JP2006228783A - 圧電薄膜素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】圧電薄膜素子の圧電特性を従来品と同レベルに維持しつつ、その製造コストの低減化を可能とする。
【解決手段】膜厚10μm以下の圧電体薄膜4を一対の電極間に介在させてなる圧電薄膜素子において、上記一対の電極の少なくとも一方を、圧電体薄膜と接する膜厚3nm以上、且つ50nm以下のPt(またはRuもしくはIr)からなる内側電極層3、5と、その外側に隣接して設けられる、Pt(またはRuもしくはIr)と他の金属との合金、またはPt(またはRuもしくはIr)以外の金属もしくはそれらの合金からなる外側電極層2、6と、により構成したことを特徴とする。圧電体薄膜4の材料としては、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)等が好適に用いられる。
【選択図】 図1
【解決手段】膜厚10μm以下の圧電体薄膜4を一対の電極間に介在させてなる圧電薄膜素子において、上記一対の電極の少なくとも一方を、圧電体薄膜と接する膜厚3nm以上、且つ50nm以下のPt(またはRuもしくはIr)からなる内側電極層3、5と、その外側に隣接して設けられる、Pt(またはRuもしくはIr)と他の金属との合金、またはPt(またはRuもしくはIr)以外の金属もしくはそれらの合金からなる外側電極層2、6と、により構成したことを特徴とする。圧電体薄膜4の材料としては、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)等が好適に用いられる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、圧電アクチュエータや圧電センサ等として利用される圧電薄膜素子の構造に関わる。
電気信号が与えられると機械的動作を行うアクチュエータとして、上部電極と下部電極の間に圧電体が設けられている圧電アクチュエータが知られている。圧電アクチュエータは、例えば、インクジェット式記録装置ヘッド用のアクチュエータ、HDD(ハードディスクドライブ)位置制御用アクチュエータ、圧電ブザー、等に幅広く利用されている。圧電体としては、その圧電定数の高さから、主にチタン酸ジルコン酸鉛(以下「PZT」と記載する)が用いられている。(例えば特許文献1参照)
一般に、圧電素子は、熱処理により得られた焼結体を切削、研磨などの工程により種々の形状に加工した後、得られた圧電体の対向する表面に一対の電極を形成することで作製されている。近年、低電圧で大きな変位が得られる圧電アクチュエータや小型の圧電アクチュエータが望まれており、そのためには圧電体の薄膜化が必要であると言われている。これまでのように圧電セラミックスを切削などの機械的な方法により加工した場合、素子の小型化において限界があり、その形状も限られたものになる。もし、圧電体薄膜を薄膜成長させることができれば、小型化および任意の形状に加工することが可能になる。
このような背景のもと、圧電体薄膜に関する研究が多数行われている。近年、この分野の研究が急速に進み、例えばマグネトロンスパッタ法により圧電体層を成膜することにより、バルク焼結体と同等の高い圧電定数を有する圧電体薄膜が得られるようになってきている(例えば特許文献2参照)。また、基板上に圧電薄膜を形成した場合に生じる不要な弾性波のモードによって発生する不要なスプリアス成分を低減するための圧電薄膜の製造方法も提案されている(例えば特許文献3参照)。
一方、圧電薄膜素子の電極材料としては、主に白金(以下「Pt」と記載)が用いられている(例えば特許文献1参照)。これは、圧電体薄膜であるPZT薄膜と反応し難く、安定な材料であるためである。その他の電極材料としては、ルテニウム(Ru)やイリジウム(Ir)が用いられる場合もある。
しかしながら、電極材料として用いられるこれらのPtやRu、Irは非常に高価な材料であるため、圧電薄膜素子の製造コストを高くする一つの要因になっている。PtやRu、Ir以外の材料を電極に用いる試みもなされているが、これまでのところ良好な圧電特性は得られていない。
特開2003−188431号公報
特開平7−86656号公報
特開平11−261357号公報
本発明が解決しようとする課題は、圧電薄膜素子の製造コストを低減することである。具体的にはコストを高くしている要因の一つである電極に用いられるPtやRu、Irの使用量を低減することである。
上記の目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
請求項1の発明に係る圧電薄膜素子は、第1電極と第2電極に挟まれた領域に膜厚10μm以下の圧電体薄膜を備える圧電薄膜素子において、第1電極、第2電極の少なくとも一方を、圧電体薄膜と接する膜厚3nm以上、且つ50nm以下の白金(Pt)からなる内側電極層と、その外側に隣接して設けられる、白金と他の金属との合金、または白金以外の金属もしくはそれらの合金からなる外側電極層とにより構成したことを特徴とする。
請求項2の発明に係る圧電薄膜素子は、第1電極と第2電極に挟まれた領域に膜厚10μm以下の圧電体薄膜を備える圧電薄膜素子において、第1電極、第2電極の少なくとも一方を、圧電体薄膜と接する膜厚3nm以上、且つ50nm以下のルテニウム(Ru)からなる内側電極層と、その外側に隣接して設けられる、ルテニウムと他の金属との合金、またはルテニウム以外の金属もしくはそれらの合金からなる外側電極層とにより構成したことを特徴とする。
請求項3の発明に係る圧電薄膜素子は、第1電極と第2電極に挟まれた領域に膜厚10μm以下の圧電体薄膜を備える圧電薄膜素子において、第1電極、第2電極の少なくとも一方を、圧電体薄膜と接する膜厚3nm以上、且つ50nm以下のイリジウム(Ir)からなる内側電極層と、その外側に隣接して設けられる、イリジウムと他の金属との合金、またはイリジウム以外の金属もしくはそれらの合金からなる外側電極層とにより構成したことを特徴とする。
請求項4の発明は、請求項1から請求項3までのいずれかに記載の圧電薄膜素子において、圧電体薄膜の材料として、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、チタン酸鉛(PbTiO3)、ジルコン酸チタン酸鉛(Pb(Zr、Ti)O3)、ジルコン酸鉛(PbZrO3)、チタン酸鉛ランタン((Pb、La)TiO3)、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン((Pb、La)(Zr、Ti)O3)、マグネシウムニオブジルコン酸鉛(Pb(Zr、Ti)(Mg、Nb)O3)、Bi層状構造を持つ強誘電体薄膜(BIT、SBT)等、の強誘電体薄膜、またはこれらのいずれかにドーピングを行った強誘電体薄膜を用いたことを特徴とする。
請求項1ないし3に記載の圧電薄膜素子によれば、電極に用いられているPt、RuまたはIrの使用量を従来の半分以下に低減することができ、これによって、圧電体薄膜の特性は維持しながら、大幅なコスト低減ができる。
請求項4に記載の発明によれば、Pt、RuまたはIrからなる電極層を用いる場合の圧電体薄膜材料として良好な圧電特性を得ることができる。
<発明の要点>
現状における一般的な圧電薄膜素子では、膜厚0.5μmから5μmの圧電体薄膜の両側に膜厚50nmから300nmのPt電極が設置されている。これに対して本発明では、圧電体薄膜に隣接する内側の電極層の領域(3nm〜50nm)にのみPtを用い、その外側の電極層はPt以外の金属もしくはそれらの合金、またはPtと他の金属の合金を用いるようにした。これによって、Ptの使用量を従来の半分以下に低減することができる。また、圧電体薄膜に隣接する領域にはPtが設置されているため、圧電体薄膜と電極材料の反応は抑制でき、圧電特性は従来のPt電極を用いた場合と同等の特性が維持できる。
現状における一般的な圧電薄膜素子では、膜厚0.5μmから5μmの圧電体薄膜の両側に膜厚50nmから300nmのPt電極が設置されている。これに対して本発明では、圧電体薄膜に隣接する内側の電極層の領域(3nm〜50nm)にのみPtを用い、その外側の電極層はPt以外の金属もしくはそれらの合金、またはPtと他の金属の合金を用いるようにした。これによって、Ptの使用量を従来の半分以下に低減することができる。また、圧電体薄膜に隣接する領域にはPtが設置されているため、圧電体薄膜と電極材料の反応は抑制でき、圧電特性は従来のPt電極を用いた場合と同等の特性が維持できる。
圧電体薄膜に隣接する内側電極層の領域のPtの膜厚を3nmから50nmまでの範囲内とする根拠は、Ptの膜厚が3nm未満では、圧電体薄膜とPtの外側の電極材料(Cu等)との反応が起こってしまい、圧電薄膜素子の特性が劣化してしまうためである。また、Ptの膜厚が50nmを超えると、一般的に用いられている圧電素子とコスト面で殆ど差が出なくなり、コスト低減化の目的を達し得なくなるためである。
なお、上記の場合において、外側の電極層の材料となるPt以外の金属としては、Cu、Ag、Pd、Ru、Ta、Ti、Au等々を好適に使用でき、また必要に応じて、In、Zn、Ni、Fe、Mn、Cr、V、Al、Mg等々をも使用できると共に、上記の如く、これら同士の合金や、これらとPtとの合金も好適に用い得るものである。
内側の電極層として、PtではなくRuやIrを用いる場合における外側の電極層の材料についても上記と同様である。
本発明において、通常は、圧電体薄膜の両側の第1電極と第2電極の双方とも、Pt(又はRu、Ir)からなる内側電極層と、Pt(又はRu、Ir)以外の金属等からなる外側電極層との2層構造とするものであるが、作製すべき圧電素子の特性や用途によっては、第1電極と第2電極の一方だけを2層構造とし、他方は従来通り1層構造とすることも可能である。その場合においても、2層構造とした側では、Pt等の使用量を低減することができる。
図1は、本発明にかかる圧電薄膜素子の望ましい実施形態を横からみた断面図である。図1に示す圧電薄膜素子は、Si基板1、外側下部電極層(Cu)2、内側下部電極層(Pt)3、圧電体薄膜(PZT)4、内側上部電極層(Pt)5、外側上部電極層(Cu)6、から構成されている。この圧電薄膜素子における第1電極は、外側下部電極層2と内側下部電極層3とから構成される2層構造を有し、第2電極も、内側上部電極層5と外側上部電極層6とから構成される2層構造を有している。
Si基板1を除くそれぞれの層の膜厚は、下から順に200nm、20nm、3000nm、20nm、200nmである。特に、Ptの使用量を減らし、製造コストの低減化を図るために、内側下部電極層3と内側上部電極層5の厚さは3nm以上、且つ50nm以下となるように調整される。内側下部電極層3と内側上部電極層5の材料として、PtではなくRuやIrを用いる場合においてもそれらの厚さは、3nm以上、且つ50nm以下となるように調整される。
図示した実施形態においては、外側下部電極層2及び外側上部電極層6の材料としてCuを用いたが、Cu以外にも、Ag、Pd、Ru、Ta、Ti、Au等々が使用でき、更にまた必要に応じて、In、Zn、Ni、Fe、Mn、Cr、V、Al、Mg等々をも使用できると共に、これらの金属同士の合金や、これらとPtとの合金も好適に用いることができる。
本発明に係る圧電薄膜素子の一実施例について、再度図1を参照しつつ具体的に説明する。
図1に示す圧電薄膜素子において、各層の膜厚は、前記の如く、外側下部電極層(Cu)2が200nm、内側下部電極層(Pt)3が20nm、圧電体薄膜(PZT)4が3000nm、内側上部電極層(Pt)5が20nm、外側上部電極層(Cu)6が200nmである。
次に上記の本発明にかかる圧電薄膜素子の作製工程を説明する。まずSi基板1上にRFマグネトロンスパッタリング法で、外側下部電極層(Cu)2を基板加熱なしの条件で200nm積層し、その上に内側下部電極層(Pt)3を基板温度400℃で20nm積層した。その後、内側下部電極(Pt)3上にMOCVD法で圧電体薄膜(PZT)4を3000nm成膜した。MOCVD法によるPZT薄膜の成膜は、原料としてPb(THD)2、Zr(MMP)4、Ti(MMP)4を用い、基板温度は600℃で行った。その後、RFマグネトロンスパッタリング法で、内側上部電極層(Pt)5を基板加熱なしの条件で20nm積層し、更にその上に、外側上部電極層(Cu)6を基板加熱なしの条件で200nm成膜し、これによって図1に示す圧電薄膜素子を完成した。
上記実施例では圧電体薄膜4としてチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)を用いたが、特にPZTに限定されるものではなく、チタン酸鉛(PbTiO3)、ジルコン酸チタン酸鉛(Pb(Zr、Ti)O3)、ジルコン酸鉛(PbZrO3)、チタン酸鉛ランタン((Pb、La)TiO3)、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン((Pb、La)(Zr、Ti)O3)、マグネシウムニオブジルコン酸鉛(Pb(Zr、Ti)(Mg、Nb)O3)、Bi層状構造を持つ強誘電体薄膜(BIT、SBT)等、の強誘電体薄膜、またはこれらのいずれかにドーピングを行った強誘電体薄膜等から、圧電薄膜素子の特性、用途等を考慮して任意の組成を適宜選択できる。
また、上記例では、電極にCuとPtを用いているが、これも前記したような他の金属材料や合金材料を用いても構わない。
次に、本発明品と比較するために、従来技術を用いた一般的な圧電薄膜素子を作製した。図2に、従来技術を用いた圧電薄膜素子を横からみた断面図を示す。この従来技術による圧電薄膜素子は、Si基板1、下部電極(Pt)7、圧電体薄膜(PZT)4、上部電極(Pt)8、から構成されている。下部電極7が第1電極を構成し、上部電極8が第2電極を構成する。Si基板1を除くそれぞれの層の膜厚は、下から順に200nm、3000nm、200nmとした。
次に、従来技術を用いて作製した圧電薄膜素子と本発明を用いて作製した圧電薄膜素子の圧電定数を比較した。圧電定数の測定は、Si基板を弾性体としたカンチレバー構造を作製し、電圧を印加することでレバーの先端を振動させ、その振動幅をレーザードップラ振動計で測定することで行った。その結果、圧電定数d31の平均値はともに−150pm/Vであり、両者共に非常に良好な圧電特性が得られた。即ち、本発明においてはPtの使用量を大幅に節減したにも拘わらず、従来品と同等の圧電特性が得られた。
ここで、従来技術を用いた場合と本発明を用いた場合のPtの総膜厚を比較すると、400nmと40nmであり、本発明を用いた場合、従来技術を用いた場合と比べて、1/10に低減できていることが分かる。つまり、Pt使用量を1/10に抑えつつ、同等の圧電特性が実現できた。
本発明によるときは、従来と同等の圧電特性を維持しながら、電極に用いられているPtまたはRu、Irの使用量を従来の半分以下に低減することができ、これによって、圧電薄膜素子の大幅な製造コストの低減化を達成し得る。
1 Si基板
2 外側下部電極層(第1電極の外側層)(Cu)
3 内側下部電極層(第1電極の内側層)(Pt)
4 圧電体薄膜(PZT)
5 内側上部電極層(第2電極の内側層)(Pt)
6 外側上部電極層(第2電極の外側層)(Cu)
7 下部電極(第1電極)(Pt)
8 上部電極(第2電極)(Pt)
2 外側下部電極層(第1電極の外側層)(Cu)
3 内側下部電極層(第1電極の内側層)(Pt)
4 圧電体薄膜(PZT)
5 内側上部電極層(第2電極の内側層)(Pt)
6 外側上部電極層(第2電極の外側層)(Cu)
7 下部電極(第1電極)(Pt)
8 上部電極(第2電極)(Pt)
Claims (4)
- 第1電極と第2電極に挟まれた領域に膜厚10μm以下の圧電体薄膜を備える圧電薄膜素子において、
第1電極、第2電極の少なくとも一方を、圧電体薄膜と接する膜厚3nm以上、且つ50nm以下の白金からなる内側電極層と、その外側に隣接して設けられる、白金と他の金属との合金、または白金以外の金属もしくはそれらの合金からなる外側電極層とにより構成したことを特徴とする圧電薄膜素子。 - 第1電極と第2電極に挟まれた領域に膜厚10μm以下の圧電体薄膜を備える圧電薄膜素子において、
第1電極、第2電極の少なくとも一方を、圧電体薄膜と接する膜厚3nm以上、且つ50nm以下のルテニウムからなる内側電極層と、その外側に隣接して設けられる、ルテニウムと他の金属との合金、またはルテニウム以外の金属もしくはそれらの合金からなる外側電極層とにより構成したことを特徴とする圧電薄膜素子。 - 第1電極と第2電極に挟まれた領域に膜厚10μm以下の圧電体薄膜を備える圧電薄膜素子において、
第1電極、第2電極の少なくとも一方を、圧電体薄膜と接する膜厚3nm以上、且つ50nm以下のイリジウムからなる内側電極層と、その外側に隣接して設けられる、イリジウムと他の金属との合金、またはイリジウム以外の金属もしくはそれらの合金からなる外側電極層とにより構成したことを特徴とする圧電薄膜素子。 - 請求項1から請求項3までのいずれかに記載の圧電薄膜素子において、
圧電体薄膜の材料として、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸鉛、ジルコン酸チタン酸鉛、ジルコン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン、マグネシウムニオブジルコン酸鉛、Bi層状構造を持つ強誘電体薄膜、またはこれらのいずれかにドーピングを行った強誘電体薄膜を用いたことを特徴とする圧電薄膜素子。
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JP2005037356A JP2006228783A (ja) | 2005-02-15 | 2005-02-15 | 圧電薄膜素子 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10374140B2 (en) | 2015-12-17 | 2019-08-06 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric device for ultrasonic sensor |
-
2005
- 2005-02-15 JP JP2005037356A patent/JP2006228783A/ja active Pending
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US10374140B2 (en) | 2015-12-17 | 2019-08-06 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric device for ultrasonic sensor |
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