JP2006194864A - イメージングシステム用薄膜トランジスタ - Google Patents

Abstract

【課題】イメージングシステム用薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】環状薄膜トランジスタ６０は、半導体材料の層６６の上側に配置された環状ソース電極６２と、半導体材料の層の上側でかつ環状ソース電極の内側に配置されたドレーン電極６４と、ドレーン電極と環状ソース電極との間に配置された活性チャネル７６とを含み、活性チャネルの表面は、露出した半導体材料を含む。さらに、蛇行形薄膜トランジスタ７８は、半導体材料の層８２の上側に配置された蛇行形ソース電極８０と、半導体材料の層の上側に配置されかつ蛇行形ソース電極によって形成された凹所の実質的に内部に配置され、該凹所に実質的に合致するように構成されたドレーン電極８４と、ドレーン電極と蛇行形ソース電極との間に配置された活性チャネル９８とを含み、活性チャネルはほぼ一定の長さを有し、また活性チャネルの表面は露出した半導体材料を含む。
【選択図】 図２

Description

本発明は、総括的にはイメージングシステムに関する。具体的には、本発明は、そのようなイメージングシステムの検出器において使用するための薄膜トランジスタに関する。

非侵襲的イメージング（断層撮影法）は、他の方法では目視検査のためにアクセス不能な人又は対象物の内部構造又は領域の画像を生成するための技術を広範囲に包含する。例えば、非侵襲的イメージング法は一般に、産業分野では部品の内部構造を検査するために、またセキュリティ分野では荷物、衣類及びその他の内容物を検査するために使用される。しかしながら、非侵襲的イメージング法の最もよく知られた用途の１つは、他の方法では目視可能にはならない患者内部の臓器及び／又は骨の画像をこれらの技術を使用して生成するような医療分野にある。

これらの様々な分野で使用することができる非侵襲的イメージング法の１つの種類は、患者又は対象物を通してのＸ線の示差透過に基づいている。医療のケースで説明すると、単純Ｘ線イメージング法は、Ｘ線管又は他の線源を使用してＸ線を発生させる段階と、イメージング対象の患者の一部をその中に置いたイメージングボリュームを通してＸ線を向ける段階とを含むことができる。Ｘ線が患者を通過する時に、Ｘ線は、それらが通過する組織の組成に基づいて減弱される。減弱されたＸ線は次に、このＸ線を信号に変換する検出器に衝突し、この信号を処理して、Ｘ線が通過した患者の部分の画像をＸ線の減弱に基づいて生成することができる。一般的に、Ｘ線検出プロセスは、Ｘ線が衝突した時にフォトンを生成するシンチレータと、検出したフォトンの数に基づいて電気信号を生成する光センサ素子のアレイとを使用する。

幾つかのＸ線技術では、非常に低エネルギーのＸ線を使用して、患者の暴露を延長することができるようにする。例えば、Ｘ線蛍光透視法は一般的に、患者の循環系内部へのカテーテル又はプローブの挿入のような、進行中の処置又は状態を監視するために使用される。そのような蛍光透視法は一般的に、イメージング区域内での動きをリアルタイム又はリアルタイムに近い状態で示すように連続的に表示することができる膨大な数の低エネルギー画像を取得する。

しかしながら、蛍光透視法は、他の低エネルギーイメージング法と同様に、検出器に起因する電子ノイズと比べてＸ線信号が相対的に弱いために、貧弱な画質になる可能性がある。その結果、一般的に、例えば作動中における検出器の電子ノイズを低下させることによって検出プロセスの効率を改善ことが、望まれる。検出器に使用する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の様々な態様が、全体電子ノイズの一因となる可能性がある。例えば、ＴＦＴのドレーン電極とゲート電極との間の静電容量は、データラインの全静電容量の主要素である。これが次に、データラインに関連する２つの主なノイズ源、すなわちデータラインの抵抗に関連するＪｏｈｎｓｏｎノイズと読出し電子機器に関連するノイズとを引き起こすことになる。さらに、ＴＦＴ内の電荷トラッピング電流もまた、全体電子ノイズの一因となる。
欧州特許公開ＥＰ０３３１５１Ａ２号

従って、検出器内の電子部品によって生成される電子ノイズを低減する必要性が存在する。

本発明技術の１つの態様では、Ｘ線イメージングシステムを提供し、本Ｘ線イメージングシステムは、Ｘ線を放射するように構成されたＸ線源と、検出器とを含む。検出器は、検出素子のアレイを含み、各検出素子は、スイッチとして使用するように構成された薄膜トランジスタを含む。薄膜トランジスタは、互いに対称でないドレーン電極及びソース電極を含む。また、Ｘ線イメージングシステムには、電気信号を収集するように構成された検出収集回路と、Ｘ線源又は検出収集回路の少なくとも１つを制御するように構成されたシステム制御装置と、電気信号を処理して画像を生成するように構成された画像処理回路とが設けられる。

本発明技術の別の態様では、環状薄膜トランジスタを提供し、本環状薄膜トランジスタは、半導体材料の層と、半導体材料の層の上側に配置された環状ソース電極と、半導体材料の層の上側でかつ環状ソース電極の内側に配置されたドレーン電極と、ドレーン電極と環状ソース電極との間に配置された活性チャネルとを含み、活性チャネルの表面は、露出した半導体材料を含む。

本発明技術のさらに別の態様では、蛇行形薄膜トランジスタを提供し、本蛇行形薄膜トランジスタは、半導体材料の層と、半導体材料の層の上側に配置された蛇行形ソース電極と、半導体材料の層の上側に配置されかつ蛇行形ソース電極によって形成された凹所の実質的に内部に配置され、該凹所に実質的に合致するように構成されたドレーン電極と、ドレーン電極と蛇行形ソース電極との間に配置された活性チャネルとを含み、活性チャネルは、ほぼ一定の長さを有し、また活性チャネルの表面は、露出した半導体材料を含む。

本発明技術のさらに別の態様では、イメージングシステムにおいて使用するための検出器を製造する方法を提供する。本方法は、その各々が薄膜トランジスタを含む検出素子のアレイを形成する段階を含む。

本発明技術のさらに別の態様では、環状薄膜トランジスタを製造する方法を提供する。本方法は、半導体材料の層を形成する段階と、半導体材料の層の上側に配置された状態で環状ソース電極を形成する段階と、半導体材料の層の上側でかつ環状ソース電極の内側に配置された状態でドレーン電極を形成する段階と、ドレーン電極と環状ソース電極との間に活性チャネルを形成する段階とを含む。

本発明技術のさらに別の態様では、蛇行形薄膜トランジスタを製造する方法を提供し、本方法は、半導体材料の層を形成する段階と、半導体材料の層の上側に配置された状態で蛇行形ソース電極を形成する段階と、半導体材料の層の上側でかつ蛇行形ソース電極によって形成された凹所の実質的に内部に配置された状態でドレーン電極を形成する段階と、ドレーン電極と蛇行形ソース電極との間に活性チャネルを形成する段階とを含む。

本発明のこれら及び他の特徴、態様及び利点は、図面全体を通して同じ符号が同様な部品を表わす添付図面を参照して以下の詳細な説明を読むと、一層良く理解されるようになるであろう。

図１は、全体を参照符号１０で示すＸ線イメージングシステムの概略図である。図示する実施形態では、下記により詳細に説明するように、Ｘ線イメージングシステム１０は、本発明技術により画像データを収集しかつ処理するように設計される。Ｘ線イメージングシステム１０は、コリメータ１４に近接して配置されたＸ線源１２を含む。１つの実施形態では、Ｘ線源１２は、低エネルギー線源であり、蛍光透視法又は同様の方法のような低エネルギーイメージング法で使用される。コリメータ１４は、人間の患者のようなターゲト１８がその中に置かれた領域の中をＸ線放射線ストリーム１６が通過するのを可能にする。放射線の一部分は、ターゲット１８によって減弱される。この減弱された放射線２０は、蛍光透視検出器のような検出器２２に衝突する。当業者には明らかなように、検出器２２は、入射放射線に基づいて電気信号を生成するのに使用される、シンチレーションすなわち光変換に基づくか、直接変換に基づくか、又は他の技術に基づくものとすることができる。例えばシンチレータ型検出器は、その表面上に入射するＸ線フォトンをフォトンに変換し、次いでこれらのフォトンは、光ダイオードを使用することによって電気信号に変換することができる。これに対して、直接変換型検出器は、Ｘ線フォトンに応じて電荷を直接生成し、電気信号は蓄積コンデンサに蓄積されかつ該蓄積コンデンサから読出される。下記に詳細に説明するように、使用する変換方法には関係なく、これらの電気信号は収集されかつ処理されて、ターゲット１８内部の特徴部の画像を構成する。

Ｘ線源１２は、検査シーケンスのための電力信号及び制御信号の両方を与える電力供給／制御回路２４によって制御される。さらに、検出器２２は、検出器２２内に生成された信号の収集を指令する検出収集回路２６に結合される。検出収集回路２６はまた、例えばダイナミックレンジの初期調整、デジタルのインタリービング及びその他のような様々な信号処理及びフィルタ処理機能を実行することができる。

図示した例示的な実施形態では、電力供給／制御回路２４及び検出収集回路２６の１つ又は両方は、システム制御装置２８からの信号に応答する。幾つかの例示的なシステムでは、検出器２２又はＸ線源１２の１つ又は両方を移動させることが望ましい場合がある。そのようなシステムでは、さらにシステム制御装置２８の構成要素としてモータサブシステムを設けて、この移動を遂行することができる。この実施例では、システム制御装置２８はまた、一般的には汎用又は特定用途デジタルコンピュータに基づいた信号処理回路を含む。システム制御装置２８はまた、コンピュータによって実行されるプログラム及びルーチン並びに構成パラメータ及び画像データを記憶するためのメモリ回路と、インタフェース回路と、その他とを含むことができる。

Ｘ線イメージングシステム１０の図示した実施形態では、さらに画像処理回路３０が存在する。画像処理回路３０は、検出収集回路２６から収集投影データを受信しかつ収集データを処理して、Ｘ線減弱に基づいて１つ又はそれ以上の画像を生成する。

Ｘ線イメージングシステム１０の図示した実施形態では、さらに１つ又はそれ以上のオペレータワークステーション３２が存在する。オペレータワークステーション３２は、オペレータがＸ線イメージング検査を開始しかつ構成するのを可能にし、また検査の一環として生成された画像を観察するのを可能にする。例えば、システム制御装置２８は通常、オペレータがオペレータワークステーション３２の１つ又はそれ以上の入力装置を介してシステム制御装置２８に命令又はコマンドを与えることができるように、オペレータワークステーション３２に接続される。

同様に、画像処理回路３０はオペレータワークステーション３２に接続されて、オペレータワークステーション３２が、画像処理回路３０の出力を受信しかつその出力をディスプレイ又はプリンタのような出力装置３４上に表示できるようにする。出力装置３４は、標準又は特殊用途のコンピュータモニタと、関連する処理回路とを含むことができる。一般に、システム内部に提供されるディスプレイ、プリンタ、オペレータワークステーション及び類似の装置は、データ収集構成要素の近くに設けることができ、或いは公共施設又は病院内部の何処か或いは全く異なる場所でのような、これらの構成要素から遠く離れた位置に設けることもできる。データ収集構成要素から遠く離れた出力装置及びオペレータワークステーションは、インターネット、バーチャル・プライベート・ネットワーク及びその他のような構成可能な１つ又はそれ以上のネットワークを介して画像収集システムに接続することができる。当業者には明らかなように、図１では、システム制御装置２８、画像処理回路３０及びオペレータワークステーション３２は、互いに別体として示しているが、これらの構成要素は実際には、汎用又は特定用途デジタルコンピュータのような単一プロセッサベースのシステムの形態で具体化することができる。それに代えて、これらの構成要素の幾つか又は全ては、互いに通信するように構成された汎用又は特定用途デジタルコンピュータのような別個のプロセッサベースのシステム内に設けることができる。例えば、画像処理回路３０は、別個の再構成及び観察用ワークステーションの構成要素とすることができる。

次に図２を参照して、図１に導入したシンチレーション型検出器３５をより詳細に説明する。本明細書では図２のシンチレーション型検出器３５は本発明技術での使用の実例として説明するが、これは単なる一例に過ぎないことを記憶されたい。直接変換型検出器のような他の検出器２２もまた、本明細書で説明する方法で本発明技術により利点を得ることができる。従って、シンチレーション型検出器３５の説明は、単なる例示であり、本発明技術により利点を得ることができる１つの型の検出器について作動原理を説明する目的のために示していることを理解されたい。

ここで図２に目を転じると、シンチレーション型検出器３５の構成要素の例示的な物理的配置を、本発明の１つの実施形態に従って示している。検出器２２は一般的に、下記に説明する構成要素がその上に配置されたガラス基板３６を含む。図示した実施形態では、シンチレーション型検出器３５は、光センサ素子３８のアレイを含む。１つの実施では、光センサ素子３８は、シリコンで形成された光ダイオードである。図２の例示的な実施形態では、光ダイオードは、検出収集回路２６によって読出されるピクセル又は画素を形成する行及び列のアレイの形態で配置される。各光ダイオードは、データライン４８及びスキャンライン５０を使用して選択的に起動させることができる光電性領域４０と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）４２とを含む。

さらに、薄膜トランジスタと光センサ素子３８のアレイとの間に配置される。ビア５８が、導電層５４を光センサ素子３８のアレイの各素子の上面に電気的に結合して、各光センサ素子に対して共通バイアスを印加するのを可能にする。

直接変換型検出器を使用する実施形態では、上記に説明したシンチレーション型検出器３５とは対照的に、光導電体（セレン、酸化鉛、ヨウ化鉛、ヨウ化水銀及びその他のような）が、シンチレータの代わりに使用される。同様に、そのような直接変換型検出器では、単純蓄積コンデンサが光電性ダイオードの代わりに使用される。データ及びスキャンライン、ビア及びブリッジ並びにＴＦＴ４２の使用を含むそのような直接変換型検出器の他の態様は、上記に説明したシンチレーション型検出器３５と同様であるか又は類似しており、従って本明細書で説明する本発明技術により同様に利点を得ることができる。

本発明によると、また以下により詳細に説明するように、ＴＦＴは、互いに対称でないソース電極とドレーン電極とを含む。一部の実施形態では、ドレーン電極は、ソース電極よりも小さい。この非対称性により、特にソース対ゲートの静電容量と比較してドレーン対ゲートの静電容量を、これらの静電容量がそれぞれドレーン及びソース電極の各々とのゲート電極の重なりの関数となる程度まで減少させることが可能となる。当業者には明らかなように、ドレーン対ゲートの静電容量を減少させることは通常、ＴＦＴに関連するノイズを低減し、それによって信号対ノイズ比（ＳＮＲ）を増大させる。

例えば、１つの実施形態では、ＴＦＴ４２は、ソース電極が部分的に又は完全にドレーン電極を包囲した構造である。簡単にするために、本明細書では、そのような構造を環状ＴＦＴ６０と呼ぶことにするが、当業者には明らかなように、環状ソース電極６２は、円形とは対照的に、楕円形、矩形、方形等のような何らかの包囲形状とすることができる。同様に、包囲されたドレーン電極６４は、円形ではない他の形状とすることができる。しかしながら、簡単にするために、本明細書で説明しかつ図３及び図４に示す環状ＴＦＴ６０は、円形である。

次に図３を参照すると、環状ソース電極６２を含む環状ＴＦＴ６０を示す。ディスク形状のドレーン電極６４は、環状ソース電極６２の内側に配置された状態で示している。環状ソース電極６２及びドレーン電極６４の両方は、シリコンのような半導体材料の層６６の上側に配置される。

環状ＴＦＴ６０は、図４においてディスク形状のドレーン電極６４に対して示しているような導電性ビア５８によって垂直方向にオフセットしたデータライン（図示せず）に結合される。一般的に、ビア５８は、光センサ素子３８のアレイ及びＴＦＴ４８の上側に配置されたＴＦＴ不活性化誘電体層６８及び誘電体層５６（図２を参照）を貫通して、ディスク形状ドレーン電極６４上の通電パッド（ｌａｎｄｉｎｇ ｐａｄ）をデータラインに接触させる。ＴＦＴ不活性化誘電体層６８は一般的に、層６６の半導体表面を不活性化しかつソース及びドレーン電極６２及び６４を後続の蒸着から隔離するためにＴＦＴを覆って蒸着される。

図３の図示した実施形態では、ゲート電極７０が、半導体層６６の下側に配置される。１つの実施形態では、ゲート電極７０は、ドレーン対ゲートの重なり７１（図４）を最小にし、従ってドレーン対ゲートの静電容量を減少させるように環状である。１つの実施形態では、ドレーン対ゲートの重なり７１は、最大約４ミクロンである。別の実施形態では、ドレーン対ゲートの重なりは、実質的に存在しない。図示した実施形態では、誘電体層７２は、ゲート電極７０と半導体層６６との間に配置される。ゲート電極７０は、ブリッジ７４を介してスキャンライン５０に結合されて、ＴＦＴの正常の作動を可能にする。

さらに、図４の図示した実施形態では、環状ソース電極６２及びドレーン電極６４は、活性チャネル７６によって分離される。活性チャネル７６の底面は一般的に、半導体層６６の露出した半導体材料を含む。活性チャネル７６は一般的に、半導体層６６を部分的にエッチングすることによって形成される。図示した実施形態では、ソース及びドレーン電極６２及び６４に平行な活性チャネル７６が横切った全体距離は、活性チャネル７６の幅を表わす。１つの実施形態では、活性チャネル７６の幅は、約１５ミクロン〜約１５０ミクロンの範囲内にある。図示した実施形態では、活性チャネルは、ほぼ一定の長さ７７を有し、ここで長さ７７は、ソース及びドレーン電極６２及び６４間の垂直距離である。１つの実施形態では、長さ７７は、１ミクロン〜５ミクロンの何らかの単一値とすることができるが、他の実施形態では、長さ７７は、他の値とすることができる。また、環状ＴＦＴ６０内の環状ソース電極６２及びドレーン電極６４の幾何学形状により、活性チャネルは、如何なる入口又は出口も含まない。その結果、層６６の全ての露出した半導体材料は、活性チャネル７６の一部となる。加えて、図示した実施形態では、電荷保持が殆どなく、またドレーン対ゲートの静電容量も殆どなく、そのことが次に、チャネルの抵抗に関連するノイズを最小にする。さらに、図示した実施形態のドレーン対ゲートの重なり７１は、ゲート電極７０と、環状ソース電極６２及びドレーン電極６４との間の不整列に対する許容性を高める。

別の実施形態では、ＴＦＴ４２は、ソース電極及びドレーン電極が異なる寸法になった構造である。そのような実施形態では、ソース及びドレーン電極はまた、交互配置にすることができる。簡単にするために、本明細書では、そのような構造を蛇行形ＴＦＴ７８と呼ぶことにする。例えば、次に図５及び図６を参照すると、図５は、本発明技術の１つの態様による、検出器２２において使用する蛇行形ＴＦＴ７８の斜視図を示す。図６は、図５に示す参照符号１００によって表わした方向から見た蛇行形ＴＦＴ７８の側面図を示す。図６の図示した実施形態では、ＴＦＴ不活性化誘電体層９０は、蛇行形ＴＦＴ７８の上側に配置される。１つの実施形態では、蛇行形ＴＦＴ７８は、シリコンのような半導体材料の半導体層８２上に配置された蛇行形ソース電極８０を含む。一部の実施形態では、蛇行形ソース電極８０は、Ｕ字形ソース電極を含む。図示した実施形態では、蛇行形ＴＦＴ７８はさらに、半導体層８２の上側に配置され、ソース電極８０とほぼ合致しかつ該ソース電極８０と交互配置されるような形状になったドレーン電極８４を含む。図示した実施形態では、ドレーン電極８４は、ほぼＴ字形であり、Ｔ字形の基部８６がソース電極８０と交互配置されるようになっている。ドレーン電極８４のこの設計は、蛇行形薄膜トランジスタ７８の面積に比べて減少した表面積、すなわち狭いドレーン電極を形成し、ゲート電極９２上を通る狭いドレーン電極に関連するプロセス関連欠陥を回避する。そのような実施形態では、ドレーン対ゲートの静電容量は、同様な寸法のソース及びドレーンを有するＴＦＴと比較すると、ソース対ゲートの静電容量に比べて相対的に減少する。その結果、作動中に蛇行形ＴＦＴ７８は、同様な寸法の、すなわち対称なソース及びドレーンを有するＴＦＴに比べてノイズを殆ど発生しない。１つの実施形態では、ドレーン基部８６の長さは、約１ミクロン〜約３ミクロンの範囲内にある。図示した実施形態では、ドレーン電極８４は、ブリッジ及びビア（図示せず）によるような手段によってデータライン４８に電気的に結合される。さらに、誘電体層９４は一般的に、ゲート電極９２と半導体層８２との間に配置される。ゲート電極９２は、スキャンライン５０及びゲート電極９２がどのようにオフセットしているかに応じて、ブリッジ９６（図５に示すような）又はビアによってスキャンライン５０に電気的に結合される。

加えて、当業者には明らかなように、ソース電極８０及びドレーン電極８４は、一般的には半導体層８２の一部分をエッチングすることによって形成された活性チャネル９８によって分離される。当業者には明らかなように、活性チャネル９８は、ソース及びドレーン電極８０及び８４と平行な方向に活性チャネル９８が横切る距離である幅を有する。１つの実施形態では、活性チャネル９８の幅は、約１５ミクロン〜約１５０ミクロンの範囲内にある。図６の図示した実施形態では、活性チャネル９８は、ソース及びドレーン電極８０及び８４間の垂直距離であるほぼ一定の長さを有する。図示するように、活性チャネル９８は、参照符号１０２及び１０４で表わした長さを有する。この実施形態では、活性チャネル９８は、１ミクロン〜５ミクロンの何らかの単一値である。上述のように、活性チャネルのほぼ一定の長さにより、活性チャネル９８の一部である半導体層８２の露出した半導体材料が得られる。

本明細書では本発明の一部の特徴のみを図示しかつ説明してきたが、当業者には多くの改良及び変更が思い浮かぶであろう。従って、特許請求の範囲は、全てのそのような改良及び変更を本発明の技術思想内に属するものとして保護しようとするものであることを理解されたい。また、図面の符号に対応する特許請求の範囲中の符号は、単に本願発明の理解をより容易にするために用いられているものであり、本願発明の範囲を狭める意図で用いられたものではない。そして、本願の特許請求の範囲に記載した事項は、明細書に組み込まれ、明細書の記載事項の一部となる。

本発明の１つの態様による例示的なＸ線イメージングシステムの概略図。 本発明の１つの態様による検出器の破断斜視図。 本発明の１つの態様による環状薄膜トランジスタの破断斜視図。 本発明の１つの態様による環状薄膜トランジスタの側面図。 本発明の別の態様による蛇行形薄膜トランジスタの破断斜視図。 本発明の別の態様による蛇行形薄膜トランジスタの側面図。

符号の説明

１０ Ｘ線イメージングシステム
１２ Ｘ線源
２２ 検出器
２６ 検出収集回路
２８ システム制御装置
３０ 画像処理回路
３８ 光センサ素子
４２ 薄膜トランジスタ
４４ シンチレータ
４８ データライン
５０ スキャンライン
５４ 導電層
５６ 誘電体層
５８ ビア
６０、７８ 薄膜トランジスタ
６２、８０ ソース電極
６４、８４ ドレーン電極
６６、８２ 半導体層
７６、９８ 活性チャネル

Claims (10)

1. Ｘ線を放射するように構成されたＸ線源（１２）と、
   入射Ｘ線に応じて電気信号を生成するように構成されかつ検出素子のアレイを含み、各検出素子がスイッチとして使用するように構成された薄膜トランジスタを含み、前記薄膜トランジスタのドレーン電極及びソース電極が互いに対称でない、検出器（２２）と、
   前記電気信号を収集するように構成された検出収集回路（２６）と、
   前記Ｘ線源（１２）又は検出収集回路（２６）の少なくとも１つを制御するように構成されたシステム制御装置（２８）と、
   前記電気信号を処理して画像を生成するように構成された画像処理回路（３０）と、
   を含む、Ｘ線イメージングシステム（１０）。
2. 各検出素子が、
   Ｘ線に応じてフォトンを放射するように構成されたシンチレータ（４４）と、
   前記フォトンに応じて電気信号を生成するように構成された光センサ素子（３８）と、を含む、
   請求項１記載のＸ線イメージングシステム（１０）。
3. 前記検出器（２２）が、
   Ｘ線に応じて電子を生成するように構成された光導電体素子と、
   前記光導電体によって生成された電子に応じて電気信号を生成するように構成された蓄積コンデンサと、を含む、
   請求項１記載のＸ線イメージングシステム（１０）。
4. 前記ドレーン電極が前記ソース電極よりも小さい、請求項１記載のＸ線イメージングシステム（１０）。
5. 前記Ｘ線源（１２）が低エネルギーＸ線源を含む、請求項１記載のＸ線イメージングシステム（１０）。
6. 半導体材料の層（６６）と、
   前記半導体材料の層（６６）の上側に配置された環状ソース電極（６２）と、
   前記半導体材料の層（６６）の上側でかつ前記環状ソース電極（６２）の内側に配置されたドレーン電極（６４）と、
   前記ドレーン電極（６４）と環状ソース電極（６２）との間に配置された活性チャネル（７６）と、を含み、
   前記活性チャネル（７６）の表面が、露出した半導体材料を含む、
   環状薄膜トランジスタ（６０）。
7. 前記活性チャネル（７６）が、ほぼ一定の長さを有する、請求項６記載の環状薄膜トランジスタ（６０）。
8. 前記ドレーン電極（６４）が円形である、請求項６記載の環状薄膜トランジスタ（６０）。
9. 前記活性チャネル（７６）が、該活性チャネル（７６）の一部ではない露出した半導体材料が実質的に存在しない状態になっている、請求項６記載の環状薄膜トランジスタ（６０）。
10. 半導体材料の層（８２）と、
    前記半導体材料の層（８２）の上側に配置された蛇行形ソース電極（８０）と、
    前記半導体材料の層（８２）の上側に配置されかつ前記蛇行形ソース電極（８０）によって形成された凹所の実質的に内部に配置され、前記凹所に実質的に合致するように構成されたドレーン電極（８４）と、
    前記ドレーン電極（８４）と蛇行形ソース電極（８０）との間に配置された活性チャネル（９８）と、を含み、
    前記活性チャネル（９８）が、ほぼ一定の長さを有し、前記活性チャネル（９８）の表面が、露出した半導体材料を含む、
    蛇行形薄膜トランジスタ（７８）。

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