JP2006229872A - 高周波回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】筐体2に取り付けられた同軸コネクタ1と、筐体2に実装された多層基板3と、筐体2に実装された中継基板14とを設け、多層基板3は、ストリップ導体8aと地導体10a、10bを有し、中継基板14は、ストリップ導体8bと地導体10cとを有し、ストリップ導体8aとストリップ導体8bを接続する金リボン4bと、同軸コネクタ1のピン7とストリップ導体8bを接続する金リボン4aとをさらに設け、多層基板3は、ストリップ導体8aにおいて、金リボン4bの近傍に、幅広導体部15bをさらに有し、中継基板14は、ストリップ導体8bにおいて、金リボン4bと金リボン4aの間に、幅広導体部15aをさらに有する。
【選択図】図1
Description
(1)同軸コネクタ1のピン7、及びこのピン7と多層基板3の表層に設けられたマイクロストリップ線路のストリップ導体8とを接続する金リボン4が、比誘電率の低い空気中で、対となる地導体あるいは外導体から離れた位置で浮いた状態となるため、特性インピーダンスの高い線路と等価となること、
(2)同軸線路13の外導体からマイクロストリップ線路の地導体10aへと流れる電流の経路長が、同軸コネクタ1のピン7及び金リボン4を流れる電流の経路長に比べて著しく長くなること、
(3)同軸線路13の外導体からマイクロストリップ線路の地導体10aへと流れる電流は、途中、対となる地導体10a、10bを接続するスルーホール9の表面を流れることになるため、スルーホール9で電流の集中が起こること、
等により、誘導性を呈することになる。このため、回路的には、直列にインダクタンスが装荷された状態と等しくなり、図10及び図11に示す同軸コネクタ1と多層基板3の接続構造の等価回路は、図12のようになる。即ち、同軸コネクタ1が構成する同軸線路に対応する特性インピーダンスZ0の伝送線路と、多層基板3の表層に設けられたマイクロストリップ線路に相当する特性インピーダンスZ0の伝送線路の間に、インダクタンス(L)が接続された回路となる。この直列のインダクタンスによりインピーダンスの不整合が生じるため、入出力端子5あるいは6から入射した高周波の多くが反射され、良好な特性が得られない。上記(1)から(3)までは、使用する多層基板3の厚みが厚いほど、また、多層基板3と筐体2の間の隙間11が大きいほどインダクタンスLの値が大きくなり、特性の劣化は顕著になる。
この発明の実施の形態1に係る高周波回路について図1から図4までを参照しながら説明する。図1は、この発明の実施の形態1に係る高周波回路の構成を示す平面図である。また、図2は、図1に示したA−A’での断面図であり、同軸コネクタの部分は断面で表していない。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
(a)素子数nが多くなるにしたがって、回路に含まれるインダクタンスの最大値は大きくなる、
(b)回路に複数のインダクタンス、あるいは、複数の容量が含まれる場合、回路の端部に位置する素子よりも内部に位置する素子のほうが、値が大きい。
この発明の実施の形態2に係る高周波回路について図5と図6を参照しながら説明する。図5は、この発明の実施の形態2に係る高周波回路の構成を示す平面図である。また、図6は、図5のA−A’における断面図であり、同軸コネクタの部分は断面で表していない。
この発明の実施の形態3に係る高周波回路について図7を参照しながら説明する。図7は、この発明の実施の形態3に係る高周波回路の構成を示す平面図である。
この発明の実施の形態4に係る高周波回路について図8及び図9を参照しながら説明する。図8は、この発明の実施の形態4に係る高周波回路の構成を示す平面図である。また、図9は、図8に示したA−A’での断面図であり、同軸コネクタの部分は断面で表していない。
Claims (4)
- 側面、第1の底面、及び前記側面と前記第1の底面の間に前記第1の底面より所定の段差だけ高い第2の底面を有し、良導体から構成される筐体と、
前記筐体の側面の外側に取り付けられた同軸コネクタと、
前記筐体の第1の底面に実装された多層基板と、
前記筐体の第2の底面に実装され、前記多層基板よりも薄い単層の誘電体基板から構成される中継基板とを備えた高周波回路であって、
前記多層基板は、
前記多層基板の表面に形成された第1の信号導体と、
前記多層基板の裏面及び内層に形成され、前記第1の信号導体と対となって第1の不平衡高周波線路を構成する第1の地導体とを有し、
前記中継基板は、
前記中継基板の表面に形成された第2の信号導体と、
前記中継基板の裏面に形成され、前記第2の信号導体と対となって第2の不平衡高周波線路を構成する第2の地導体とを有し、
前記第1の信号導体と第2の信号導体とを電気的に接続する第1の接続手段と、
前記筐体の側面を介して前記同軸コネクタと前記第2の信号導体とを電気的に接続する第2の接続手段とをさらに備え、
前記多層基板は、
前記第1の信号導体において、前記第1の接続手段の近傍に、前記第1の不平衡高周波線路の特性インピーダンスを低下させて第1の容量素子を構成する第1の幅広導体部をさらに有するとともに、
前記中継基板は、
前記第2の信号導体において、前記第1の接続手段と前記第2の接続手段の間に、前記第2の不平衡高周波線路の特性インピーダンスを低下させて第2の容量素子を構成する第2の幅広導体部をさらに有する
ことを特徴とする高周波回路。 - 側面、第1の底面、及び前記側面と前記第1の底面の間に前記第1の底面より所定の段差だけ高い第2の底面を有し、良導体から構成される筐体と、
前記筐体の側面の外側に取り付けられた同軸コネクタと、
前記筐体の第1の底面に実装され、良導体から構成されるキャリアと、
前記キャリア上に実装された単層の第1の誘電体基板と、
前記筐体の第2の底面に実装され、前記第1の誘電体基板よりも薄い単層の第2の誘電体基板から構成される中継基板とを備えた高周波回路であって、
前記第1の誘電体基板は、
前記第1の誘電体基板の表面に形成された第1の信号導体と、
前記第1の誘電体基板の裏面に形成され、前記第1の信号導体と対となって第1の不平衡高周波線路を構成する第1の地導体とを有し、
前記中継基板は、
前記中継基板の表面に形成された第2の信号導体と、
前記中継基板の裏面に形成され、前記第2の信号導体と対となって第2の不平衡高周波線路を構成する第2の地導体とを有し、
前記第1の信号導体と第2の信号導体とを電気的に接続する第1の接続手段と、
前記筐体の側面を介して前記同軸コネクタと前記第2の信号導体とを電気的に接続する第2の接続手段とをさらに備え、
前記第1の誘電体基板は、
前記第1の信号導体において、前記第1の接続手段の近傍に、前記第1の不平衡高周波線路の特性インピーダンスを低下させて第1の容量素子を構成する第1の幅広導体部をさらに有するとともに、
前記中継基板は、
前記第2の信号導体において、前記第1の接続手段と前記第2の接続手段の間に、前記第2の不平衡高周波線路の特性インピーダンスを低下させて第2の容量素子を構成する第2の幅広導体部をさらに有する
ことを特徴とする高周波回路。 - 前記多層基板又は前記第1の誘電体基板は、
前記多層基板又は前記第1の誘電体基板の表面及び内部に形成され、前記第1の地導体に電気的に接続する第1及び第2の接続導体をさらに有し、
前記中継基板は、
前記中継基板の表面及び内部に形成され、前記第2の地導体に電気的に接続する第3及び第4の接続導体をさらに有し、
前記第1の接続手段の両側近傍に平行に形成され、前記第1及び第3の接続導体を電気的に接続する第3の接続手段と、前記第2及び第4の接続導体を電気的に接続する第4の接続手段とさらに備えた
ことを特徴とする請求項1又は2記載の高周波回路。 - 前記多層基板又は前記第1の誘電体基板は、
前記第1の容量素子に隣接して、前記第1の接続手段とは反対側に挿入するように形成され、前記第1の不平衡高周波線路の特性インピーダンスを高くして誘導素子を構成する幅狭導体部をさらに有する
ことを特徴とする請求項1、2又は3記載の高周波回路。
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2005
- 2005-02-21 JP JP2005044483A patent/JP4464291B2/ja active Active
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JP2011014643A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Hitachi Cable Ltd | 高速伝送用回路基板の接続構造 |
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