JP2006228393A - 磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体の製造設備の制御方法及び磁気記録媒体の製造設備の制御装置 - Google Patents

Abstract

【課題】媒体にキズやシワが発生せず、高性能で高信頼性を有し、且つ、安価な高容量磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】第４張力制御機構１２４ａは、第４テンションピックアップロール１１８ａにて検出された張力が規定の範囲に入るようにロール１１８ａのトルク等を制御する。第５張力制御機構１２４ｂは、第５テンションピックアップロール１１８ｂにて検出された張力が前記規定の範囲に入るようにロール１１８ｂのトルク等を制御する。第３制御部１１６は、第３通信手段１２８を介して供給された前工程の巻き取り張力のデータに基づいて、前工程の巻き取り張力をＴ１ａ、この工程の巻き出し張力をＴ２ａしたとき、０．５＜Ｔ２ａ／Ｔ１ａ≦１の関係を満たすように制御する。
【選択図】図４

Description

本発明は、磁気記録媒体の基材である長尺の可とう性高分子支持体に対して第１処理を行って、ロールに巻き取る第１工程と、前記ロールに巻回された前記可とう性高分子支持体を巻き出して、第２処理を行う第２工程とを有する磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体の製造設備の制御方法及び磁気記録媒体の製造設備の制御装置に関する。

近年、インターネットの普及により、パーソナル・コンピュータを用いて大容量の動画情報や音声情報の処理を行う等、コンピュータの利用形態が変化してきている。これに伴い、ハードディスク等の磁気記録媒体に要求される記憶容量も増大している。

ハードディスク装置においては、磁気ディスクの回転に伴い、磁気ヘッドが磁気ディスクの表面からわずかに浮上し、非接触で磁気記録を行っている。このため、磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触によって磁気ディスクが破損するのを防止している。高密度化に伴って磁気ヘッドの浮上高さは次第に低減されており、鏡面研磨された超平滑なガラス基板上に磁気記録層等を形成した磁気ディスクを用いることにより、現在では１０ｎｍ〜２０ｎｍの浮上高さが実現されている。この様なヘッドの低浮上量化に加え、ヘッド構造の改良、ディスク記録膜の改良等の技術革新によってハードディスクドライブの面記録密度と記録容量はここ数年で飛躍的に増大してきた。

取り扱うことができるデジタルデータ量が増大することによって、動画データの様な大容量のデータを可換型媒体に記録して、移動させるというニーズが生まれてきた。しかしながら、ハードディスクは基板が硬質であって、しかも上述のようにヘッドとディスクの間隔が極わずかであるため、フレキシブルディスクや書き換え型光ディスクの様に可換媒体として使用しようとすると、動作中の衝撃や塵埃の巻き込みによって故障を発生する懸念が高く、使用条件が制限される。

一方、フレキシブルディスクや磁気テープは基板がフレキシブルな高分子フィルムであり、接触記録可能な媒体であるため可換性に優れており、安価に生産できる。しかし、現在市販されているフレキシブルディスクと磁気テープは、磁性体を高分子バインダーや研磨剤とともに高分子フィルム上に塗布して形成した塗布型磁気記録媒体や、あるいはコバルト系合金を真空中で蒸着によって高分子フィルム上に成膜した蒸着型磁気記録媒体が用いられており、スパッタ法で磁性層を形成しているハードディスクと比較すると、磁性層の高密度記録特性が悪く、ハードディスクの１／１０以下の記録密度しか達成できていない。

そこで磁性層をハードディスクと同様のスパッタ法で形成する強磁性金属薄膜型のフレキシブルディスクも提案されている。支持体がフレキシブルな高分子フィルムのため、ロール状の支持体を搬送させながらスパッタ法による磁性層成膜が可能となる。すなわち、長尺サンプルを安価に生産することが可能となる。このような製造方法及び製造装置としては、特許文献１〜７に提案されている。

超高密度磁気記録媒体の長尺サンプルを作製するためには、一般的に、可とう性高分子支持体上に磁性層、耐久性付与する硬質保護層を真空成膜により形成する工程、磁気ヘッドとの摺動磨耗特性を向上させるために潤滑層を形成する工程、所望の媒体形状に切断する工程があり、これらの工程でわずかでも媒体にキズやシワが入ることは許されない。しかし、これら工程を全くキズやシワなくウェブハンドリングする充分な手法が確立されていない。

ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷに代表される追記型及び書き換え型光ディスクは磁気ディスクのようにヘッドとディスクが近接していないため、可換性に優れており、広く普及している。しかしながら光ディスクは、光ピックアップの厚みとコストの問題から、高容量化に有利な磁気ディスクのように両面を記録面としたディスク構造を用いることが困難であるといった問題がある。さらに、磁気ディスクと比較すると面記録密度が低く、データ転送速度も低いため、書き換え型の大容量記録媒体としの使用を考えると、未だ十分な性能とはいえない。

特開昭５９−１７３２６６号公報 特開平５−２７４６５９号公報 特開平７−２３５０３５号公報 特開平１０−３６６３号公報 特開平１０−１１７３４号公報 特開２００２−３６７１４９号公報 特開２００３−９９９１８号公報

上記の通り、大容量の書き換え可能な可換型記録媒体は、その要求が高いものの、性能、信頼性、コストを満足するものが存在しない。

本発明は上記従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、本発明の目的は、キズやシワが低減された磁気記録媒体を製造することができ、生産適性に優れる磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体の製造設備の制御方法及び磁気記録媒体の製造設備の制御装置を提供することにある。

本発明に係る製造方法は、磁気記録媒体の基材である長尺の可とう性高分子支持体に対して第１処理を行って、ロールに巻き取る第１工程と、前記ロールに巻回された前記可とう性高分子支持体を巻き出して、第２処理を行う第２工程とを有する磁気記録媒体の製造方法において、前記第１工程における前記可とう性高分子支持体の前記ロールへの巻き取り張力をＴ１、前記第２工程における前記可とう性高分子支持体の前記ロールからの巻き出し張力をＴ２としたとき、
０．５＜Ｔ２／Ｔ１≦１
となるように、前記巻き取り張力及び前記巻き出し張力を制御しながら前記磁気記録媒体を製造することを特徴とする。好ましくは、０．７＜Ｔ２／Ｔ１≦１である。

すなわち、第２工程の巻き出し時に可とう性高分子支持体に掛かる張力が、その前の第１工程で巻き取る際の張力と同じか小さくなるようにし、且つ、第１工程で巻き取る際の張力の０．５倍より大きくなるようにしている。このように各工程における張力を調整することにより、次工程に移る際のロールの巻き締まりや巻き緩み等が防止され、媒体表面にキズやシワ等が発生せず、高密度記録を可能とする磁気記録媒体が得られる。

そして、前記第１処理は、前記可とう性高分子支持体上に少なくとも磁性層を形成する処理を含み、前記第２処理は、少なくとも前記磁性層が形成された前記可とう性高分子支持体の前記磁性層を形成した面の表層に潤滑層を形成する処理を含むようにしてもよい。

また、前記第１処理は、前記可とう性高分子支持体に形成された少なくとも磁性層上に潤滑層を形成する処理を含み、前記第２処理は、前記潤滑層が形成された前記可とう性高分子支持体を所望の形状に切断する処理を含むようにしてもよい。

この場合、本発明により得られる磁気記録媒体は、少なくとも真空成膜法により形成された磁性層を備えているので、ハードディスクのような高記録密度記録が可能となり、高容量化が可能となる。

次に、本発明に係る磁気記録媒体の製造設備の制御方法は、磁気記録媒体の基材である長尺の可とう性高分子支持体に対して第１処理を行って、ロールに巻き取る第１設備と、前記ロールに巻回された前記可とう性高分子支持体を巻き出して、第２処理を行う第２設備とを有する磁気記録媒体の製造設備の制御方法において、前記可とう性高分子支持体の前記ロールへの巻き取り張力を測定する第１ステップと、前記ロールから前記可とう性高分子支持体を巻き出す第２ステップと、前記可とう性高分子支持体の前記ロールからの巻き出し張力を測定する第３ステップと、前記第１ステップにて測定された前記巻き取り張力をＴ１、前記第３ステップにて測定された前記巻き出し張力をＴ２としたとき、
０．５＜Ｔ２／Ｔ１≦１
となるように、前記第２ステップを制御する第４ステップとを有することを特徴とする。

また、本発明に係る磁気記録媒体の製造設備の制御装置は、磁気記録媒体の基材である長尺の可とう性高分子支持体に対して第１処理を行って、ロールに巻き取る第１設備と、前記ロールに巻回された前記可とう性高分子支持体を巻き出して、第２処理を行う第２設備とを有する磁気記録媒体の製造設備の制御装置において、前記第１設備に設置され、前記可とう性高分子支持体の前記ロールへの巻き取り張力を測定する第１手段と、前記第２設備に設置され、前記ロールから前記可とう性高分子支持体を巻き出す巻き出し手段と、前記第２設備に設置され、前記可とう性高分子支持体の前記ロールからの巻き出し張力を測定する第２手段と、前記第２設備に設置され、且つ、前記第１手段にて測定された前記巻き取り張力をＴ１、前記第２手段にて測定された前記巻き出し張力をＴ２としたとき、
０．５＜Ｔ２／Ｔ１≦１
となるように、前記巻き出し手段を制御する制御手段とを有することを特徴とする。

これら制御方法及び制御装置においては、各設備における可とう性高分子支持体の巻き取り張力及び巻き出し張力を制御することにより、次設備に移る際のロールの巻き締まりや巻き緩み等が防止され、媒体表面にキズやシワ等が発生せず、高密度記録を可能とする磁気記録媒体が得られる。

本発明に係る磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体の製造設備の制御方法及び磁気記録媒体の製造設備の制御装置によれば、各工程における可とう性高分子支持体の巻き出し張力及び巻き取り張力を所定範囲内に調整することにより、磁気記録媒体表面にキズやシワ等の欠陥が発生することを防止することができ、高性能で高信頼性を有し、且つ、安価な高容量磁気記録媒体を提供することが可能となる。従って、接触記録に耐性のある、平坦な磁気テープやフレキシブルディスクを安価に提供することが可能となる。

以下、本発明に係る磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体の製造設備の制御方法及び磁気記録媒体の製造設備の制御装置の実施の形態例について図１〜図６を参照しながら説明する。

本実施の形態に係る製造方法及び製造設備を用いて製造される磁気記録媒体は、フレキシブルディスクでも磁気テープでもよい。

フレキシブルディスクは、中心部にセンターホールが形成された構造であり、プラスチック等で形成されたカートリッジ内に格納されている。なお、カートリッジには、通常、金属性のシャッタで覆われたアクセス窓を備えており、このアクセス窓を介して磁気ヘッドが導入されることにより、フレキシブルディスクへの信号記録や再生が行われる。

図１は、カートリッジを取り除いたフレキシブルディスクの好適な層構成を示す断面図である。フレキシブルディスク１０は、可とう性高分子支持体（以下、単に支持体１２と記す）の両面に、表面突起を有する下塗り層１４、第１下地層１６、第２下地層１８、磁性層２０、保護層２２及び潤滑層２４が順次形成されている。垂直媒体として用いる場合、支持体１２と磁性層２０との間に軟磁性層が形成されていることが望ましい。

フレキシブルディスクの中心部には、通常、フレキシブルディスクドライブに装着するための係合手段（図示せず）が装着されている。

磁気テープの場合は、長尺形状にスリットされた磁気テープが開放リール、あるいはリールカートリッジに組み込まれた構造であり、プラスチック等で形成されたカートリッジ内に格納されている。リールカートリッジから巻きだされた磁気テープが磁気ヘッド部分を通過する際に、信号記録や再生が行われる。

磁気テープは可とう性高分子フィルムからなるテープ状支持体の片面に、少なくとも磁性層を有するものであるが、上記と同様に、下塗り層１４、第１下地層１６、第２下地層１８、磁性層２０、保護層２２、潤滑層２４がこの順に形成されている。他面側は、磁気テープがリールカートリッジから巻きだされ搬送される際に通過するガイドロールに接触する側であり、ガイドロールとの潤滑搬送の目的で、カーボン等のバックコート層が形成されていることが好ましい。

そして、本実施形態に係る製造方法では、以下の第１工程〜第４工程により磁気記録媒体を製造する。

［第１工程］ロール状の支持体１２を巻き出して、支持体１２の両面に下塗り層１４を形成し、巻き取る。

［第２工程］上記第１工程で下塗り層１４が形成された支持体１２を再び巻き出して、下塗り層１４上に第１下地層１６、第２下地層１８、磁性層２０及び保護層２２を形成した後、巻き取る。

［第３工程］上記第２工程で第１下地層１６、第２下地層１８、磁性層２０及び保護層２２が形成された支持体１２を再び巻き出して、保護層２２上に潤滑層２４を形成した後、巻き取る。

［第４工程］上記第３工程で潤滑層２４が形成された支持体１２を再び巻き出して、所望の形状（フレキシブルディスクや磁気テープのメディアに対応した形状：以下、メディア形状と記す）に切断し、フレキシブルディスクあるいは磁気テープを得る。打ち抜かれた残りの支持体１２を巻き取り、回収する。

以下に詳述するように、本実施の形態では、磁性層２０を形成する第２工程からメディア形状に切断する第４工程の間において、第２工程の巻き取り張力をＴ１ａと第３工程の巻き出し張力をＴ２ａ、第３工程の巻き取り張力をＴ１ｂと第４工程の巻き出し張力をＴ２ｂとしたとき、下記の（１）式及び（２）式の関係を満たすようにする。
０．５＜Ｔ２ａ／Ｔ１ａ≦１ ……（１）
０．５＜Ｔ２ｂ／Ｔ１ｂ≦１ ……（２）

なお、第１工程と第２工程との関係については、必ずしも（１）式や（２）式のような関係を満たす必要はないが、（１）式や（２）式のような関係を満たすことがより好ましい。すなわち、第１工程の巻き取り張力をＴ１ｃと第２工程の巻き出し張力をＴ２ｃとしたとき、下記の（３）式の関係を満たすようにする。
０．５＜Ｔ２ｃ／Ｔ１ｃ≦１ ……（３）

以下、上記の第１工程〜第４工程について図面を参照して詳細に説明する。

まず、上記第１工程について説明する。図１は、第１工程に用いられる下塗り層形成装置４０の一例を示している。この下塗り層形成装置４０は、ロール状の支持体１２の巻き出しを行う巻き出しロール４２と、支持体１２の巻き取りを行う巻き取りロール４４と、第１制御部４６とを備えている。支持体１２の搬送経路上には、巻き出しロール４２から巻き出される支持体１２の張力を検知することができる第１テンションピックアップロール４８ａと、第１塗布設備５０ａと、第１硬化設備５２ａと、第２塗布設備５０ｂと、第２硬化設備５２ｂと、巻き取りロール４４に巻き取られる支持体１２の張力を検知することができる第２テンションピックアップロール４８ｂとがこの順に配置されている。

この下塗り層形成装置４０を用いて支持体１２上に下塗り層１４を形成するには、まず、支持体１２を巻き出しロール４２から巻き出し、第１塗布設備５０ａにより下塗り層用塗布液を塗布した後、第１硬化設備５２ａにて乾燥させ、硬化させる。さらに、第２塗布設備５０ｂにおいて、例えばシリカ微粒子を含んだ下塗り層用塗布液を塗布して下塗り層１４を塗布した後、第２硬化設備５２ｂにて乾燥・硬化させ、巻き取りロール４４にて巻き取る。巻き取った後、支持体１２の他方の面にも同様にして下塗り層１４を形成する。

そして、第１テンションピックアップロール４８ａには、第１張力制御機構５４ａが接続されている。この第１張力制御機構５４ａは、第１テンションピックアップロール４８ａにて検出された張力が規定の範囲に入るように第１テンションピックアップロール４８ａの位置やトルク、巻き出しロール４２の回転数等をフィードバック制御する。

第２テンションピックアップロール４８ｂには、第２張力制御機構５４ｂと第１演算回路５６が接続され、該第１演算回路５６に第１通信手段５８が接続されている。

第２張力制御機構５４ｂは、第２テンションピックアップロール４８ｂにて検出された張力が前記規定の範囲に入るように第２テンションピックアップロール４８ｂの位置やトルク、巻き取りロール４４の回転数等をフィードバック制御する。

張力の前記規定の範囲は、第１制御部４６を介して供給されるようになっている。すなわち、第１制御部４６にはユーザが数値を入力することができるテン・キーやキーボード等の第１入力装置６０が接続されており、ユーザは、この第１入力装置６０を使用してロット番号（例えば１つの巻き出しロール４２に巻回された１つの長尺の支持体１２ごとにロット番号を付した場合を想定する）や張力の規定の範囲が入力できるようになっている。入力された規定の範囲は、第１張力制御機構５４ａ及び第２張力制御機構５４ｂに供給される。

一方、第１演算回路５６は、第２テンションピックアップロール４８ｂにて検出された張力をメモリ（図示せず）に時系列に蓄積し、蓄積された複数の張力データのうち、規定の範囲に入る張力データを読み出して、これらの平均値を演算する。

第１通信手段５８は、１つの長尺の支持体１２への下塗り層１４の形成が終了した段階で、対応するロット番号と第１演算回路５６にて演算された平均値を例えばネットワークを介して第２工程の成膜装置７０（図３参照）に送信する。

ここで、第１工程における搬送張力の前記規定の範囲は、特に限定されず、支持体１２の材料、幅及び厚み等に応じて決定することができる。例えば、支持体１２がポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）からなり、幅：３００ｍｍ、厚み：５０μｍの場合は、巻き出し張力及び巻き取り張力は１〜８ｋｇｆの範囲が好ましく、２〜６ｋｇｆの範囲がより好ましい。張力の調整は、上述したように、第１テンションピックアップロール４８ａ及び第２テンションピックアップロール４８ｂのトルク等を調節することにより容易に行うことができるが、これに限定されず、その他の図示しない搬送ロールにより張力を調整してもよい。

次に、上記第２工程、すなわち、第１下地層１６、第２下地層１８、磁性層２０及び保護層２２を形成する工程について説明する。

図３は、第２工程に用いられる成膜装置７０の一例を示している。この成膜装置７０は、支持体１２を搬送しながら第１下地層１６、第２下地層１８、磁性層２０及び保護層２２をスパッタ法により形成する装置である。

この成膜装置７０は筐体７２を備えており、筐体７２の内部には、上記第１工程で下塗り層１４が形成された支持体１２の巻き出しを行う巻き出しロール７４と、支持体１２の巻き取りを行う巻き取りロール７６とを備えている。巻き出しロール７４と巻き取りロール７６との間の支持体１２の搬送経路上には、支持体１２の張力を検知できる第３テンションピックアップロール７８を収容した張力検知部８０と、支持体１２上に第１下地層１６、第２下地層１８、磁性層２０及び保護層２２を形成する成膜部８２と、第２制御部８４とを備えている。

成膜部８２には、第１成膜用ロール９４ａと第２成膜用ロール９４ｂがそれぞれ回転自在に設置され、さらに、成膜部８２の内壁と第１成膜用ロール９４ａとの間の空間が複数の仕切板９６によって４つの真空室（第１真空室９８ａ〜第４真空室９８ｄ）に区画され、成膜部８２の内壁と第２成膜用ロール９４ｂとの間の空間が複数の仕切板９６によって４つの真空室（第５真空室９８ｅ〜第８真空室９８ｈ）に区画されされている。

第１真空室９８ａには、第１成膜用ロール９４ａに対向した箇所に、支持体１２の一方の面に第１下地層１６を形成するための第１スパッタ装置１００ａが設置され、第２真空室９８ｂには、第１成膜用ロール９４ａに対向した箇所に、支持体１２の一方の面に第２下地層１８を形成するための第２スパッタ装置１００ｂが設置され、第３真空室９８ｃには、第１成膜用ロール９４ａに対向した箇所に、支持体１２の一方の面に磁性層２０を形成するための第３スパッタ装置１００ｃが設置され、第４真空室９８ｄには、第１成膜用ロール９４ａに対向した箇所に、支持体１２の一方の面に保護層２２を形成するための第１保護層成膜装置１０２ａが設置されている。

同様に、第５真空室９８ｅには、第２成膜用ロール９４ｂに対向した箇所に、支持体１２の他方の面に第１下地層１６を形成するための第４スパッタ装置１００ｄが設置され、第６真空室９８ｆには、第２成膜用ロール９４ｂに対向した箇所に、支持体１２の他方の面に第２下地層１８を形成するための第５スパッタ装置１００ｅが設置され、第７真空室９８ｇには、第２成膜用ロール９４ｂに対向した箇所に、支持体１２の他方の面に磁性層２０を形成するための第６スパッタ装置１００ｆが設置され、第８真空室９８ｈには、第２成膜用ロール９４ｂに対向した箇所に、支持体１２の他方の面に保護層２２を形成するための第２保護層成膜装置１０２ｂが設置されている。

第１スパッタ装置１００ａ〜第６スパッタ装置１００ｆには、それぞれ放電手段であるスパッタカソードと所望の膜を形成するためのターゲットとが設置されている。

また、第１真空室９８ａ〜第８真空室９８ｈには、それぞれ真空ポンプを備えた気体供給管（図示せず）が設けられており、第１真空室９８ａ〜第８真空室９８ｈの内部に所定の減圧度に減圧された状態でアルゴンガス等が所定の流量で供給できるようになっている。

次に、図３に示す成膜装置７０を用いて、支持体１２上に第１下地層１６、第２下地層１８、磁性層２０及び保護層２２を形成する方法を説明する。

まず、予め下塗り層１４が塗布された支持体１２を巻き出しロール７４にセットし、支持体１２を繰り出す。支持体１２の搬送速度は、１ｃｍ／分〜１０ｍ／分の範囲が好ましく、１０ｃｍ／分〜８ｍ／分の範囲がさらに好ましい。１ｃｍ／分未満の場合、生産性が悪く、１０ｍ／分を超える場合、支持体１２の搬送ずれの影響が無視できなくなるおそれがある。

支持体１２を第３テンションピックアップロール７８を通過させた後、第１成膜用ロール９４ａに搬送する。支持体１２を第１成膜用ロール９４ａに密着させた状態で第１成膜用ロール９４ａを回転させ、第１スパッタ装置１００ａ〜第３スパッタ装置１００ｃにより、支持体１２の一方の面の下塗り層１４上に第１下地層１６、第２下地層１８及び磁性層２０を順に形成する。第１下地層１６、第２下地層１８及び磁性層２０を形成する際に用いるスパッタ法としては、公知のＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法等を用いることができる。

第１下地層１６、第２下地層１８及び磁性層２０を形成した後、第１保護層成膜装置１０２ａにより磁性層２０上に保護層２２を形成する。保護層２２の形成方法としては、公知のプラズマＣＶＤ法、イオンビームデポジション法、フィルタードカソーディックバキュームアーク法等を用いることが好ましい。

第１成膜用ロール９４ａ上で支持体１２の一方の面に第１下地層１６、第２下地層１８、磁性層２０及び保護層２２を形成した後、第２成膜用ロール９４ｂに搬送し、支持体１２の他方の面に同様に第１下地層１６、第２下地層１８、磁性層２０及び保護層２２を形成し、巻き取りロール７６にて巻き取る。

そして、第３テンションピックアップロール７８には、第３張力制御機構８６と第２演算回路８８が接続され、該第２演算回路８８に第２通信手段９０が接続されている。

第３張力制御機構８６は、第３テンションピックアップロール７８にて検出された張力が規定の範囲に入るように第３テンションピックアップロール７８の位置やトルク、巻き出しロール７４の回転数、巻き取りロール７６の回転数等をフィードバック制御する。

張力の前記規定の範囲は、第２通信手段９０及び第２制御部８４を介して供給されるようになっている。すなわち、第２制御部８４にはユーザが数値を入力することができるテン・キーやキーボード等の第２入力装置９２が接続されており、ユーザは、この第２入力装置９２を使用してロット番号等が入力できるようになっている。また、第２制御部８４には、第２通信手段９０を介して第１通信手段５８（図２参照）からのデータ（第１工程でのロット番号と該ロット番号に対応する支持体１２の巻き取り張力のデータ（平均値））が供給されるようになっている。第２制御部８４は、供給された第１通信手段５８からのデータをテーブル化（ロット番号と巻き取り張力のデータとの対応テーブルとして作成）して例えばメモリ（図示せず）に登録する。

そして、ユーザが第２入力装置９２を使用してロット番号を入力することにより、第２制御部８４は、入力されたロット番号に対応する巻き取り張力のデータを前記対応テーブルから読み出し、この読み出したデータに基づいて上述した（３）式を満足する範囲を演算し、演算した範囲を規定の範囲として第３張力制御機構８６に供給する。なお、前記対応テーブルから読み出された前記巻き取り張力のデータは、（３）式の巻き取り張力Ｔ１ｃに対応する。

一方、第２演算回路８８は、第３テンションピックアップロール７８にて検出された張力をメモリ（図示せず）に時系列に蓄積し、蓄積された複数の張力データのうち、規定の範囲に入る張力データを読み出して、これらの平均値を演算する。

第２通信手段９０は、１つの長尺の支持体１２への第１下地層１６、第２下地層１８、磁性層２０及び保護層２２の形成が終了した段階で、対応するロット番号と第２演算回路８８にて演算された平均値を例えばネットワークを介して第３工程の潤滑層形成装置（図４参照）に送信する。

第２工程における搬送張力は、支持体１２の材料、幅及び厚み、第１工程により支持体１２上に形成された各層の材料等に応じて、上述した（１）式及び（３）式を満たすように調整されるものであるが、例えば、支持体１２がポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）からなり、幅：３００ｍｍ、厚み：５０μｍの場合は、巻き出し張力及び巻き取り張力は１〜８ｋｇｆの範囲が好ましく、２〜６ｋｇｆの範囲がより好ましい。なお、張力の調整は、上述したように、第３テンションピックアップロール７８のトルクを調節することにより容易に行うことができるが、これに限定されず、その他の図示しない搬送ロールあるいは第１成膜用ロール９４ａ、第２成膜用ロール９４ｂにより張力を調整してもよい。

次に、上記の第３工程について説明する。図４は、第３工程に用いられる潤滑層形成装置１１０の一例を示している。この潤滑層形成装置１１０は、巻き出しロール１１２と巻き取りロール１１４と、第３制御部１１６とを備えており、支持体１２の搬送経路上に、張力を検知できる第４テンションピックアップロール１１８ａと、グラビアコート装置１２２と、第５テンションピックアップロール１１８ｂとがこの順に配置されている。

支持体１２の保護層２２上に潤滑層２４を形成するには、まず、支持体１２を巻き出しロール１１２から巻き出し、グラビアコート装置１２２により、支持体１２の一方の面に潤滑層２４を形成し、巻き取りロール１１４により巻き取る。巻き取った後、さらに支持体１２の他方の面にも同様にして潤滑層２４を形成する。このようにして、支持体に磁性層等が形成された磁気記録材料１６０が作製される。

そして、第４テンションピックアップロール１１８ａには、第４張力制御機構１２４ａが接続されている。この第４張力制御機構１２４ａは、第４テンションピックアップロール１１８ａにて検出された張力が規定の範囲に入るように第４テンションピックアップロール１１８ａの位置やトルク、巻き出しロール１１２の回転数等をフィードバック制御する。

第５テンションピックアップロール１１８ｂには、第５張力制御機構１２４ｂと第３演算回路１２６が接続され、該第３演算回路１２６に第３通信手段１２８が接続されている。

第５張力制御機構１２４ｂは、第５テンションピックアップロール１１８ｂにて検出された張力が前記規定の範囲に入るように第５テンションピックアップロール１１８ｂの位置やトルク、巻き取りロール１１４の回転数等をフィードバック制御する。

張力の前記規定の範囲は、第３制御部１１６を介して供給されるようになっている。すなわち、第３制御部１１６にはユーザが数値を入力することができるテン・キーやキーボード等の第３入力装置１３０が接続されており、ユーザは、この第３入力装置１３０を使用してロット番号等が入力できるようになっている。また、第３制御部１１６には、第３通信手段１２８を介して第２通信手段９０（図３参照）からのデータ（第２工程でのロット番号と該ロット番号に対応する支持体１２の巻き取り張力のデータ（平均値））が供給されるようになっている。第３制御部１１６は、供給された第３通信手段１２８からのデータをテーブル化（ロット番号と巻き取り張力のデータとの対応テーブルとして作成）して例えばメモリ（図示せず）に登録する。

そして、ユーザが第３入力装置１３０を使用してロット番号を入力することにより、第３制御部１１６は、入力されたロット番号に対応する巻き取り張力のデータを前記対応テーブルから読み出し、この読み出したデータに基づいて上述した（１）式を満足する範囲を演算し、演算した範囲を規定の範囲として第４張力制御機構１２４ａ及び第５張力制御機構１２４ｂに供給する。なお、前記対応テーブルから読み出された前記巻き取り張力のデータは、（１）式の巻き取り張力Ｔ１ａに対応する。

一方、第３演算回路１２６は、第５テンションピックアップロール１１８ｂにて検出された張力をメモリ（図示せず）に時系列に蓄積し、蓄積された複数の張力データのうち、規定の範囲に入る張力データを読み出して、これらの平均値を演算する。

第３通信手段１２８は、１つの長尺の支持体１２への下塗り層１４の形成が終了した段階で、対応するロット番号と第１演算回路５６にて演算された平均値を例えばネットワークを介して第２工程の成膜装置７０（図３参照）に送信する。

ここで、第３工程における搬送張力は、支持体１２の材料、幅及び厚み、第１工程及び第２工程により支持体１２上に形成された各層の材料等に応じて、上述した式（１）及び式（２）を満たすように調整されるものであるが、例えば、支持体１２がポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）からなり、幅：３００ｍｍ、厚み：５０μｍの場合は、巻き出し張力及び巻き出し張力は１〜８ｋｇｆの範囲が好ましく、２〜６ｋｇｆの範囲がより好ましい。張力の調整は、上述したように、第４テンションピックアップロール１１８ａ及び第５テンションピックアップロール１１８ｂのトルクを調節することにより容易に行うことができるが、その他の図示しない搬送ロールにより張力を調整してもよい。

次に、上記の第４工程について説明する。図５は、第４工程に用いられる連続打ち抜き装置１４０の一例を示している。この連続打ち抜き装置１４０は、巻き出しロール１４２と巻き取りロール１４４と、第４制御部１４６とを備えており、支持体１２（磁気記録材料１６０）の搬送経路上に、張力を検知できる第６テンションピックアップロール１４８ａと、パンチャー１５０と、第７テンションピックアップロール１４８ｂとがこの順に配置されている。

上記第４工程により第１下地層１６、第２下地層１８、磁性層２０、保護層２２及び潤滑層２４が形成された支持体１２（磁気記録材料１６０）を打ち抜くには、まず、支持体１２を巻き出しロール１４２から巻き出し、パンチャー１５０により例えばフレキシブルディスク形状に打ち抜き、回収する。一方、打ち抜かれた支持体１２を巻き取りロール１４４により巻き取る。

そして、第６テンションピックアップロール１４８ａには、第６張力制御機構１５２ａが接続されている。この第６張力制御機構１５２ａは、第６テンションピックアップロール１４８ａにて検出された張力が規定の範囲に入るように第６テンションピックアップロール１４８ａの位置やトルク、巻き出しロール１４２の回転数等をフィードバック制御する。

同様に、第７テンションピックアップロール１４８ｂには、第７張力制御機構１５２ｂが接続されている。この第７張力制御機構１５２ｂは、第７テンションピックアップロール１４８ｂにて検出された張力が前記規定の範囲に入るように第７テンションピックアップロール１４８ｂの位置やトルク、巻き取りロール１４４の回転数等をフィードバック制御する。

張力の前記規定の範囲は、第４制御部１４６を介して供給されるようになっている。すなわち、第４制御部１４６にはユーザが数値を入力することができるテン・キーやキーボード等の第４入力装置１５４が接続されており、ユーザは、この第４入力装置１５４を使用してロット番号等が入力できるようになっている。また、第４制御部１４６には第４通信手段１５６が接続され、該第４通信手段１５６を介して第３通信手段１２８（図４参照）からのデータ（第３工程でのロット番号と該ロット番号に対応する支持体１２の巻き取り張力のデータ（平均値））が供給されるようになっている。第４制御部１４６は、供給された第４通信手段１５６からのデータをテーブル化（ロット番号と巻き取り張力のデータとの対応テーブルとして作成）して例えばメモリ（図示せず）に登録する。

そして、ユーザが第４入力装置１５４を使用してロット番号を入力することにより、第４制御部１４６は、入力されたロット番号に対応する巻き取り張力のデータを前記対応テーブルから読み出し、この読み出したデータに基づいて上述した（２）式を満足する範囲を演算し、演算した範囲を規定の範囲として第６張力制御機構１５２ａ及び第７張力制御機構１５２ｂに供給する。なお、前記対応テーブルから読み出された前記巻き取り張力のデータは、（２）式の巻き取り張力Ｔ１ｂに対応する。

ここで、第４工程における搬送張力は、支持体１２の材料、幅及び厚み、第１工程〜第３工程により支持体１２上に形成された各層の材料等に応じて、上述した（２）式を満たすように調整されるものであるが、例えば、支持体１２がポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）からなり、幅：３００ｍｍ、厚み：５０μｍの場合は、巻き出し張力及び巻き取り張力は１〜８ｋｇｆの範囲が好ましく、２〜６ｋｇｆの範囲がより好ましい。張力の調整は、上述したように、第６テンションピックアップロール１４８ａ及び第７テンションピックアップロール１４８ｂのトルクを調節することにより容易に行うことができるが、その他の図示しない搬送ロールにより張力を調整してもよい。

以上で説明したように、本実施の形態に係る製造方法は、全体としてみた場合に、磁気記録媒体の基材である長尺の支持体１２に対して第１処理を行って、ロールに巻き取る第１の工程と、前記ロールに巻回された前記支持体を巻き出して、第２処理を行う第２の工程とを有する場合において、前記第１の工程における前記支持体の前記ロールへの巻き取り張力をＴ１、前記第２工程における前記支持体の前記ロールからの巻き出し張力をＴ２としたとき、０．５＜Ｔ２／Ｔ１≦１となるように、好ましくは、０．７＜Ｔ２／Ｔ１≦１となるように、前記巻き取り張力及び前記巻き出し張力を制御しながら前記磁気記録媒体を製造するようにしている。

このようにして磁気記録媒体を製造することにより、次工程に移る際のロールの巻き締まりや巻き緩み等が防止され、長尺の支持体１２が良好な状態で搬送される。そのため、磁気記録媒体の表面にキズやシワ等が発生せず、高密度記録を可能とする磁気記録媒体が得られる。

なお、上述の例では、下塗り層１４を形成する第１工程、第１下地層１６、第２下地層１８、磁性層２０及び保護層２２を形成する第２工程、潤滑層２４を形成する第３工程、並びに、打ち抜きを行う第４工程の４つの工程により構成されているが、本実施の形態はこれに制限されない。例えば、真空成膜装置中で、第１下地層１６、第２下地層１８及び磁性層２０を１工程で形成して巻き取った後、別の保護層形成装置を用いて保護層２２を形成してもよい。この場合は、第１下地層１６、第２下地層１８及び磁性層２０を形成する工程における張力と保護層２２を形成する工程における張力、及び、保護層２２を形成する工程における張力と潤滑層２４を形成する工程における張力との関係を上記の式を満たすようにすればよい。

また、上述した例においては、支持体１２の両面に磁性層等を形成する方法を示しているが、片面のみに磁性層等を形成する形態でもよい。

以下、本実施形態に係る磁気記録媒体に用いられる支持体１２及び各層について説明する。

支持体１２は、磁気ヘッドと磁気ディスクあるいは磁気テープとが接触した時の衝撃を回避するために可とう性を備えた樹脂フィルムで構成されている。このような樹脂フィルムとしては、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルイミド、ポリサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、トリアセテートセルロース、フッ素樹脂等からなる樹脂フィルムが挙げられる。

支持体として樹脂フィルムを複数枚ラミネートしたものを用いてもよい。ラミネートフィルムを用いることにより、支持体１２自身に起因する反りやうねりを軽減することができ、磁気記録層の耐傷性を著しく改善することがきる。

ラミネート手法としては、熱ローラによるロールラミネート、平板熱プレスによるラミネート、接着面に接着剤を塗布してラミネートするドライラミネート、予めシート状に成形された接着シートを用いるラミネート等が挙げられる。接着剤の種類は、特に限定されず、一般的なホットメルト接着剤、熱硬化性接着剤、ＵＶ硬化型接着剤、ＥＢ硬化型接着剤、粘着シート、嫌気性接着剤等を使用することがきる。

支持体１２の厚みは、フレキシブルディスクの場合、１０μｍ〜２００μｍ、好ましくは２０μｍ〜１５０μｍ、さらに好ましくは３０μｍ〜１００μｍである。支持体１２の厚みが１０μｍより薄いと、高速回転時の安定性が低下し、面ぶれが増加する。一方、支持体１２の厚みが２００μｍより厚いと、回転時の剛性が高くなり、接触時の衝撃を回避することが困難になり、磁気ヘッドの跳躍を招く。また、磁気テープの場合、１μｍ〜２０μｍ、好ましくは３μｍ〜１２μｍである。３μｍより薄いと、強度が不足し、切断やエッジ折れが発生しやすくなる。一方、２０μｍより厚いと、磁気テープ１巻当りに巻き取れる磁気テープ長が少なくなり、体積記録密度が低下してしまう。また剛性が高くなるため、磁気ヘッドへの当り、すなわち追従性が悪化する。

下記式で表される支持体１２の腰の強さは、フレキシブルディスクの場合、ｂ＝１０ｍｍでの値が０．５ｋｇｆ／ｍｍ²〜２．０ｋｇｆ／ｍｍ²（４．９〜１９．６ＭＰａ）の範囲にあることが好ましく、０．７ｋｇｆ／ｍｍ²〜１．５ｋｇｆ／ｍｍ²（６．８６〜１４．７ＭＰａ）がより好ましい。
支持体１２の腰の強さ＝Ｅｂｄ³／１２

なお、この式において、Ｅはヤング率、ｂはフィルム幅、ｄはフィルム厚さを各々表す。

支持体１２の表面は、磁気ヘッドによる記録を行うために、可能な限り平滑であることが好ましい。支持体１２の表面の凹凸は、信号の記録再生特性を著しく低下させる。具体的には、後述する下塗り層１４を使用する場合では、光学式の表面粗さ計で測定した表面粗さが平均中心線粗さＲａで５ｎｍ以内、好ましくは２ｎｍ以内、触針式粗さ計で測定した突起高さが１μｍ以内、好ましくは０．１μｍ以内である。また、下塗り層１４を用いない場合では、光学式の表面粗さ計で測定した表面粗さが平均中心線粗さＲａで３ｎｍ以内、好ましくは１ｎｍ以内、触針式粗さ計で測定した突起高さが０．１μｍ以内、好ましくは０．０６μｍ以内である。

下塗り層１４は、支持体１２の表面の平面性の改善とガスバリア性を目的として設けられる層である。本実施の形態では磁性層２０をスパッタリング等の真空成膜で形成するため、下塗り層１４は耐熱性に優れることが好ましく、下塗り層１４の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコン樹脂、フッ素系樹脂等を使用することができる。熱硬化型ポリイミド樹脂、熱硬化型シリコン樹脂は、平滑化効果が高く、特に好ましい。下塗り層１４の厚みは、０．１μｍ〜３．０μｍが好ましい。支持体１２に他の樹脂フィルムをラミネートする場合には、ラミネート加工前に下塗り層１４を形成してもよく、ラミネート加工後に下塗り層１４を形成してもよい。

熱硬化型ポリイミド樹脂としては、例えば、丸善石油化学社製のビスアリルナジイミド「ＢＡＮＩ」のように、分子内に末端不飽和基を２つ以上有するイミドモノマーを、熱重合して得られるポリイミド樹脂が好適に用いられる。このイミドモノマーは、モノマーの状態で支持体１２の表面に塗布した後に、比較的低温で熱重合させることができるので、原料となるモノマーを支持体１２上に直接塗布して硬化させることができる。また、このイミドモノマーは汎用溶剤に溶解させて使用することができ、生産性、作業性に優れると共に、分子量が小さく、その溶液粘度が低いために、塗布時に凹凸に対する回り込みが良く、平滑化効果が高い。

熱硬化型シリコン樹脂としては、有機基が導入されたケイ素化合物を原料としてゾルゲル法で重合したシリコン樹脂が好適に用いられる。このシリコン樹脂は、二酸化ケイ素の結合の一部を有機基で置換した構造からなりシリコンゴムよりも大幅に耐熱性に優れると共に、二酸化ケイ素膜よりも柔軟性に優れるため、可とう性高分子からなる支持体上に樹脂膜を形成しても、クラックや剥離が生じ難い。また、原料となるモノマーを支持体１２上に直接塗布して硬化させることができるため、汎用溶剤を使用することができ、凹凸に対する回り込みも良く、平滑化効果が高い。更に、縮重合反応は、酸やキレート剤等の触媒の添加により比較的低温から進行するため、短時間で硬化させることができ、汎用の塗布装置を用いて樹脂膜を形成することができる。また熱硬化型シリコン樹脂はガスバリア性に優れており、磁性層２０の形成時に支持体１２から発生する磁性層２０又は第１下地層１６や第２下地層１８の結晶性、配向性を阻害するガスを遮蔽するガスバリア性が高く、特に好適である。

磁気記録媒体１０の表面には、磁気ヘッドと磁気ディスクとの真実接触面積を低減し、摺動特性を改善することを目的として、図１に示すように、微小突起２８（テクスチャ）を設けることが好ましい。また、微小突起２８を設けることにより、支持体１２のハンドリング性も良好になる。微小突起２８を形成する方法としては、下塗り層１４上に球状シリカ粒子３０を塗布する方法、エマルジョンを塗布して有機物の突起を形成する方法等が使用できるが、下塗り層１４の耐熱性を確保するため、球状シリカ粒子３０を塗布して微小突起２８を形成するのが好ましい。

微小突起２８の高さｈは５ｎｍ〜６０ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜３０ｎｍがより好ましい。微小突起２８の高さｈが高すぎると記録再生ヘッドと磁気記録媒体１０のスペーシングロスによって信号の記録再生特性が劣化し、微小突起２８が低すぎると摺動特性の改善効果が少なくなる。微小突起２８の密度は０．１〜１００個／μｍ²が好ましく、１〜１０個／μｍ²がより好ましい。微小突起２８の密度が少なすぎる場合は摺動特性の改善効果が少なくなり、多過ぎると凝集粒子の増加によって高い突起が増加して記録再生特性が劣化する。

また、バインダーを用いて微小突起２８を支持体１２の表面に固定することもできる。バインダーには、十分な耐熱性を備えた樹脂を使用することが好ましく、耐熱性を備えた樹脂としては、溶剤可溶型ポリイミド樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、熱硬化型シリコン樹脂を使用することが特に好ましい。

第１下地層１６及び第２下地層１８は、密着性・ガスバリア性、磁性層２０の結晶配向性を制御するために設けられる層である。第１下地層１６及び第２下地層１８を構成する材料としては、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｂ、ＮｉＰ及びそれらの酸化物又は窒化物、カーボン、ＮｉＡｌ合金、Ｒｕ、ＲｕＡｌ合金、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｃｒ合金等を挙げることができる。第１下地層１６及び第２下地層１８の厚みは５〜５０ｎｍが好ましく、１０〜４０ｎｍがより好ましい。なお、第１下地層１６及び第２下地層１８は必ずしも２層構成に限定されるものではない。

磁性層はハードディスクで一般的に用いられているＣｏＰｔＣｒ系磁性層や室温成膜可能なグラニュラ構造を有する磁性層、人工格子型積層磁性層等を用いることができる。この様な金属薄膜型磁性層を用いることで、高い保持力を達成でき、低ノイズ媒体を達成することができる。

具体的にはＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＰｔＣｒＢ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔＣｒＴａ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ₂、ＣｏＰｔＣｒ−ＴｉＯ₂、ＣｏＰｔＣｒ−Ｃｒ₂Ｏ₃、ＣｏＰｔＣｒＢ−ＳｉＯ₂、ＣｏＲｕＣｒ、ＣｏＲｕＣｒ−ＳｉＯ₂、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜、Ｃｏ／Ｐｄ多層膜、等が挙げられるが、その他の磁性層を用いることもできる。

磁性層２０の厚みとしては好ましくは５ｎｍ〜６０ｎｍ、さらに好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲である。これよりも厚みが厚くなると粒成長により磁性粒子の柱間での相互作用が増大し、ノイズの著しい増加を引き起こすとともに、ヘッド−メディア接触時にかかる応力に対する耐性が低いため、走行耐久性の低下を引き起こしてしまう。逆に厚みが薄くなると、出力が著しく減少してしまう。

磁性層２０は、磁化容易軸が支持体に対して水平方向に配向している面内磁気記録膜でも、支持体１２に対して垂直方向に配向している垂直磁気記録膜でもかまわない。この磁化容易軸の方向は第１下地層１６及び第２下地層１８の材料や結晶構造及び磁性層２０の組成と成膜条件によって制御することができる。

保護層２２は、磁性層２０に含まれる金属材料の腐蝕を防止し、磁気ヘッドと磁気ディスクとの擬似接触又は接触摺動による摩耗を防止して、走行耐久性、耐食性を改善するために設けられる層である。

保護層２２には、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化コバルト、酸化ニッケル等の酸化物、窒化チタン、窒化ケイ素、窒化ホウ素等の窒化物、炭化ケイ素、炭化クロム、炭化ホウ素等の炭化物、グラファイト、無定型カーボン等の炭素等の材料を使用することができる。

保護層２２としては、磁気ヘッド材質と同等又はそれ以上の硬度を有する硬質膜であり、摺動中に焼き付きを生じ難くその効果が安定して持続するものが、摺動耐久性に優れており好ましい。また、同時にピンホールが少ないものが、耐食性に優れておりより好ましい。このような材料としては、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）と呼ばれる硬質炭素膜が挙げられる。

保護層２２は、性質の異なる２種類以上の薄膜を積層した構成とすることができる。例えば、表面側に摺動特性、耐食性を改善するための硬質炭素窒素保護膜を設け、磁気記録層側に膜硬度を改善するための硬質炭素保護膜を設けることで、耐食性と耐久性とを高い次元で両立することが可能となる。

潤滑層２４は、走行耐久性及び耐食性を改善するために設けられる層である。潤滑層２４には、公知の炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑剤、極圧添加剤等の潤滑剤を使用することができる。

炭化水素系潤滑剤としては、ステアリン酸、オレイン酸等のカルボン酸類、ステアリン酸ブチル等のエステル類、オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸類、リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類、ステアリルアルコール、オレイルアルコール等のアルコール類、ステアリン酸アミド等のカルボン酸アミド類、ステアリルアミン等のアミン類等が挙げられる。

フッ素系潤滑剤としては、前記炭化水素系潤滑剤のアルキル基の一部又は全部をフルオロアルキル基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑剤が挙げられる。パーフルオロポリエーテル基としては、パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレンオキシド重合体（ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）_n、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ₃）ＣＦ₂Ｏ）_n、又はこれらの共重合体等である。具体的には、分子量末端に水酸基を有するパーフルオロメチレン−パーフルオロエチレン共重合体（アウジモント社製、商品名「ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ−ＤＯＬ」）等が挙げられる。

上記の潤滑剤は単独もしくは複数を併用して使用することができる。

極圧添加剤としては、リン酸トリラウリル等のリン酸エステル類、亜リン酸トリラウリル等の亜リン酸エステル類、トリチオ亜リン酸トリラウリル等のチオ亜リン酸エステルやチオリン酸エステル類、二硫化ジベンジル等の硫黄系極圧剤等が挙げられる。

以上の潤滑剤は単独もしくは複数を併用して使用することができる。

また、耐食性をさらに高めるために、防錆剤を併用することが好ましい。防錆剤としては、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、プリン、ピリミジン等の窒素含有複素環類及びこれらの母核にアルキル側鎖等を導入した誘導体、ベンゾチアゾール、２−メルカプトンベンゾチアゾール、テトラザインデン環化合物、チオウラシル化合物等の窒素及び硫黄含有複素環類及びこの誘導体等が挙げられる。これら防錆剤は、潤滑剤に混合して保護層上に塗布してもよく、潤滑剤を塗布する前に保護層上に塗布し、その上に潤滑剤を塗布してもよい。防錆剤の塗布量としては、０．１〜１０ｍｇ／ｍ²が好ましく、０．５〜５ｍｇ／ｍ²が特に好ましい。

磁気テープにおけるバックコート層には、潤滑層２４を用いる潤滑剤や防錆剤を添加することができる。潤滑剤や防錆剤を添加することによって、バックコート層側から磁性層２０側へ潤滑剤や防錆剤が供給されるので、磁性層２０の耐食性を長期間保持することが可能となる。また、バックコート層自体のｐＨを調整することで磁性層２０の耐食性をさらに高めることもできる。バックコート層はカーボンブラック、炭酸カルシウム、アルミナ等の非磁性粉体とポリ塩化ビニルやポリウレタン等の樹脂結合剤、さらに潤滑剤や硬化剤を有機溶剤に分散した溶液をグラビア法やワイヤーバー法等で塗布し、乾燥することで作製できる。バックコート層に防錆剤や潤滑剤を付与する方法としては、前記の溶液中に溶解してもよいし、作製したバックコート層に塗布してもよい。

ここで、実施例１〜４と比較例１〜４について、欠陥評価及び走行耐久性評価を行った実験例について説明する。

まず、実施例１〜４、比較例１〜４の内容は以下のとおりである。

（実施例１）
第１工程において、図２に示す下塗り層形成装置４０を用いて、厚み６３μｍ、表面粗さＲａ＝１．４ｎｍ、長さ３００ｍ、幅３００ｍｍのポリエチレンナフタレートフィルム上に、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、塩酸、アルミニウムアセチルアセトネート、エタノールからなる下塗り液をグラビアコート法で塗布した後、１００℃で乾燥と硬化を行い、厚み１．０μｍのシリコン樹脂からなる下塗り層１４を作成した。この下塗り層１４上に粒子径２５ｎｍのシリカゾルと前記下塗り液を混合した塗布液をグラビアコート法で塗布して、下塗り層１４上に高さ１５ｎｍの突起を１０個／μｍ²の密度で形成した。この下塗り層１４は支持体１２の両面に形成した。なお、第１工程における巻き出し張力を５．５ｋｇｆ、巻き取り張力を３．２ｋｇｆとした。

次に、第２工程において、図３に示す成膜装置７０の巻き出しロール７４にこの原反を設置し、水冷したＲｚ：０．０５μｍの表面性を有する第１成膜用ロール９４ａ上に支持体１２を密着させながら搬送し、Ａｒのガス圧が０．１Ｐａの雰囲気中で、ＤＣマグネトロンスパッタ法により下塗り層１４上にＣ（炭素）からなる第１下地層１６を２０ｎｍの厚みで形成し、Ａｒ圧：４Ｐａ条件下で、第１下地層１６上にＲｕからなる第２下地層１８を２０ｎｍの厚みで形成した。

次に、Ａｒ圧：３Ｐａ条件下で、第２下地層１８上に、（Ｃｏ₇₀−Ｐｔ₂₀−Ｃｒ₁₀）₈₈−（ＳｉＯ₂）₁₂からなる磁性層２０を２０ｎｍの厚みで形成した。この磁性層２０上に、エチレンガス、窒素ガス、アルゴンガスをＣ：Ｈ：Ｎ＝６２：２９：７ｍｏｌ比となる混合ガスを導入し、ガス圧：０．０６Ｐａ条件下で、イオンビームデポジション法により、窒素添加ＤＬＣ保護膜を５ｎｍの厚みで形成した。

同様にして、成膜用ロール２９ｂ上で支持体１２の他方の面に第１下地層１６、第２下地層１８、磁性層２０及び保護層２２を形成した後、巻き取りロール７６にて巻き取った。なお、この第２工程における巻き出し張力を６．０ｋｇｆ、巻き取り張力を６．０ｋｇｆとした。

次に、第３工程において、図４に示す潤滑層形成装置１１０を用いて、保護層２２の表面に分子末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル系潤滑剤（モンテフルオス社製ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ−ＤＯＬ）をフッ素系潤滑剤（住友スリーエム社製ＨＦＥ−７２００）に溶解した溶液をグラビアコート法で塗布し、厚み１ｎｍの潤滑層２４を形成した。この潤滑層２４も支持体１２の両面に形成した。なお、この第３工程における巻き出し張力を５．０ｋｇｆ、巻き取り張力を５．０ｋｇｆとした。

次に、第４工程において、ロール状の支持体１２（磁気記録材料１６０）を図５に示す連続打ち抜き装置１４０に設置し、３．５ｉｎｃｈサイズのディスクを打ち抜いた。なお、第４工程における巻き出し張力を４．０ｋｇｆ、巻き取り張力を４．０ｋｇｆとした。

打ち抜いた磁気記録材料（サンプル）に対し、テープバーニッシュした後、樹脂製カートリッジ（富士写真フイルム社製Ｚｉｐ１００用）に組み込んで、図１に示す層構成を有するフレキシブルディスク（磁気記録媒体）を作製した。

（実施例２）
支持体１２として厚み９μｍ、表面粗さＲａ＝１．０ｎｍのポリアミドフィルムを用い、一方の面には、巻き出し張力６．０ｋｇｆ、巻き取り張力４．０ｋｇｆの条件でカーボンブラックからなるバックコート層を形成し巻き取った後、他方の面には実施例１と同様に第１下地層１６、第２下地層１８、磁性層２０、保護層２２及び潤滑層２４を設け、スリッティングし、８ｍｍ幅の磁気テープを作製した。

（実施例３）
実施例１において、真空成膜において両面に磁性層２０を形成した後、一旦巻き取って、別の真空装置を用いて、巻き出し張力５．６ｋｇｆ、巻き取り張力５．０ｋｇｆの条件で保護層２２を両面に形成した後、一旦巻き取って、さらに実施例１と同様の潤滑層２４の塗布、打ち抜きを行ったこと以外は実施例１と同様にフレキシブルディスクを作製した。

（実施例４）
実施例１において、真空成膜において磁性層２０、保護層２２を成膜した後、同一真空装置内で真空成膜により潤滑層２４を形成した後、一旦巻き取って、巻き出し張力４．０ｋｇｆ、巻き取り張力４．０ｋｇｆの条件で搬送しながら打ち抜きを行った以外は実施例１と同様にフレキシブルディスクを作製した。

（比較例１）
実施例１において、磁性層２０、保護層２２の形成を巻き出し張力２．０ｋｇｆ、巻き取り張力２．０ｋｇｆの条件で、潤滑層２４の形成を巻き出し張力５．０ｋｇｆ、巻き取り張力３．０ｋｇｆの条件で、打ち抜き工程を巻き出し張力２．０ｋｇｆ、巻き取り張力２．０ｋｇｆの条件で実施した以外は実施例１と同様にフレキシブルディスクを作製した。

（比較例２）
実施例１において、磁性層２０、保護層２２の形成を巻き出し張力４．０ｋｇｆ、巻き取り張力４．０ｋｇｆの条件で、潤滑層２４の形成を巻き出し張力４．０ｋｇｆ、巻き取り張力４．０ｋｇｆの条件で、打ち抜き工程を巻き出し張力５．０ｋｇｆ、巻き取り張力５．０ｋｇｆの条件で実施した以外は実施例１と同様にフレキシブルディスクを作製した。

（比較例３）
実施例３において、磁性層２０を巻き出し張力６．０ｋｇｆ、巻き取り張力６．０ｋｇｆの条件で、保護層２２を巻き出し張力３．０ｋｇｆ、巻き取り張力２．０ｋｇｆの条件で、潤滑層２４を巻き出し張力２．０ｋｇｆ、巻き取り張力２．０ｋｇｆの条件で、打ち抜き工程を巻き出し張力１．８ｋｇｆ、巻き取り張力１．８ｋｇｆの条件で実施した以外は実施例３と同様にフレキシブルディスクを作製した。

（比較例４）
実施例１において、磁性層２０、保護層２２を巻き出し張力６．０ｋｇｆ、巻き取り張力６．０ｋｇｆの条件で、潤滑層２４を巻き出し張力２．０ｋｇｆ、巻き取り張力２．０ｋｇｆの条件で、打ち抜き工程を巻き出し張力０．８ｋｇｆ、巻き取り張力０．８ｋｇｆの条件で実施した以外は実施例１と同様にフレキシブルディスクを作製した。

そして、欠陥評価は、３．５ｉｎｃｈに打ち抜いた媒体表面のキズを、顕微鏡にて観察しキズの有無を判断した。磁気テープは８ｍｍ×１ｍサイズあたりの媒体表面のキズを、顕微鏡にて観察しキズの有無を判断した。

また、走行耐久性評価は、再生トラック幅０．２５μｍ、再生ギャップ０．０９μｍのＧＭＲヘッドを用いて、線記録密度４００ｋＦＣＩの記録再生を繰り返し行いながら走行させ、出力が初期値−３ｄＢとなった時点で走行を中止し、耐久時間とした。なお、環境は２３℃５０％ＲＨとし、試験は最大３００時間とした。

実験結果を図６に示す。

図６の実験結果からわかるように、本実施の形態に従って作製したフレキシブルディスクや磁気テープは媒体表面にキズがなく、走行耐久性も高いレベルで安定しており、製品の生産性が高いことがわかる。

一方、次工程の巻き出し張力を前工程の巻き取り張力以上とした比較例１〜３は、媒体表面に巻き締まり方向のキズが発生しており、次工程の張力を前工程張力の０．５倍以下とした比較例４では、媒体表面に巻き緩み方向のキズが発生しており、いずれも走行耐久性が低く、信頼性の高い媒体とはいえないことがわかる。

なお、本発明に係る磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体の製造設備の制御方法及び磁気記録媒体の製造設備の制御装置は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。

本実施形態に係る製造方法により製造されるフレキシブルディスクの層構成の一例を示す断面図である。 本実施の形態に係る下塗り層形成装置の一例を示す模式図である。 本実施の形態に係る成膜装置の一例を示す模式図である。 本実施の形態に係る潤滑層形成装置の一例を示す模式図である。 本実施形態に係る連続打ち抜き装置の一例を示す模式図である。 実施例１〜４、比較例１〜４の欠陥評価及び走行耐久性評価を示す表図である。

符号の説明

１０…磁気記録媒体 １２…支持体
４０…下塗り層形成装置
４２、７４、１１２、１４２…巻き出しロール
４４、７６、１１４、１４４…巻き取りロール
４６…第１制御部
５４ａ、５４ｂ…第１、第２張力制御機構
５６…第１演算回路 ５８…第１通信手段
７０…成膜装置 ８４…第２制御部
８６…第３張力制御機構 ８８…第２演算回路
９０…第２通信手段 １１０…潤滑層形成装置
１１６…第３制御部
１２４ａ、１２４ｂ…第４、第５張力制御機構
１２６…第３演算回路 １２８…第３通信手段
１４０…連続打ち抜き装置 １４６…第４制御部
１５２ａ、１５２ｂ…第６、第７張力制御機構
１５６…第４通信手段

Claims (5)

1. 磁気記録媒体の基材である長尺の可とう性高分子支持体に対して第１処理を行って、ロールに巻き取る第１工程と、
   前記ロールに巻回された前記可とう性高分子支持体を巻き出して、第２処理を行う第２工程とを有する磁気記録媒体の製造方法において、
   前記第１工程における前記可とう性高分子支持体の前記ロールへの巻き取り張力をＴ１、前記第２工程における前記可とう性高分子支持体の前記ロールからの巻き出し張力をＴ２としたとき、
   ０．５＜Ｔ２／Ｔ１≦１
   となるように、前記巻き取り張力及び前記巻き出し張力を制御しながら前記磁気記録媒体を製造することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
2. 請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法において、
   前記第１処理は、前記可とう性高分子支持体上に少なくとも磁性層を形成する処理を含み、
   前記第２処理は、少なくとも前記磁性層が形成された前記可とう性高分子支持体の前記磁性層を形成した面の表層に潤滑層を形成する処理を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
3. 請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法において、
   前記第１処理は、前記可とう性高分子支持体に形成された少なくとも磁性層上に潤滑層を形成する処理を含み、
   前記第２処理は、前記潤滑層が形成された前記可とう性高分子支持体を所望の形状に切断する処理を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
4. 磁気記録媒体の基材である長尺の可とう性高分子支持体に対して第１処理を行って、ロールに巻き取る第１設備と、
   前記ロールに巻回された前記可とう性高分子支持体を巻き出して、第２処理を行う第２設備とを有する磁気記録媒体の製造設備の制御方法において、
   前記可とう性高分子支持体の前記ロールへの巻き取り張力を測定する第１ステップと、
   前記ロールから前記可とう性高分子支持体を巻き出す第２ステップと、
   前記可とう性高分子支持体の前記ロールからの巻き出し張力を測定する第３ステップと、
   前記第１ステップにて測定された前記巻き取り張力をＴ１、前記第３ステップにて測定された前記巻き出し張力をＴ２としたとき、
   ０．５＜Ｔ２／Ｔ１≦１
   となるように、前記第２ステップを制御する第４ステップとを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造設備の制御方法。
5. 磁気記録媒体の基材である長尺の可とう性高分子支持体に対して第１処理を行って、ロールに巻き取る第１設備と、
   前記ロールに巻回された前記可とう性高分子支持体を巻き出して、第２処理を行う第２設備とを有する磁気記録媒体の製造設備の制御装置において、
   前記第１設備に設置され、前記可とう性高分子支持体の前記ロールへの巻き取り張力を測定する第１手段と、
   前記第２設備に設置され、前記ロールから前記可とう性高分子支持体を巻き出す巻き出し手段と、
   前記第２設備に設置され、前記可とう性高分子支持体の前記ロールからの巻き出し張力を測定する第２手段と、
   前記第２設備に設置され、且つ、前記第１手段にて測定された前記巻き取り張力をＴ１、前記第２手段にて測定された前記巻き出し張力をＴ２としたとき、
   ０．５＜Ｔ２／Ｔ１≦１
   となるように、前記巻き出し手段を制御する制御手段とを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造設備の制御装置。

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