分散剤としてプライサーフＡ２０７Ｈ（第一工業製薬社製）０．５重量部、及び可塑剤としてトリメリット酸トリオクチル５重量部を配合し、分散機を用いて混合分散してペースト状の焼結ガラス含有樹脂組成物を調製した。 (Preparation of sintered glass-containing resin composition)
As sintered glass components, B 2 O 3 -SiO 2 - alkali metal oxide - lead-free glass component of the alkaline earth metal oxide (transition point: 480 ° C., a softening point: 600 ° C.) 100 parts by weight, the methacrylic 38 parts by weight of resin, 60 parts by weight of α-terpineol as a solvent, 0.5 parts by weight of Prisurf A207H (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) as a dispersing agent, and 5 parts by weight of trioctyl trimellitic acid as a plasticizer are mixed and dispersed. A paste-like sintered glass-containing resin composition was prepared by mixing and dispersing using a machine.

〔溶融ガラス含有樹脂組成物の調製〕
溶融ガラス成分として、Ｂ２Ｏ３−Ｐ２Ｏ５−アルカリ金属酸化物−アルカリ土類金属酸化物系の無鉛ガラス成分（転移点：４１０℃、軟化点：４８０℃）１００重量部、前記メタクリル系樹脂３８重量部、溶剤としてα−テルピネオール６０重量部、分散剤としてプライサーフＡ２０７Ｈ（第一工業製薬社製）０．５重量部、及び可塑剤としてトリメリット酸トリオクチル５重量部を配合し、分散機を用いて混合分散してペースト状の溶融ガラス含有樹脂組成物を調製した。 (Preparation of molten glass-containing resin composition)
As the molten glass components, B 2 O 3 -P 2 O 5 - alkali metal oxide - lead-free glass component of the alkaline earth metal oxide (transition point: 410 ° C., a softening point: 480 ° C.) 100 parts by weight, the methacrylic 38 parts by weight of a resin, 60 parts by weight of α-terpineol as a solvent, 0.5 parts by weight of PRISURF A207H (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) as a dispersant, and 5 parts by weight of trioctyl trimellitic acid as a plasticizer, A paste-like molten glass-containing resin composition was prepared by mixing and dispersing using a disperser.

実施例１
〔転写シートＡの作製〕
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムに剥離剤処理を施した支持フィルム上に、調製した焼結ガラス含有樹脂組成物をロールコータで塗布し、塗膜を１５０℃で５分間乾燥することにより溶剤を除去して焼結ガラス層（厚さ：５３μｍ）を形成した。その後、焼結ガラス層上に保護フィルム（ＰＥＴ）をカバーし、ロール状に巻き取って転写シートＡを作製した。 Example 1
[Preparation of transfer sheet A]
The prepared sintered glass-containing resin composition is applied on a support film obtained by subjecting a polyethylene terephthalate (PET) film to a release agent treatment, and the solvent is removed by drying the coating film at 150 ° C. for 5 minutes. Thus, a sintered glass layer (thickness: 53 μm) was formed. Then, the protective film (PET) was covered on the sintered glass layer, and it wound up in roll shape, and produced the transfer sheet A.

〔転写シートＢの作製〕
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムに剥離剤処理を施した支持フィルム上に、調製した溶融ガラス含有樹脂組成物をロールコータで塗布し、塗膜を１５０℃で５分間乾燥することにより溶剤を除去して溶融ガラス層（厚さ：１１μｍ）を形成した。その後、溶融ガラス層上に保護フィルム（ＰＥＴ）をカバーし、ロール状に巻き取って転写シートＢを作製した。 [Preparation of transfer sheet B]
The prepared molten glass-containing resin composition is applied on a support film obtained by subjecting a polyethylene terephthalate (PET) film to a release agent treatment, and the solvent is removed by drying the coating film at 150 ° C. for 5 minutes. A molten glass layer (thickness: 11 μm) was formed. Then, the protective film (PET) was covered on the molten glass layer, and it wound up in roll shape, and produced the transfer sheet B.

〔誘電体層形成ガラス基板の作製〕
前記転写シートＢの保護フィルムを剥離後、転写シートＢの溶融ガラス層表面をＰＤＰ用電極付きガラス基板の表面（バス電極の固定面）に当接するように重ね合わせ、加熱ロール式ラミネータを用いて熱圧着した。圧着条件は、加熱ロールの表面温度８０℃、ロール線圧１ｋｇ／ｃｍ、ロール移動速度１ｍ／分であった。熱圧着処理後、溶融ガラス層から支持フィルムを剥離除去すると、ガラス基板表面に溶融ガラス層が転写されて密着した状態になっていた。溶融ガラス層が転写されたガラス基板を焼成炉内に配置し、炉内の温度を室温から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温し、６００℃の温度雰囲気下で６０分間維持することにより、ガラス基板表面に溶融ガラス焼結体からなる第一誘電体層（厚さ：５μｍ）を形成した。 [Production of dielectric layer-formed glass substrate]
After peeling off the protective film of the transfer sheet B, the surface of the molten glass layer of the transfer sheet B is superposed so as to contact the surface of the glass substrate with electrodes for PDP (fixing surface of the bus electrode), and a heating roll laminator is used. Thermocompression bonding was performed. The pressure bonding conditions were a heating roll surface temperature of 80 ° C., a roll linear pressure of 1 kg / cm, and a roll moving speed of 1 m / min. When the support film was peeled and removed from the molten glass layer after the thermocompression treatment, the molten glass layer was transferred and adhered to the glass substrate surface. The glass substrate onto which the molten glass layer has been transferred is placed in a baking furnace, the temperature in the furnace is increased from room temperature to 600 ° C. at a rate of 10 ° C./min, and maintained at a temperature atmosphere of 600 ° C. for 60 minutes. As a result, a first dielectric layer (thickness: 5 μm) made of a molten glass sintered body was formed on the glass substrate surface.

次に、前記転写シートＡの保護フィルムを剥離後、転写シートＡの焼結ガラス層表面を前記第一誘電体層に当接するように重ね合わせ、加熱ロール式ラミネータを用いて熱圧着した。圧着条件は、加熱ロールの表面温度８０℃、ロール線圧１ｋｇ／ｃｍ、ロール移動速度１ｍ／分であった。熱圧着処理後、焼結ガラス層から支持フィルムを剥離除去すると、第一誘電体層表面に焼結ガラス層が転写されて密着した状態になっていた。焼結ガラス層が転写されたガラス基板を焼成炉内に配置し、炉内の温度を室温から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温し、６００℃の温度雰囲気下で６０分間維持することにより、第一誘電体層表面に焼結ガラス焼結体からなる第二誘電体層（厚さ：２５μｍ）を形成した。誘電体層の総厚さは３０μｍであった。   Next, after peeling off the protective film of the transfer sheet A, the surface of the sintered glass layer of the transfer sheet A was superposed so as to contact the first dielectric layer, and thermocompression bonding was performed using a heating roll laminator. The pressure bonding conditions were a heating roll surface temperature of 80 ° C., a roll linear pressure of 1 kg / cm, and a roll moving speed of 1 m / min. After the thermocompression treatment, when the support film was peeled and removed from the sintered glass layer, the sintered glass layer was transferred and adhered to the surface of the first dielectric layer. The glass substrate onto which the sintered glass layer has been transferred is placed in a firing furnace, the temperature in the furnace is increased from room temperature to 600 ° C. at a rate of 10 ° C./min, and the temperature is maintained at 600 ° C. for 60 minutes By maintaining, a second dielectric layer (thickness: 25 μm) made of a sintered sintered glass was formed on the surface of the first dielectric layer. The total thickness of the dielectric layer was 30 μm.

比較例１
〔転写シートＣの作製〕
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムに剥離剤処理を施した支持フィルム上に、調製した焼結ガラス含有樹脂組成物をロールコータで塗布し、塗膜を１５０℃で５分間乾燥することにより溶剤を除去して焼結ガラス層（厚さ：６４μｍ）を形成した。その後、焼結ガラス層上に保護フィルム（ＰＥＴ）をカバーし、ロール状に巻き取って転写シートＣを作製した。 Comparative Example 1
[Preparation of transfer sheet C]
The prepared sintered glass-containing resin composition is applied on a support film obtained by subjecting a polyethylene terephthalate (PET) film to a release agent treatment, and the solvent is removed by drying the coating film at 150 ° C. for 5 minutes. Thus, a sintered glass layer (thickness: 64 μm) was formed. Then, the protective film (PET) was covered on the sintered glass layer, and it wound up in roll shape, and produced the transfer sheet C.

〔誘電体層形成ガラス基板の作製〕
前記転写シートＣの保護フィルムを剥離後、転写シートＣの焼結ガラス層表面をＰＤＰ用電極付きガラス基板の表面（バス電極の固定面）に当接するように重ね合わせ、加熱ロール式ラミネータを用いて熱圧着した。圧着条件は、加熱ロールの表面温度８０℃、ロール線圧１ｋｇ／ｃｍ、ロール移動速度１ｍ／分であった。熱圧着処理後、焼結ガラス層から支持フィルムを剥離除去すると、ガラス基板表面に焼結ガラス層が転写されて密着した状態になっていた。焼結ガラス層が転写されたガラス基板を焼成炉内に配置し、炉内の温度を室温から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温し、６００℃の温度雰囲気下で６０分間維持することにより、ガラス基板表面に焼結ガラス焼結体からなる誘電体層（厚さ：３０μｍ）を形成した。 [Production of dielectric layer-formed glass substrate]
After peeling off the protective film of the transfer sheet C, the surface of the sintered glass layer of the transfer sheet C is overlapped with the surface of the glass substrate with electrodes for PDP (fixing surface of the bus electrode), and a heating roll laminator is used. And thermocompression bonded. The pressure bonding conditions were a heating roll surface temperature of 80 ° C., a roll linear pressure of 1 kg / cm, and a roll moving speed of 1 m / min. After the thermocompression treatment, when the support film was peeled and removed from the sintered glass layer, the sintered glass layer was transferred and adhered to the glass substrate surface. The glass substrate onto which the sintered glass layer has been transferred is placed in a firing furnace, the temperature in the furnace is increased from room temperature to 600 ° C. at a rate of 10 ° C./min, and the temperature is maintained at 600 ° C. for 60 minutes. By maintaining, a dielectric layer (thickness: 30 μm) made of a sintered sintered glass was formed on the glass substrate surface.

＜電極脇の大気泡の評価＞
実施例及び比較例で作製した誘電体層形成基板を用いて、電極部分の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、島津製作所社製、加速電圧：１．５ｋＶ）により観察し、電極脇に３μｍ以上の大気泡を少なくとも１つ有する電極の数を数え、全電極に対する割合（％）を求めた。その結果を以下に示す。
実施例１：０％
比較例１：１００％ <Evaluation of large bubbles beside electrode>
Using the dielectric layer forming substrates prepared in Examples and Comparative Examples, the cross section of the electrode portion was observed with a scanning electron microscope (SEM, manufactured by Shimadzu Corporation, acceleration voltage: 1.5 kV), and 3 μm or more beside the electrode. The number of electrodes having at least one large bubble was counted, and the ratio (%) to the total electrode was obtained. The results are shown below.
Example 1: 0%
Comparative Example 1: 100%

３電極面放電型ＰＤＰの構造を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of 3 electrode surface discharge type PDP. 本発明の誘電体層形成基板の一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of the dielectric material layer formation board | substrate of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１：前面ガラス基板
２：サステイン電極（表示電極）
３：バス電極
４、８、１５：誘電体層
５：ＭｇＯ膜（保護層）
６：背面ガラス基板
７：アドレス電極（データ電極）
９：バリアリブ
１０：蛍光体層
１１：電極
１２：ガラス基板
１３：第一誘電体層
１４：第二誘電体層
１６：誘電体層形成基板 1: Front glass substrate 2: Sustain electrode (display electrode)
3: Bus electrodes 4, 8, 15: Dielectric layer 5: MgO film (protective layer)
6: Rear glass substrate 7: Address electrode (data electrode)
9: Barrier rib 10: Phosphor layer 11: Electrode 12: Glass substrate 13: First dielectric layer 14: Second dielectric layer 16: Dielectric layer forming substrate

Claims (7)

転移点が４００〜４３０℃かつ軟化点が４６０〜５００℃である溶融ガラス成分の焼結体からなる第一誘電体層上に、転移点が４５０〜５３０℃かつ軟化点が５５０〜６２０℃である焼結ガラス成分の焼結体からなる第二誘電体層が積層されている２層構造の誘電体層。 On the first dielectric layer made of a sintered body of a molten glass component having a transition point of 400 to 430 ° C. and a softening point of 460 to 500 ° C., the transition point is 450 to 530 ° C. and the softening point is 550 to 620 ° C. A dielectric layer having a two-layer structure in which a second dielectric layer made of a sintered body of a certain sintered glass component is laminated. 溶融ガラス成分及び焼結ガラス成分は、鉛成分を含有しない無鉛ガラス成分である請求項１記載の誘電体層。 The dielectric layer according to claim 1, wherein the molten glass component and the sintered glass component are lead-free glass components not containing a lead component. 転移点が４５０〜５３０℃かつ軟化点が５５０〜６２０℃である焼結ガラス成分を含有する焼結ガラス層と、転移点が４００〜４３０℃かつ軟化点が４６０〜５００℃である溶融ガラス成分を含有する溶融ガラス層とが積層されている誘電体形成シート。 A sintered glass layer containing a sintered glass component having a transition point of 450 to 530 ° C. and a softening point of 550 to 620 ° C., and a molten glass component having a transition point of 400 to 430 ° C. and a softening point of 460 to 500 ° C. A dielectric-forming sheet in which a molten glass layer containing bismuth is laminated. 転移点が４５０〜５３０℃かつ軟化点が５５０〜６２０℃である焼結ガラス成分を含有する焼結ガラス層と、転移点が４００〜４３０℃かつ軟化点が４６０〜５００℃である溶融ガラス成分を含有する溶融ガラス層とが積層されている誘電体形成シートを、溶融ガラス層と電極とが接触するように電極を有するガラス基板上に転写する転写工程、及び転写された誘電体形成シートを焼成し、電極を有するガラス基板上に溶融ガラス成分の焼結体からなる第一誘電体層と焼結ガラス成分の焼結体からなる第二誘電体層とにより構成される２層構造の誘電体層を形成する焼成工程を含む誘電体層形成基板の製造方法。 A sintered glass layer containing a sintered glass component having a transition point of 450 to 530 ° C. and a softening point of 550 to 620 ° C., and a molten glass component having a transition point of 400 to 430 ° C. and a softening point of 460 to 500 ° C. A transfer step of transferring a dielectric-forming sheet laminated with a molten glass layer containing a material onto a glass substrate having an electrode so that the molten glass layer and the electrode are in contact with each other, and the transferred dielectric-forming sheet A dielectric having a two-layer structure comprising a first dielectric layer made of a sintered body of a molten glass component and a second dielectric layer made of a sintered body of a sintered glass component on a sintered glass substrate having electrodes. A method for manufacturing a dielectric layer forming substrate, comprising a firing step for forming a body layer. 転移点が４００〜４３０℃かつ軟化点が４６０〜５００℃である溶融ガラス成分を含有する溶融ガラス層を、電極を有するガラス基板上に形成する工程、前記溶融ガラス層を焼成して電極を有するガラス基板上に第一誘電体層を形成する工程、転移点が４５０〜５３０℃かつ軟化点が５５０〜６２０℃である焼結ガラス成分を含有する焼結ガラス層を前記第一誘電体層上に形成する工程、及び前記焼結ガラス層を焼成して第一誘電体層上に第二誘電体層を形成する工程を含む誘電体層形成基板の製造方法。 A step of forming a molten glass layer containing a molten glass component having a transition point of 400 to 430 ° C. and a softening point of 460 to 500 ° C. on a glass substrate having an electrode; and firing the molten glass layer to have an electrode A step of forming a first dielectric layer on a glass substrate, a sintered glass layer containing a sintered glass component having a transition point of 450-530 ° C. and a softening point of 550-620 ° C. on the first dielectric layer; And a method of manufacturing a dielectric layer-formed substrate, comprising: forming the second dielectric layer on the first dielectric layer by firing the sintered glass layer. 請求項４又は５記載の方法によって製造される誘電体層形成基板。 A dielectric layer forming substrate manufactured by the method according to claim 4 or 5. 請求項６記載の誘電体層形成基板を用いたプラズマディスプレイパネル。

A plasma display panel using the dielectric layer-formed substrate according to claim 6.

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