JP2006201595A - 光屈折率変化素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】固体マトリックス中に複数の量子ドットを分散させた構造部と、前記固体マトリックスを通して前記量子ドットへ電子を注入する電子注入部とを有し、前記量子ドットは、電子注入により占有軌道の電子殻の変化を伴う元素のカチオンとアクセプターとの組み合わせを含むことを特徴とする光屈折率変化素子。
【選択図】図3
Description
(1s)2(2s)2(2p)6 → (1s)2(2s)2(2p)6(3s)1。
<r2> 6.4588 27.1676
<P> 0.346 187.711
ただし、<P>=(1/3)(Pxx+Pyy+Pzz)、
<r2>=<Ψ|r2|Ψ>、Ψ:全電子波動関数、
単位は原子単位(atomic unit)、Pxx、Pyy、Pzzは分極率テンソルの対角成分を示す。
(1s)2(2s)2(2p)6(3s)2(3p)5 →
(1s)2(2s)2(2p)6(3s)2(3p)6。
X → X- X → X-
F 2.135 4.396 10.2993 15.6223
Cl 6.957 13.204 27.6904 38.3518
Br 13.250 23.741 40.6197 53.9955。
Li+ → Li Be2+ → Be+
Na+ → Na Mg2+ → Mg+
K+ → K Ca2+ → Ca+。
アルコキシカルボン酸化合物、例えばエトキシ酢酸、p−メトキシ安息香酸など、
ヒドロキシカルボン酸化合物、例えば乳酸、クエン酸、リンゴ酸など、
チオカルボン酸化合物、例えばチオ酢酸、チオ安息香酸など、
ジチオカルボン酸化合物、例えばジチオ酢酸、ブタンビス(ジチオ)酸など、
スルホン酸化合物、例えばエタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸など、
スルフィン酸化合物、例えばベンゼンスルフィン酸など、
スルフェン酸化合物、例えばベンゼンスルフェン酸など、
ホスホン酸化合物、例えばフェニルホスホン酸、メチルホスホン酸など、
ホスフィン酸化合物、例えばジメチルホスフィン酸、ジフェニルホスフィン酸など、
ヒドロキシ化合物、例えばエタノール、フェノールなど、
チオール化合物、例えばチオメタノール、チオフェノールなど、
ヒドロキシルアミン化合物、例えばヒドロキシルアミン、N−フェニルヒドロキシルアミンなど、
ヒドロキサム酸化合物、例えばアセトヒドロキサム酸、シクロヘキサンカルボヒドロキサム酸など、
オキシム化合物、例えばアセトンオキシム、ベンゾフェノン=オキシムなど、
イミド化合物、例えばフタルイミド、スクシンイミドなど、
ヒドロキシイミド化合物、例えばオキシイミノ酢酸、オキシイミノマロン酸、N−ヒドロキシフタルイミドなど、
カルボン酸アミド化合物、例えば酢酸アミド、p−アミノ安息香酸アミドなど、
カルボン酸ヒドラジド化合物、例えば酢酸ヒドラジド、ベンゾヒドラジド、4−アミノ安息香酸ヒドラジドなど、
ポルフィリン化合物、例えばポルフィン、エチオポルフィリンなど、
フタロシアニン化合物、例えばフタロシアニンなど、および
ヒドラゾン化合物、例えばベンズアルデヒド=ヒドラゾン、アセトン=ヒドラゾン、2−ピリジンカルボアルデヒド=2−ピリジルヒドラゾンなど。
まず、酢酸ナトリウム分子および酢酸カリウム分子に電子1個を注入したときの、全エネルギーEの変化と平均分極率<P>の変化をシミュレーションした結果を以下に示す。
CH3COONa CH3COONa(-)
E -390.855368694 -390.874432351
<P> 40.839 964.737 (23.6倍)
CH3COOKの分極率の計算値(B3LYP/6-31+G*)
CH3COOK CH3COOK(-)
E -828.465515515 -828.483396296
<P> 44.961 1696.691 (37.7倍)。
本実施例においては、真空マトリックス中に分散されたIa、IIa、Ib、IIb族の各種元素とアクセプターからなる表2に示す中性分子の量子ドットについて、電子1個を注入したときの屈折率の変化をシミュレーションした。平均分極率<P>の計算は実施例1と同様の方法で行なったが、Agについては6-31+G*基底関数がないため、3-21G*基底関数を用いて計算した。得られた<P>の値からローレンツ−ローレンスの式によって屈折率を算出した。その際、各量子ドットの密度を50%及び5%として1ドットあたりの体積を算出した。電子注入前の屈折率を基準として、電子注入による屈折率変化の割合(単位:倍)をまとめたものを表2に示す。
本実施例では、TCNEにNaを1個付加した分子系及びTCNEにNaを2個付加した分子系に電子1個を注入したときの全エネルギーEの変化と平均分極率<P>の変化をシミュレーションした。分子分極率は、実施例1と全く同様の方法(B3LYP/6-31+G*)で計算した。
TCNE+Na TCNE+Na(-)
E -609.912518609 -609.997453468
<P> 107.299 126.547 (1.18倍)
TCNE+2Na系の分極率の計算値(B3LYP/6-31+G*)
TCNE+2Na TCNE+2Na(-)
E -772.279645073 -772.301965738
<P> 119.108 2017.040 (16.9倍)。
図1に本実施例における光屈折率変化素子を示す。図1の光屈折率変化素子は、透明な多層の格子電極1の間に構造部2を挟んだ構造を有する。これは、回折効率可変な回折素子として用いられる。
図3に単純マトリクス構造の電極を適用した屈折率変化素子の分解斜視図を示す。X電極12が形成されたガラス基板11、トンネリングバリア層13、構造部14、トンネリングバリア層15、Y電極17が形成されたガラス基板16が積層されている。構造部14は、マトリックス中に量子ドットが分散されたものである。X電極12とY電極17は電源ユニット20に接続され、電源ユニット20はコンピュータ30により制御される。
空間分解能10μmのエリプソメトリーの測定を行った。試料構造はマトリックスITO電極付きガラス基板で、表4中の各量子ドットを5%の密度でマトリックス中に分散したものを挟んで測定した。ここで、試料における各量子ドットの濃度は平均では同一になるようにしたが、微小領域ではムラが存在し、最小測定単位の10μmφ内では屈折率はその平均の値となっている。また、密度ムラは10μm単位よりも大きな範囲でも起こっており、複数の測定点の中での屈折率の最高値を用いてその変化率を計算した。また電圧の印加については、測定試料構造において1箇所でも正負電極間で電流リークポイントが存在すると、他のポイントでは電圧が印加せず、電荷注入が起こらなくなるという不具合を避けるために、10μm幅のXYマトリックス電極ではさみ、測定ポイントのみ電極に電圧を印加するという方法をとった。屈折率変化の測定結果を表4に示す。この結果より、本発明の材料系の量子ドットを用いた場合には、高分子液晶への電圧印加による屈折率変化の20倍以上の変化が観測され、非常に大きな屈折率変化が可能であることが確認できた。
Claims (6)
- 固体マトリックス中に複数の量子ドットを分散させた構造部と、前記固体マトリックスを通して前記量子ドットへ電子を注入する電子注入部とを有し、前記量子ドットは、電子注入により占有軌道の電子殻の変化を伴う元素のカチオンとアクセプターとの組み合わせを含むことを特徴とする光屈折率変化素子。
- 前記量子ドットが、MをIa族元素(Li,Na,K,Rb,Cs,Fr)およびIIa族元素(Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Ra)からなる群より選択される少なくとも1種の元素とし、Aを少なくとも1種のアクセプターとしたとき、MmAn(m,n=1,2,…)で表される中性分子を含むことを特徴とする請求項1に記載の光屈折率変化素子。
- 前記量子ドットが、MをIb族元素(Cu,Ag,Au)およびIIb族元素(Zn,Cd,Hg)からなる群より選択される少なくとも1種の元素とし、Aを少なくとも1種のアクセプターとしたとき、MmAn(m,n=1,2,…)で表される中性分子を含むことを特徴とする請求項1に記載の光屈折率変化素子。
- 前記アクセプターが下記(A1)の無機酸ならびに下記(A2)の有機酸:
(A1)塩酸、硫酸、亜硫酸、炭酸、硝酸、亜硝酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、フッ酸、塩素酸、過塩素酸、亜塩素酸、次亜塩素酸、シアン酸、イソシアン酸、チオシアン酸、硫化水素、青酸、亜ヒ酸、ホウ酸、リン酸、オルトケイ酸、雷酸、窒化水素酸、マンガン酸、過マンガン酸、クロム酸、および重クロム酸;
(A2)カルボン酸化合物、アルコキシカルボン酸化合物、ヒドロキシカルボン酸化合物、チオカルボン酸化合物、ジチオカルボン酸化合物、スルホン酸化合物、スルフィン酸化合物、スルフェン酸化合物、ホスホン酸化合物、ホスフィン酸化合物、ヒドロキシ化合物、チオール化合物、ヒドロキシルアミン化合物、ヒドロキサム酸化合物、オキシム化合物、イミド化合物、ヒドロキシイミド化合物、カルボン酸アミド化合物、カルボン酸ヒドラジド化合物、ポルフィリン化合物、フタロシアニン化合物、およびヒドラゾン化合物;
からなる群より選択される少なくとも1種からプロトンを脱離したアニオンであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の光屈折率変化素子。 - 前記アクセプターがTCNQ(7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン)、TCNE(テトラシアノエチレン)、1,4−ベンゾキノン及び分子式C6X4(:O)2(X=F,Cl,Br)で表されるそのハロゲン置換体からなる群より選択される少なくとも1種のπ電子系化合物であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の光屈折率変化素子。
- 前記アクセプターがフラーレンであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の光屈折率変化素子。
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