JP2006203074A - Circuit board and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、回路基板の製造方法および回路基板に関する。 The present invention relates to a circuit board manufacturing method and a circuit board.
近年、電子機器の高密度化に伴い、これに用いられる回路基板の多層化、細線化が要求されている。多層用回路基板を製造する工程には、バンプめっきにより基板同士を接合する工程が有り、次のように行なわれている。
基板の絶縁層にUVレーザー等でブラインドビアを形成し、そのブラインドビアにバンプめっきを施し、基板同士を積層して、多層化することにより、基板間の導通を得ている。
In recent years, with the increase in the density of electronic devices, there has been a demand for multilayered and thinned circuit boards used therefor. The process of manufacturing a multilayer circuit board includes a process of bonding substrates by bump plating, and is performed as follows.
Blind vias are formed on the insulating layer of the substrate with a UV laser or the like, bump plating is performed on the blind vias, the substrates are stacked, and the layers are multilayered to obtain conduction between the substrates.
このレーザー光の照射により、ブラインドビアを形成するとブライドビアの内部または周辺等にスミアが残存する場合があった。
ブラインドビアの内部または周辺にスミアが残存すると、次工程のめっきを良好な品質・形状に施すことが困難となる場合がある。
特に、ブラインドビアの底部には、照射するレーザー光のブラインドビアの深さ方向に対するエネルギー密度のばらつきに起因して銅箔が一部溶融してしまい、スミアと入り混じり強固に銅箔に付着するスミアが残存する場合がある。また、ブラインドビアの開口縁部周辺にはレーザー光の照射によって熱的ダメージを受けて絶縁層が酸化したり、レーザー光による絶縁層の分解昇華物が強固に付着したりしてスミアが残存する場合がある。
When blind vias are formed by this laser light irradiation, smears may remain inside or around the vias.
If smear remains in or around the blind via, it may be difficult to perform plating in the next process with good quality and shape.
In particular, at the bottom of the blind via, the copper foil partially melts due to the variation in energy density in the depth direction of the blind via of the laser beam to irradiate. Smear may remain. In addition, smear remains around the opening edge of the blind via due to thermal damage caused by laser light irradiation and oxidation of the insulating layer, or decomposition sublimates of the insulating layer strongly adhered by the laser light. There is a case.
そのため、レーザー加工等によって形成されたビアの内部および周辺のスミアを除去するため、過マンガン酸溶液に浸漬させてスミアを溶解除去していた(例えば、特許文献1参照)。しかし、ブラインドビアの底部または周辺に強固に付着したスミアに対して、処理液の工夫、繰り返し処理等の処理条件の最適化を行ってきたが、十分にスミアを除去するのが困難な場合があった。 Therefore, in order to remove the smear around and around the via formed by laser processing or the like, the smear was dissolved and removed by immersion in a permanganic acid solution (for example, see Patent Document 1). However, for smears that adhere firmly to the bottom or the periphery of blind vias, we have devised processing solutions and optimized processing conditions such as repeated processing, but it may be difficult to remove smears sufficiently. there were.
本発明の目的は、レーザー光の照射によりブラインドビアを形成する際に発生するブラインドビア内部および開口縁部周辺のスミアの発生を低減させ、かつ十分に除去することが可能な回路基板の製造方法および回路基板を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a circuit board manufacturing method capable of reducing the generation of smear around the blind via and around the opening edge, which is generated when a blind via is formed by laser light irradiation, and sufficiently removing the smear. And providing a circuit board.
このような目的は、下記(1)〜(12)に記載の本発明により達成される。
(1)樹脂層と、導体層とを備え、ブラインドビアが形成された回路基板の製造方法であって、前記樹脂層には、前記導体層と反対面側に該樹脂層を保護する保護層が設けられており、前記樹脂層および前記保護層にレーザー光を照射しブラインドビアホールを形成する工程と、前記ブラインドビア形成後に前記保護層を除去する工程とを有し、前記レーザー光の照射は、その焦点が前記保護層の表面に対して光軸方向にずれるようにデフォーカスした状態で行なわれることを特徴とする回路基板の製造方法。
(2)樹脂層と、導体層とを備え、ブラインドビアが形成された回路基板の製造方法であって、前記樹脂層に、前記導体層と反対面側に該樹脂層を保護する保護層を設ける工程と、前記樹脂層および前記保護層にレーザー光を照射しブラインドビアホールを形成する工程と、前記ブラインドビア形成後に前記保護層を除去する工程とを有し、前記レーザー光の照射は、その焦点が前記保護層の表面に対して光軸方向にずれるようにデフォーカスした状態で行なわれることを特徴とする回路基板の製造方法。
(3)前記保護層を形成する工程は、前記樹脂膜をラミネートする工程または前記金属層をスパッタリングする工程である上記(2)に記載の回路基板の製造方法。
(4)前記焦点の位置と、前記保護層の表面との離間距離が、0.01〜3mmである上記(1)ないし(3)のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
(5)前記焦点は、前記保護層の表面から前記樹脂層と反対側に位置する上記(1)ないし(4)のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
(6)前記レーザー光のビーム径は、20〜80μmである上記(1)ないし(5)のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
(7)前記ブラインドビアは、開口に向かって内部の横断面積が広がっているものである上記(1)ないし(6)のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
(8)前記ブラインドビアの側壁が前記導体層の表面に対してなすテーパー角度が10〜25度である上記(1)ないし(7)のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
(9)前記保護層は、樹脂組成物で構成される樹脂層または金属層である上記(1)ないし(8)のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
(10)前記樹脂組成物は、アクリル系樹脂を含むものである上記(9)に記載の回路基板の製造方法。
(11)前記金属層は、銅を含む金属で構成されているものである上記(9)に記載の回路基板の製造方法。
(12)上記(1)ないし(11)のいずれかの回路基板の製造方法により得られたことを特徴とする回路基板。
Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to (12).
(1) A method of manufacturing a circuit board comprising a resin layer and a conductor layer, wherein a blind via is formed, wherein the resin layer includes a protective layer that protects the resin layer on the side opposite to the conductor layer And the step of irradiating the resin layer and the protective layer with a laser beam to form a blind via hole, and the step of removing the protective layer after the formation of the blind via, The circuit board manufacturing method is performed in a state of being defocused so that the focal point is shifted in the optical axis direction with respect to the surface of the protective layer.
(2) A method of manufacturing a circuit board comprising a resin layer and a conductor layer, wherein a blind via is formed, and a protective layer for protecting the resin layer on the side opposite to the conductor layer on the resin layer A step of providing a laser beam to the resin layer and the protective layer to form a blind via hole, and a step of removing the protective layer after the formation of the blind via. The circuit board manufacturing method is performed in a state where the focus is defocused so as to be shifted in the optical axis direction with respect to the surface of the protective layer.
(3) The method for manufacturing a circuit board according to (2), wherein the step of forming the protective layer is a step of laminating the resin film or a step of sputtering the metal layer.
(4) The circuit board manufacturing method according to any one of (1) to (3), wherein a distance between the focal point and the surface of the protective layer is 0.01 to 3 mm.
(5) The method according to any one of (1) to (4), wherein the focal point is located on a side opposite to the resin layer from a surface of the protective layer.
(6) The method for manufacturing a circuit board according to any one of (1) to (5), wherein a beam diameter of the laser light is 20 to 80 μm.
(7) The method for manufacturing a circuit board according to any one of (1) to (6), wherein the blind via has an internal cross-sectional area that increases toward the opening.
(8) The circuit board manufacturing method according to any one of (1) to (7), wherein a taper angle formed by a side wall of the blind via with respect to a surface of the conductor layer is 10 to 25 degrees.
(9) The method for producing a circuit board according to any one of (1) to (8), wherein the protective layer is a resin layer or a metal layer made of a resin composition.
(10) The method for manufacturing a circuit board according to (9), wherein the resin composition includes an acrylic resin.
(11) The method for manufacturing a circuit board according to (9), wherein the metal layer is made of a metal containing copper.
(12) A circuit board obtained by the method for manufacturing a circuit board according to any one of (1) to (11).
本発明によれば、レーザー光の照射によりブラインドビアを形成する際に発生するブラインドビア内部および開口縁部周辺のスミアの発生を低減させ、かつ十分に除去することが可能な回路基板の製造方法および回路基板を提供することができる。
また、前記デフォーカスした状態における前記レーザー光の焦点の位置は、前記保護層の表面から前記樹脂層と反対側に位置している場合、特にブライドビアのサイズをより正確にすることができる。
According to the present invention, a method of manufacturing a circuit board capable of reducing and sufficiently removing smear around the blind via and around the opening edge that occurs when forming a blind via by laser light irradiation. And a circuit board can be provided.
Moreover, when the position of the focus of the laser beam in the defocused state is located on the side opposite to the resin layer from the surface of the protective layer, the size of the bride via can be made more accurate.
以下、本発明を添付図面に示す好適な実施の形態に基づいて詳細に説明する。
図1は、樹脂層と導体層とを備える回路基板に保護層を形成する工程の一例を示す断面図である。図2は、樹脂層と導体層とを備える回路基板に保護層を形成している一例を示す断面図である。図3は、回路基板にレーザー光を照射する状態を模式的に示す断面図である。図4は、回路基板にブラインドビアを形成している一例を示す断面図である。図5は、レーザー光のエネルギー密度の分布を模式的に示すエネルギー強度分布図である。図6は、従来の方法により回路基板にレーザー光を照射する状態を模式的に示す断面図である。
Hereinafter, the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of a process of forming a protective layer on a circuit board including a resin layer and a conductor layer. FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example in which a protective layer is formed on a circuit board including a resin layer and a conductor layer. FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a state in which the circuit board is irradiated with laser light. FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example in which blind vias are formed on a circuit board. FIG. 5 is an energy intensity distribution diagram schematically showing the energy density distribution of the laser light. FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a circuit board is irradiated with laser light by a conventional method.
以下、各工程を説明する。 Hereinafter, each process will be described.
保護層を形成する工程では、図1に示すように導体層2と、導体層2の片面側に設けられた樹脂層3とを積層した積層体4の樹脂層3を覆うようにラミネーター10で保護層31を形成する。
保護層31は、樹脂層3の表面(導体層2と反対側の表面)に付着したスミアを容易に除去するために用いられる。すなわち、後述するレーザー光5の照射により、ブラインドビアの樹脂層3表面に付着したスミアを保護層31ごと除去することができる。
In the step of forming the protective layer, a
The
保護層31に用いる材料としては、樹脂組成物で構成される樹脂層または金属材料で構成される金属層等のレーザー光を照射した後で除去可能な材料であれば、特に限定されない。具体的には、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ABS樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン系樹脂等の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を含む樹脂組成物で構成される樹脂層、銅、ニッケル、コバルト、クロム等の金属材料で構成される金属層を挙げることができる。これらの中でも前記樹脂層では、アクリル系樹脂を含む樹脂組成物で構成される樹脂層が好ましい。これにより、ドライフィルムレジストの形状とすることができ、それによって保護層31の形成および除去が容易にできる。すなわち、前記ドライフィルムレジストの場合、ラミネーターにより熱圧着で容易に保護層31を形成でき、苛性ソーダにより保護層31の剥離除去が容易にできる。
また、前記金属層では、銅で構成される金属層が好ましい。これにより、スパッタリングにより保護層31を容易に形成することができる。さらに、硫酸過酸化水素等のエッチング液により保護層31の溶解除去が容易にできる。
The material used for the
Moreover, in the said metal layer, the metal layer comprised with copper is preferable. Thereby, the
保護層31が前記樹脂層の場合、その厚さは特に限定されないが、5〜40μmが好ましく、特に7〜25μmが好ましい。厚さが前記下限値未満であるとレーザー光5を照射する際に生じる熱エネルギーにより除去される場合があり、前記上限値を超えると照射するレーザー光5の密度のばらつきによりブラインドビア6の底部61に樹脂残りが発生する場合がある。
When the
保護層31が前記金属層の場合、その厚さは特に限定されないが、0.5〜3μmが好ましく、特に1〜2μmが好ましい。厚さが前記下限値未満であるとレーザー光5を照射する際に生じる熱エネルギーにより除去される場合があり、前記上限値を超えると導体層2もエッチングされる場合がある。
When the
このように保護層31を形成して、図2に示すような導体層2と、導体層2の片面側に設けられた樹脂層3と、導体層2と反対面側に樹脂層3を保護する保護層31が設けられている回路基板1を得る。
なお、本実施形態では保護層31を形成する工程を有していたが、予め保護層31が形成されている回路基板1を用いても良い。
In this way, the
In this embodiment, the step of forming the
導体層2は、後にエッチング処理等により回路が形成される。
導体層2としては、例えば銅箔、アルミニウム等が挙げられる。これらの中でも銅箔が好ましい。これにより、任意の配線パターンを容易に形成できる。
A circuit is formed on the
Examples of the
導体層2の厚さは、特に限定されないが、5〜70μmが好ましく、特に9〜35μmが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特にエッチング処理による回路形成性に優れる。
Although the thickness of the
樹脂層3は、導体層2と他の層との絶縁層を保持するために用いられる。
樹脂層3としては、例えばポリイミドフィルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリエーテルサルホンフィルム、液晶ポリマーフィルム等の樹脂フィルム、エポキシ樹脂積層板、フェノール樹脂積層板、シアネート樹脂積層板等の積層板等が挙げられる。これらの中でもポリイミドフィルムに代表される樹脂フィルムが好ましい。これにより、耐熱性を向上することができる。さらに、フレキシブル性を発揮することもできる。
The
Examples of the
樹脂層3の厚さは、特に限定されないが、9〜100μmが好ましく、特に12〜25μmが好ましい。厚さが前記範囲内であると、後述するブラインドビア6を導通するためにバンプめっきを形成するめっき時間を短縮することができる。
Although the thickness of the
そして、ビアホールを形成する工程では、図3に示すように回路基板1の保護層31側からレーザー光5を照射して、図4に示すようなブラインドビア6を形成する。本発明で用いるレーザー光は平行光ではなく、集束する光である。すなわち、レーザー光のビームの前方に向かって集束する。その場合、レーザー光5の照射をその焦点(集光点)51が保護層31の表面311に対して光軸方向にずれるようにデフォーカスした状態(以下、単に「デフォーカス状態」と言う)で行なう。これにより、レーザー光5の照射によりブラインドビア6の底部61(導体層2部分)に、導体層2とスミアとが入り混じって強固に付着したスミアの発生を防止することができる。以下、その理由を詳述する。
In the step of forming the via hole, the blind via 6 as shown in FIG. 4 is formed by irradiating the
従来、基板にレーザー光を照射する場合、図6に示すように樹脂層3の表面にレーザー光5の焦点を合わせて(ジャストフォーカス状態)レーザー加工を行なっていた。しかし、ジャストフォーカス状態でレーザー光を照射する場合、図5に示すように比較的エネルギー密度の高いレーザー光52が照射されることになる。このようなエネルギー密度の高いレーザー光52を照射した場合、レーザー光52のプロファイルのバラツキによりブラインドビアの底部(すなわち、導体層)の損傷が大きくなっていた。それにより、ブラインドビアの底部(導体層部分)に発生する導体層とスミアとが入り混じって強固に付着したスミアが発生する場合があった。
これに対して、レーザー光5の照射を、デフォーカス状態で行なうと、図5に示すように樹脂層3に照射されるレーザー光53のエネルギー密度を低下させることができる。したがって、ブラインドビア6の底部61の損傷を防止することができるので、ブラインドビア6の底部が溶融すること無く、強固に付着したスミアが発生することが無い。さらに、保護層31を有しているため、開口縁部62の形状もシャープにすることができる。
Conventionally, when irradiating a substrate with laser light, laser processing has been performed by focusing the
On the other hand, when the
前記デフォーカスした状態におけるレーザー光5の焦点51の位置と保護層31の表面311との離間距離は、特に限定されないが、0.01〜3mmが好ましく、特に0.1〜2.8mmが好ましく、最も1.5〜2.7mmが好ましい。焦点51の位置が前記範囲内であると、特にブラインドビア6の上端部分のサイズを正確にすることができる。
The separation distance between the position of the
また、前記デフォーカスした状態におけるレーザー光5の焦点51の位置は、保護層31の表面311から樹脂層3側に位置していても、樹脂層3と反対側に位置していても良いが、樹脂層3と反対側に位置していることが好ましい。これにより、ブラインドビア6のサイズをより正確にすることができる。
Further, the position of the
また、ブラインドビア6の形成にあたっては、レーザー光5の焦点51が形成するブラインドビア6の中心近傍を水平方向に動かしながらレーザー光5を照射することが好ましい。これにより、直径50μm程度のブラインドビア6を容易に形成することができる。
In forming the blind via 6, it is preferable to irradiate the
さて、このようなレーザー光5としては、赤外線領域のレーザーとして、例えば炭酸ガスレーザー(CO2レーザー)、YAGレーザー等が挙げられ、紫外線領域のレーザーとして、例えばYAGレーザー、YLFレーザー、YAPレーザー、YVO4レーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。これらの中でもYAGレーザーが好ましい。これにより、50μm以下の小径加工を容易にすることができる。さらに、保護層31が金属層であっても樹脂層であっても加工することができる。
Examples of the
このようなブラインドビア6を形成する工程で形成されるブラインドビア6の形状は、特に限定されないが、開口に向かって内部の横断面積が広がっているものであることが好ましい。より具体的には、ブラインドビア6の側壁が導体層2の表面21に対してなすテーパー角度が10〜25度であることが好ましく、特に12〜23度が好ましい。
The shape of the blind via 6 formed in the process of forming the blind via 6 is not particularly limited, but it is preferable that the internal cross-sectional area is widened toward the opening. More specifically, the taper angle formed by the side wall of the blind via 6 with respect to the
ブラインドビア6を形成した後、デスミア処理する工程で、過マンガン酸溶液、プラズマ処理等でデスミア処理を行なう。特にドライ方式のプラズマ処理が好ましい。これにより、小径のブラインドビアに対してスミアを十分に除去することができる。 After the blind via 6 is formed, a desmear process is performed by a permanganate solution, a plasma process, or the like in a process of performing a desmear process. In particular, dry-type plasma treatment is preferable. As a result, it is possible to sufficiently remove smear from a small-diameter blind via.
次に、保護層31を除去する工程では、前述したように苛性ソーダ等による剥離除去、硫酸過酸化水素等によるエッチング処理等により保護層31を除去する。これにより、ブラインドビア6の開口縁部62の周辺に付着したスミアを保護層ごと除去することができる。
保護層31を除去する工程は、デスミア処理の前であっても良い。
Next, in the step of removing the
The step of removing the
次に、ブラインドビア6にめっきを析出させて、樹脂層3表面から突出させる。そして、突出させたメッキ部分を覆うようにろう材で被覆する。これにより、導体層2と他の層との導通を図ることができる。
そして、他の導体層をろう材と接合するように積層して多層回路基板を形成する。
Next, plating is deposited on the blind via 6 to protrude from the surface of the
Then, another conductor layer is laminated so as to be joined to the brazing material to form a multilayer circuit board.
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されない。
(実施例1)
1.保護層の形成
導体層として厚さ12μmの銅箔と、樹脂層として厚さ25μmのポリイミドフィルムとで構成されている片面回路基板(宇部興産製:SE1310)に、保護層として厚さ20μmのドライフィルムレジスト(アクリル系樹脂、旭化成製:AQ2075)をドライフィルムラミネータにより熱圧着した。
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to this.
Example 1
1. Formation of protective layer A single-sided circuit board (Ube Industries: SE1310) composed of a 12 μm-thick copper foil as a conductor layer and a 25 μm-thick polyimide film as a resin layer, and a 20 μm-thick dry layer as a protective layer A film resist (acrylic resin, manufactured by Asahi Kasei: AQ2075) was thermocompression bonded with a dry film laminator.
2.レーザー光の照射
次に、保護層の表面に対し、レーザー光の焦点が光軸方向の手前側に2mmずれるようにデフォーカスした状態でUVレーザー光(レーザービーム径:22μm)を照射し、直径50μm径のブラインドビアを形成した(保護層の表面と、レーザー光の焦点との離間距離2mm)。ブラインドビアの形状は、開口に向かって内部の横断面積が広がっているものであった。
2. Next, the surface of the protective layer is irradiated with UV laser light (laser beam diameter: 22 μm) in a defocused state so that the focal point of the laser light is shifted 2 mm toward the front side in the optical axis direction. A blind via having a diameter of 50 μm was formed (a separation distance of 2 mm between the surface of the protective layer and the focal point of the laser beam). The shape of the blind via was such that the internal cross-sectional area expanded toward the opening.
3.保護層の剥離
2%の苛性ソーダを40℃にて0.15MPaのスプレー圧で30秒間噴霧して、保護層を剥離した。
3. Peeling of the
4.デスミア処理
ブラインドビアを形成した後、平行平板型のプラズマ装置を用いてデスミア処理を行なった。真空度50Pa以下の状態で、200sccm導入し、電極間に2,500Wを加え、2分間保持した。
4). Desmear treatment After forming the blind via, the desmear treatment was performed using a parallel plate type plasma apparatus. In a state where the degree of vacuum was 50 Pa or less, 200 sccm was introduced, 2,500 W was applied between the electrodes, and the mixture was held for 2 minutes.
5.メッキ処理および半田被覆
デスミア処理した後、硫酸銅溶液を用いて10A/dm2の電流密度で、15分間処理を行い、樹脂層からの銅メッキ突起の長さを8μmとした。次に、突出した銅メッキ突起を覆うように2A/dm2の電流密度で、10分間処理を行い、樹脂層からの半田被覆量を15μmとした。
5. Plating treatment and solder coating After the desmear treatment, a copper sulfate solution was used at a current density of 10 A / dm 2 for 15 minutes to make the length of the copper plating protrusions from the resin layer 8 μm. Next, treatment was performed for 10 minutes at a current density of 2 A / dm 2 so as to cover the projected copper plating protrusions, and the solder coating amount from the resin layer was set to 15 μm.
(実施例2)
前記レーザー光の焦点の位置を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
前記レーザー光の焦点が光軸方向の手前側に0.05mmずれるようにデフォーカスした状態でUVレーザー光を照射した(保護層の表面と、レーザー光の焦点との離間距離0.5mm)。
(Example 2)
Example 1 was performed except that the focal position of the laser beam was changed as follows.
The laser beam was irradiated with UV laser light in a defocused state so that the focal point of the laser beam was shifted by 0.05 mm toward the near side in the optical axis direction (a separation distance of 0.5 mm between the surface of the protective layer and the focal point of the laser beam).
(実施例3)
前記レーザー光の焦点の位置を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
前記レーザー光の焦点が光軸方向の手前側に3mmずれるようにデフォーカスした状態でUVレーザー光を照射した(保護層の表面と、レーザー光の焦点との離間距離3mm)。
(Example 3)
Example 1 was performed except that the focal position of the laser beam was changed as follows.
The laser beam was irradiated in a defocused state so that the focal point of the laser beam was shifted 3 mm toward the near side in the optical axis direction (a separation distance of 3 mm between the surface of the protective layer and the focal point of the laser beam).
(実施例4)
前記レーザー光の焦点の位置を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
前記レーザー光の焦点が光軸方向の樹脂層側に2mmずれるようにデフォーカスした状態でUVレーザー光を照射した(保護層の表面と、レーザー光の焦点との離間距離3mm)。
Example 4
Example 1 was performed except that the focal position of the laser beam was changed as follows.
UV laser light was applied in a defocused state so that the focal point of the laser beam is shifted by 2 mm toward the resin layer in the optical axis direction (a separation distance of 3 mm between the surface of the protective layer and the focal point of the laser beam).
(実施例5)
前記保護層として銅箔を用い、保護層の形成を以下のようにした以外は実施例1と同様にした。
銅箔を厚さが1μmとなるようにスパッタリング装置(島津製作所製)を用いてスパッタリングした。
(Example 5)
A copper foil was used as the protective layer, and the same procedure as in Example 1 was performed except that the protective layer was formed as follows.
The copper foil was sputtered using a sputtering apparatus (manufactured by Shimadzu Corporation) so as to have a thickness of 1 μm.
(比較例1)
前記保護層を設けずに、かつ前記レーザー光の照射の際に、その焦点を保護層の表面に位置するようにした以外は、実施例1と同様にした(保護層の表面と、レーザー光の焦点との離間距離0mm)。
(Comparative Example 1)
The same procedure as in Example 1 was performed except that the protective layer was not provided and the focal point was positioned on the surface of the protective layer when the laser beam was irradiated (the surface of the protective layer and the laser beam). The separation distance from the focal point is 0 mm).
(比較例2)
前記保護層を用いなかった以外は、実施例1と同様にした。
(Comparative Example 2)
Example 1 was repeated except that the protective layer was not used.
各実施例および各比較例で得られた回路基板について、以下の評価を行なった。評価項目を内容と共に示す。
1.樹脂層の残存
レーザー光で樹脂層を除去した後の状態を目視で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎:樹脂層を除去できた。
○:樹脂層が一部残存するが、デスミア処理で除去可能な範囲であった。
△:樹脂層が一部残存し、デスミア処理でも除去できない範囲であった。
×:樹脂層が多く残存していた。
The circuit board obtained in each example and each comparative example was evaluated as follows. The evaluation items are shown together with the contents.
1. Residue of Resin Layer The state after removing the resin layer with laser light was visually evaluated. Each code is as follows.
A: The resin layer could be removed.
○: A part of the resin layer remains, but it was in a range that can be removed by desmear treatment.
Δ: A part of the resin layer remained and could not be removed even by desmear treatment.
X: Many resin layers remained.
2.残存スミア量
ブラインドビアの開口縁部および底部の残存スミア量を、デスミア処理後のブラインドビアを目視で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎:残存スミア量がほとんど無し。
○:残存スミア量が一部有るが、実用上問題無し。
△:残存スミア量が一部有り、実用不可。
×:残存スミア量有り。
2. Residual smear amount The residual smear amount at the opening edge and the bottom of the blind via was visually evaluated for the blind via after the desmear treatment. Each code is as follows.
A: Almost no residual smear.
○: Residual smear is partially present, but there is no practical problem.
Δ: Some residual smear is present and impractical.
X: There is a residual smear amount.
3.めっきの形状
めっき処理した後のメッキ形状を目視で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎:均一なメッキ層が形成できる。
○:一部不均一なメッキ層部分が有るが、実用上問題無し。
△:一部不均一なメッキ層部分が有り、実用不可。
×:メッキ層が形成できない。
3. Plating shape The plating shape after the plating treatment was visually evaluated. Each code is as follows.
A: A uniform plating layer can be formed.
○: There is a plating layer portion that is partially uneven, but there is no practical problem.
(Triangle | delta): There exists a nonuniform plating layer part, and it cannot use it.
X: A plating layer cannot be formed.
4.耐熱性
耐熱性は、温度サイクル試験(ホットオイル260℃10秒⇔常温20秒 100サイクル)を行い、外観および導通抵抗を測定し、評価した。各符号は、以下の通りである。
◎:外観に異常がなく、導通抵抗の初期値からの変化率が、±5%未満である。
○:外観に異常がなく、導通抵抗の初期値からの変化率が、±5%以上で±8%未満である。
△:外観に異常がなく、導通抵抗の初期値からの変化率が、±8%以上で±10%未満である。
×:外観に膨れ、剥がれ等の異常がある、または導通抵抗の初期値からの変化率が±10%以上である。
4). Heat resistance Heat resistance was evaluated by performing a temperature cycle test (hot oil 260 ° C. 10 seconds⇔normal temperature 20 seconds 100 cycles), measuring appearance and conduction resistance. Each code is as follows.
A: There is no abnormality in the appearance, and the rate of change from the initial value of the conduction resistance is less than ± 5%.
A: There is no abnormality in the appearance, and the rate of change from the initial value of the conduction resistance is ± 5% or more and less than ± 8%.
(Triangle | delta): There is no abnormality in an external appearance and the change rate from the initial value of conduction | electrical_connection resistance is more than +/- 8% and less than +/- 10%.
X: Abnormality such as swelling and peeling in appearance, or change rate from initial value of conduction resistance is ± 10% or more.
表1から明らかなように、実施例1〜5は、残存スミア量を低減することができた。
また、残存スミア量を低減できたことにより、メッキの形状も良好であった。
また、実施例1および5は、レーザー光照射後に導体層を損傷することなく、樹脂層をほぼ除去することができた。
As is clear from Table 1, Examples 1 to 5 were able to reduce the amount of residual smear.
In addition, since the amount of residual smear could be reduced, the plating shape was good.
In Examples 1 and 5, the resin layer could be substantially removed without damaging the conductor layer after laser light irradiation.
1 回路基板
10 ラミネーター
2 導体層
21 導体層の表面
3 樹脂層
31 保護層
311 保護層の表面
4 積層体
5 レーザー光
51 焦点
52 エネルギー密度の高いレーザー光
53 エネルギー密度の低いレーザー光
6 ブラインドビア
61 底部
62 開口縁部
DESCRIPTION OF
Claims (12)
前記樹脂層には、前記導体層と反対面側に該樹脂層を保護する保護層が設けられており、
前記樹脂層および前記保護層にレーザー光を照射しブラインドビアホールを形成する工程と、
前記ブラインドビア形成後に前記保護層を除去する工程とを有し、
前記レーザー光の照射は、その焦点が前記保護層の表面に対して光軸方向にずれるようにデフォーカスした状態で行なわれることを特徴とする回路基板の製造方法。 A method for manufacturing a circuit board comprising a resin layer and a conductor layer, wherein a blind via is formed,
The resin layer is provided with a protective layer for protecting the resin layer on the side opposite to the conductor layer,
Irradiating the resin layer and the protective layer with laser light to form blind via holes;
Removing the protective layer after the blind via formation,
The method of manufacturing a circuit board is characterized in that the laser beam irradiation is performed in a defocused state so that the focal point is deviated in the optical axis direction with respect to the surface of the protective layer.
前記樹脂層に、前記導体層と反対面側に該樹脂層を保護する保護層を設ける工程と、
前記樹脂層および前記保護層にレーザー光を照射しブラインドビアホールを形成する工程と、
前記ブラインドビア形成後に前記保護層を除去する工程とを有し、
前記レーザー光の照射は、その焦点が前記保護層の表面に対して光軸方向にずれるようにデフォーカスした状態で行なわれることを特徴とする回路基板の製造方法。 A method for manufacturing a circuit board comprising a resin layer and a conductor layer, wherein a blind via is formed,
Providing the resin layer with a protective layer for protecting the resin layer on the side opposite to the conductor layer;
Irradiating the resin layer and the protective layer with laser light to form blind via holes;
Removing the protective layer after the blind via formation,
The method of manufacturing a circuit board is characterized in that the laser beam irradiation is performed in a defocused state so that the focal point is deviated in the optical axis direction with respect to the surface of the protective layer.
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