JP2006213691A - フラボノイド誘導体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高価なマイクロ波合成装置を用いず、比較的融点が高い物質から抗菌作用があるフラボノイド誘導体を製造する方法を提供することにある。
【解決手段】3−ヒドロキシフラボン、テトラアルキルアンモニウム塩およびアルカリを窒素雰囲気下で微粉末状混合物としてこれにハロゲン化アルキルを加え、加熱処理した後、マイクロ波照射を行なうことを特徴とするフラボノイド誘導体の製造方法。
【選択図】なし
【解決手段】3−ヒドロキシフラボン、テトラアルキルアンモニウム塩およびアルカリを窒素雰囲気下で微粉末状混合物としてこれにハロゲン化アルキルを加え、加熱処理した後、マイクロ波照射を行なうことを特徴とするフラボノイド誘導体の製造方法。
【選択図】なし
Description
本発明は、抗菌作用を示すフラボノイド誘導体の新規製造方法に関する。
これまで、請求項1記載の一般式(I)で表されるフラボノイド誘導体の製造方法としては、アルカリ水溶液中、3−ヒドロキシフラボンを硫酸ジアルキルなどのアルキル化剤でアルキル化することにより製造している(特許文献1)。
但し、硫酸ジアルキルにはそれ自身に強い毒性が認められており、環境に配慮したアルキル化法が求められていた。そのような中、マイクロ波照射によるアルキル化法が見出されている。
例えば、マイクロ波照射を行なうにあたり、予め水酸基含有物質にハロゲン化アルキル、触媒となるテトラアルキルアンモニウム塩および水酸化カリウムを混合させておくことによって、アルコキシ基を持つ物質の合成を無溶媒で可能にしている(非特許文献1)。
但し、この方法で高価なマイクロ波発生装置を用いず、融点が比較的高い水酸基含有物質のアルキル化を行なうことは難しく、製造方法が確立されていないのが現状であった。
特願2004−30588 Synthesis,1213−1234(1998),A.Loupy他
本発明は、高価なマイクロ波合成装置を用いず、比較的融点が高い物質から抗菌作用があるフラボノイド誘導体を製造する方法を提供しようとするものである。
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、3−ヒドロキシフラボンを原料とした3−アルコキシフラボンの新規製造方法を見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、一般式(I)
(式(I)中、Rは炭素数2以上のアルキル基)で表される3−アルコキシフラボンの新規製造方法であり、
詳しくは比較的融点が高い3−ヒドロキシフラボン、テトラアルキルアンモニウム塩およびアルカリを窒素雰囲気下で微粉末状混合物としてこれにハロゲン化アルキルを加え、加熱処理した後、マイクロ波照射を行なうことを特徴とする3−アルコキシフラボンの製造方法である。
ここで、テトラアルキルアンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムブロミド、テトラエチルアンモニウムブロミド、テトラプロピルアンモニウムブロミド、テトラブチルアンモニウムブロミドであることが好ましく、その中でもテトラエチルアンモニウムブロミドが特に好ましい。
また、ハロゲン化アルキルとは臭化エチル、臭化プロピル、臭化ブチル、臭化ペンチル、臭化ヘキシル、臭化ヘプチル、臭化オクチルを意味するが、これらに限定されるものではない。
さらに本発明において用いられるアルカリには、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が用いられる。
本発明のフラボノイド誘導体の新規製造方法は、加熱処理により、比較的融点が高い物質を短時間かつ容易に溶融させることができるため、その後のマイクロ波照射で容易にアルキル化を実現させることができる。とりわけ、比較的融点が高い剛直な分子の両端をアルキル化することで得られる液晶化合物の合成への応用が期待できる。また、本発明のマイクロ波照射に使用する器材には高価なマイクロ波発生装置を必要とせず、家庭用電子レンジで充分である。なお、本発明で合成されたフラボノイド誘導体は抗菌作用などの薬理作用があり、産業上の利用可能性は大きい。
本発明を詳細に説明する。3−ヒドロキシフラボン、テトラアルキルアンモニウム塩およびアルカリを等量ずつ混合し、窒素雰囲気下で微粉末状混合物としてこれにハロゲン化アルキルを加え、1分程度加熱処理した後、マイクロ波照射を7分程度行なう。目的物は酢酸エチルで抽出した後、シリカゲルを充填したカラムで精製することにより得ることができる。精製したフラボノイド誘導体は抗菌作用があり、医薬等の用途に用いることができる。
以下に実施例を挙げるが、本発明はこれらの例により何ら限定されるものではない。
合成例1(3−プロポキシフラボンの合成)
3−ヒドロキシフラボン(0.238g)、テトラエチルアンモニウムブロミド(0.227g)および水酸化カリウム(0.062g)を窒素雰囲気下で微粉末状混合物としてこれに臭化プロピル(0.5mL)を加え、1分間加熱処理した後、マイクロ波照射を7分間行なう。反応生成物は酢酸エチルで抽出し、粗生成物(0.123g,収率44%)を得る。ついでシリカゲルを充填したカラムを用いてこれを精製することにより、目的物である3−プロポキシフラボン(0.017g,収率6%)を得た。その赤外吸収スペクトルを第1図に示す。
3−ヒドロキシフラボン(0.238g)、テトラエチルアンモニウムブロミド(0.227g)および水酸化カリウム(0.062g)を窒素雰囲気下で微粉末状混合物としてこれに臭化プロピル(0.5mL)を加え、1分間加熱処理した後、マイクロ波照射を7分間行なう。反応生成物は酢酸エチルで抽出し、粗生成物(0.123g,収率44%)を得る。ついでシリカゲルを充填したカラムを用いてこれを精製することにより、目的物である3−プロポキシフラボン(0.017g,収率6%)を得た。その赤外吸収スペクトルを第1図に示す。
合成例2(3−ブトキシフラボンの合成)
3−ヒドロキシフラボン(0.238g)、テトラエチルアンモニウムブロミド(0.227g)および水酸化カリウム(0.063g)を窒素雰囲気下で微粉末状混合物としてこれに臭化ブチル(0.5mL)を加え、1分間加熱処理した後、マイクロ波照射を7分間行なう。反応生成物は酢酸エチルで抽出し、粗生成物(0.173g,収率59%)を得る。ついでシリカゲルを充填したカラムを用いてこれを精製することにより、目的物である3−ブトキシフラボン(0.073g,収率25%)を得た。その赤外吸収スペクトルを第2図に示す。
3−ヒドロキシフラボン(0.238g)、テトラエチルアンモニウムブロミド(0.227g)および水酸化カリウム(0.063g)を窒素雰囲気下で微粉末状混合物としてこれに臭化ブチル(0.5mL)を加え、1分間加熱処理した後、マイクロ波照射を7分間行なう。反応生成物は酢酸エチルで抽出し、粗生成物(0.173g,収率59%)を得る。ついでシリカゲルを充填したカラムを用いてこれを精製することにより、目的物である3−ブトキシフラボン(0.073g,収率25%)を得た。その赤外吸収スペクトルを第2図に示す。
合成例3(3−ヘキシルオキシフラボンの合成)
3−ヒドロキシフラボン(0.237g)、テトラエチルアンモニウムブロミド(0.223g)および水酸化カリウム(0.061g)を窒素雰囲気下で微粉末状混合物としてこれに臭化ヘキシル(0.5mL)を加え、1分間加熱処理した後、マイクロ波照射を7分間行なう。反応生成物は酢酸エチルで抽出し、粗生成物(0.193g,収率60%)を得る。ついでシリカゲルを充填したカラムを用いてこれを精製することにより、目的物である3−ヘキシルオキシフラボン(0.128g,収率40%)を得た。その赤外吸収スペクトルを第3図に示す。
3−ヒドロキシフラボン(0.237g)、テトラエチルアンモニウムブロミド(0.223g)および水酸化カリウム(0.061g)を窒素雰囲気下で微粉末状混合物としてこれに臭化ヘキシル(0.5mL)を加え、1分間加熱処理した後、マイクロ波照射を7分間行なう。反応生成物は酢酸エチルで抽出し、粗生成物(0.193g,収率60%)を得る。ついでシリカゲルを充填したカラムを用いてこれを精製することにより、目的物である3−ヘキシルオキシフラボン(0.128g,収率40%)を得た。その赤外吸収スペクトルを第3図に示す。
合成例4(3−オクチルオキシフラボンの合成)
3−ヒドロキシフラボン(0.237g)、テトラエチルアンモニウムブロミド(0.224g)および水酸化カリウム(0.067g)を窒素雰囲気下で微粉末状混合物としてこれに臭化オクチル(0.4mL)を加え、1分間加熱処理した後、マイクロ波照射を7分間行なう。反応生成物は酢酸エチルで抽出し、粗生成物(0.249g,収率72%)を得る。ついでシリカゲルを充填したカラムを用いてこれを精製することにより、目的物である3−オクチルオキシフラボン(0.144g,収率41%)を得た。その赤外吸収スペクトルを第4図に示す。
3−ヒドロキシフラボン(0.237g)、テトラエチルアンモニウムブロミド(0.224g)および水酸化カリウム(0.067g)を窒素雰囲気下で微粉末状混合物としてこれに臭化オクチル(0.4mL)を加え、1分間加熱処理した後、マイクロ波照射を7分間行なう。反応生成物は酢酸エチルで抽出し、粗生成物(0.249g,収率72%)を得る。ついでシリカゲルを充填したカラムを用いてこれを精製することにより、目的物である3−オクチルオキシフラボン(0.144g,収率41%)を得た。その赤外吸収スペクトルを第4図に示す。
Claims (4)
- 上記Rは炭素数2乃至8のアルキル基である請求項1記載のフラボノイド誘導体の製造方法。
- 請求項1記載の製造方法において、テトラアルキルアンモニウム塩がテトラメチルアンモニウムブロミド、テトラエチルアンモニウムブロミド、テトラプロピルアンモニウムブロミド、テトラブチルアンモニウムブロミドの何れかであることを特徴とするフラボノイド誘導体の製造方法。
- 請求項1記載の製造方法において、アルカリが水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムの何れかであることを特徴とするフラボノイド誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005061462A JP2006213691A (ja) | 2005-02-04 | 2005-02-04 | フラボノイド誘導体の製造方法 |
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JP2005061462A JP2006213691A (ja) | 2005-02-04 | 2005-02-04 | フラボノイド誘導体の製造方法 |
Publications (1)
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JP2005061462A Pending JP2006213691A (ja) | 2005-02-04 | 2005-02-04 | フラボノイド誘導体の製造方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104971078A (zh) * | 2015-06-25 | 2015-10-14 | 张婷婷 | 墨旱莲中总黄酮的提取方法 |
CN108558818A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-09-21 | 帕潘纳(北京)科技有限公司 | 一种甲氧甲烯基化合物的制备方法 |
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2005
- 2005-02-04 JP JP2005061462A patent/JP2006213691A/ja active Pending
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