JP2006222317A - 損傷検出装置、電子素子、及び素子集合体 - Google Patents

Abstract

【課題】 損傷の判断を正確に提供できる技術を提供することである。
【解決手段】 基板と、前記基板に設けられた第１の櫛状導体パターンと、前記第１の櫛状導体パターンとは非導通で前記基板に設けられた第２の櫛状導体パターンとを具備し、
前記第１の櫛状導体パターン及び前記第２の櫛状導体パターンは、その櫛状先端部側が櫛状基部側より外側に位置するよう設けられてなる損傷検出装置。
【選択図】 図２

Description

本発明は、例えばＬＳＩ等の半導体素子の製造に用いられる技術に関する。

ＬＳＩ等の半導体素子は、通常、一枚の大きなウェハに数多くの素子を設けた後、ウェハを素子毎の領域の境界線において切断することによって得られている。この切断に際して、各種のガス、水分や薬液などが切断面（側面）から素子内に侵入する恐れも有り、その結果、配線のショート、配線間のリーク電流、配線間の静電容量の増大などが引き起こされ、素子の正常動作の信頼性低下などの品質低下が心配される。このようなことに鑑みて、素子の品質検査などの観点から、ウェハに損傷評価パターンを設け、これを利用して損傷度を評価することが試みられている。

この損傷評価パターンＸは、例えば図５，６に示される如くに構成されている。すなわち、損傷評価パターンＸは、第１の櫛状導体パターン５１と第２の櫛状導体パターン５２とが、櫛状部（櫛状先端部）５１ａと櫛状部（櫛状先端部）５２ａとは互いに噛み合う如く（櫛状基部５１ｂと櫛状基部５２ｂとは互いに離れている如く）、一枚のウェハ５３における各素子毎の領域５４の非活性領域５４ｂに設けられたものである。尚、素子の回路部分は活性領域５４ａに設けられている。そして、ウェハ５３を各素子毎の領域の境界線５５に沿って切断した後において、第１の櫛状導体パターン５１の測定用端子５１ｃと第２の櫛状導体パターン５２の測定用端子５２ｃとに電圧を印加して静電容量を調べることにより、水分などが切断面から侵入しているか否かを判断している。すなわち、測定された静電容量に大きな増大が認められなければ、水分などが進入しておらず、欠陥品では無いと判定している。

又、図７に示される損傷評価パターンＹも知られている。この損傷評価パターンＹは、上層導体６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，……，６１ｎと、下層導体６２ａ，６２ｂ，……，６２ｍとからなるものである。尚、各々の上層導体６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，……，６１ｎ同士は直接には繋がっていない。又、下層導体６２ａ，６２ｂ，……，６２ｍ同士は直接には繋がっていない。しかしながら、上層導体６１ａと下層導体６２ａとは、図７中、紙面に垂直方向に延びたビア６３ａによって電気的に接続されており、又、下層導体６２ａと上層導体６１ｂとは、図７中、紙面に垂直方向に延びたビア６３ｂによって電気的に接続されており、又、上層導体６１ｂと下層導体６２ｂとは、図７中、紙面に垂直方向に延びたビア６３ｃによって電気的に接続されており、又、下層導体６２ｂと上層導体６１ｃとは、図７中、紙面に垂直方向に延びたビア６３ｄによって電気的に接続されており、又、下層導体６２ｍと上層導体６１ｎとは、図７中、紙面に垂直方向に延びたビア６３ｚによって電気的に接続されている。従って、測定用端子６４ａと測定用端子６４ｂとの間は一つの電流回路が構成されており、例えば層間剥離が起きると、何れかのビアが物理的損傷を受けて電流が流れなくなることから、これによって層間剥離の有無、即ち、損傷評価がなされる。尚、この損傷評価パターンＹの配設位置も、通常、一枚のウェハにおける各素子毎の領域の非活性領域である。

ところで、上記の損傷評価パターンＸ，Ｙでは損傷評価が十分で無いことが判って来た。

例えば、図５，６の損傷評価パターンＸによる評価には次のような問題の有ることが判って来た。すなわち、損傷評価パターンＸによる評価では静電容量に大きな増大が認められないことから問題が無いであろうと判断されたにも拘わらず、実際には欠陥品と判断せざるを得ないものが幾つも認められたと言うことである。

又、図７の損傷評価パターンＹによる評価には次のような問題の有ることが判って来た。すなわち、損傷評価パターンＹによる評価では問題が有ると判断されたにも拘わらず、実際には、損傷度は大したものでは無く、欠陥品と判断しなくても良いものが認められたと言うことである。

従って、本発明が解決しようとする課題は、損傷の判断を正確に提供できる技術を提供することである。

前記の課題についての検討を、鋭意、推し進めて行く中に、損傷評価パターンＸの場合には、櫛状導体パターン５１，５２の配置に問題の有ることが判って来た。すなわち、第１の櫛状導体パターン５１は、その櫛状部（櫛状先端部）５１ａが境界線５５の側に在るものの、第２の櫛状導体パターン５２は、その櫛状部（櫛状先端部）５２ａが境界線５５の側に無く、櫛状基部５２ｂが境界線５５の側に在る。これは、櫛状導体パターン５１，５２を同一平面上で構成しようとすると、櫛状部（櫛状先端部）５１ａと櫛状部（櫛状先端部）５２ａとが噛み合うように配置せざるを得ないからである。この為、境界線５５に沿っての切断に際して、この切断面（側面）から水などが進入して来ようとしても、水などの進入は金属導体からなる櫛状基部５２ｂによって阻止され、それ以上の進入が起き難い。このことは、損傷評価パターンＸが設けられていない箇所においては、水などが奥深い位置のＷ_１点まで進入しているにも拘わらず、損傷評価パターンＸが設けられている箇所においては、水などが端から近いＷ_２点までしか進入していないことを意味する。ところで、損傷評価の測定箇所は櫛状導体パターン５１と櫛状導体パターン５２との間、即ち、櫛状部（櫛状先端部）５１ａと櫛状部（櫛状先端部）５２ａとの間であることから、損傷評価パターンＸが設けられている箇所において水などがＷ_２点までしか進入していないと言うことは、異常発見には繋がらず、間違った情報を提供してしまうことになる。すなわち、実際には、素子回路が設けられている活性領域の部分にまで水が進入しているにも拘わらず、損傷評価の為に設けた損傷評価パターンＸによって水などの進入が抑制され、正しい情報が得られていないことが判って来た。

又、損傷評価パターンＹの場合には、何処かの一箇所でも断線が起きれば、その断線情報が得られる。しかしながら、切断境界線５５近くの位置で層間剥離が起きていても、それよりも活性領域に近い奥深い領域では層間剥離は起きてない場合も有る。そして、このような場合には問題が無いことも当然に考えられる。従って、どの程度の断線であるのかが判ることは非常に好ましいものである。即ち、断線情報の数が多くなれば、それだけ、良否の判断を正確に行えるようになる。

上記知見に基づいて本発明がなされたものである。

すなわち、前記の課題は、基板と、
前記基板に設けられた第１の櫛状導体パターンと、
前記第１の櫛状導体パターンとは非導通で前記基板に設けられた第２の櫛状導体パターン
とを具備し、
前記第１の櫛状導体パターン及び前記第２の櫛状導体パターンは、その櫛状先端部側が櫛状基部側より外側に位置するよう設けられてなる
ことを特徴とする損傷検出装置によって解決される。

特に、基板と、
前記基板に設けられた第１の櫛状導体パターンと、
前記第１の櫛状導体パターンとは非導通で前記基板に設けられた第２の櫛状導体パターン
とを具備し、
前記第１の櫛状導体パターン及び前記第２の櫛状導体パターンは、その櫛状先端部側が櫛状基部側より外側に位置するよう設けられてなり、
前記第１の櫛状導体パターンの櫛状先端部と前記第１の櫛状導体パターンの櫛状先端部との間に前記第２の櫛状導体パターンの櫛状先端部が在り、かつ、前記第１の櫛状導体パターンの櫛状先端部と前記第２の櫛状導体パターンの櫛状先端部とは同一面上に在り、前記第１の櫛状導体パターンの櫛状基部側と前記第２の櫛状導体パターンの櫛状基部側とは同一平面上には無く、少なくとも一方の導体パターンが立体的に構成されてなることを特徴とする損傷検出装置によって解決される。

或いは、基板と、
前記基板に設けられた第１の櫛状導体パターンと、
前記第１の櫛状導体パターンとは非導通で前記基板に設けられた第２の櫛状導体パターン
とを具備し、
前記第１の櫛状導体パターン及び前記第２の櫛状導体パターンは、その櫛状先端部側が櫛状基部側より外側に位置するよう設けられてなり、
前記第１の櫛状導体パターンの下層に第２の櫛状導体パターンが設けられてなることを特徴とする損傷検出装置によって解決される。

又、上記の損傷検出装置を有することを特徴とする電子素子によって解決される。特に、上記の損傷検出装置の導体パターンが非活性領域に設けられてなることを特徴とする電子素子によって解決される。

又、複数の領域に分割される基板と、
前記基板の各々の領域に設けられた第１の櫛状導体パターンと、
前記第１の櫛状導体パターンとは非導通で前記基板の各々の領域に設けられた第２の櫛状導体パターンと、
前記基板の各々の領域に設けられた素子
とを具備し、
前記第１の櫛状導体パターン及び前記第２の櫛状導体パターンは、前記各々の領域において、その櫛状先端部側が櫛状基部側より外側に位置するよう設けられてなる
ことを特徴とする素子集合体によって解決される。

特に、複数の領域に分割される基板と、
前記基板の各々の領域に設けられた第１の櫛状導体パターンと、
前記第１の櫛状導体パターンとは非導通で前記基板の各々の領域に設けられた第２の櫛状導体パターンと、
前記基板の各々の領域に設けられた素子
とを具備し、
前記第１の櫛状導体パターン及び前記第２の櫛状導体パターンは、前記各々の領域において、その櫛状先端部側が櫛状基部側より外側に位置するよう設けられてなり、
前記第１の櫛状導体パターンの櫛状先端部と前記第１の櫛状導体パターンの櫛状先端部との間に前記第２の櫛状導体パターンの櫛状先端部が在り、かつ、前記第１の櫛状導体パターンの櫛状先端部と前記第２の櫛状導体パターンの櫛状先端部とは同一面上に在り、前記第１の櫛状導体パターンの櫛状基部側と前記第２の櫛状導体パターンの櫛状基部側とは同一平面上には無く、少なくとも一方の導体パターンが立体的に構成されてなることを特徴とする素子集合体によって解決される。

中でも、上記の導体パターンが非活性領域に設けられてなることを特徴とする上記の素子集合体によって解決される。

又、基板と、
前記基板に設けられた上層にある一連に繋がった第１の導体パターンと、
前記基板に設けられた下層にある一連に繋がった第２の導体パターンと、
前記上層の第１の導体パターンと前記下層の第２の導体パターンとを連結する複数の連結導体パターン
とを具備することを特徴とする損傷検出装置によって解決される。

又、上記損傷検出装置を有することを特徴とする電子素子によって解決される。

特に、上記損傷検出装置の導体パターンが非活性領域に設けられてなることを特徴とする電子素子によって解決される。

中でも、上記損傷検出装置の導体パターンが非活性領域に設けられてなり、
第１の導体パターン及び第２の導体パターンが活性領域に向かって設けられてなることを特徴とする電子素子によって解決される。
又、複数の領域に分割される基板と、
前記基板の各々の領域の上層に設けられた一連に繋がった第１の導体パターンと、
前記基板の各々の領域の下層に設けられた一連に繋がった第２の導体パターンと、
前記上層の第１の導体パターンと前記下層の第２の導体パターンとを連結する複数の連結導体パターンと、
前記基板の各々の領域に設けられた素子
とを具備することを特徴とする素子集合体によって解決される。
特に、上記導体パターンが非活性領域に設けられてなることを特徴とする上記素子集合体によって解決される。中でも、上記第１の導体パターン及び第２の導体パターンが活性領域に向かって設けられてなることを特徴とする上記素子集合体によって解決される。

本発明によれば、損傷を正確に判断できるようになる。

すなわち、損傷評価パターンを第１の櫛状導体パターンと第２の櫛状導体パターンとを用いて構成する場合において、本発明にあっては、第１の櫛状導体パターン及び第２の櫛状導体パターンの櫛状先端部側を櫛状基部側より外側に位置するよう設けてなるので、測定箇所と非測定箇所と言った位置の差異により水などの進入具合に大きな差異が起き難い。つまり、従来の損傷評価パターンＸを用いた場合の如く、非測定箇所、即ち、損傷評価パターンＸが設けられて無い位置では、対応する活性領域の近くにまで水の侵入が有るにも拘わらず、測定箇所、即ち、損傷評価パターンＸが設けられている位置では、水の侵入が認められないと言ったミスを犯すことが起き難い。

又、上層にある一連に繋がった第１の導体パターンと、下層にある一連に繋がった第２の導体パターンと、前記上層の第１の導体パターンと前記下層の第２の導体パターンとを連結する複数の連結導体パターンとを備えた損傷評価パターンを用いた場合には、連結導体パターンが幾つ断線しているかの情報を得ることが出来、これに応じた情報が得られるので、例えば断線が起きていても、これならば、実際には、欠陥品では無く、使用可能などの情報を手にすることが出来、損傷を正確に判断できるようになる。

図１〜図３は本発明の一実施形態を示すもので、図１は半導体素子が組み込まれたウェハの一部の概略平面図、図２は損傷評価パターンの概略平面図、図３は損傷評価パターンによる配線間静電容量のグラフである。

各図中、１はＳｉウェハである。このウェハ１の賽の目状に区切られた各々の領域２の活性領域２ａに所望の半導体素子回路が設けられ、この後でウェハ１を賽の目状の境界線３に沿って切断することにより半導体素子が得られる。

ウェハ１の賽の目状に区切られた各々の領域２の非活性領域２ｂには、損傷評価パターン４が設けられている。この損傷評価パターン４は、第１の櫛状導体パターン５と第２の櫛状導体パターン６とを有するものである。尚、第１の櫛状導体パターン５や第２の櫛状導体パターン６は、例えばＣｕやＡｌ等の金属材料で構成されている。

そして、第２の櫛状導体パターン６は、絶縁層（誘電体層；ポーラス層）中の一つの仮想平面上に在るよう設けられている。第１の櫛状導体パターン５は、その一部（櫛状先端部）が前記仮想平面上に在るよう設けられており、残りの部分はそれより上の絶縁層中に設けられている。

第１の櫛状導体パターン５は、その櫛状先端部５ａ，５ｂ，……，５ｎと櫛状基部５ｔとを比べると、櫛状先端部５ａ，５ｂ，……，５ｎの側が境界線（切断線）３に近い（即ち、外側に位置する）ように設けられている。又、第２の櫛状導体パターン６も、その櫛状先端部６ａ，６ｂ，……，６ｎと櫛状基部６ｔとを比べると、櫛状先端部６ａ，６ｂ，……，６ｎの側が境界線（切断線）３に近い（即ち、外側に位置する）ように設けられている。かつ、櫛状先端部５ａ，５ｂ，……，５ｎと櫛状先端部６ａ，６ｂ，……，６ｎとは、図２からも判る通り、櫛状先端部５ａ、櫛状先端部６ａ、櫛状先端部５ｂ、櫛状先端部６ｂ、……、櫛状先端部５ｎ、櫛状先端部６ｎの順となるよう、即ち、各櫛状先端部が第１の櫛状導体パターン５と第２の櫛状導体パターン６との間で交互に位置するよう設けられている。

更に、櫛状先端部５ａ，５ｂ，……，５ｎと櫛状先端部６ａ，６ｂ，……，６ｎとは、同一平面上に在るように設けられている。ここで、第１の櫛状導体パターン５と第２の櫛状導体パターン６とは非接続であるから、櫛状先端部５ａ，５ｂ，……，５ｎと櫛状先端部６ａ，６ｂ，……，６ｎとが同一平面上に在るようにする為、例えば櫛状先端部５ａ，５ｂ，……，５ｎの終点位置と、櫛状先端部６ａ，６ｂ，……，６ｎや櫛状基部６ｔの面より上層に設けられた櫛状基部５ｔとが、図２中、紙面に垂直方向に延びたビア７ａ，７ｂ，……，７ｎにより接続された構成としている。

８，９は測定用端子である。この測定用端子８，９は、表面に設けられたものであるから、紙面に垂直方向に延びたビア（図示せず）により櫛状基部５ｔ，６ｔに接続されている。

そして、上記構成の損傷評価パターン４がウェハ１の賽の目状に区切られた各々の領域２の非活性領域２ｂに、かつ、所望の半導体素子回路がウェハ１の賽の目状に区切られた各々の領域２の活性領域２ａに設けられた後、ウェハ１に対して賽の目状の境界線（切断線）３に沿っての切断が行われて１チップが得られる。

この得られたチップ（半導体素子）の測定用端子８，９に電圧を印加して静電容量が測定された。その結果が図３に示される。尚、図３には、従来の損傷評価パターンＸが設けられている場合も示されている。これによれば、切断されていない段階における測定静電容量Ｄ_０は、水などが進入していない場合の静電容量と仮定できる。そして、損傷評価パターンＸによる測定静電容量Ｄ_ｘと測定静電容量Ｄ_０との差異は余り認められないものの、損傷評価パターン４による測定静電容量Ｄ_４と測定静電容量Ｄ_０との差異は大きく認められる。このことは、損傷評価パターンＸによる評価は正しくないと考えるのが妥当と思われる。すなわち、実際には、損傷評価パターンＸが設けられていなければ、損傷評価パターンＸが設けられている位置までは水の進入が有るものの、損傷評価パターンＸの存在によって水の進入がそれ以上は阻止されることから、正しい評価が出来ないものと考えられる。これに対して、損傷評価パターンＸの代わりに損傷評価パターン４が設けられた場合には、損傷評価パターン４による水の進入阻止は行われておらず、水の進入は真っ当に進むことから、正しい評価が出来るものと考えられる。すなわち、本発明の損傷評価パターン４が用いられたならば評価が正しく行われる。

又、切断工程が終了して積層膜の断面が露出した状態で配線のショート率を調べた処、切断前の段階ではショート率が０％であったものの、損傷評価パターンＸが用いられたものの場合にはショート率が２８％、本発明の損傷評価パターン４が用いられたものの場合にはショート率が９７％であり、本発明の損傷評価パターン４の方がより大きな配線のショート率の検出が出来ることを意味しており、損傷による配線のショート率の劣化をより正しく検知できることが判る。

図４は、本発明の第２の実施形態を示すものである。

前記第１の実施形態になる損傷評価パターン４は、櫛状導体パターン５，６の櫛状基部５ｔ，６ｔの向きが境界線（切断線）３に略並行（即ち、櫛状先端部５ａ，５ｂ，……，５ｎ，６ａ，６ｂ，……，６ｎの向きが境界線（切断線）３に対して略垂直方向）であるよう設けられていたのに対して、本実施形態になる損傷評価パターン１１は、その第１の導体パターン１２や第２の導体パターン１３が境界線（切断線）１８に対して交差するよう設けられている。

すなわち、前記実施形態の場合と同様に、本実施形態になる損傷評価パターン１１は、ウェハの賽の目状に区切られた各々の領域の非活性領域に設けられている。そして、損傷評価パターン１１は、一つの境界線（切断線）１８に対して交差する方向に設けられた直線状の第１の導体パターン１２と、この第１の導体パターン１２の下層において平行に設けられた直線状の第２の導体パターン１３と、第１の導体パターン１２と第２の導体パターン１３とを連結する複数の連結導体パターン（ビア）１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄとを有するものである。尚、前記実施形態の場合と同様に、導体パターン１２，１３，１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄは、例えばＣｕやＡｌ等の金属材料で構成されており、又、絶縁層（誘電体層；ポーラス層）中に在るよう設けられている。

１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂは測定用端子である。尚、前記実施形態の場合と同様に、測定用端子１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂは、表面に設けられたものであるから、紙面に垂直方向に延びたビア（図示せず）により導体パターン１２，１３に接続されている。

そして、上記構成の損傷評価パターン１１がウェハの賽の目状に区切られた各々の領域１７の非活性領域１７ｂに、かつ、所望の半導体素子回路がウェハの賽の目状に区切られた各々の領域１７の活性領域１７ａに設けられた後、ウェハに対して賽の目状の境界線１８に沿っての切断が行われて１チップが得られる。

この得られたチップ（半導体素子）の測定用端子に電圧を印加して電流・抵抗を測定する。そうすると、層間剥離の具合に応じて連結導体パターン（ビア）１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄに断線が起きていることから、電流・抵抗値の変動が判るようになる。すなわち、全ての連結導体パターン（ビア）１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄに断線が起きていれば、この場合には測定用端子間に電流は流れていないことから、特に活性領域１７ａに最も近い位置に在る連結導体パターン（ビア）１４ｄに断線が起きておれば、これは活性領域１７ａに設けられている回路素子にも悪影響が起きている恐れが高く、不良品の確率が高いと判断できる。一方、測定された電流・抵抗値の変動から、連結導体パターン（ビア）１４ａのみにしか断線が起きていないことが判明した場合には、即ち、特に活性領域１７ａに最も近い位置に在る連結導体パターン（ビア）１４ｄに断線が起きてないことが判明すれば、これは活性領域１７ａに設けられている回路素子には悪影響が起きてない確率が高く、良品の確率が高いと判断できるようになる。

このように、本実施形態にあっては、直線状の第１の導体パターン１２と直線状の第２の導体パターン１３とを連結する複数の連結導体パターン（ビア）１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄの断線具合を判別できるようにしたことから、これに応じて切断による良品・不良品の判別を詳細に出来るようになる。

本発明になるウェハの一部の概略平面図 本発明の損傷評価パターンの概略平面図 損傷評価パターンによる配線間静電容量のグラフ 本発明の他の損傷評価パターンの概略平面図 従来のウェハの一部の概略平面図 従来の損傷評価パターンの概略平面図 従来の損傷評価パターンの概略平面図

符号の説明

１ ウェハ
２ａ 活性領域
２ｂ 非活性領域
３ 境界線（切断線）
４ 損傷評価パターン
５ 第１の櫛状導体パターン
５ａ，５ｂ，……，５ｎ 櫛状先端部
５ｔ 櫛状基部
６ 第２の櫛状導体パターン
６ａ，６ｂ，……，６ｎ 櫛状先端部
６ｔ 櫛状基部
７ａ，７ｂ，……，７ｎ ビア
測定用端子
１１ 損傷評価パターン
１２ 第１の直線状導体パターン
１３ 第２の直線状導体パターン
１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ 連結導体パターン（ビア）
１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂ 測定用端子
１７ａ 活性領域
１７ｂ 非活性領域
１８ 境界線（切断線）

特許出願人 次世代半導体材料技術研究組合
代 理 人 宇 高 克 己

Claims (12)

1. 基板と、
   前記基板に設けられた第１の櫛状導体パターンと、
   前記第１の櫛状導体パターンとは非導通で前記基板に設けられた第２の櫛状導体パターン
   とを具備し、
   前記第１の櫛状導体パターン及び前記第２の櫛状導体パターンは、その櫛状先端部側が櫛状基部側より外側に位置するよう設けられてなる
   ことを特徴とする損傷検出装置。
2. 第１の櫛状導体パターンの櫛状先端部と第１の櫛状導体パターンの櫛状先端部との間に第２の櫛状導体パターンの櫛状先端部が在り、かつ、第１の櫛状導体パターンの櫛状先端部と第２の櫛状導体パターンの櫛状先端部とは同一面上に在り、前記第１の櫛状導体パターンの櫛状基部側と前記第２の櫛状導体パターンの櫛状基部側とは同一平面上には無く、少なくとも一方の導体パターンが立体的に構成されてなることを特徴とする請求項１の損傷検出装置。
3. 第１の櫛状導体パターンの下層に第２の櫛状導体パターンが設けられてなることを特徴とする請求項１の損傷検出装置。
4. 基板と、
   前記基板に設けられた上層にある一連に繋がった第１の導体パターンと、
   前記基板に設けられた下層にある一連に繋がった第２の導体パターンと、
   前記上層の第１の導体パターンと前記下層の第２の導体パターンとを連結する複数の連結導体パターン
   とを具備することを特徴とする損傷検出装置。
5. 請求項１〜請求項４いずれかの損傷検出装置を有することを特徴とする電子素子。
6. 請求項１〜請求項４いずれかの損傷検出装置の導体パターンが非活性領域に設けられてなることを特徴とする電子素子。
7. 請求項４の損傷検出装置の導体パターンが非活性領域に設けられてなり、
   第１の導体パターン及び第２の導体パターンが活性領域に向かって設けられてなることを特徴とする電子素子。
8. 複数の領域に分割される基板と、
   前記基板の各々の領域に設けられた第１の櫛状導体パターンと、
   前記第１の櫛状導体パターンとは非導通で前記基板の各々の領域に設けられた第２の櫛状導体パターンと、
   前記基板の各々の領域に設けられた素子
   とを具備し、
   前記第１の櫛状導体パターン及び前記第２の櫛状導体パターンは、前記各々の領域において、その櫛状先端部側が櫛状基部側より外側に位置するよう設けられてなる
   ことを特徴とする素子集合体。
9. 第１の櫛状導体パターンの櫛状先端部と第１の櫛状導体パターンの櫛状先端部との間に第２の櫛状導体パターンの櫛状先端部が在り、かつ、第１の櫛状導体パターンの櫛状先端部と第２の櫛状導体パターンの櫛状先端部とは同一面上に在り、前記第１の櫛状導体パターンの櫛状基部側と前記第２の櫛状導体パターンの櫛状基部側とは同一平面上には無く、少なくとも一方の導体パターンが立体的に構成されてなることを特徴とする請求項８の素子集合体。
10. 複数の領域に分割される基板と、
    前記基板の各々の領域の上層に設けられた一連に繋がった第１の導体パターンと、
    前記基板の各々の領域の下層に設けられた一連に繋がった第２の導体パターンと、
    前記上層の第１の導体パターンと前記下層の第２の導体パターンとを連結する複数の連結導体パターンと、
    前記基板の各々の領域に設けられた素子
    とを具備することを特徴とする素子集合体。
11. 導体パターンが非活性領域に設けられてなることを特徴とする請求項８〜請求項１０いずれかの素子集合体。
12. 第１の導体パターン及び第２の導体パターンが活性領域に向かって設けられてなることを特徴とする請求項１０又は請求項１１の素子集合体。
    

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