JP2006210785A - 半導体位置合わせ装置および位置合わせ方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ステージに用いられているボールねじが熱膨張することにより、ボンドヘッドの移動量が変化したり、チップサブあるいはPDIC認識カメラ取り付け部分も安定した位置合わせ精度の維持ができないといった問題点を解決する。
【解決手段】ターゲット11の画像登録による微小LDチップ認識カメラ9に登録した基準位置と、チップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5に登録した位置の相対位置と微小LDチップ認識カメラ9に登録した基準位置に対して、XYZ軸を移動によるチップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5の基準位置からLDチップ吸着コレット2の先端丸孔中心距離となる累積リードずれ量をあわせて補正することにより、微小LD吸着コレット孔中心位置とチップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5の基準位置、微小LDチップ認識カメラ9の基準位置の総合相対ずれ量を算出し、この算出値に基づいてずれ量を補正する。
【選択図】図1
【解決手段】ターゲット11の画像登録による微小LDチップ認識カメラ9に登録した基準位置と、チップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5に登録した位置の相対位置と微小LDチップ認識カメラ9に登録した基準位置に対して、XYZ軸を移動によるチップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5の基準位置からLDチップ吸着コレット2の先端丸孔中心距離となる累積リードずれ量をあわせて補正することにより、微小LD吸着コレット孔中心位置とチップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5の基準位置、微小LDチップ認識カメラ9の基準位置の総合相対ずれ量を算出し、この算出値に基づいてずれ量を補正する。
【選択図】図1
Description
本発明は、微小LDチップをチップサブあるいはPDICチップ上に搭載接合する際のスタックボンド精度安定化に関するものである。
従来の装置構成について図面を参照しながら説明する。図7に示す従来の構成において、ボンドステージ7に搭載されたチップサブあるいはPDICチップ19上の任意の位置に微小LDチップ20を搭載するために、ボンドステージ7上に搭載されたチップサブあるいはPDICチップ19を、固定配置したチップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5で、チップサブあるいはPDICチップ19上の配線パターンを読み取る。さらにボンディングヘッド1に取り付けられた微小LDチップ吸着コレット2に吸着された微小LDチップ20の裏面を、固定配置した微小LDチップ認識カメラ9によって微小LDチップ20裏面の配線パターンを読み取り、読み取ったパターンを画像処理し、演算の結果に基づき微小LDチップ20または、チップサブあるいはPDICチップ19をあるいはその両方を、XY軸ステージ21およびXZ軸ステージ22によって移動させて位置を合わせて搭載接合を行う。このようなスタックボンドが従来提案されている。
あるいは、特許文献1のような半導体位置合わせの構造および方法も提案されている。この特許文献1には、装着対象物である半導体チップおよび基板等の認識を行う認識カメラを少なくとも2以上有するチップボンディング装置において、ターゲットに設けられた特定マークを第1の認識カメラおよび他の認識カメラにて画像取込を行い基準位置を設定し、その後ターゲット、第1の認識カメラおよび他の認識カメラを基準位置に移動させ、特定マークの画像取込を行い、その際の各々の認識カメラの取込画像に於ける特定マークと基準位置とのずれ量を測定し、該ずれ量により装着対象物の相対的移動量を補正する、といった技術が記載されている。
特開平7−7028号公報
上記のような従来の構成および方法では、次のような課題があった。まず、図7のような構成において、ボンドヘッドXステージおよびボンドステージXYステージに用いられているボールねじが、動作中に装置から発せられる熱やボールねじ自身の摩擦熱等により膨張し、周辺の温度状況とともにボンドヘッドの移動量が変化していた。また、チップサブあるいはPDIC認識カメラ取り付け部分も熱膨張の影響を受け、総合精度として±3.8μmレベルの安定した位置合わせ精度の維持ができず、搭載接合位置ばらつきの要因となっていた。
また、特許文献1のような構造および方法においてもレンズ間の熱膨張によるずれ量は、補正できたとしても、実動作位置と異なることとボンドヘッドの微小LD吸着コレット先端孔中心からチップサブあるいはPDICチップ認識レンズ基準位置間移動時の累積リードずれの補正までは行っておらず、不完全な位置合わせであった。
本発明は、位置合わせ装置を構成する一部の部品の熱膨張に起因する位置合わせのずれの発生を防止することを実現した半導体位置合わせ装置および位置合わせ方法を提供することを目的とする。
前記目的を達成するため、本発明は、ボンディングヘッド側面にチップサブあるいはPDICチップ認識カメラを固定し、XYZステージ上に搭載して、微小LD吸着コレットおよびチップサブあるいはPDICチップ認識カメラが同時動作可能な構成としている。また、PDICを搭載するボンドステージはチップサブあるいはPDICチップ認識カメラの下方に配置される。また、微小LDチップ認識カメラはカメラ光軸上に可動するターゲットが配置される構成されており、微小LDチップ吸着コレットの下方に配置される。このような構成のボンディング装置において、基準位置設定のために、ターゲットに設けられた丸孔をバックライトで発光させ、白発光丸孔画像を微小LDチップ認識カメラで取り込み基準位置設定を行う。次に、XYZ軸を移動させてチップサブあるいはPDICチップ認識カメラでターゲットに設けられた丸孔をバックライトで発光させることで白発光丸孔画像を取り込み基準位置設定を行うことで、ターゲットに対して微小LDチップ認識カメラとチップサブあるいはPDICチップ認識カメラの相対位置演算を行う。
その後、ターゲットを微小LDチップ認識カメラの光軸上から移動させ、XYZ軸をLDチップ吸着コレット先端が微小LDチップ認識カメラの光軸上に来るように移動させ、丸孔内面を発光させることで白発光丸孔画像を微小LDチップ認識カメラで取り込む。
その際のチップサブあるいはPDICチップ認識カメラ基準位置からLDチップ吸着コレット先端丸孔中心距離は累積リードずれ量を含んだXYステージ移動距離となり、微小LD吸着コレット孔中心位置とチップサブあるいはPDICチップ認識レンズ基準位置、微小LD認識レンズ基準位置の正確な総合相対ずれ量を算出することが可能となる。
本発明によれば、微小LDチップ認識カメラとチップサブあるいはPDICチップ認識カメラとターゲットの相対的なずれ量検出と微小LD吸着コレット中心位置からチップサブあるいはPDICチップ認識カメラ基準位置間移動時の累積リードずれ量検出を行うため、熱膨張補正動作を設定ボンディング回数、または設定時間経過ごとに行うことで正確な半導体位置合わせが可能となる。
また、微小LDチップ吸着コレット孔中心とチップサブおよびPDICチップ認識カメラの基準位置移動時の累積ずれ量が検出されることより、微小LDチップ吸着コレットによる微小LDチップの吸着位置決めについても、チップサブおよびPDICチップ認識カメラ基準位置と合わせることで位置決めが可能となり、位置決め時に微小LDチップを単眼鏡等で目視確認による位置設定や目視確認を考慮した微小LD吸着コレット先端形状にする必要がなく微小LDチップに対して等分布荷重が印加できる形状にすることも可能となる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
図1は本発明の実施の形態における半導体位置合わせ装置の構成を示す斜視図、図6は図1に示す半導体位置合わせ装置における高さ方向の構成を示す平面図である。
図1に示す構成において、ボンドヘッド部は、ボンディングヘッド1、微小LDチップ吸着コレット2、θ軸モータ3を有しており、このボンドヘッド部側面にはZ軸微動ステージ4、チップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5が取り付けられている。微小LDチップ吸着コレット2先端からチップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5までのZ軸寸法差は、Z軸微動ステージ4を用い、チップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5のWD(Working distance)と同様の寸法としている。また、前記機構のすべては、XYZ軸ステージ6上に搭載されている。
ボンドステージ7はボンドヘッド部と相対する位置に固定されている。ターゲット部は、XYZ軸微動ステージ8に取り付けられた微小LD認識カメラ9と、微小LD認識カメラ9からWDだけ離れた位置に可動機構10を持つ微小LDチップ吸着コレット2の吸着丸孔と同サイズの丸孔を有する厚みt=0.05〜0.1mm厚のターゲット11とにより構成されている。ターゲット孔位置は微小LDチップ認識カメラ9のモニタ12中央になるように調整している。
ボンドステージ7中心に対するターゲット部の位置は、ターゲット部のXYZ軸微動ステージ8のXY軸を用いターゲット11および微小LDチップ認識カメラ9から微小LDチップ吸着孔中心位置からチップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5中心までの寸法と同様の位置に配置している。
次に、本実施形態の半導体位置合わせ方法について説明する。
図2は微小LDチップ認識カメラ基準位置の登録方法を説明するための説明図、図3はチップサブあるいはPDICチップ認識カメラ基準位置の登録方法を説明するための説明図、図4は微小LDチップ吸着コレット孔中心位置登録方法を説明するための説明図、図5は各チップ基準画像の登録方法を説明するための説明図であり、図2(a)〜図5(a)は斜視図、図2(b)〜図5(b)は側面図である。
まず、微小LDチップ認識カメラ9の基準位置の登録を行う。すなわち、図2に示すように、微小LDチップ認識カメラ9の光軸上にターゲット11を移動させ、ターゲット11の丸孔が微小LDチップ認識カメラ9の中央に配置するように位置合わせを行い、ターゲット11のXY調整と微小LD認識カメラ9のZ軸調整によりターゲット11の丸孔に焦点を合わせる。その際、微小LDチップ認識カメラ9の同軸照明はOFFし、ターゲット11の丸孔が微小認識カメラに対してバックライト光となるように背面からチップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5の同軸照明光を当てる。これにより、微小LDチップ認識カメラ9に取り込んだ白発光丸孔画像13の重心位置を微小LD認識カメラ9の基準位置14として登録する。なお、白発光丸孔画像13を取り込む際には、重心位置ばらつき低減のため真円度確認を行う。
次に、図3のような構成において、チップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5の基準位置の登録を行う。すなわち、図3に示すように、微小LDチップ認識カメラ9の光軸上にターゲット11を移動した状態を保持したままで、ターゲット11の丸孔がチップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5の中央部分に配置するようにXYZ軸ステージ6を移動させ、ターゲット1の丸孔の焦点を合わせる。その際、チップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5の同軸照明はOFFし、ターゲット11の丸孔がチップサブあるいはPDIC認識カメラ5に対してバックライト光となるように、背面から微小LDチップ認識カメラ9の同軸照明光を当てる。これにより、チップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5に取り込んだ白発光丸孔画像15の重心位置をチップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5の基準位置16として登録する。
次に、微小LDチップ認識カメラ9の光軸上からターゲット11を移動させ、光軸をフリーな状態とする。すなわち、図4に示すように、ボンドヘッド部を搭載したXYZ軸ステージ6を移動し、ボンドヘッド部の微小LDチップ吸着コレット2先端丸孔を発光させ、白発光丸孔画像17を微小LDチップ認識カメラ9により取り込みを行う。その際、微小LDチップ認識カメラ9の同軸照明OFF状態とし、微小LDチップ吸着コレット2孔外輪を認識しないようにする。なお、XYZ軸ステージ6のXY軸移動軌跡18は、実際のボンディング軌跡と同一のものとし、移動した後のチップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5の位置はボンドステージ7の中心位置とXY位置、および焦点が合致する配置とする。
以上により、微小LDチップ吸着コレット2の位置は、微小LDチップ認識カメラ9に登録した基準位置14に対するずれ量と、微小LDチップ認識カメラ9の基準位置16とチップサブあるいはPDICチップ19の基準位置の相対ずれ量を算出し、XYZ軸ステージ6のXY累積リード移動量を演算することで、微小LDチップ吸着コレット2の孔中心点とチップサブおよびLDPDチップ認識レンズ基準点間移動時の累積リードずれ量が明確になる。
次に、搭載接合する各チップ基準パターンの登録を行う。本実施の形態では、チップサブあるいはPDICチップ19上の配線パターンおよび、微小LDチップ20裏面の配線パターンの登録方法について図5を用いて説明する。まず、チップサブあるいはPDICチップ19上の配線パターンの基準点はチップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5の基準位置14に合わせ画像登録する。また、微小LDチップ20裏面の配線パターンの基準位置16は微小LDチップ認識カメラ9の基準位置16に合わせ画像登録する。なお、各カメラに対して配線パターン傾き角度はθ=0°となるように登録する。
微小LDチップ20およびチップサブあるいはPDICチップ19の位置合わせにおいて、各登録画面に対する基準点のXYθのずれ量を画像処理にて演算し、それに微小LDチップ吸着コレット2中心からチップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5の基準位置間移動時の累積リードずれ量を加えた位置が搭載接合位置となる。
また、微小LDチップ吸着コレット2孔中心からチップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5基準位置までの距離が50mmの場合、微小LDチップ吸着コレット2孔中心からチップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5基準位置のオフセット量は、例えば、ボールねじの熱膨張係数12×10−6/℃、温度変化25℃〜35℃の場合、理論熱膨張は、50mm×(35℃−25℃)×12×10−6/℃=0.006mmとなる。よって、微小LDチップ吸着コレット2の孔中心からチップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5基準位置14までの距離は50.006mm、ずれ量は0.006mmとなり、25℃時のずれ量を基準にするとばらつきは0〜0.006mmの片方向ずれとなってしまう。
そこで、XYステージのボールねじ近傍に温度センサーを取り付け、温度をモニタリングし最大、最小温度時のずれ位置データを収集し、ずれ量のレンジが必要とする精度範囲に入っていれば、それの平均ずれ量(中心値)を設定しておくことで、熱膨張補正時間の短縮をすることも可能である。
また、基準位置設定形状は、すべて同径の白発光丸孔に統一し、微小LDチップ認識カメラ9、チップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5とターゲット11の相対的なずれ量検出と微小LD吸着コレット2中心位置からチップサブあるいはPDICチップ認識カメラ5の基準位置14間の距離算出に基づく補正を行うため、特殊なターゲットを用いない補正が可能となる。
また、微小LDチップ吸着コレット2の孔が詰まった場合には、微小LD吸着コレット2孔中心位置が異なる場合があるので、白発光丸孔画像を取り込む際には、重心位置ばらつき低減のため真円度確認を行う必要がある。
以上のように、本発明のかかる半導体位置合わせ構成および方法は、±3.8μm以下のスタックボンドに有用であり、特にボンドステージが移動不可能な装置に用いるのに適している。
1 ボンディングヘッド
2 微小LDチップ吸着コレット
3 θ軸モータ
4 Z軸微動ステージ
5 チップサブあるいはPDICチップ認識カメラ
6 XYZ軸ステージ
7 ボンドステージ
8 XYZ軸微動ステージ
9 微小LDチップ認識カメラ
10 可動機構
11 ターゲット
12 モニタ
13,15,17 白発光丸孔画像
14,16 基準位置
18 XY軸移動軌跡
19 チップサブあるいはPDICチップ
20 微小LDチップ
21 XY軸ステージ
22 XZ軸ステージ
2 微小LDチップ吸着コレット
3 θ軸モータ
4 Z軸微動ステージ
5 チップサブあるいはPDICチップ認識カメラ
6 XYZ軸ステージ
7 ボンドステージ
8 XYZ軸微動ステージ
9 微小LDチップ認識カメラ
10 可動機構
11 ターゲット
12 モニタ
13,15,17 白発光丸孔画像
14,16 基準位置
18 XY軸移動軌跡
19 チップサブあるいはPDICチップ
20 微小LDチップ
21 XY軸ステージ
22 XZ軸ステージ
Claims (5)
- ボンディングヘッド側面にチップサブあるいはPDICチップ認識カメラを固定し、XYZステージ上に搭載して、微小LD吸着コレットおよび前記チップサブあるいはPDICチップ認識カメラが同時動作可能な構成とし、前記ボンディングヘッドに相対する位置でかつ前記チップサブあるいはPDICチップ認識カメラ側にボンドステージを固定配置し、前記微小LD吸着コレット側に可動するターゲットを光軸上に持つ微小LDチップ認識カメラを固定配置したことを特徴とする半導体位置合わせ装置。
- 基準位置設定に使用する画像の形状を、すべて同径の白発光丸孔に統一することを特徴とする請求項1記載の半導体位置合わせ装置。
- 前記微小LDチップ吸着コレット孔中心から前記チップサブあるいはPDICチップ認識カメラ基準位置間の距離と前記微小LDチップ認識カメラ基準位置から前記ボンドステージ中心間の距離が、各カメラの焦点距離が合致した状態で配置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体位置合わせ装置。
- ターゲットに設けられた丸孔をバックライトで発光させることによって形成した白発光丸孔画像を、微小LDチップ認識カメラによって取り込み基準位置設定を行い、XYZ軸を移動させてチップサブあるいはPDICチップ認識カメラによって前記ターゲットに設けられた丸孔をバックライトで発光させることによって白発光丸孔画像を取り込み基準位置設定を行い、その後、前記ターゲットを前記微小LDチップ認識カメラの光軸上から移動させ、XYZ軸を移動させてLDチップ吸着コレット先端の丸孔内面を発光させることによって白発光丸孔画像を前記微小LDチップ認識カメラで取り込み、前記微小LDチップ認識カメラに登録した基準位置と前記チップサブあるいはPDICチップ認識カメラに登録した位置の相対位置と前記微小LDチップ認識カメラに登録した基準位置に対して、XYZ軸を移動させてLDチップ吸着コレット先端丸孔を発光させた白発光丸孔画像を得ることが可能な位置に移動させ、その際のXYステージの基準位置間移動時の累積リードずれ量補正より、微小LD吸着コレット孔中心位置とチップサブあるいはPDICチップ認識レンズ基準位置、微小LD認識レンズ基準位置の正確な相対ずれ量を算出することを特徴とする半導体位置合わせ方法。
- 前記微小LD吸着コレットの白発光丸孔画像を取り込み時に、真円度確認を行うことを特徴とする請求項4記載の半導体位置合わせ方法。
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JP2005023152A JP2006210785A (ja) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | 半導体位置合わせ装置および位置合わせ方法 |
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JP2010153562A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Shibuya Kogyo Co Ltd | ボンディング装置 |
WO2015170645A1 (ja) * | 2014-05-07 | 2015-11-12 | 株式会社新川 | ボンディング装置およびボンディング方法 |
WO2022168275A1 (ja) * | 2021-02-05 | 2022-08-11 | 株式会社新川 | ボンディング装置及びボンディング方法 |
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2005
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KR20160147045A (ko) | 2014-05-07 | 2016-12-21 | 가부시키가이샤 신가와 | 본딩 장치 및 본딩 방법 |
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