JP2006196703A - 表面実装型電子デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】 表面実装型電子デバイスの底面に設けた実装電極を回路基板上のランドと半田接続した場合に、ヒートサイクル、振動、衝撃等に起因して、電子デバイス底面の中心点から遠方に位置する半田接続部に大きな応力が加わって亀裂が発生し易くなるという不具合を解決する。
【解決手段】 上面に凹所３を有し且つ底面形状が矩形である絶縁容器２と、容器底面の角隅部に沿った位置に形成された実装電極５と、実装電極と対応する容器角隅部から容器側面にかけて形成した略半長円形のキャスタレーション２０と、キャスタレーション内に形成されて実装電極と導通した導体膜と、を備えた表面実装型電子デバイスにおいて、キャスタレーションは、角隅部と、角隅部から両側へ延びる２つの容器側面にかけて夫々延在する連続した２つの略半長円形から成るＬ字型の切欠き部２１、２２から成る。
【選択図】 図１

Description

本発明は、表面実装型電子デバイスの底面に形成する実装電極の改良に関し、特に回路基板上に実装電極を半田接続した場合に半田部に加わる応力によって亀裂が形成される不具合を解決するための技術に関する。

表面実装型電子デバイスとしては、例えば底部に実装電極を備えた絶縁基板（プリント基板）の表面に形成した配線パターン上に各種回路部品等を搭載した構成を備えたものが知られている。このような表面実装型電子デバイスとしては、例えば水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器等の圧電デバイスを例示することができる。表面実装型の水晶振動子、或いは水晶フィルタは、底部に実装電極を備えたセラミック等の絶縁容器の表面凹所内に水晶振動素子（水晶基板上に励振電極を形成した素子）を搭載し、且つ水晶振動素子を含む絶縁基板上の凹所を金属蓋により気密封止した構成を備えている。
セラミック等から成る電子デバイスの容器においては、容器底面に設けた実装電極と容器内部との導通を確保するために内壁が円弧状のキャスタレーションを容器底面角隅部に形成するとともに、該内壁に実装電極と導通する導体膜を形成している。円弧状のキャスタレーションは、容器の構成材料と、該容器底面の実装電極を半田接続するランドを備えたマザーボード回路基板（ガラスエポキシ等）との熱膨張率の違いによる半田クラックを防止する上で有効である。
即ち、通常、セラミック等の低熱膨張率材料から成る容器を、ガラスエポキシ材から成るマザーボード回路基板のランド上に半田接続するために熱負荷をかけると、矩形の容器底面の中心部から最も離間した位置にある半田接合部のコーナー部に最大歪みが発生して半田にクラックが発生し易くなる。このコーナー部に発生する歪みを小さくしてクラック発生を防止するためには、円弧状のキャスタレーションの曲率半径を大きくして該コーナー部と容器底面中心部との距離を短縮し、且つ半田フィレット量を増して接合強度を高める必要がある。しかし、キャスタレーションの曲率半径を大きくするとその分だけ容器上面の凹所を包囲する外壁が薄くなり、機械的強度が低下してしまうため、外壁の肉厚を厚くして外壁の強度を確保する必要が生ずるが、凹所の容積が小さくなるため、凹所内の部品搭載面積が減少するという問題を生じる。
これを更に詳述すると、図４（ａ）及び（ｂ）は夫々表面実装型水晶振動子の底面図、（ｃ）はこの水晶振動子を回路基板上に半田接続した状態を示す要部拡大図である。この水晶振動子１００は、底部に実装電極１０２を備えた絶縁容器１０１の表面凹所内に図示しない水晶振動素子を搭載し、且つ水晶振動素子を含む絶縁容器１０１上の凹所を金属蓋１０３により気密封止した構成を備えている。底面形状が矩形の絶縁容器１０１の各角隅部には凹状の面取り部（キャスタレーション）１０５が形成されており、面取り部１０５内に形成された導体膜と各実装電極１０２とは連続的に導通している。

また、図４（ｂ）は水晶振動子底面の他の例を示しており、この水晶振動子の２つの対向する側面には夫々円弧状の内壁を備えたキャスタレーション１０５が形成されており、各キャスタレーション１０５内の導体膜と導通する矩形の実装電極１０２が底面に形成されている。
図４（ｃ）に示すように回路基板１１０の上面に形成されたランド１１１上に実装電極１０２を半田１１５を用いて接続した場合、水晶振動子のパッケージ底面の中心点Ｐから遠方にある半田接続部ほど、大きな機械的応力を受ける。このため、水晶振動子の用途、使用環境、設置場所の条件によっては、中心点Ｐから遠方にある半田接続部に（ｃ）に示した如き亀裂が形成される虞がある。即ち、例えば水晶振動子を車載用の回路基板上に搭載した場合等のように、過酷な使用環境にて使用した場合には、振動、衝撃に加えて、高温、低温に曝されるため、ヒートサイクルに起因した半田接続部の耐久性が問題となる。特に、回路基板を構成する絶縁材料と、パッケージを構成する絶縁材料の熱膨張係数が異なる場合には、温度変化に起因して半田接続部に亀裂が発生して接続不良に陥ることがある。
一方、円弧状のキャスタレーションの曲率半径を増大させた場合には容器内の凹所の容積が減殺されることは上述の通りである。
このような不具合を解決するために、特開平９−１３０１４５号公報に開示されているように容器底面の各角隅部から一辺に沿って延びる長穴状のキャスタレーションを一つ形成することが提案されている。
即ち、図４（ｄ）（ｅ）に示すように長円形、或いは楕円形を１／４にしたような形状のキャスタレーション１０５を絶縁容器底面の角隅部に形成した場合には底面中心点Ｐから最も遠方にあるキャスタレーションの局所（コーナー部Ｃ）に亀裂が形成され易くなり、更に応力が集中するコーナー部Ｃにおける絶縁容器１０１の短辺側には、キャスタレーションが形成されていないので、当該部分を被覆する半田にも同様の亀裂が発生し易くなる。キャスタレーション内壁に形成する導体膜は、パッケージの内層に実装電極と同電位のパターンを形成するために用いられるが、キャスタレーションの導体膜と回路基板側のランドとの半田接続はフィレット形状の半田接続となるため、実装電極面とランドとの間の面間接合に比して熱膨張差によるストレスが小さく、半田による亀裂が発生しにくい特徴を有するが、底面中心点Ｐからの距離が遠い部位である程、キャスタレーション、及びキャスタレーション上の半田接合部にもクラックが発生する。
結果として、容器底面中心部から円弧状のキャスタレーションにおけるコーナー部までの距離と、容器底面中心部から半長円形状のキャスタレーションの最も離間したコーナー部Ｃとの距離に大差がなくなり、半長円形状のキャスタレーションによっても最大歪みを低減することは困難である。
水晶振動子に求められるスペックの一つとして、ヒートサイクル試験（−４０〜＋１２５℃、３０００ｃｙｃｌｅ）の要求を満たす必要があるが、このようにパッケージ底面中心点Ｐから最も遠方にある半田接続部には応力が一カ所に集中し易い状態にあるため、この部分にヒートサイクルによる亀裂が発生し易く、スペックを満たさない不良品が発生することがある。
上記の如き亀裂発生の問題を解決するためには、電子部品の小型化が有効であることが知られてはいるが、他の諸特性を無視して小型化を優先させると、満足な特性が確保できなくなる、という問題を生じる。
特開平９−１３０１４５号公報

本発明は上記に鑑みてなされたものであり、表面実装型電子デバイスの容器底面に設けた実装電極を回路基板上のランドと半田接続した場合に、ヒートサイクル、振動、衝撃等に起因して、電子デバイス底面の中心点から遠方に位置する半田接続部、キャスタレーションに大きな応力が加わって亀裂が発生し易くなるという不具合を解決することを目的としている。

上記課題を解決するため、請求項１の発明に係る表面実装型電子デバイスは、底面形状が矩形である絶縁基板、該絶縁基板上面に形成した配線パターン、及び該絶縁基板底面の角隅部に沿った位置に形成した実装電極を備えた回路配線基板と、該実装電極と対応する基板角隅部から基板側面にかけて形成したキャスタレーションと、該キャスタレーション内に形成されて前記実装電極と導通した導体膜と、を備えた表面実装型電子デバイスにおいて、前記キャスタレーションは、前記基板角隅部と、該基板角隅部から両側へ延びる２つの基板側面にかけて夫々延在する略Ｌ字型の切欠き部から成ることを特徴とする。
請求項２の発明は、請求項１において、前記回路配線基板は、底板と、該底板の外周縁に沿って立設された外壁とを備えることにより上面に凹所を有し且つ底板の底面形状が矩形である絶縁容器であり、前記底板底面の角隅部に沿った位置に形成された実装電極と、該実装電極と対応する容器角隅部から容器側面にかけて形成したキャスタレーションと、該キャスタレーション内に形成されて前記実装電極と導通した導体膜と、を備えた表面実装型電子デバイスにおいて、前記キャスタレーションは、前記角隅部と、該角隅部から両側へ延びる２つの容器側面にかけて夫々延在する略Ｌ字型の切欠き部から成ることを特徴とする。
請求項３の発明は、請求項１、又は２において、前記回路配線基板の底面の縦辺の長さをＡ、横辺の長さをＢとしたときに、該縦辺に沿った第１の切欠き部端の湾曲部の曲率半径Ｒ１、及び該横辺に沿った第２の切欠き部端の湾曲部の曲率半径Ｒ２は、夫々
Ｒ１＝０．０２Ｂ〜０．１２Ｂ、Ｒ２＝０．０２Ａ〜０．１２Ａであり、
前記角隅部の頂点から前記第１の切欠き部端までの長さから前記湾曲部を除いた長さをＸとし、前記角隅部の頂点から前記第２の切欠き部端までの長さから前記湾曲部を除いた長さをＹとしたときに、該Ｘ、Ｙは夫々、
Ｘ＝０．０２Ａ〜０．３Ａ、Ｙ＝０．０２Ｂ〜０．３Ｂ
であることを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項１、２又は３何れか一項において、前記第１の切欠き部の高さ寸法をｈ、前記底板の肉厚をｔ、前記外壁の壁厚をＴとしたときに、（１）第１の切欠き部の高さｈが底板の肉厚ｔよりも小さい場合と、（２）第１の切欠き部の高さｈが底板の肉厚ｔよりも大きい場合の各ケースにおいて、前記第１の切欠き部の端部湾曲部の曲率半径Ｒ１は、
（１）ｈ＜ｔ−０．１ｍｍの場合は、Ｒ１＝０．１〜０．６ｍｍ
（２）ｈ＞ｔ−０．１ｍｍの場合は、Ｒ１＝０．１〜Ｔ−０．１ｍｍ
となることを特徴とする。
請求項５の発明は、請求項１乃至４の何れか一項において、前記第１及び第２の切欠き部の各内壁同士が交差する部分を湾曲状に構成したことを特徴とする。
請求項６の発明は、請求項１、２、３、４又は５において、前記回路配線基板の容器底面の縦辺、横辺のうちの長辺の長さは、５〜２ｍｍの範囲内であることを特徴とする。

半長円形、或いは半楕円形を１／４に分割したような形状のキャスタレーションを回路配線基板（絶縁容器）底面の角隅部に形成した場合には底面中心点Ｐから最も遠方にあるキャスタレーションの局所（コーナー部）に亀裂が形成され易くなり、当該部分を被覆する半田にも同様の亀裂が発生し易くなるが、本発明では、角隅部に半長円形の２つの切欠きをＬ字状に形成し、各切欠き内壁に導体膜を形成するようにしたので、キャスタレーション、及び半田接続部がヒートサイクルや衝撃に起因した応力の集中によってダメージを受けて亀裂が発生するという不具合をなくすることができる。即ち、回路配線基板底面の角隅部にその頂点を中心として半長円形の切欠き部をＬ字状に連続配置したので、このＬ字形キャスタレーションを形成した場合に最も歪みが発生し易い箇所は、従来のキャスタレーションの場合よりもパッケージ中心部に近づき最大歪みの低減効果を発揮させることができる。これによりヒートサイクルによる半田クラックの発生を大幅に低減することができる。

以下、本発明を添付図面に示した実施の形態にもとづいて詳細に説明する。
なお、以下の実施形態では表面実装型電子デバイスの一例として表面実装型圧電デバイス、特に水晶発振器（圧電発振器）を用いて説明する。
図１（ａ）（ｂ）（ｃ）及び（ｄ）は本発明の一実施形態に係る表面実装型水晶発振器の構成を示す正面縦断面図、発振器の底面図、底面の要部拡大図、及び底板周辺の縦断面図である。
この水晶発振器１は、セラミックシート等、シート状の絶縁材料を積層することにより底板２Ａと外壁２Ｂとから形成した絶縁容器（回路配線基板）２の上面凹所３内に水晶振動素子（水晶基板上に励振電極を形成した素子）１０を収容すると共に、絶縁容器２の凹所３を金属蓋４により封止した構成を備えている。
絶縁容器（パッケージ）２は、容器形状を有した回路配線基板であり、略矩形の底板２Ａの底面の四隅に実装電極５を備えると共に、凹所３内部には水晶振動素子１０と電気的に接続される２つの内部パッド６を備え、各内部パッド６は夫々対応する実装電極５と導通している。水晶振動素子上の電極と導通しない他の２つの実装電極は例えばアース電極である。
この水晶振動子１を、回路基板、その他のプリント基板１５上に表面実装する際には、プリント基板１５のランド１６上に実装電極５を一対一の関係で対応させた上で半田１７によって接続する。
この際、絶縁容器２の矩形の底面の中心点Ｐから最も離間した位置にある角隅部における半田、及びキャスタレーション２０がヒートサイクル等に起因した応力に対して十分に耐えることができるよう半田やキャスタレーションに係る実装電極５とランド１６との導通を確保し続けるために、本発明では各実装電極５の４つの角隅部Ｓと、各角隅部Ｓから両側へ延びる２つの容器側面にかけて夫々延在する連続した２つの長穴状の切欠き部２１、２２から成るＬ字型（或いは、鉤型）のキャスタレーション２０を設けている。

この実施形態に係るキャスタレーション２０は、容器底面の一方の辺（短辺、縦辺）Ｌに沿って延びる第１の切欠き部２１と、他方の辺（長辺、横辺）Ｗに沿って延びる第２の切欠き部２２とがＬ字状に交差した構成を備えている。
なお、ここで半長円形とは、長円形を長手方向に沿ってほぼ４分割した形状を意味している。
以上の構成において、容器底面の縦辺Ｌの長さをＡ、横辺Ｗの長さをＢとしたときに、該縦辺Ｌに沿った略半長円形の第１の切欠き部２１の端部に位置する湾曲部の曲率半径をＲ１とし、該横辺Ｗに沿った略半長円形の第２の切欠き部２２の端部に位置する湾曲部の曲率半径をＲ２としたとき、
Ｒ１＝０．０２Ｂ〜０．１２Ｂ、Ｒ２＝０．０２Ａ〜０．１２Ａ
となるように設定し、
更に、本発明では、角隅部Ｓの頂点から第１の切欠き部２１の端部までの長さＬ１から湾曲部を除いた長さをＸとし、角隅部Ｓの頂点から第２の切欠き部２２の端部までの長さＷ１から湾曲部を除いた長さをＹとしたときに、該Ｘ、Ｙが夫々、
Ｘ＝０．０２Ａ〜０．３Ａ、Ｙ＝０．０２Ｂ〜０．３Ｂ
を満たすように各部の寸法、形状を設定している。
具体的には、例えば容器底面の縦辺Ｌの寸法Ａが５ｍｍ、横辺Ｗの寸法Ｂが３．２ｍｍである場合に、Ｘ＝０．１〜１．５ｍｍ、Ｙ＝０．０６４〜０．９６ｍｍとなるため、第１の切欠き部２１の端部湾曲部の曲率半径Ｒ１は、０．１〜０．６ｍｍとなり、第２の切欠き部２２の端部湾曲部の曲率半径Ｒ２は、０．０６４〜０．３８４ｍｍとなる。
但し、第１及び第２の切欠き部２１、２２の端部湾曲部の曲率半径Ｒ１、Ｒ２が夫々凹所の外壁２Ｂの壁厚Ｔと同等であったり、壁厚Ｔを越えることはできないので、曲率半径Ｒ１、Ｒ２は壁厚Ｔよりも０．１ｍｍ程度小さくなるように設定する必要がある。
従って、例えば、外壁２Ｂの壁厚Ｔが０．４５ｍｍである場合には、第１の切欠き部２１の端部湾曲部の曲率半径Ｒ１が外壁２Ｂと干渉（外壁を貫通）する虞があるため、０．１〜０．３５ｍｍの範囲に設定する必要がある。
なお、キャスタレーションの高さが容器の底板２Ａの肉厚を越えない場合には、各切欠き部が外壁と干渉する虞がないため、上記の式によって算出される曲率半径Ｒ１、Ｒ２の値をそのまま適用した切欠き部２１、２２を形成することができる。

このことを更に説明すると、第１の切欠き部２１の高さ寸法をｈ、容器の底板２Ａの肉厚をｔ、壁厚をＴとしたときに、（１）第１の切欠き部２１の高さｈが容器の底板の肉厚ｔよりも小さい場合と、（２）第１の切欠き部２１の高さｈが底板の肉厚ｔよりも大きい場合と、にケース分けした上で、第１の切欠き部２１の端部湾曲部の曲率半径Ｒ１を算出することができる。即ち、
（１）ｈ＜ｔ−０．１ｍｍの場合は、Ｒ１＝０．１〜０．６ｍｍ
（２）ｈ＞ｔ−０．１ｍｍの場合は、Ｒ１＝０．１〜Ｔ−０．１ｍｍ
となる。
以上のように本発明では、絶縁容器底面の角隅部にその頂点を中心として半長円形状の切欠き部をＬ字状に連続配置したので、キャスタレーションを形成した場合に、最も歪みが発生し易い箇所は、従来の半長円形のキャスタレーションの場合よりもパッケージ中心部に近づき最大歪みの低減効果を発揮させることができる。これによりヒートサイクルによる半田クラックの発生を大幅に低減することができる。
なお、図１（ｃ）の実施形態では、第１及び第２の切欠き部２１、２２の内壁同士が交差する部分（角部３５ａ）を略直角状にしたが、この部分を点線で示すように湾曲させてもよく、湾曲させた方が中心点Ｐから最も離間した位置が湾曲辺に沿って複数点存在することになるので、応力に対する強度がアップする。

図２は絶縁容器（回路配線基板）２をバッチ処理によって製造する場合に使用する絶縁容器母材の底面図である。この絶縁容器母材３０は絶縁容器２を複数個縦横に連結した構成を有しており、この母材３０を境界線３１に沿って切断することによって図１に示した個片を得ることができる。
上記の如き形状のキャスタレーション２０を絶縁容器個片の角隅部に形成するためには、セラミック製母材の焼成前に、図示するように２つの長円形の穴を十字状に交差させた貫通穴３５を、各絶縁容器個片の角隅部同士の連結部に金型によって打ち抜き形成しておく必要がある。その後、実装電極や配線パターンやキャスタレーション内壁の導体膜等を形成するために所要箇所にメタライズを施してから母材全体を焼成することにより硬化させる。焼成による母材の硬化が完了した段階で、境界線３１に沿ってダイシングすることによって、図１に示した如き個片を得ることができる。
この際、前記十字状の貫通穴３５の内壁に直角の角部３５ａが形成されていると、型抜き時は勿論、その後の作業においても角部３５ａに欠損が発生し易くなる。そこで、図１（ｃ）中に点線で示したように角部３５ａを円弧状に面取りした形に打ち抜くように構成しておけば、欠損が発生する心配がない。
なお、本発明のキャスタレーション構造を適用することができる絶縁容器としては、容器底面の縦辺、横辺のうちの長辺の長さが、５〜２ｍｍの範囲内であることが好ましい。
なお、本発明は、水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器等の表面実装型圧電デバイスに限らず、あらゆるタイプの表面実装型電子デバイスの実装電極に適用することができる。
次に、図３は本発明のキャスタレーション構造を平板形状の回路配線基板に適用した例を示す斜視図である。
即ち、この回路モジュール（表面実装型電子デバイス）５０は、絶縁基板５１ａ上に配線パターン５１ｂを形成した回路配線基板５１と、回路配線基板５１の表面の配線パターン５１ｂ上に電子部品５５を搭載した構成を有し、この回路モジュール５０自体を図示しない機器本体側のマザーボード上に表面実装するための構成を備えている。即ち、絶縁基板５１ａの底面角隅部には夫々図示しない実装電極を備えると共に、各実装電極は絶縁基板５１の側面に形成したキャスタレーション５３内の導体膜５３ａと導通することにより基板上面の配線パターン５１ｂとも導通している。
キャスタレーション５３の構造は、上記実施形態にて説明したキャスタレーション２０と同等であるため、重複した説明は省略する。

（ａ）（ｂ）（ｃ）及び（ｄ）は本発明の一実施形態に係る表面実装型水晶発振器の構成を示す正面縦断面図、発振器の底面図、底面の要部拡大図、及び底板周辺の要部縦断面図。 絶縁容器をバッチ処理によって製造する場合に使用する絶縁容器母材の底面図。 本発明の他の実施形態に係る表面実装型電子デバイスの斜視図。 （ａ）乃至（ｅ）は従来例の説明図。

符号の説明

１ 水晶発振器（表面実装型電子デバイス）、２ 絶縁容器（回路配線基板）、２Ａ 底板、２Ｂ 外壁、３ 上面凹所、４ 金属蓋、５ 実装電極、６ 内部パッド、１０ 水晶振動素子、１５ プリント基板、１６ ランド、１７ 半田、２０ キャスタレーション、２１ 第１の切欠き部、２２ 第２の切欠き部、５０ 回路モジュール、５１ 回路配線基板、５２ 配線パターン、５３ キャスタレーション

Claims (6)

1. 底面形状が矩形である絶縁基板、該絶縁基板上面に形成した配線パターン、及び該絶縁基板底面の角隅部に沿った位置に形成した実装電極を備えた回路配線基板と、該実装電極と対応する基板角隅部から基板側面にかけて形成したキャスタレーションと、該キャスタレーション内に形成されて前記実装電極と導通した導体膜と、を備えた表面実装型電子デバイスにおいて、
   前記キャスタレーションは、前記基板角隅部と、該基板角隅部から両側へ延びる２つの基板側面にかけて夫々延在する略Ｌ字型の切欠き部から成ることを特徴とする表面実装型電子デバイス。
2. 前記回路配線基板は、底板と、該底板の外周縁に沿って立設された外壁とを備えることにより上面に凹所を有し且つ底板の底面形状が矩形である絶縁容器であり、
   前記底板底面の角隅部に沿った位置に形成された実装電極と、該実装電極と対応する容器角隅部から容器側面にかけて形成したキャスタレーションと、該キャスタレーション内に形成されて前記実装電極と導通した導体膜と、を備えた表面実装型電子デバイスにおいて、
   前記キャスタレーションは、前記角隅部と、該角隅部から両側へ延びる２つの容器側面にかけて夫々延在する略Ｌ字型の切欠き部から成ることを特徴とする請求項１に記載の表面実装型電子デバイス。
3. 前記回路配線基板の底面の縦辺の長さをＡ、横辺の長さをＢとしたときに、該縦辺に沿った第１の切欠き部端の湾曲部の曲率半径Ｒ１、及び該横辺に沿った第２の切欠き部端の湾曲部の曲率半径Ｒ２は、夫々
   Ｒ１＝０．０２Ｂ〜０．１２Ｂ、Ｒ２＝０．０２Ａ〜０．１２Ａであり、
   前記角隅部の頂点から前記第１の切欠き部端までの長さから前記湾曲部を除いた長さをＸとし、前記角隅部の頂点から前記第２の切欠き部端までの長さから前記湾曲部を除いた長さをＹとしたときに、該Ｘ、Ｙは夫々、
   Ｘ＝０．０２Ａ〜０．３Ａ、Ｙ＝０．０２Ｂ〜０．３Ｂ
   であることを特徴とする請求項１、又は２に記載の表面実装型電子デバイス。
4. 前記第１の切欠き部の高さ寸法をｈ、前記底板の肉厚をｔ、前記外壁の壁厚をＴとしたときに、（１）第１の切欠き部の高さｈが底板の肉厚ｔよりも小さい場合と、（２）第１の切欠き部の高さｈが底板の肉厚ｔよりも大きい場合の各ケースにおいて、
   前記第１の切欠き部の端部湾曲部の曲率半径Ｒ１は、
   （１）ｈ＜ｔ−０．１ｍｍの場合は、Ｒ１＝０．１〜０．６ｍｍ
   （２）ｈ＞ｔ−０．１ｍｍの場合は、Ｒ１＝０．１〜Ｔ−０．１ｍｍ
   となることを特徴とする請求項２又は３に記載の表面実装型電子デバイス。
5. 前記第１及び第２の切欠き部の各内壁同士が交差する部分を湾曲状に構成したことを特徴とする請求項１、２、３又は４の何れか一項に記載の表面実装型電子デバイス。
6. 前記回路配線基板の底面の縦辺、横辺のうちの長辺の長さは、５〜２ｍｍの範囲内であることを特徴とする請求項１、２、３、４又は５の何れか一項に記載の表面実装型電子デバイス。
   

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