JP2006210556A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】抵抗体を有した信頼性のある配線基板を、効率良く製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】配線パターン１３の離間して設けられた２個の電極１４ａ、１４ｂによって、両端部側が覆われて配設された抵抗体１２を有する配線基板の製造方法において、無電解めっきによって形成された第１の金属層２０の、抵抗体を形成する部位を除去し、そこへ無電解めっきによって抵抗体としての抵抗用金属層１２を形成する。２個の電極を含む配線パターンを形成する部位以外を被覆するパターン形状の第２のレジスト層を形成し、これをめっきマスクとして電解めっきを施し、配線パターンと同じパターン形状の第２の金属層２３を形成する。その後、基板表面全体に均一にエッチングを施すことにより、配線パターンを形成する部位以外の、露出する第１の金属層２０を除去して配線パターン１３を形成する。
【選択図】図２

Description

本発明は、配線基板の製造方法に関し、詳しくは抵抗体の配設された配線基板の製造方法に関する。

従来、配線基板上に設けられた抵抗体として、図９に示されるものがある。抵抗体５１は、２個の離間して設けられた電極５２ａ、５２ｂをつなぐように基板５３上に配設されており、電極５２ａ、５２ｂとは互いの端面同士で接触している。このような抵抗体５１は、電極５２ａ、５２ｂとの接触面積が小さいので、電気的接続が不安定で信頼性が乏しいという課題があった。
この課題を解決する抵抗体として、例えば特許文献１に記載のものがある。これは、電極と抵抗体が部分的に重なるように形成し、電極と抵抗体の接触面積を増やしたものである。この配線基板は次の工程により製造される。まず、基板上に所定厚さの抵抗体をスパッタリングによって形成する。その後、フォトリソグラフィ技術によって形成したレジストをめっきマスクとしてめっきを施し、配線パターンを基板上に形成するというものである。

特開平１１−８７８８１号公報

特許文献１記載の配線基板によれば、電極と抵抗体との接触面積を増やして、信頼性のある配線基板を提供できる。
しかしながら、上記配線基板は、抵抗体をスパッタリングによって形成した後、めっきによって配線パターンを形成するという製造方法なので、基板はスパッタリング装置からめっき装置へと関連のない装置間を移動しなければならず、工程が複雑で煩わしい作業となり、効率良く製造できないという問題が生じていた。

そこで、本発明は上記課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、抵抗体を有した信頼性のある配線基板を効率良く製造できる製造方法を提供することにある。

本発明は上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、本発明は、基板上に形成された配線パターンの離間して設けられた２個の電極によって、両端部側が覆われて配設された抵抗体を有する配線基板の製造方法であって、 基板に設けられた絶縁層の表面に、無電解めっきを施して第１の金属層を形成する工程と、 該第１の金属層上に、抵抗体を形成する部位が開口する第１のレジスト層を形成する工程と、該第１のレジスト層をマスクとして、抵抗体を形成する部位の第１の金属層をエッチングにより除去し、前記絶縁層を露出させる工程と、該絶縁層が露出した位置に無電解めっきによって抵抗体としての抵抗用金属層を形成する工程と、前記第１のレジスト層を除去する工程と、前記第1の金属層及び抵抗用金属層が表面に露出する基板上に、前記２個の電極を含む配線パターンを形成する部位以外を被覆するパターン形状の第２のレジスト層を形成する工程と、該第２のレジスト層をめっきマスクとして電解めっきを施し、前記配線パターンと同じパターン形状の第２の金属層を形成する工程と、前記第２のレジスト層を除去する工程と、表面に露出する第1及び第２の金属層に均一にエッチングを施すことにより、前記配線パターンを形成する部位以外の、露出する前記第１の金属層を除去して配線パターンを形成する工程とを有することを特徴とする。
この製造方法によれば、効率良く信頼性のある配線基板を製造できる。

また、基板上に形成された配線パターンの離間して設けられた２個の電極によって、両端部側が覆われて配設された抵抗体を有する配線基板の製造方法であって、基板に設けられた絶縁層の表面に、無電解めっきを施して第１の金属層を形成する工程と、該第１の金属層上に、抵抗体を形成する部位が開口する第１のレジスト層を形成する工程と、該第１のレジスト層をマスクとして、抵抗体を形成する部位の第１の金属層をエッチングにより除去し、前記絶縁層を露出させる工程と、該絶縁層が露出した位置に無電解めっきによって抵抗体としての抵抗用金属層を形成する工程と、前記第１のレジスト層をマスクとして、電解めっきを施すことにより、前記抵抗用金属層上に被覆用の金属層を形成する工程と、 前記第１のレジスト層を除去する工程と、前記第1の金属層及び被覆用の金属層が表面に露出する基板上に、前記２個の電極を含む配線パターンを形成する部位以外を被覆するパターン形状の第２のレジスト層を形成する工程と、該第２のレジスト層をめっきマスクとして電解めっきを施し、前記配線パターンと同じパターン形状の第２の金属層を形成する工程と、前記第２のレジスト層を除去する工程と、表面に露出する第1、第２の金属層及び被覆用の金属層に均一にエッチングを施すことにより、前記配線パターンを形成する部位以外の、露出する前記第１の金属層及び前記被覆用の金属層を除去し、配線パターンを形成すると共に、抵抗用金属層を露出させる工程とを有することを特徴とする。
これによれば、抵抗用金属層上に被覆用の金属層を設けることにより、抵抗用金属層の酸化を防いで、金属層からなる電極との密着性を向上させることができる。
また、前記第２のレジスト層は、２個の電極を形成する部位に開口部を有し、該開口部が前記抵抗用金属層或いは前記被覆用の金属層の両端部側と、両端部側の周囲の第１の金属層を露出するように設けられることにより、２個の電極は、抵抗体としての抵抗用金属層の上面、両側面及び端面を端部側でそれぞれ覆う形状に形成されることを特徴とする。
また、前記抵抗用金属層は、前記第１の金属層を形成する際に無電解めっきの前処理として、絶縁層の表面に析出させためっき触媒核を使用して形成することを特徴とする。 これにより、効率良く抵抗用金属層を形成できる。
尚、ここで「基板に設けられた絶縁層の表面」とは、「コア基板としての絶縁性基板の表面」も含む。

本発明によれば、抵抗体の配設された信頼性のある配線基板を効率よく製造できる。

以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
（第１実施形態）
図３は、本発明の配線基板の製造方法によって製造される配線基板１０の断面図である。配線基板１０の基板１１は、多層配線構造を有している。多層配線構造とは、配線パターンが絶縁層を介して多層に積層され、各配線パターンは絶縁層を貫通して形成されたビアによって電気的に接続される構造である。
図３に示される配線パターン１３は、配線基板１０の最表層に形成されたものである。配線パターン１３は、これより１段内側に設けられた基板１１上の配線パターン１６と、絶縁層１７を貫通して形成されたビア１８を介して電気的に接続されている。
この配線パターン１３は、所定間隔あけて設けられた２個の電極１４ａ、１４ｂを含んでいて、配線パターン１３の２個の電極１４ａ、１４ｂ以外の部位の上面と、２個の電極１４ａ、１４ｂの上面は面一となって揃っている。そして、２個の電極１４ａ、１４ｂ間には、両者をつなぐように所定寸法サイズの薄膜状の抵抗体１２が配設されている。
また、配線パターン１３及び抵抗体１２を外側から覆って保護するソルダーレジスト層１５が、配線基板１０の表面を覆うように設けられている。
次に、電極１４ａ、１４ｂと抵抗体１２の配設構造について詳しく説明する。図７は、電極１４ａ、１４ｂと抵抗体１２の配設状態を説明する斜視図であり、図８はその断面図である。
２個の電極１４ａ、１４ｂは、抵抗体１２の両端部側を各々覆って設けられている。詳しくは、電極１４ａ、１４ｂは、略六面体形状に形成されている抵抗体１２の４面（上面１２ａ、両側面１２ｂ、１２ｄ、端面１２ｃ）を端部側で覆うように設けられている。

次に、上記構成からなる配線基板１０の製造方法について説明する。
図１〜図３は、配線基板１０の製造工程を説明する部分断面図である。
最初に、多層配線構造を有し、最表層に配線パターン１６が形成された基板１１を準備する。基板１１は、公知の技術によって多層に形成できる。すなわち、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、或いはフルアディティブ法によって、絶縁層上に配線パターンを形成しながら、コア基板上に絶縁層を積層していく方法である。
そして、配線パターン１６を含む基板１１の表面を覆うように、絶縁層１７としての樹脂フィルムを張り合せる。樹脂フィルムとしては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂等の絶縁性の熱硬化性樹脂が使用でき、配線パターン１６上を被覆するように樹脂フィルムを基板１１上にラミネートしてから、８０〜１４０℃の温度で熱硬化させる。

その後、絶縁層１７の所定位置で、配線パターン１６が露出するように、絶縁層１７を貫通するビア孔１９を設ける（図１（ａ）参照）。ビア孔１９は、レーザー等により絶縁層１７の所定部位を除去することにより形成できる。
それから、ビア孔１９内を含めた絶縁層１７の表面全面に、無電解銅めっき（無電解めっき）を施して第１の銅層２０（第１の金属層）を形成する。無電解銅めっきを行うにあたり、基板１１には、無電解めっきの前処理を行う。前処理は、コンディション工程、キャタリスト工程、アクセラレータ工程を有する。コンディション工程では、絶縁層１７の表面を化学的に粗面化し、キャタリスト工程では、絶縁層１７の粗面化された表面にパラジウム有機錯体を吸着させる。そして、アクセラレータ工程では、触媒金属としてのパラジウムを絶縁層１７の表面上に析出させる。
こうして、前処理で表面にパラジウム触媒核（めっき触媒核）を析出することにより、絶縁層１７上に無電解銅めっきを施すことができる。

絶縁層１７上に第１の銅層２０を形成したら、抵抗体１２を形成する部位が開口するパターン形状の第１のレジスト層２１を第１の銅層２０上に形成する。
第１のレジスト層２１は、フィルム状の感光性レジストを第１の銅層２０上にラミネートするか、或いは液状の感光性レジストを塗布し、これに露光、現像を施すことにより形成できる。
第１のレジスト層２１の形成後、第１のレジスト層２１をマスクとして、その開口部２１ａを介して露出する部位の第１の銅層２０をエッチングによって除去し、絶縁層１７を露出させる（図１（ｂ）参照）。この際、無電解銅めっきの前処理において、基板１１上に析出させたパラジウム触媒核は、絶縁層１７上に残した状態とする。
その後、第１の銅層２０が除去され、絶縁層１７が露出する位置に、第１のレジスト層２１をマスクとする無電解ニッケルめっき（無電解めっき）によって、抵抗体となる所定厚さのニッケル層（抵抗用金属層）１２を形成する（図１（ｃ）参照）。ニッケル層１２は、絶縁層１７上に析出しているパラジウム触媒核を利用して形成する。
その後、第１のレジスト層２１を除去したら（図１（ｄ）参照）、第１の銅層２０及びニッケル層１２が表面に露出する基板１１上に、所定パターンの第２のレジスト層２２を形成する（図２（ａ）参照）。第２のレジスト層２２は、２個の電極１４ａ、１４ｂを含む最表層の配線パターン１３を形成する部位以外を被覆するパターン形状に形成する。
図１０は、第２のレジスト層２２を形成した基板１１の上面図である。第２のレジスト層２２は、電極１４ａ、１４ｂを形成する部位に開口部３１ａ、３１ｂを有し、電極１４ａ、１４ｂ以外の配線パターン１３を形成する部位に開口部３０を有する。開口部３１ａ、３１ｂは、ニッケル層１２の両端部側と、両端部側の周囲の第１の銅層２０を露出するように設けられ、その開口幅Ａは、ニッケル層１２の幅Ｂよりも大きい。
このような形状の第２のレジスト層２２は、第１のレジスト層２１と同様、基板１１表面上にフィルム状、或いは液状の感光性レジストを設け、これに露光、現像を施すことにより形成できる。

そして、第２のレジスト層２２をめっきマスクとする電解銅めっき（電解めっき）を基板１１に施し、基板１１上に配線パターン１３と同じパターン形状の第２の銅層２３（第２の金属層）を形成する。このとき、ビア孔１９内には銅が充填されてビア１８が形成される（図２（ｂ）参照）。
第２のレジスト層２２は、第２の銅層２３を形成後、除去する（図２（ｃ）参照）。
それから、表面に露出する第１及び第２の銅層に均一に銅のエッチングを施すことにより、配線パターン１３（２個の電極１４ａ、１４ｂを含む）を形成する部位以外の、露出する第１の銅層２０を除去し、その部位で絶縁層１７を露出させる。このとき使用するエッチング液は、ニッケル層１２は溶解させずに、銅層のみを溶解するものとする。これにより、絶縁層１７上に、第１の銅層２０及び第２の銅層２３からなる配線パターン１３が形成され、抵抗体としてのニッケル層１２を、その両端部側で覆うように２個の電極１４ａ、１４ｂが形成される（図２（ｄ）参照）。

その後、配線パターン１３（電極１４ａ、１４ｂを含む）、抵抗体１２及び絶縁層１７を被覆するように基板１１の表面にソルダーレジスト層１５を形成する（図３参照）。
この実施形態では、次のような効果を得ることができる。
得られた配線基板１０は、電極１４ａ、１４ｂと抵抗体１２との接触面積が大きく、信頼性のある配線基板となる。
また、無電解めっきによる抵抗体１２の形成は、めっき装置を使用した通常の配線基板の製造プロセス内に容易に組み込むことができ、従来のスパッタリング等によって形成する方法に比較して、効率良く製造できる。
また、電極１４ａ、１４ｂと、電極１４ａ、１４ｂ以外の配線パターン１３を同時に形成することができ、効率的である。
また、抵抗体となるニッケル層は、配線パターンの形成に不可欠な無電解めっきの前処理において析出されたパラジウム触媒核を使用することにより、簡単に形成できる。

（第２実施形態）
第１実施形態において説明した構造を有する配線基板１０は、図４〜図６の部分断面図に示される次の製造工程によっても製造できる。
多層配線基板を有し、最表層に配線パターン１６が形成された基板１１を準備する。そして、配線パターン１６を含む基板１１の表面を覆うように、絶縁層１７としての樹脂フィルムを張り合せる。その後、絶縁層１７の所定位置で、配線パターン１６が露出するように、絶縁層１７を貫通するビア孔１９を設ける（図４（ａ）参照）。
ビア孔１９内を含めた絶縁層１７の表面全面に、無電解銅めっき（無電解めっき）を施して第１の銅層２０（第１の金属層）を形成する。無電解銅めっきを行うにあたって、基板１１には、無電解めっきの前処理を行う。
第１の銅層２０を形成したら、抵抗体１２を形成する部位が開口するパターン形状の第１のレジスト層２１を第１の銅層２０上に形成する。
第１のレジスト層２１の形成後、第１のレジスト層２１をマスクとして、その開口部２１ａを介して露出する部位の第１の銅層２０をエッチングによって除去し、絶縁層１７を露出させる（図４（ｂ）参照）。この際、無電解銅めっきの前処理において、基板１１上に析出させたパラジウム触媒核（めっき触媒核）は、絶縁層１７上に残した状態とする。
その後、第１のレジスト層２１をマスクとして、第１の銅層２０が除去された位置に無電解ニッケルめっき（無電解めっき）によって抵抗体となる所定厚さのニッケル層１２（抵抗用金属層）を形成する（図４（ｃ）参照）。ニッケル層１２は、絶縁層１７上に析出しているパラジウム触媒核を利用して形成する。
ここまでの工程は、第１実施形態と同様である。

ニッケル層の形成に引き続いて、第１のレジスト層２１をマスクとして、基板１１に電解銅めっき（電解めっき）を施す。これにより、開口部２１ａを介して露出するニッケル層１２の表面を覆うように、被覆用の銅層２４（被覆用の金属層）が形成される（図４（ｄ）参照）。
被覆用の銅層２４を形成したら、第１のレジスト層２１は除去する（図５（ａ）参照）。
次に、第１の銅層２０及び被覆用の銅層２４が表面に露出する基板１１上に、所定パターンの第２のレジスト層２２を形成する（図５（ｂ）参照）。第２のレジスト層２２は、２個の電極１４ａ、１４ｂを含む配線パターン１３を形成する部位以外を被覆するパターン形状に形成する。詳しくは、図１０を用いて説明した第１実施形態における第２のレジスト層２２の形状と同様である。つまり、第２のレジスト層２２は、電極１４ａ、１４ｂを形成する部位に開口部３１ａ、３１ｂを有し、電極１４ａ、１４ｂ以外の配線パターン１３を形成する部位に開口部３０を有する。開口部３１ａ、３１ｂは、ニッケル層１２を被覆するように設けられた被覆用の銅層２４の両端部側と、両端部側の周囲の第１の銅層２０を露出するように設けられ、その開口幅Ａは、被覆用の銅層２４の幅Ｂよりも大きい。
第２のレジスト層２２は、第１実施形態と同様、基板表面上にフィルム状、或いは液状の感光性レジストを設け、これに露光、現像を施すことにより形成できる。

第２のレジスト層２２を形成したら、これをめっきマスクとする電解銅めっき（電解めっき）を基板に施し、配線パターン１３と同一のパターン形状の第２の銅層２３（第２の金属層）を形成する（図５（ｃ）参照）。このとき、ビア孔１９内には銅が充填されてビア１８が形成される。第２のレジスト層２２は、第２の銅層２３を形成後、除去する（図５（ｄ）参照）。
その後、表面に露出する第１、第２の銅層２０、２３及び被覆用の銅層２４に均一に銅のエッチングを施すことにより、配線パターン１３（２個の電極１４ａ、１４ｂを含む）の部位以外の、露出する第１の銅層２０及び被覆用の銅層２４を除去して、その部位で絶縁層１７及びニッケル層１２を露出させる（図６（ａ）参照）。このとき、使用するエッチング液は、ニッケル層１２は溶解させずに、銅層のみを溶解するものとする。
これにより、基板１１上に、第１、第２の銅層２０、２３及び被覆用の銅層２４からなる配線パターン１３（被覆用の銅層２４は、電極１４ａ、１４ｂの一部となる）が形成され、抵抗体としてのニッケル層１２を、その両端部側で覆うように２個の電極１４ａ、１４ｂが形成される。
その後、配線パターン１３（電極１４ａ、１４ｂを含む）、抵抗体１２及び絶縁層１７を被覆するように基板１１の表面にソルダーレジスト層１５を形成し、配線基板１０が製造される（図６（ｂ）参照）。

第２実施形態では、第１実施形態で述べた効果は勿論のこと、次のような効果を得ることができる。
第１実施形態では、ニッケル層１２上に直接、第２のレジスト層２２を設けて配線パターン１３を形成していた。これによれば、酸化され易いニッケル層１２が、レジスト層２２の形成工程で酸化し、電極１４ａ、１４ｂとの密着性が悪くなるという場合もある。
これに対して第２実施形態では、無電解ニッケルめっき工程に連続して電解銅めっきを施し、ニッケル層上に直接、被覆用の銅層を設けているので、ニッケル層の酸化を防止して、銅層からなる電極１４ａ、１４ｂとの密着性を向上させることができる。

以上、本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは勿論である。例えば、次のように変更してもよい。
第１、第２実施形態では、抵抗体１２を配線基板１０の最表層に形成したが、複数層に形成された配線基板の中間層に形成してもよい。この場合、上記実施形態において、ソルダーレジスト層１５に代えて絶縁層を設け、この絶縁層上に配線パターンを形成するとよい。さらに、この工程を繰り返し、抵抗体１２より上層に配線パターンを複数層設けてもよい。

また、基板１１として、多層配線構造を有するものを挙げたが、基板１１は配線パターンの形成されていないコア基板としての絶縁性基板であってもよい。絶縁性基板としては、ガラス・エポキシ基板、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）基板等の樹脂基板がある。この場合、絶縁性基板１１の表面全面に無電解銅めっきを施して第１の銅層２０を形成し、その上に第１のレジスト層２１を形成して、抵抗体としてのニッケル層１２を形成する。その後は、第１、或いは第２実施形態と同様の工程を施すことによって、絶縁性基板１１に配線パターン１３、電極１４ａ、１４ｂ及び抵抗体１２の形成された配線基板を得ることができる。
また、抵抗用金属としては、ニッケルの他、Ｎｉ−Ｗ−Ｐ、Ｎｉ−Ｗ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｐ等の合金やクロム等が使用できる。これら金属は、ニッケル層と同様、無電解めっきによって絶縁層上に層状に形成できる。

第１実施形態における配線基板の製造工程を示す部分断面図である。 第１実施形態における配線基板の製造工程を示す部分断面図である。 第１実施形態における配線基板の部分断面図である。 第２実施形態における配線基板の製造工程を示す部分断面図である。 第２実施形態における配線基板の製造工程を示す部分断面図である。 第２実施形態における配線基板の製造工程を示す部分断面図である。 抵抗体と電極の配設状態を示す斜視図である。 抵抗体と電極の配設状態を示す断面図である。 従来の抵抗体と電極の配設状態を示す断面図である。 第２のレジスト層の形状を示す上面図である。

符号の説明

１０ 配線基板
１１ 基板
１２ 抵抗体
１３ 配線パターン
１４ａ、１４ｂ 電極
１６ 配線パターン
１７ 絶縁層
１８ ビア
１９ ビア孔
２０ 第１の銅層
２１ 第１のレジスト層
２１ａ 開口部
２２ 第２のレジスト層
２３ 第２の銅層
２４ 被覆用の銅層

Claims (4)

1. 基板上に形成された配線パターンの離間して設けられた２個の電極によって、両端部側が覆われて配設された抵抗体を有する配線基板の製造方法であって、
   基板に設けられた絶縁層の表面に、無電解めっきを施して第１の金属層を形成する工程と、
   該第１の金属層上に、抵抗体を形成する部位が開口する第１のレジスト層を形成する工程と、
   該第１のレジスト層をマスクとして、抵抗体を形成する部位の第１の金属層をエッチングにより除去し、前記絶縁層を露出させる工程と、
   該絶縁層が露出した位置に無電解めっきによって抵抗体としての抵抗用金属層を形成する工程と、
   前記第１のレジスト層を除去する工程と、
   前記第1の金属層及び抵抗用金属層が表面に露出する基板上に、前記２個の電極を含む配線パターンを形成する部位以外を被覆するパターン形状の第２のレジスト層を形成する工程と、
   該第２のレジスト層をめっきマスクとして電解めっきを施し、前記配線パターンと同じパターン形状の第２の金属層を形成する工程と、
   前記第２のレジスト層を除去する工程と、
   表面に露出する第1及び第２の金属層に均一にエッチングを施すことにより、前記配線パターンを形成する部位以外の、露出する前記第１の金属層を除去して配線パターンを形成する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 基板上に形成された配線パターンの離間して設けられた２個の電極によって、両端部側が覆われて配設された抵抗体を有する配線基板の製造方法であって、
   基板に設けられた絶縁層の表面に、無電解めっきを施して第１の金属層を形成する工程と、
   該第１の金属層上に、抵抗体を形成する部位が開口する第１のレジスト層を形成する工程と、
   該第１のレジスト層をマスクとして、抵抗体を形成する部位の第１の金属層をエッチングにより除去し、前記絶縁層を露出させる工程と、
   該絶縁層が露出した位置に無電解めっきによって抵抗体としての抵抗用金属層を形成する工程と、
   前記第１のレジスト層をマスクとして、電解めっきを施すことにより、前記抵抗用金属層上に被覆用の金属層を形成する工程と、
   前記第１のレジスト層を除去する工程と、
   前記第1の金属層及び被覆用の金属層が表面に露出する基板上に、前記２個の電極を含む配線パターンを形成する部位以外を被覆するパターン形状の第２のレジスト層を形成する工程と、
   該第２のレジスト層をめっきマスクとして電解めっきを施し、前記配線パターンと同じパターン形状の第２の金属層を形成する工程と、
   前記第２のレジスト層を除去する工程と、
   表面に露出する第1、第２の金属層及び被覆用の金属層に均一にエッチングを施すことにより、前記配線パターンを形成する部位以外の、露出する前記第１の金属層及び前記被覆用の金属層を除去し、配線パターンを形成すると共に、抵抗用金属層を露出させる工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
3. 前記第２のレジスト層は、２個の電極を形成する部位に開口部を有し、該開口部が前記抵抗用金属層或いは前記被覆用の金属層の両端部側と、両端部側の周囲の第１の金属層を露出するように設けられることにより、２個の電極は、抵抗体としての抵抗用金属層の上面、両側面及び端面を端部側でそれぞれ覆う形状に形成されることを特徴とする請求項１または２記載の配線基板の製造方法。
4. 前記抵抗用金属層は、前記第１の金属層を形成する際に無電解めっきの前処理として、絶縁層の表面に析出させためっき触媒核を使用して形成することを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか一項記載の配線基板の製造方法。

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