JP2006201002A - 試料ホルダおよびイオンビーム加工装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 試料セット部9は試料貼付け面10を有している。遮蔽材ガイド部12は試料セット部9の上に配置されており、遮蔽材ガイド部12は試料セット部9に固定されている。遮蔽材ガイド部12は遮蔽材ガイド面13を有している。試料貼付け面10は遮蔽材ガイド面13より所定量D=40μmだけ下がった所に位置している。このように試料貼付け面10が遮蔽材ガイド面13より40μmだけ下がった位置に形成されているため、厚さ100μmの試料7を試料貼付け面10に取り付けると、図2(d)に示すように、試料7が遮蔽材ガイド面13より60μmだけ前に出た状態となる。そして、厚さ20μm程度の遮蔽材16が遮蔽材ガイド面13にセットされる。
【選択図】 図2
Description
この特許文献の図1に記載されている装置においては、試料上に遮蔽材を配置し、遮蔽材の上方から遮蔽材と試料にイオビームを照射し、遮蔽材で遮蔽されなかった試料部分をイオンエッチングするようにしている。そして、この装置においては、試料がセットされている試料ホルダ(13)と、遮蔽材を保持している遮蔽材支持装置(23)とは分離して配置されており、遮蔽材が試料の中央に位置するように遮蔽材の位置調整が行われる。
そして、図2(c)に示すように、試料7の一端が接着剤で左側試料貼付け面10aに貼付けられ、試料7の他端が接着剤で右側試料貼付け面10bに貼付けられる。このように試料7は、試料位置(図2および図1における試料7のy方向の位置)を規定する左側試料貼付け面10aと右側試料貼付け面10bに跨って取り付けられている。試料7の縦方向の寸法d1は700μm程度、横方向の寸法d2は2.7mm程度、厚さd3は100μm程度であり、試料7はたとえばバルク試料から切り出されて粗研磨されたものである。
また、図2において12は遮蔽材ガイド部である。遮蔽材ガイド部12は前記試料セット部9の上に配置されており、遮蔽材ガイド部12は試料セット部9に固定されている。すなわち、図2における試料ホルダ8は、遮蔽材ガイド部12と試料セット部9とが一体化して構成されている。
遮蔽材ガイド部12は遮蔽材ガイド面13(図2(a)参照)を有しており、遮蔽材ガイド面13には、イオンビームを通すための溝14が形成されている。この溝14によって、遮蔽材ガイド面13は左側遮蔽材ガイド面13aと右側遮蔽材ガイド面13bとに左右に分けられている。この左側遮蔽材ガイド面13aと右側遮蔽材ガイド面13bとは同一平面上に位置しており、それらの面13a,13bはxz平面に平行である。
この左側遮蔽材ガイド面13aと右側遮蔽材ガイド面13bは上述した試料貼付け面10a,10bに平行であり、さらに図2(b)に示すように、試料貼付け面10は遮蔽材ガイド面13より所定量D(この場合、D=40μm)だけ下がった所に位置している。このように試料貼付け面10が遮蔽材ガイド面13より所定量40μmだけ下がった位置に形成されているため、厚さ100μmの試料7を試料貼付け面10に取り付けると、図2(d)に示すように、試料7が遮蔽材ガイド面13より60μmだけ前に出た状態となる。以上、図2を用いて試料ホルダ8の構造を説明した。
図1に戻って、15は遮蔽材位置調整機構であり、遮蔽材位置調整機構15は前記試料ステージ5上に配置されている。この遮蔽材位置調整機構15は、遮蔽材16を保持した遮蔽材保持機構17を支持している。そして、遮蔽材位置調整機構15は、遮蔽材保持機構17をyおよびz軸方向に移動可能に構成されており、さらにx軸に平行な軸Bの周りに遮蔽材保持機構17を傾倒可能に構成されている。この遮蔽材位置調整機構15と、遮蔽材16を保持した遮蔽材保持機構17とによって遮蔽材セット機構が構成されており、この遮蔽材セット機構は、遮蔽材16を前記遮蔽材ガイド部12の遮蔽材ガイド面13a,13b(図2参照)にセットするためのものである。
その遮蔽材セット機構を図3を用いて説明する。図3(a)は、遮蔽材保持機構17を図1(a)のC側から、すなわち上方から見た図である。また、図3(b)は、図3(a)のD−E矢覗図である。この図3に示す状態は、遮蔽材16が遮蔽材ガイド部12の遮蔽材ガイド面13a,13bにセットされている状態である。
図3(a)に示すように、遮蔽材位置調整機構15に支持された遮蔽材保持機構17の形状は「コ」の字状である。そして、遮蔽材保持機構17の内側底面18上には、4つのプーリー19〜22が配置されている。このうち、プーリー19,20,22は内側底面18に固定されており、残りのプーリー21は、スプリングSで矢印j方向に引っ張られて遮蔽材保持機構17に取り付けられている。
これらのプーリー19〜22には、ベルト状(言い換えればリボン状またはテープ状)かつリング状のイオンビーム遮蔽材16が引っ掛けられている。さらに図3に示すように、遮蔽材16は、遮蔽材ガイド部12の遮蔽材ガイド面13a,13bに接触して、1周にわたって弛みなく張られている。この遮蔽材16は非晶質金属で出来ており、たとえばニッケル−リン(リン10%以上)のような非晶質金属で作られている。また、図3(b)に示すように、遮蔽材16の厚さtは20μm程度、幅wは2mm程度である。
なお、プーリー20は、遮蔽材保持機構17に組み込まれたモータ(図示せず)の回転によって、z軸に平行な軸kを中心として回転するように構成されている。このようにプーリー20が回転すると、プーリー20に引っ掛けられている遮蔽材16は自動送りされる。また、図4は、図3の斜視図を示したものであり、遮蔽材16が遮蔽材ガイド部12の遮蔽材ガイド面13a,13bにセットされている状態を示した図である。
以上、図2〜図4を用いて図1のイオンビーム加工装置の構成について説明した。ここで、図5を用いて、前記試料ホルダ8の試料ホルダ位置調整機構6へのセット、および、前記遮蔽材16の遮蔽材ガイド部12へのセットの仕方について説明する。
まず、試料ホルダ8の試料ホルダ位置調整機構6へのセットは、図1(a)に示したように試料ステージ引出機構4が開けられた状態で行われる。そして、まず図5(a)に示すように、遮蔽材保持機構17が遮蔽材位置調整機構15によって傾けられ、遮蔽材保持機構17は試料ホルダ8のセットに邪魔にならないように退避される。その後で図5(a)に示すように、試料7をセットした試料ホルダ8がオペレータによって試料ホルダ位置調整機構6へセットされる。
こうして試料ホルダ8が試料ホルダ位置調整機構6へセットされると、傾けられていた遮蔽材保持機構17が遮蔽材位置調整機構15によって元の水平状態に戻される。この水平状に戻された際、図5(b)に示すように、遮蔽材16が未だ遮蔽材ガイド面13a,13bに接触しないように、遮蔽材保持機構17のy軸方向の位置が遮蔽材位置調整機構15によって調整される。その後、遮蔽材16が遮蔽材ガイド面13a,13bに接触するように、遮蔽材保持機構17は遮蔽材位置調整機構15によって図5(b)のF方向(y方向)に所定量だけ移動される。この移動により、遮蔽材16は図3に示したように遮蔽材ガイド面13a,13bに接触し、遮蔽材16は遮蔽材ガイド面13a,13b間に張られて遮蔽材ガイド部12にセットされる。すなわち、遮蔽材16は遮蔽材ガイド面13a,13bにガイドされ、遮蔽材16の試料7上におけるy方向の位置はこの遮蔽材ガイド面13a,13bによって規定される。
以上、遮蔽材16の遮蔽材ガイド部12へのセットの手順について説明したが、本発明の試料ホルダ8においては遮蔽材ガイド面13a,13bが試料貼付け面10a,10bより所定量40μmだけ前に出るように作られており、また遮蔽材16として厚さ20μmのものが選ばれており、さらに試料7として厚さ100μmのものが用意されている。このため、試料7を試料セット部の試料貼付け面10a,10bにセットすると共に、遮蔽材16を遮蔽材ガイド部の遮蔽材ガイド面13a,13bにセットするだけで、図3に示すように、遮蔽材16は試料7の中央に垂直に立った状態で配置される。なお、遮蔽材16と試料7との隙間が10〜30μm程度になるように、遮蔽材保持機構17のz位置が遮蔽材位置調整機構15によって調整される。
一方、試料ホルダ8を試料ホルダ位置調整機構6から取り外すときは、図5(b)に示したように遮蔽材16が遮蔽材ガイド部12から離された後、図5(a)に示したように遮蔽材保持機構17が傾けられ、それから試料ホルダ8が試料ホルダ位置調整機構6から取り外される。このように、遮蔽材16を遮蔽材ガイド部12から離してから傾けるようにすれば、遮蔽材ガイド部12との摩擦による遮蔽材16の破損を防止することができる。
さて、試料7をイオンビーム加工する場合には、図1(b)に示すように試料ステージ引出機構4が閉じられる。このとき、遮蔽材16がイオン銃2の光軸O上に位置するように、試料ホルダ8のy軸方向の位置は試料ホルダ位置調整機構6によって予め調整されている。そして、イオン銃2からイオンビームが放出され、遮蔽材16で遮られなかったイオンビームによって試料7はエッチングされる。この試料エッチング時には、イオン銃2は傾斜機構3によって光軸Oの左右(y方向と−y方向)に繰り返し傾斜される。このため、遮蔽材16の左斜め上方からの試料7へのイオンビーム照射と、遮蔽材16の右斜め上方からの試料7へのイオンビーム照射とが繰り返し行われる。この結果、最終的に、図6に示すような孔Gの開いたTEM試料7が出来上がる。孔Gの周りの部分はTEM観察に適した薄膜となっており、TEMにおいてこの薄膜部分に電子線を照射するようにすれば、良好な試料観察を行うことができる。
以上、図1〜図6を用いて本発明の試料ホルダおよびイオンビーム加工装置について説明した。上述したように本発明の試料ホルダは、試料位置を規定する試料セット部と、試料上の所定位置に遮蔽材が位置するように遮蔽材位置を規定する遮蔽材ガイド部とを備えており、その試料セット部と遮蔽材ガイド部とは一体化されている。このため、試料を試料セット部にセットすると共に、遮蔽材を遮蔽材ガイド部にセットするだけで、遮蔽材を試料上の所定位置に配置することができる。この結果、従来のような遮蔽材の位置調整は不要であり、遮蔽材と試料の位置関係を常に一定に保つことができる。この遮蔽材と試料の位置関係は振動などの外乱によっても変化することはなく、すなわち振動などが発生しても遮蔽材と試料とは一体で同じように動くため、本発明の試料ホルダを用いればTEM観察に適した良好な試料を作製することができる。
なお、本発明の試料ホルダおよびイオンビーム加工装置を、走査電子顕微鏡や電子プローブマイクロアナライザやオージェマイクロプローブなどで観察される試料の作製に用いるようにしてもよい。
Claims (5)
- イオン銃からのイオンビームの一部を遮る遮蔽材を試料上に配置し、遮蔽材で遮られなかったイオンビームによって試料を加工するイオンビーム加工装置に用いられる試料ホルダにおいて、
前記試料がセットされる試料セット部であって、試料位置を規定する試料セット部と、
その試料セット部上に配置された遮蔽材ガイド部であって、前記試料上の所定位置に前記遮蔽材が位置するように、遮蔽材をガイドして遮蔽材位置を規定する遮蔽材ガイド部と
を備えたことを特徴とする試料ホルダ。 - 前記試料セット部は試料を貼付けるための試料貼付け面を有しており、前記遮蔽材ガイド部は前記試料貼付け面にほぼ平行な遮蔽材ガイド面を有しており、前記試料貼付け面は前記遮蔽材ガイド面より所定量だけ下がった位置に形成されていることを特徴とする請求項1記載の試料ホルダ。
- イオン銃からのイオンビームを通すための溝が前記遮蔽材ガイド面と前記試料貼付け面とに形成されていることを特徴とする請求項2記載の試料ホルダ。
- イオン銃からのイオンビームの一部を遮る遮蔽材を試料上に配置し、遮蔽材で遮られなかったイオンビームによって試料を加工するイオンビーム加工装置において、
下記(a),(b)の構成要素を有する試料ホルダと、
(a)前記試料がセットされる試料セット部であって、試料位置を規定する試料セット部
(b)試料セット部上に配置された遮蔽材ガイド部であって、前記試料上の所定位置に前記遮蔽材が位置するように、遮蔽材をガイドして遮蔽材位置を規定する遮蔽材ガイド部
前記遮蔽材を保持し、その遮蔽材を前記遮蔽材ガイド部にセットするための遮蔽材セット機構と
を備えたことを特徴とするイオンビーム加工装置。 - 前記遮蔽材はベルト状またはリボン状またはテープ状であり、その遮蔽材は試料上にほぼ垂直に立てて配置されることを特徴とする請求項4記載のイオンビーム加工装置。
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