JP2006222744A - 高周波ミキサ回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】高周波ミキサ回路において信号間のアイソレーションを強化する。
【解決手段】RF信号とLO信号とをミキシングしてIF信号を生成するダウンコンバータ、又は、IF信号とLO信号とをミキシングしてRF信号を生成するアップコンバータとして用いられる高周波ミキサ回路であって、LO信号を伝播する配線L1’,L2’が、RF信号又はIF信号を伝播する配線L3〜L6のうち1つのみと交差する配線レイアウトを有する高周波ミキサ回路によって上記課題を解決できる。
【選択図】図1
【解決手段】RF信号とLO信号とをミキシングしてIF信号を生成するダウンコンバータ、又は、IF信号とLO信号とをミキシングしてRF信号を生成するアップコンバータとして用いられる高周波ミキサ回路であって、LO信号を伝播する配線L1’,L2’が、RF信号又はIF信号を伝播する配線L3〜L6のうち1つのみと交差する配線レイアウトを有する高周波ミキサ回路によって上記課題を解決できる。
【選択図】図1
Description
本発明は、信号間のアイソレーションが強化された高周波ミキサ回路に関する。
無線通信では、受信した高周波(RF)信号をより周波数の低い中間周波(IF)信号にダウンコンバートしたり、IF信号をより周波数の高いRF信号へアップコンバートしたりするために周波数変換回路(高周波ミキサ回路)が使用される。
高周波ミキサ回路として、図2に示すようなクォッド・リング回路100が知られている。クォッド・リング回路100は、トランジスタTr1,Tr2、トランジスタTr3,Tr4を有する。トランジスタTr1,Tr2のソースは直接接続され、RF信号の第1の端子TRF1に接続される。トランジスタTr3,Tr4のソースは直接接続され、RF信号の第2の端子TRF2に接続される。トランジスタTr1及び、トランジスタTr4のゲートは局部発振(LO)信号の第1の端子TLO1に接続される。トランジスタTr2及びトランジスタTr3のゲートはLO信号の第2の端子TLO2に接続される。トランジスタTr1及び、トランジスタTr3のドレインはIF信号の第1の端子TIF1に接続される。トランジスタTr2及び第2のトランジスタTr4のドレインはIF信号の第2の端子TIF2に接続される。
RF信号の第1の端子TRF1と第2の端子TRF2との間に周波数fRFのRF信号を入力し、LO信号の第1の端子TLO1と第2の端子TLO2との間に周波数fLOのLO信号を入力することによって、IF信号の第1の端子TIF1と第2の端子TIF2との間に周波数(fRF−fLO)にダウンコンバートされたIF信号が出力される。また、IF信号の第1の端子TIF1と第2の端子TIF2との間に周波数fIFのIF信号を入力し、LO信号の第1の端子TLO1と第2の端子TLO2との間に周波数fLOの局部発振信号を入力することによって、RF信号の第1の端子TRF1と第2の端子TRF2との間に周波数(fIF+fLO)にアップコンバートされたRF信号が出力される。
図3に、クォッド・リング回路100の実装配線図を示す。図3では、右上の領域にトランジスタTr1、左上の領域にトランジスタTr2、右下の領域にトランジスタTr3、左下の領域にトランジスタTr4が形成された場合についての配線について説明する。
半導体基板の表面にドーパントを導入して、Tr1〜Tr4が形成される領域内にそれぞれソース領域S及びドレイン領域D(図中、破線で示す)を形成する。Tr1〜Tr4のそれぞれにおいて、ソース領域Sとドレイン領域Dに挟まれる領域にゲート電極Gが配置される。このように、Tr1〜Tr4がそれぞれ形成される。
Tr1〜Tr4のソース領域、ドレイン領域及びゲート電極には多層配線技術を用いて配線が行われる。トランジスタTr1のゲート電極GからはトランジスタTr2方向に向けて接続端子が引き出され、また、トランジスタTr4のゲート電極GからはトランジスタTr3方向に向けて接続端子が引き出され、トランジスタTr2とトランジスタTr4との間を通して、それぞれの接続端子からトランジスタTr4の左脇に配置されたLO信号の第1の端子TLO1にまで配線L1がレイアウトされる。トランジスタTr2のゲート電極GからはトランジスタTr1方向に向けて接続端子が引き出され、また、トランジスタTr3のゲート電極GからはトランジスタTr4方向に向けて接続端子が引き出され、トランジスタTr1とトランジスタTr2との間を通して、それぞれの接続端子からトランジスタTr2の左脇に配置されたLO信号の第2の端子TLO2にまで配線L2がレイアウトされる。配線L1と配線L2とは絶縁層を挟み込んで多層配線される。
トランジスタTr1のソース領域SからはトランジスタTr3と反対方向に向けて、また、トランジスタTr2のソース領域SからはトランジスタTr4と反対方向に向けて配線L3が引き出される。トランジスタTr1のソース領域SとトランジスタTr2のソース領域Sとが共通に電気的に接続され、それぞれのソース領域SからトランジスタTr1の右脇に配置されたRF信号の第1の端子TRF1にまで配線L3がレイアウトされる。トランジスタTr3のソース領域SからはトランジスタTr1と反対方向に向けて、また、トランジスタTr4のソース領域SからはトランジスタTr2と反対方向に向けて配線L4が引き出される。トランジスタTr3のソース領域SとトランジスタTr4のソース領域Sとが共通に電気的に接続され、それぞれのソース領域SからトランジスタTr3の右脇に配置されたRF信号の第2の端子TRF2にまで配線L4がレイアウトされる。配線L3及び配線L4は、絶縁膜を介して配線L2及び配線L5上に多層配線される。
トランジスタTr1のドレイン領域DからはトランジスタTr2と反対方向に向けて、また、トランジスタTr3のドレイン領域DからはトランジスタTr4と反対方向に向けて配線L5が引き出される。トランジスタTr1のドレイン領域DとトランジスタTr3のドレイン領域Dとが共通に電気的に接続し、それぞれのドレイン領域DからトランジスタTr3の下方に配置されたIF信号の第1の端子TIF1にまで配線L5がレイアウトされる。トランジスタTr2のドレイン領域DからはトランジスタTr1と反対方向に向けて、また、トランジスタTr4のドレイン領域DからはトランジスタTr3と反対方向に向けて配線L6が引き出される。トランジスタTr2のドレイン領域DとトランジスタTr4のドレイン領域Dとが共通に電気的に接続され、それぞれのドレイン領域DからトランジスタTr4の下方に配置されたIF信号の第2の端子TIF2にまで配線L6がレイアウトされる。配線L5及び配線L6は、絶縁膜を介して配線L4及びL1上に多層配線される。
ところが、図3のような配線L1〜L6のレイアウトでは、LO信号の配線L2とRF信号の配線L3とが絶縁膜を介して重なり合う領域A、及び、LO信号の配線L1とIF信号の配線L6とが絶縁膜を介して重なり合う領域Bが生ずる。領域A及び領域Bでは、RF信号の配線又はIF信号の配線がLO信号の配線と高周波的にコンデンサを介して接続されている状態と等価である。
そうすると、領域A及び領域Bにおいて信号強度が高いLO信号が比較的信号強度が低いRF信号又はIF信号に混成される。従って、高周波ミキサ回路において異なる信号間のアイソレーションが低下する問題があった。
本発明は、上記従来技術の問題を鑑み、LO信号と他の信号とのアイソレーションを向上させた高周波ミキサ回路を提供することを目的とする。
本発明は、高周波信号と局部発振信号とをミキシングして中間周波数信号を生成するダウンコンバータ、又は、中間周波数信号と局部発振信号とをミキシングして高周波信号を生成するアップコンバータとして用いられる高周波ミキサ回路であって、局部発振信号を伝播する第1及び第2の配線が、高周波信号又は中間周波数信号を伝播する配線のうち1つのみと交差する配線レイアウトを有することを特徴とする。
ここで、前記第1の配線と高周波信号又は中間周波数信号を伝播する配線の交差位置と、前記第2の配線と高周波信号又は中間周波数信号を伝播する配線の交差位置と、が近接して配置されていることが好適である。
また、前記第1の配線と前記第2の配線の配線長が略等しいことが好適である。また、高周波信号を伝播する対となる配線の配線長が略等しいことも好適である。また、中間周波数信号を伝播する対となる配線の配線長が略等しいことも好適である。
例えば、4つのトランジスタを備えるクォッド・リング回路を含んで構成され、前記トランジスタが基板上の四角形領域の頂点にそれぞれ配置され、前記トランジスタのうち2つのゲートが前記第1の配線によって共通に接続され、前記トランジスタのうち残りの2つのゲートが前記第2の配線によって共通に接続され、前記第1の配線及び前記第2の配線が共に前記トランジスタのいずれか2つのトランジスタの間を通ってレイアウトされることによって本発明の高周波ミキサ回路を構成することができる。
本発明によれば、RF信号又はIF信号に対するLO信号の混成を低減し、信号間のアイソレーションを強化した高周波ミキサ回路を提供することができる。
本発明の実施の形態における高周波ミキサ回路は、例えば、図2に示したクォッド・リング回路100と同じ等価回路で表される。すなわち、本実施の形態では高周波ミキサ回路は、トランジスタTr1,Tr2、トランジスタTr3,Tr4を有するクォッド・リング回路であるとして説明する。ただし、これに限定されるものではなく、本発明の技術的思想は他の高周波ミキサ回路の構成に対しても適用可能である。
図1に、本実施の形態における高周波ミキサ回路(クォッド・リング回路)200の実装配線図を示す。図1では、右上の領域にトランジスタTr1、左上の領域にトランジスタTr2、右下の領域にトランジスタTr3、左下の領域にトランジスタTr4が形成された場合についての配線について説明する。
半導体基板の表面にドーパントを導入して、トランジスタTr1〜Tr4が形成される領域内にそれぞれソース領域S及びドレイン領域D(図中、破線で示す)を形成する。本実施の形態では、ドレイン領域Dを中心にして、ドレイン領域Dの上下にドレイン領域Dに対して所定の間隔を空けてソース領域Sを配置している。トランジスタTr1〜Tr4のそれぞれにおいて、ソース領域Sとドレイン領域Dに挟まれる領域にゲート電極Gが配置される。本実施の形態では、トランジスタTr1〜Tr4のそれぞれに対してゲート電極Gが2つずつ設けられる。
Tr1〜Tr4のソース領域、ドレイン領域及びゲート電極には多層配線技術を用いて配線が行われる。トランジスタTr1のゲート電極GからはトランジスタTr2方向に向けて接続端子が引き出され、また、トランジスタTr4のゲート電極GからはトランジスタTr3方向に向けて接続端子が引き出される。トランジスタTr1及びトランジスタTr4のゲート電極Gからは共通に配線L1’が引き出され、トランジスタTr2とトランジスタTr4との間を通して、トランジスタTr4の左脇に配置されたLO信号の第1の端子TLO1に接続される。
トランジスタTr2のゲート電極GからはトランジスタTr1方向に向けて接続端子が引き出され、また、トランジスタTr3のゲート電極GからはトランジスタTr4方向に向けて接続端子が引き出される。トランジスタTr2及びトランジスタTr3のゲート電極Gからは共通に配線L2’が引き出され、トランジスタTr2とトランジスタTr4との間を通して、トランジスタTr2の左脇に配置されたLO信号の第2の端子TLO2に接続される。
配線L1’と配線L2’とは配線層の層間に絶縁層を挟み込んだ多層配線とされる。また、LO信号の第1の端子TLO1及び第2の端子TLO2からトランジスタTr1〜Tr4のゲート電極Gまでの配線長はほぼ等しくすることが好適である。これにより、LO信号の対称性を維持することができる。
トランジスタTr1のソース領域SからはトランジスタTr3と反対の方向に向けて、また、トランジスタTr2のソース領域SからはトランジスタTr4と反対の方向に向けて配線L3が引き出される。配線L3は、絶縁膜を介して、ゲート電極、配線L1及び配線L2の配線層とは異なる配線層として多層配線される。トランジスタTr1及びトランジスタTr2にソース領域Sが複数設けられている場合にはそれらを共通に接続する。
また、トランジスタTr1のソース領域SとトランジスタTr2のソース領域Sとが配線L3によって電気的に接続される。配線L3は、トランジスタTr1及びトランジスタTr2がレイアウトされた領域の外側を通して、それぞれのソース領域SからトランジスタTr1の右脇に配置されたRF信号の第1の端子TRF1に接続される。
トランジスタTr3のソース領域SからはトランジスタTr1と反対の方向に向けて、また、トランジスタTr4のソース領域SからはトランジスタTr2と反対の方向に向けて配線L4が引き出される。配線L4は、絶縁膜を介して、ゲート電極、配線L1及び配線L2の配線層とは異なる配線層として多層配線される。トランジスタTr3及びトランジスタTr4にソース領域Sが複数設けられている場合にはそれらを共通に接続する。
また、トランジスタTr3のソース領域SとトランジスタTr4のソース領域Sとが配線L4によって電気的に接続される。配線L4は、トランジスタTr3及びトランジスタTr4がレイアウトされた領域の外側を通して、それぞれのソース領域SからトランジスタTr3の右脇に配置されたRF信号の第2の端子TRF2に接続される。
トランジスタTr1のドレイン領域DからはトランジスタTr2と反対の方向に向けて、また、トランジスタTr3のドレイン領域DからはトランジスタTr4と反対方向に向けて配線L5が引き出される。配線L5は、絶縁膜を介して、ゲート電極、配線L1〜L4の配線層とは異なる配線層として多層配線される。
また、トランジスタTr1のドレイン領域DとトランジスタTr3のドレイン領域Dとが配線L5によって電気的に接続される。配線L5は、トランジスタTr1及びトランジスタTr3がレイアウトされた領域の外側を通して、それぞれのドレイン領域DからトランジスタTr3の下方に配置されたIF信号の第1の端子TIF1に接続される。
トランジスタTr2のドレイン領域DからはトランジスタTr1と反対の方向に向けて、また、トランジスタTr4のドレイン領域DからはトランジスタTr3と反対の方向に向けて配線L6が引き出される。配線L6は、絶縁膜を介して、ゲート電極、配線L1〜L4の配線層とは異なる配線層として多層配線される。
また、トランジスタTr2のドレイン領域DとトランジスタTr4のドレイン領域Dとが配線L6によって電気的に接続される。配線L6は、トランジスタTr2及びトランジスタTr4がレイアウトされた領域の外側を通して、それぞれのドレイン領域DからトランジスタTr4の下方に配置されたIF信号の第2の端子TIF2に接続される。
ここで、RF信号の第1の端子TRF1及び第2の端子TRF2からトランジスタTr1〜Tr4のソース領域Sまでの配線長はほぼ等しくすることが好適である。また、IF信号の第1の端子TIF1及び第2の端子TIF2からトランジスタTr1〜Tr4のドレイン領域Dまでの配線長はほぼ等しくすることが好適である。これにより、RF信号及びIF信号の対称性を維持することができる。
なお、配線L1〜L6を多層配線する際の積層順は特に限定されるものではなく、上記説明の順に積層する必要はない。また、ゲート電極及び配線L1〜L6の各配線間の絶縁膜は、各層間において十分な絶縁耐圧を有する程度の膜厚を備えることが好適である。
本実施の形態における高周波ミキサ回路200では、領域CにおいてLO信号の配線L2’とIF信号の配線L6とが絶縁膜を介して重なり合い、領域DにおいてLO信号の配線L1’とIF信号の配線L6とが絶縁膜を介して重なり合う。このように、LO信号とIF信号とが重なり合う領域C及び領域Dでは、配線L6が絶縁膜を介して配線L1’及び配線L2’と容量結合されることになる。
しかしながら、互いに配線L1’と配線L2’を伝播するLO信号は互いに逆位相であるため、領域CにおけるIF信号への影響と領域DにおけるIF信号への影響が互いに相殺され、IF信号へのLO信号の影響を極めて小さくすることができる。
ここで、領域C及び領域Dとを近接させて設け、LO信号の端子TLO2から領域Cまでの配線長とLO信号の端子TLO1から領域Dとの配線長とをほぼ等しくすることが好適である。領域Cと領域Dとは、少なくともLO信号の波長よりも近接させることが好適であり、より好適にはLO信号の1/10波長より近接させることが好適である。これによって、領域C及び領域Dの配置による配線L1’及び配線L2’間におけるLO信号の位相ずれを抑制し、領域C及び領域DにおいてLO信号を互いにほぼ逆位相にすることができる。
なお、本実施の形態では、LO信号の配線とIF信号の配線とが重なり合うようにレイアウトしたが、LO信号の配線とRF信号の配線とが重なり合うようにレイアウトしても良い。ただし、一般的にRF信号よりIF信号の信号強度が強いので、LO信号の配線とIF信号の配線とが重なり合うようにレイアウトすることがより好適である。
また、本実施の形態では、MESFETを用いた回路構成について説明したが、MOSFET型トランジスタを用いて回路を構成することもできる。
以上のように、LO信号の配線をRF信号又はIF信号の配線のいずれか1つのみと交差させるように配線レイアウトを行うことによってRF信号又はIF信号に対するLO信号の混成を低減し、信号間のアイソレーションを強化することができる。高周波ミキサ回路以外の高周波回路においても上記効果を得ることができるが、特に、高周波ミキサ回路ではRF信号及びIF信号の信号強度に比べてLO信号の信号強度が強い場合が多いので効果が顕著となる。また、クォッド・リング回路ではLO信号の配線とRF信号又はIF信号の配線とが必ず交差するので、本発明の配線レイアウトを必ず適用することができる。
100 クォッド・リング回路、200 高周波ミキサ回路、D ドレイン領域、G ゲート電極、S ソース領域、L1〜L6 配線、Tr1〜Tr4 トランジスタ。
Claims (6)
- 高周波信号と局部発振信号とをミキシングして中間周波数信号を生成するダウンコンバータ、又は、中間周波数信号と局部発振信号とをミキシングして高周波信号を生成するアップコンバータとして用いられる高周波ミキサ回路であって、
局部発振信号を伝播する第1及び第2の配線が、高周波信号又は中間周波数信号を伝播する配線のうち1つのみと交差する配線レイアウトを有することを特徴とする高周波ミキサ回路。 - 請求項1に記載の高周波ミキサ回路において、
前記第1の配線と高周波信号又は中間周波数信号を伝播する配線の交差位置と、前記第2の配線と高周波信号又は中間周波数信号を伝播する配線の交差位置と、が近接して配置されていることを特徴とする高周波ミキサ回路。 - 請求項1又は2に記載の高周波ミキサ回路において、
前記第1の配線と前記第2の配線の配線長が略等しいことを特徴とする高周波ミキサ回路。 - 請求項1〜3のいずれか1つに記載の高周波ミキサ回路において、
高周波信号を伝播する対となる配線の配線長が略等しいことを特徴とする高周波ミキサ回路。 - 請求項1〜4のいずれか1つに記載の高周波ミキサ回路において、
中間周波数信号を伝播する対となる配線の配線長が略等しいことを特徴とする高周波ミキサ回路。 - 請求項1〜5のいずれか1つに記載の高周波ミキサ回路において、
4つのトランジスタを備えるクォッド・リング回路を含んで構成され、
前記トランジスタが基板上の四角形領域の頂点にそれぞれ配置され、
前記トランジスタのうち2つのゲートが前記第1の配線によって共通に接続され、前記トランジスタのうち残りの2つのゲートが前記第2の配線によって共通に接続され、前記第1の配線及び前記第2の配線が共に前記トランジスタのいずれか2つのトランジスタの間を通ってレイアウトされていることを特徴とする高周波ミキサ回路。
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