JP2006222118A - 半導体製品の歩留り予測方法、製造方法、ならびに歩留り予測システム - Google Patents
半導体製品の歩留り予測方法、製造方法、ならびに歩留り予測システム Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 歩留り管理システム600において、製造ラインで流れる製品に対して、クリティカルエリア解析を利用して製品ごとの到達すべき歩留り水準を定量化する。この際、特定の製品の実績歩留りと予測歩留りとが一致するように、製造ラインの異物発生状況を推定することで、他の製品に対しての歩留り予測精度を向上させる。実績歩留りが予測歩留りに到達していない問題製品を抽出して、その問題製品における特性起因などの製品固有の不良率を推定する。
【選択図】 図8
Description
各工程で発生する異物は、光学式検査装置などでモニタされているが、この検査装置で検出した異物が電気的(回路的)に影響を及ぼし、その製品チップが不良になるとは限らない。また、配線工程を診断するTEG(Test Element Group)などにより、電気的欠陥をモニタすることもあるが、拡散層から多層配線までを積層した製品ウェハと一部の工程のみを作り込んだTEGウェハとではプロセス履歴が異なるため、製品ウェハの異物の発生状況を正確に再現することは困難である。
半導体を構成する主要な機能モジュールとして、例えば、データを処理するための揮発性のRAMと、データを一定期間保存するための不揮発性のFLASHメモリとが挙げられる。歩留り改善活動においては、これらの回路モジュール毎の出来栄えを評価することは重要である。また、テスト工程においては、メモリ部の歩留り評価を行うためのテストプログラムを用いることができたり、フェイルビットマップと呼ばれる不良ビットの位置、数、そして発生の様態が検出可能であるため、メモリ部に特化した歩留り改善活動に威力を発揮する。クリティカルエリア解析は、解析エリアや対象層をメモリ部に限定すれば、この特定領域に発生する不良率についても予測可能となる。従って、メモリ部の歩留り予測結果と実際に測定した歩留りから、メモリ部の出来栄えを評価することが可能となる。一方、このメモリモジュールが他の製品にも用いられている場合は、その搭載製品の歩留りをも改善することができる。
Claims (6)
- 半導体製品の設計情報であるレイアウトデータを入力するステップと、
前記レイアウトデータの所望の層および所望の領域に仮想的にランダムに欠陥を投下して、前記投下した欠陥が致命的な欠陥となるか否かを評価するクリティカルエリアの解析ステップと、
前記半導体製品の実際の歩留りを収集するステップと、
前記実際の歩留りの対数を計算して前記クリティカルエリアの解析結果に基づいて両者の関係を直線近似することで製造ラインに発生する欠陥の水準を推定するステップと、
前記推定した欠陥の水準から他の半導体製品の歩留りを予測するステップとを有することを特徴とする半導体製品の歩留り予測方法。 - 半導体製品の設計情報であるレイアウトデータを入力するステップと、
前記レイアウトデータの所望の層および所望の領域に仮想的にランダムに欠陥を投下して、前記投下した欠陥が致命的な欠陥となるか否かを評価するクリティカルエリアの解析ステップと、
前記半導体製品の実際の歩留りを収集するステップと、
前記実際の歩留りの対数を計算して前記クリティカルエリアの解析結果に基づいて両者の関係を直線近似することで前記直線との乖離の生じている問題製品を抽出するステップと、
前記抽出された問題製品に対して歩留り改善を行うステップとを有することを特徴とする半導体製品の製造方法。 - 半導体製品の設計情報であるレイアウトデータを入力するデータ入力部と、
前記レイアウトデータの所望の層および所望の領域に仮想的にランダムに欠陥を投下して、前記投下した欠陥が致命的な欠陥となるか否かを評価するクリティカルエリアの解析部と、
前記半導体製品の実際の歩留りを収集する実績歩留り収集部と、
前記クリティカルエリアの解析結果に基づいて前記実際の歩留りを集計して両者の関係を直線近似する演算部とを有することを特徴とする半導体製品の歩留り予測システム。 - 半導体製品の設計情報であるレイアウトデータを入力するステップと、
前記レイアウトデータの所望の層および所望の領域に仮想的にランダムに欠陥を投下して、前記投下した欠陥が致命的な欠陥となるか否かを評価するクリティカルエリアの解析ステップと、
前記半導体製品の実際の歩留りを収集するステップと、
前記実際の歩留りの対数を計算して前記クリティカルエリアの解析結果に基づいて両者の関係を直線近似することで製造ラインに発生する欠陥の水準を推定するステップと、
前記推定した欠陥の水準とチップ内の領域ごとのクリティカルエリアの解析結果とに基づいて、指定された任意のチップ内領域における回路モジュールの歩留りを予測するステップとを有することを特徴とする半導体製品の歩留り予測方法。 - 半導体製品の設計情報であるレイアウトデータを入力するステップと、
前記レイアウトデータの所望の層および所望の領域に仮想的にランダムに欠陥を投下して、前記投下した欠陥が致命的な欠陥となるか否かを評価するクリティカルエリアの解析ステップと、
前記半導体製品の実際の歩留りを収集するステップと、
前記実際の歩留りの対数を計算して前記クリティカルエリアの解析結果に基づいて両者の関係を直線近似することで製造ラインに発生する欠陥の水準を推定するステップと、
前記推定した欠陥の水準とチップ内の領域ごとのクリティカルエリアの解析結果とに基づいて、指定された任意のチップ内領域における回路モジュールの歩留りを予測するステップと、
前記回路モジュールの予測歩留りと実際の歩留りとの乖離に基づいて歩留り改善を行うステップとを有することを特徴とする半導体製品の製造方法。 - 半導体製品の設計情報であるレイアウトデータを入力するデータ入力部と、
前記レイアウトデータの所望の層および所望の領域に仮想的にランダムに欠陥を投下して、前記投下した欠陥が致命的な欠陥となるか否かを評価するクリティカルエリアの解析部と、
前記半導体製品の実際の歩留りを収集する実績歩留り収集部と、
前記クリティカルエリアの解析結果に基づいて前記実際の歩留りを集計して両者の関係を直線近似することで製造ラインに発生する欠陥の水準を推定する欠陥水準演算部と、
チップ内の領域ごとのクリティカルエリアの解析結果に基づいて回路モジュールの歩留りを算出する歩留り演算部とを有することを特徴とする半導体製品の歩留り予測システム。
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JP2005031582A JP2006222118A (ja) | 2005-02-08 | 2005-02-08 | 半導体製品の歩留り予測方法、製造方法、ならびに歩留り予測システム |
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