JP2006202935A - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
高コヒーレンス性を持ち、短波長発振するという両方の条件を兼ね備えた半導体レーザを歩留まり良く、さらに容易な方法で提供する。
【解決手段】
III族窒化物半導体から構成される活性層15と、活性層15からの光を一対の鏡によって反射することによって、レーザ発振を誘起する共振器と、600℃以下の低温で成長したIII族窒化物半導体からなり、活性層15からの光の波長を選択する回折格子24を有するIII族窒化物半導体レーザ。高コヒーレンス性を持ち、短波長発振するという両方の条件を兼ね備えた半導体レーザを歩留まり良く、さらに容易な方法で作成することが可能になる。
【選択図】 図1
Description
Hofstetter, D, Thornton, R. L., Romano, L. T., Bour, D. P., Kneissl, M., Donaldson, R. M., Applied Physics Letters, vol. 73, no. 15, p.2158-60,1998
以下、発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本実施形態に係る半導体レーザ1の共振器面の概略断面図を示している。
本実施形態に関わる半導体レーザ2における電流狭窄層25を作成した工程までの構造を、斜め上方から見た概略図を図3に示す。動作原理や作成方法は第1の実施の形態と同様なので省略する。
本実施形態に関わる半導体レーザ3の概略断面図を図4に示す。動作原理や作成方法は第1の実施の形態と同様なので省略する。層構造は略図1と同様であるが、活性層31がInGaN量子ドット(QD: Quantum Dot)で形成されている点が相違する。本実施の形態に関わる半導体レーザの発振波長は、500nmである。
13 n型Al0.1Ga0.9Nクラッド層 14 n型GaN光閉じ込め層
15 MQW活性層 16 p型Al0.2Ga0.8Nキャップ層
17 p型GaN光閉じ込め層 18 AlN電流狭窄層 19 開口部
20 p型Al0.1Ga0.9Nクラッド層 21 p型GaNコンタクト層
22 p型電極 23 発光部分 24 回折格子 25 AlN電流狭窄層
26 開口部 27 発光部分 28 回折格子 31 QD活性層
Claims (16)
- III族窒化物半導体から構成される活性層と、
600℃以下の低温で成長したIII族窒化物半導体からなり、前記活性層からの光の波長を選択する回折格子と、
を有するIII族窒化物半導体レーザ。 - III族窒化物半導体から構成される活性層と、
1×1018cm−3以上の酸素を含むIII族窒化物半導体からなり、前記活性層から発振する光の波長を選択する回折格子と、
を有するIII族窒化物半導体レーザ。 - III族窒化物半導体から構成される活性層と、
1×1010cm−2以上の転位を含むIII族窒化物半導体からなり、前記活性層から発振する光の波長を選択する回折格子と、
を有するIII族窒化物半導体レーザ。 - 請求項1乃至請求項3に記載のIII族窒化物半導体レーザであって、
前記回折格子が、電極間に電圧が印加されたときに前記活性層に流れる電流を狭窄する電流狭窄層に作成されているIII族窒化物半導体レーザ。 - 請求項1乃至請求項4に記載のIII族窒化物半導体レーザであって、
前記III族窒化物半導体レーザはさらに共振器を有し、
前記回折格子が、積層方向と共振器方向とに垂直な方向に向かって凹凸している凹凸部であるIII族窒化物半導体レーザ。 - 請求項1乃至請求項4に記載のIII族窒化物半導体レーザであって、
前記回折格子が、積層方向に向かって凹凸している凹凸部であるIII族窒化物半導体レーザ。 - 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のIII族窒化物半導体レーザであって、
前記電流狭窄層がAlxInyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)により構成されるIII族窒化物半導体レーザ。 - 請求項7に記載のIII族窒化物半導体レーザであって、
前記電流狭窄層が好ましくは、AlxGa1−xN(0≦x≦1)により構成されるIII族窒化物半導体レーザ。 - 請求項8に記載のIII族窒化物半導体レーザであって、
前記電流狭窄層がAlNにより構成されるIII族窒化物半導体レーザ。 - 請求項1乃至請求項9のいずれかに記載のIII族窒化物半導体レーザであって、
基板上に前記活性層と前記電流狭窄層が形成され、前記活性層が前記電流狭窄層の前記基板側に位置するIII族窒化物半導体レーザ。 - 請求項1乃至請求項10のいずれかに記載のIII族窒化物半導体レーザであって、
前記活性層が量子井戸超格子構造で構成されるIII族窒化物半導体レーザ。 - 請求項1乃至請求項10のいずれかに記載のIII族窒化物半導体レーザであって、
前記活性層が量子ドットから構成されるIII族窒化物半導体レーザ。 - 活性層を形成する工程と、
前記活性層からの光の波長を選択する回折格子を形成する工程と、
を含むIII族窒化物半導体レ−ザの製造方法であって、
前記回折格子をIII族窒化物半導体の非結晶層によって堆積し、ウェットエッチングによって凹凸を形成する工程を含むIII族窒化物半導体レーザの製造方法。 - 請求項13に記載のIII族窒化物半導体レ−ザの製造方法であって、
前記非結晶層は、600℃以下の温度で成長するIII族窒化物半導体レ−ザの製造方法。 - 請求項13または請求項14に記載のIII族窒化物半導体レーザの製造方法であって、
前記回折格子を形成する工程は、前記ウェットエッチングの後に、前記回折格子の形成温度より高い温度で熱処理し、前記非結晶層を結晶層に変換する工程を含むIII族窒化物半導体レーザの製造方法。 - 請求項13乃至請求項15に記載のIII族窒化物半導体レーザの製造方法であって、
前記回折格子を、電流狭窄層に作成するIII族窒化物半導体レーザの製造方法。
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