JP2006194505A - Solvent removing device, and solvent removing method - Google Patents

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Shintaro Asuke
慎太郎 足助
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solvent removing device and a solvent removing method capable of preventing (or suppressing) drying marks when removing a solvent from a coat of a liquid material provided on a workpiece. <P>SOLUTION: The solvent removing device 1 is provided with a workpiece supporting means for supporting the workpiece provided with the coat 31 of the liquid material, a heating means for heating the workpiece, a gas jetting means having a storage chamber 66 temporarily storing gas and a plurality of nozzles communicated with the storage chamber 66, and a gas supplying means 7 for supplying the gas to the storage chamber 66. It is characterized by that it is composed such that the workpiece is heated by the heating means, the gas is jetted from the plurality of nozzles, and the gas is sprayed on the coat 31 to remove the solvent from the coat 31. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、溶媒除去装置および溶媒除去方法に関するものである。   The present invention relates to a solvent removal apparatus and a solvent removal method.

液状材料の被膜が設けられたワークを加熱し、その被膜から溶媒を除去する溶媒除去装置が知られている。
従来の溶媒除去装置は、加熱室内に設置されたワークを加熱する加熱手段と、ワークの上流側の1箇所から加熱室内にガス(処理ガス)を導入し、ワークの下流側の1箇所から加熱室の外部にガスを排気する機構とを有している(例えば、特許文献1参照)。この溶媒除去装置では、ワークを加熱しつつ、ワークの上流側の1箇所から加熱室内にガスを導入し、ワークの下流側の1箇所から加熱室の外部にガスを排気して、被膜から溶媒を除去する(被膜を乾燥させる)。
しかしながら、このような従来の溶媒除去装置では、被膜を均一に乾燥させることができず、例えば、ワークに形成された乾燥後の膜の面内にガスの流れに沿った乾燥ムラ(処理ムラ)が生じてしまう。
2. Description of the Related Art A solvent removal apparatus that heats a workpiece provided with a liquid material coating and removes the solvent from the coating is known.
The conventional solvent removal apparatus introduces gas (processing gas) into the heating chamber from one place on the upstream side of the work, heating means for heating the work installed in the heating chamber, and heats it from one place on the downstream side of the work And a mechanism for exhausting gas to the outside of the chamber (see, for example, Patent Document 1). In this solvent removal apparatus, while heating the workpiece, gas is introduced into the heating chamber from one location on the upstream side of the workpiece, gas is exhausted to the outside of the heating chamber from one location on the downstream side of the workpiece, and the solvent is removed from the coating. (Dry the coating).
However, in such a conventional solvent removal apparatus, the coating film cannot be uniformly dried. For example, drying unevenness (processing unevenness) along the flow of gas in the surface of the dried film formed on the workpiece. Will occur.

特開2000−55561号公報JP 2000-55561 A

本発明の目的は、ワークに設けられた液状材料の被膜から溶媒を除去する際、乾燥ムラを防止(または抑制)することができる溶媒除去装置および溶媒除去方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a solvent removal apparatus and a solvent removal method capable of preventing (or suppressing) drying unevenness when removing a solvent from a film of a liquid material provided on a workpiece.

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の溶媒除去装置は、液状材料の被膜が設けられたワークを支持するワーク支持手段と、
前記ワークを加熱する加熱手段と、
ガスを一時的に貯留する貯留室と、前記貯留室に連通する複数のノズルとを有するガス噴出手段と、
前記貯留室にガスを供給するガス供給手段とを備え、
前記加熱手段により前記ワークを加熱しつつ、前記複数のノズルからガスを噴出し、前記被膜に対してガスを吹き付け、前記被膜から溶媒を除去するよう構成されていることを特徴とする。
Such an object is achieved by the present invention described below.
The solvent removal apparatus of the present invention includes a work support means for supporting a work provided with a coating of a liquid material,
Heating means for heating the workpiece;
A gas ejection means having a storage chamber for temporarily storing gas, and a plurality of nozzles communicating with the storage chamber;
Gas supply means for supplying gas to the storage chamber;
While heating the workpiece by the heating means, gas is ejected from the plurality of nozzles, gas is blown onto the coating film, and the solvent is removed from the coating film.

これにより、ワークに設けられた液状材料の被膜に対してガス(処理ガス)を均一に吹き付けることができ、被膜の乾燥速度をその面内において均一にすることができ(乾燥速度の面内分布を向上させることができ)、これによって、乾燥ムラを防止(または抑制)することができる。
また、ガスの流量の大小にかかわらず、被膜に対してガスを均一に吹き付けることができ、特に、ガスの流量を大きくすることにより、乾燥ムラを防止しつつ、乾燥速度を大幅に向上させることができる。
また、ノズルの径、数、配置、間隔(ピッチ)等の諸条件を適宜調整(変更)することにより、ワークの形状、ワークの寸法、被膜を形成する液状材料を構成する材料(膜材料、溶媒等)の種類、被膜のパターン、被膜の厚さ等が変更された場合でも、容易に対応することができ、乾燥ムラを防止し、良好な膜(乾燥した膜)を形成することができる。
As a result, the gas (processing gas) can be sprayed uniformly on the coating of the liquid material provided on the workpiece, and the drying rate of the coating can be made uniform in the plane (in-plane distribution of the drying rate). Thus, drying unevenness can be prevented (or suppressed).
In addition, regardless of the gas flow rate, the gas can be sprayed uniformly against the coating, and in particular, by increasing the gas flow rate, the drying speed can be greatly improved while preventing uneven drying. Can do.
In addition, by appropriately adjusting (changing) various conditions such as nozzle diameter, number, arrangement, and interval (pitch), the shape of the workpiece, the dimensions of the workpiece, and the material constituting the liquid material forming the coating (film material, Even when the type of the solvent, etc., the pattern of the coating, the thickness of the coating, etc. are changed, it can be easily handled, drying unevenness can be prevented, and a good film (dried film) can be formed. .

本発明の溶媒除去装置では、前記ガス噴出手段は、前記ノズルから噴出したガスが前記被膜に対して略垂直な方向から該被膜に吹き付けられるよう構成されていることが好ましい。
これにより、乾燥ムラをより確実に防止することができる。
本発明の溶媒除去装置では、前記ノズルは、規則的に配置されていることが好ましい。
これにより、乾燥ムラをより確実に防止することができる。
In the solvent removal apparatus of the present invention, it is preferable that the gas ejection means is configured so that the gas ejected from the nozzle is sprayed onto the coating from a direction substantially perpendicular to the coating.
Thereby, drying unevenness can be prevented more reliably.
In the solvent removal apparatus of this invention, it is preferable that the said nozzle is arrange | positioned regularly.
Thereby, drying unevenness can be prevented more reliably.

本発明の溶媒除去装置では、前記ノズルは、2次元方向に略均一に配置されていることが好ましい。
これにより、乾燥ムラをより確実に防止することができる。
本発明の溶媒除去装置では、前記加熱手段は、赤外線ランプであることが好ましい。
例えば、ホットプレートなどによる伝熱加熱では、ワークの表面(裏面)と点接触となり、熱ムラが生じ易く、また、熱風加熱などでは、熱分布が改善されるが、表面からの伝熱になるため、被膜の厚さ方向に不均一性が生じるが、加熱手段として赤外線ランプを用いることにより、赤外線は被膜を透過して内部から加熱するので、均一加熱が可能となる。
In the solvent removal apparatus of the present invention, it is preferable that the nozzles are arranged substantially uniformly in a two-dimensional direction.
Thereby, drying unevenness can be prevented more reliably.
In the solvent removal apparatus of the present invention, the heating means is preferably an infrared lamp.
For example, heat transfer heating with a hot plate or the like makes point contact with the surface (back surface) of the workpiece, and heat unevenness is likely to occur. In addition, heat distribution improves heat distribution but heat transfer from the surface. Therefore, non-uniformity occurs in the thickness direction of the coating, but by using an infrared lamp as a heating means, infrared rays pass through the coating and are heated from the inside, so that uniform heating is possible.

本発明の溶媒除去装置では、前記加熱手段は、前記ガス噴出手段を介して、前記ワークと反対側に設けられており、
前記ガス噴出手段の少なくとも一部は、赤外線透過性を有することが好ましい。
これにより、赤外線ランプによって、被膜に赤外線を照射し、その被膜を加熱することができ、また、ガス噴出手段の少なくとも一部が赤外線透過性を有するので、ワークを効率良く加熱することができる。
In the solvent removal apparatus of the present invention, the heating means is provided on the opposite side of the workpiece via the gas ejection means,
It is preferable that at least a part of the gas ejection means has infrared transparency.
Accordingly, the infrared lamp can irradiate the film with infrared rays to heat the film, and since at least a part of the gas jetting means has infrared transparency, the workpiece can be efficiently heated.

本発明の溶媒除去装置では、前記ガス噴出手段は、石英で構成されていることが好ましい。
これにより、ワークをさらに効率良く加熱することができる。
本発明の溶媒除去装置では、前記加熱手段は、前記ガス噴出手段を介して、前記ワークと反対側に設けられており、
前記ガス噴出手段は、前記赤外線ランプから発せられる赤外線の波長を変換する機能を有することが好ましい。
これにより、赤外線ランプから発せられた赤外線をその波長を変換して被膜に照射し、その被膜を加熱することができる。
また、ガス噴出手段が赤外線ランプから発せられる赤外線の波長を変換する機能を有するので、別途、赤外線の波長を変換する手段を設ける必要がなく、これにより、部品点数を削減することができ、また、装置全体の構造を簡素化することができる。
In the solvent removal apparatus of the present invention, it is preferable that the gas ejection means is made of quartz.
Thereby, a workpiece | work can be heated more efficiently.
In the solvent removal apparatus of the present invention, the heating means is provided on the opposite side of the workpiece via the gas ejection means,
It is preferable that the gas ejection means has a function of converting the wavelength of infrared rays emitted from the infrared lamp.
Thereby, the infrared rays emitted from the infrared lamp are converted in wavelength and irradiated on the coating, whereby the coating can be heated.
In addition, since the gas ejection means has a function of converting the wavelength of infrared rays emitted from the infrared lamp, it is not necessary to provide a means for converting the wavelength of infrared rays separately, thereby reducing the number of parts. Therefore, the structure of the entire apparatus can be simplified.

本発明の溶媒除去装置では、前記ガス噴出手段は、複数の開口が形成されたガス噴出板を有し、前記複数の開口により、前記複数のノズルが構成されていることが好ましい。
これにより、ガス噴出手段の構造を簡素化することができるとともに、ガス噴出手段を小型化することができる。
本発明の溶媒除去装置では、前記ガス噴出手段は、前記ワークに対面する外壁として前記ガス噴出板を有する筐体で構成されていることが好ましい。
これにより、ガス噴出手段の構造を簡素化することができるとともに、ガス噴出手段を小型化することができる。
In the solvent removal apparatus of the present invention, it is preferable that the gas ejection means has a gas ejection plate in which a plurality of openings are formed, and the plurality of nozzles are configured by the plurality of openings.
Thereby, while being able to simplify the structure of a gas ejection means, a gas ejection means can be reduced in size.
In the solvent removal apparatus of the present invention, it is preferable that the gas jetting means is constituted by a housing having the gas jetting plate as an outer wall facing the workpiece.
Thereby, while being able to simplify the structure of a gas ejection means, a gas ejection means can be reduced in size.

本発明の溶媒除去装置では、前記筐体内に、さらに、前記ガス噴出板を有し、そのガス噴出板と、前記外壁を構成するガス噴出板とが、厚さ方向に互いに離間して配置されていることが好ましい。
これにより、被膜に対してガスをより均一に吹き付けることができる。
本発明の溶媒除去装置では、平面視における面積比での前記開口の占める割合は、前記筐体内のガス噴出板と、前記外壁を構成するガス噴出板とで、互いに異なることが好ましい。
これにより、被膜に対してガスをより均一に吹き付けることができる。
In the solvent removal apparatus of the present invention, the casing further includes the gas ejection plate, and the gas ejection plate and the gas ejection plate constituting the outer wall are arranged apart from each other in the thickness direction. It is preferable.
Thereby, gas can be sprayed more uniformly with respect to a film.
In the solvent removal apparatus of the present invention, it is preferable that the ratio of the opening in the area ratio in a plan view is different between the gas ejection plate in the casing and the gas ejection plate constituting the outer wall.
Thereby, gas can be sprayed more uniformly with respect to a film.

本発明の溶媒除去装置では、前記開口の占める割合は、前記外壁を構成するガス噴出板より前記筐体内のガス噴出板の方が大きいことが好ましい。
これにより、ガス均一性が向上し、特にガスの流量が比較的少ないとき、その効果が大きい。
本発明の溶媒除去装置では、前記開口の占める割合は、前記筐体内のガス噴出板より前記外壁を構成するガス噴出板の方が大きいことが好ましい。
これにより、ガス均一性が向上し、特にガスの流量が比較的多いとき、その効果が大きい。
In the solvent removal apparatus of the present invention, it is preferable that the ratio of the opening is larger in the gas ejection plate in the housing than in the gas ejection plate constituting the outer wall.
Thereby, the gas uniformity is improved, and the effect is great particularly when the gas flow rate is relatively small.
In the solvent removal apparatus of the present invention, it is preferable that the ratio of the opening is larger in the gas ejection plate constituting the outer wall than in the gas ejection plate in the housing.
Thereby, the gas uniformity is improved, and the effect is great particularly when the gas flow rate is relatively large.

本発明の溶媒除去装置では、前記ガス噴出手段の外観形状は、偏平形状をなしていることが好ましい。
これにより、ガス噴出手段を小型化(薄型化)することができる。
本発明の溶媒除去装置では、前記ガス噴出手段は、管体を屈曲、湾曲または分岐させて形成され、該管体の管壁を貫通する複数の開口が設けられたフレームを有し、前記複数の開口により、前記複数のノズルが構成されていることが好ましい。
これにより、ガス噴出手段の構造を簡素化することができるとともに、ガス噴出手段を小型化することができる。
また、ガス噴出手段がフレームで構成されているので、ガス噴出手段の構成材料の特性を考慮せずに、加熱手段を、ガス噴出手段を介してワークと反対側に設けることができる。
In the solvent removal apparatus of the present invention, it is preferable that the appearance shape of the gas ejection means is a flat shape.
Thereby, the gas ejection means can be reduced in size (thinned).
In the solvent removal apparatus of the present invention, the gas ejection means has a frame formed by bending, bending or branching a tubular body, and having a plurality of openings penetrating through the tube wall of the tubular body. It is preferable that the plurality of nozzles are configured by the openings.
Thereby, while being able to simplify the structure of a gas ejection means, a gas ejection means can be reduced in size.
Further, since the gas ejection means is constituted by a frame, the heating means can be provided on the opposite side of the workpiece via the gas ejection means without considering the characteristics of the constituent material of the gas ejection means.

本発明の溶媒除去装置では、前記加熱手段は、赤外線ランプであり、前記ガス噴出手段を介して、前記ワークと反対側に設けられており、
前記フレームで囲まれた領域に、前記赤外線ランプから発せられる赤外線の波長を変換する波長変換手段が設けられていることが好ましい。
これにより、赤外線ランプから発せられた赤外線をその波長を変換して被膜に照射し、その被膜を加熱することができる。
また、ガス噴出手段により波長変換手段が支持されるので、別途、波長変換手段を支持する手段を設ける必要がなく、これにより、部品点数を削減することができ、また、装置全体の構造を簡素化することができる。
In the solvent removal apparatus of the present invention, the heating means is an infrared lamp, and is provided on the opposite side to the workpiece via the gas ejection means,
It is preferable that wavelength conversion means for converting the wavelength of infrared rays emitted from the infrared lamp is provided in a region surrounded by the frame.
Thereby, the infrared rays emitted from the infrared lamp are converted in wavelength and irradiated on the coating, whereby the coating can be heated.
Further, since the wavelength conversion means is supported by the gas ejection means, there is no need to provide a separate means for supporting the wavelength conversion means, thereby reducing the number of parts and simplifying the overall structure of the apparatus. Can be

本発明の溶媒除去装置では、前記加熱手段は、赤外線ランプであり、前記ガス噴出手段を介して、前記ワークと反対側に設けられており、
前記フレームで囲まれた領域は、赤外線透過性を有することが好ましい。
これにより、赤外線ランプによって、被膜に赤外線を照射し、その被膜を加熱することができ、また、フレームで囲まれた領域が赤外線透過性を有するので、ワークを効率良く加熱することができる。
In the solvent removal apparatus of the present invention, the heating means is an infrared lamp, and is provided on the opposite side to the workpiece via the gas ejection means,
The area surrounded by the frame preferably has infrared transparency.
Accordingly, the infrared lamp can irradiate the coating film with infrared rays to heat the coating film, and the region surrounded by the frame has infrared transparency, so that the workpiece can be efficiently heated.

本発明の溶媒除去装置では、前記赤外線の波長の変換により、近赤外線領域の波長を遠赤外線領域の波長に変換することが好ましい。
これにより、近赤外線領域の波長を遠赤外線領域の波長に変換し、その遠赤外線を被膜に照射し、その被膜を加熱することができる。
本発明の溶媒除去装置では、前記ワーク支持部、前記加熱手段および前記ガス噴出手段は、前記ワークに吹き付けられたガスを排気する排気口を有するチャンバ内に設けられていることが好ましい。
これにより、ワークに設けられた液状材料の被膜から溶媒を除去する際、ガスの流れ(特に、ワークに吹き付けられた後のガスの流れ)や、雰囲気の条件(例えば、温度等)を容易かつ確実に管理することができる。
この場合、複数の排気口を設けるのが好ましく、これにより、ワークに吹き付けられたガスをバランス良く流して排気することができ、これによって、乾燥ムラをより確実に防止することができる。
In the solvent removal apparatus of this invention, it is preferable to convert the wavelength of a near-infrared area | region into the wavelength of a far-infrared area | region by conversion of the wavelength of the said infrared rays.
Thereby, the wavelength of a near-infrared area | region can be converted into the wavelength of a far-infrared area | region, the far infrared rays can be irradiated to a film, and the film can be heated.
In the solvent removal apparatus of the present invention, it is preferable that the workpiece support, the heating unit, and the gas jetting unit are provided in a chamber having an exhaust port for exhausting the gas blown to the workpiece.
Thereby, when removing the solvent from the coating of the liquid material provided on the workpiece, the gas flow (especially, the gas flow after being sprayed on the workpiece) and the atmospheric conditions (for example, temperature, etc.) can be easily and It can be managed reliably.
In this case, it is preferable to provide a plurality of exhaust ports, so that the gas blown to the workpiece can be exhausted in a well-balanced manner, thereby preventing uneven drying more reliably.

本発明の溶媒除去方法は、液状材料の被膜が設けられたワークを処理位置に設置する工程と、
前記ワークを加熱しつつ、ガスを一時的に貯留する貯留室に連通する複数のノズルからガスを噴出し、前記被膜に対してガスを吹き付け、前記被膜から溶媒を除去する工程とを有することを特徴とする。
The solvent removal method of the present invention includes a step of setting a work provided with a coating of a liquid material at a processing position;
A step of ejecting gas from a plurality of nozzles communicating with a storage chamber for temporarily storing gas while heating the workpiece, spraying gas onto the coating, and removing the solvent from the coating. Features.

これにより、ワークに設けられた液状材料の被膜に対してガス(処理ガス)を均一に吹き付けることができ、被膜の乾燥速度をその面内において均一にすることができ(乾燥速度の面内分布を向上させることができ)、これによって、乾燥ムラを防止(または抑制)することができる。
また、ガスの流量の大小にかかわらず、被膜に対してガスを均一に吹き付けることができ、特に、ガスの流量を大きくすることにより、乾燥ムラを防止しつつ、乾燥速度を大幅に向上させることができる。
また、ノズルの径、数、配置、間隔(ピッチ)等の諸条件を適宜調整(変更)することにより、ワークの形状、ワークの寸法、被膜を形成する液状材料を構成する材料(膜材料、溶媒等)の種類、被膜のパターン、被膜の厚さ等が変更された場合でも、容易に対応することができ、乾燥ムラを防止し、良好な膜(乾燥した膜)を形成することができる。
As a result, the gas (processing gas) can be sprayed uniformly on the coating of the liquid material provided on the workpiece, and the drying rate of the coating can be made uniform in the plane (in-plane distribution of the drying rate). Thus, drying unevenness can be prevented (or suppressed).
In addition, regardless of the gas flow rate, the gas can be sprayed uniformly against the coating, and in particular, by increasing the gas flow rate, the drying speed can be greatly improved while preventing uneven drying. Can do.
In addition, by appropriately adjusting (changing) various conditions such as nozzle diameter, number, arrangement, and interval (pitch), the shape of the workpiece, the dimensions of the workpiece, and the material constituting the liquid material forming the coating (film material, Even when the type of the solvent, etc., the pattern of the coating, the thickness of the coating, etc. are changed, it can be easily handled, drying unevenness can be prevented, and a good film (dried film) can be formed. .

以下、本発明の溶媒除去装置および溶媒除去方法を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
図1は、本発明の溶媒除去装置の第1実施形態を示す断面図およびブロック図、図2は、図1に示す溶媒除去装置のガス噴出部の平面図、図3は、図1に示す溶媒除去装置のガス噴出部の斜視図、図4は、図1に示す溶媒除去装置の基板支持具の斜視図である。
なお、説明の都合上、図1において、図中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
Hereinafter, the solvent removal apparatus and the solvent removal method of the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional view and a block diagram showing a first embodiment of the solvent removal apparatus of the present invention, FIG. 2 is a plan view of a gas ejection portion of the solvent removal apparatus shown in FIG. 1, and FIG. 3 is shown in FIG. FIG. 4 is a perspective view of a substrate support of the solvent removal apparatus shown in FIG. 1.
For convenience of explanation, in FIG. 1, the upper side in the figure is described as “upper” and the lower side is described as “lower”.

これらの図に示すように、溶媒除去装置1は、ワークとしての基板3を支持する基板支持具(ワーク支持手段)4と、基板支持具4に支持された基板3を加熱する赤外線(IR)ランプ(加熱手段)5と、ガス(処理ガス)を噴出するガス噴出部(ガス噴出手段)6と、ガス噴出部6の貯留室(内腔)66にガスを供給(導入)するガス供給手段(ガス導入手段)7と、基板3(基板3の被膜31)に吹き付けられたガスを排気するガス排気手段8と、溶媒除去装置1の各部の駆動(作動)を制御する制御手段9とを備えている。基板支持具4、赤外線ランプ5およびガス噴出部6は、内部の雰囲気の条件(例えば、温度、湿度、圧力(気圧)等)が管理されるチャンバ2内に設けられている(収容されている)。以下、これらの各構成要素について順次説明する。   As shown in these drawings, the solvent removal apparatus 1 includes a substrate support (work support means) 4 that supports a substrate 3 as a work, and infrared rays (IR) that heat the substrate 3 supported by the substrate support 4. A gas supply means for supplying (introducing) a gas to a lamp (heating means) 5, a gas ejection portion (gas ejection means) 6 for ejecting gas (processing gas), and a storage chamber (inner cavity) 66 of the gas ejection portion 6. (Gas introduction means) 7, gas exhaust means 8 for exhausting the gas blown onto the substrate 3 (the coating 31 on the substrate 3), and control means 9 for controlling the drive (operation) of each part of the solvent removal apparatus 1. I have. The substrate support 4, the infrared lamp 5, and the gas ejection unit 6 are provided (accommodated) in a chamber 2 in which internal atmospheric conditions (for example, temperature, humidity, pressure (atmospheric pressure), etc.) are managed. ). Hereinafter, each of these components will be described sequentially.

この溶媒除去装置1は、液状材料(膜形成用材料)の被膜31が設けられた基板3を加熱しつつ、被膜31に対してガスを吹き付け、被膜31から溶媒を除去する(被膜31を乾燥させる)装置である。この場合、溶媒除去装置1により、被膜31から溶媒を除去するとともに、他の処理(例えば、酸化、還元等)を行なうこともできる。
溶媒除去装置1が対象とする基板3の素材は、特に限定されず、板状の部材であればいかなるものでもよく、例えば、ガラス基板、シリコン基板、樹脂基板、セラミックス基板、金属基板等を対象とすることができる。
The solvent removal apparatus 1 removes the solvent from the coating 31 by heating the substrate 3 provided with the coating 31 of a liquid material (film forming material) while blowing a gas to the coating 31 (drying the coating 31). Device). In this case, the solvent removal device 1 can remove the solvent from the coating 31 and perform other treatments (for example, oxidation, reduction, etc.).
The material of the substrate 3 targeted by the solvent removal apparatus 1 is not particularly limited, and any material may be used as long as it is a plate-like member, for example, a glass substrate, a silicon substrate, a resin substrate, a ceramic substrate, a metal substrate, or the like. It can be.

また、本発明で対象とするワークは、板状の部材に限定されない。
また、液状材料(膜形成用材料)には、膜材料および溶媒が含まれており、その溶媒としては、例えば、膜材料の種類等、諸条件に応じて適宜選択される。なお、溶媒は、例えば、従来公知の各種のもの等から1種または2種以上を混合して(組み合わせて)用いることができる。
Moreover, the workpiece | work made into object by this invention is not limited to a plate-shaped member.
The liquid material (film forming material) includes a film material and a solvent, and the solvent is appropriately selected according to various conditions such as the type of the film material. In addition, a solvent can be used by mixing (combining) 1 type (s) or 2 or more types from conventionally well-known various things etc., for example.

なお、液状材料の被膜31は、基板3の表面の略全体に設けてもよく、また、所定のパターンを形成するように設けてもよい。
また、用いるガス(処理ガス)としては、液状材料を構成する材料(膜材料、溶媒等)の種類等、諸条件や、目的等に応じて適宜設定される。
被膜31の乾燥のみが目的の場合は、例えば、窒素ガス、湿度の低い空気(ドライエアー)等を、単独または混合して用いることができる。
The liquid material coating 31 may be provided on substantially the entire surface of the substrate 3, or may be provided so as to form a predetermined pattern.
Further, the gas (processing gas) to be used is appropriately set according to various conditions such as the type of material (film material, solvent, etc.) constituting the liquid material, the purpose, and the like.
When only the drying of the coating film 31 is intended, for example, nitrogen gas, low-humidity air (dry air) or the like can be used alone or in combination.

また、被膜31の乾燥および酸化が目的の場合は、例えば、酸素ガス、酸素ガス濃度の高いガス等を用いることができる。
また、被膜31の乾燥および還元が目的の場合は、例えば、アンモニアガス、アンモニアガス濃度の高いガス等を用いることができる。
基板支持具4、ガス噴出部6および赤外線ランプ5は、それぞれ、チャンバ2内に設置(固定)されている。この場合、基板支持具4、ガス噴出部6および赤外線ランプ5は、チャンバ2内の下側から上側に向って、この順序で配置されている。すなわち、赤外線ランプ5は、ガス噴出部6を介して、基板支持具4(基板支持具4に支持された基板3)と反対側に配置されている。
Further, when the purpose is to dry and oxidize the coating 31, for example, oxygen gas, gas having high oxygen gas concentration, or the like can be used.
When the purpose is to dry and reduce the coating 31, for example, ammonia gas, a gas having a high ammonia gas concentration, or the like can be used.
The substrate support 4, the gas ejection part 6, and the infrared lamp 5 are each installed (fixed) in the chamber 2. In this case, the substrate support 4, the gas ejection part 6, and the infrared lamp 5 are arranged in this order from the lower side to the upper side in the chamber 2. That is, the infrared lamp 5 is disposed on the opposite side of the substrate support 4 (the substrate 3 supported by the substrate support 4) via the gas ejection part 6.

赤外線ランプ5としては、例えば、近赤外線を発する近赤外線ランプを用いるのが好ましい。
この赤外線ランプ5は、チャンバ2内の上方に、図示しない支持手段(固定手段)により、固定的に設置されている。
なお、本発明では、赤外線ランプ5として、近赤外線ランプ以外の赤外線ランプを用いてもよい。
As the infrared lamp 5, for example, a near-infrared lamp that emits near-infrared light is preferably used.
The infrared lamp 5 is fixedly installed above the chamber 2 by support means (fixing means) (not shown).
In the present invention, an infrared lamp other than the near infrared lamp may be used as the infrared lamp 5.

また、本発明では、加熱手段として、赤外線ランプ以外のものを用いてもよい。
基板支持具4は、基板3を着脱自在に支持する基板支持部41と、基板支持部41の下側に固着(固定)され、基板支持部41を支持する1対の脚部用フレーム42とで構成されている。
基板支持部41は、基板3の形状に対応する枠状(図示例では、四角形の枠状)をなしている。また、基板支持部41の内側には、段差部(係止部)411が形成されており、基板3を基板支持部41内に装填すると、基板3は、その縁部(端部)が段差部411に係止され、基板支持部41内に設置(保持)される。
Moreover, in this invention, you may use things other than an infrared lamp as a heating means.
The substrate support 4 includes a substrate support 41 that detachably supports the substrate 3, a pair of leg frames 42 that are fixed (fixed) to the lower side of the substrate support 41 and support the substrate support 41. It consists of
The substrate support portion 41 has a frame shape (in the illustrated example, a rectangular frame shape) corresponding to the shape of the substrate 3. Further, a step portion (locking portion) 411 is formed inside the substrate support portion 41, and when the substrate 3 is loaded into the substrate support portion 41, the edge portion (end portion) of the substrate 3 has a step difference. Locked to the portion 411 and installed (held) in the substrate support portion 41.

また、各脚部用フレーム42は、それぞれ、直線状をなす管体の両方の端部421を同一方向に略直角に屈曲させたものである。各脚部用フレーム42は、互いに平行に配置され、その各端部421が、それぞれ、脚部となって、チャンバ2内の下方に固定的に設置されている。
この基板支持具4は、熱伝導率が比較的高い材料で、その少なくとも一部が構成されるのが好ましく、その全体が構成されるのがより好ましい。熱伝導率が比較的高い材料としては、例えば、石英等が挙げられ、特に、石英を用いるのが好ましい。これにより、赤外線ランプ5によって基板3を加熱する際、基板3に対して加熱ムラが生じるのを抑制(または防止すること)ができる。
なお、本発明では、基板支持具4の構造は、前記のものに限定されないことは、言うまでもない。
Further, each leg frame 42 is formed by bending both end portions 421 of a linear tubular body substantially at right angles in the same direction. The leg frames 42 are arranged in parallel to each other, and the end portions 421 thereof are leg portions and are fixedly installed below the chamber 2.
The substrate support 4 is made of a material having a relatively high thermal conductivity, and at least a part thereof is preferably configured, and more preferably the whole is configured. Examples of the material having a relatively high thermal conductivity include quartz, and quartz is particularly preferable. Thereby, when the substrate 3 is heated by the infrared lamp 5, it is possible to suppress (or prevent) the occurrence of uneven heating on the substrate 3.
In the present invention, it goes without saying that the structure of the substrate support 4 is not limited to the above.

ガス噴出部6は、外観形状(全体形状)が偏平形状をなす筐体で構成されている。すなわち、ガス噴出部6は、基板支持具4に支持された基板3に対面(対向)する外壁として基板3側に設けられたガス噴出板61と、基板3と反対側に設けられた底板62と、4つの側板63とで構成されている。このガス噴出部6(筐体)の内腔(中空部)により、ガスを一時的に(極短時間)貯留する貯留室66が構成されている。
このガス噴出部6は、そのガス噴出板61と基板支持具4に支持された基板3とが略平行になるように、チャンバ2内の赤外線ランプ5と基板支持具4との間に、図示しない支持手段(固定手段)により、固定的に設置されている。また、平面視で、基板支持具4に支持された基板3は、このガス噴出部6により覆われる。
The gas ejection part 6 is comprised by the housing | casing whose external appearance shape (overall shape) makes flat shape. That is, the gas ejection part 6 includes a gas ejection plate 61 provided on the substrate 3 side as an outer wall facing (opposing) the substrate 3 supported by the substrate support 4, and a bottom plate 62 provided on the opposite side of the substrate 3. And four side plates 63. A storage chamber 66 that stores gas temporarily (for an extremely short time) is configured by the lumen (hollow portion) of the gas ejection portion 6 (housing).
This gas ejection part 6 is illustrated between the infrared lamp 5 in the chamber 2 and the substrate support 4 so that the gas ejection plate 61 and the substrate 3 supported by the substrate support 4 are substantially parallel to each other. It is fixedly installed by non-supporting means (fixing means). Further, the substrate 3 supported by the substrate support 4 in a plan view is covered with the gas ejection part 6.

また、ガス噴出板61には、複数(多数)の開口(ガスの噴出口)64が形成されている。これら各開口64により、それぞれ、前記貯留室66に連通するノズルが構成される。
このような構成により、各開口64から噴出したガスは、被膜31(基板3)に対して略垂直な方向からその被膜31の略全面に吹き付けられる。すなわち、ガスがシャワー状になって、被膜31の略全面に吹き付けられる。
The gas ejection plate 61 has a plurality of (many) openings (gas ejection ports) 64. Each of these openings 64 constitutes a nozzle that communicates with the storage chamber 66.
With such a configuration, the gas ejected from each opening 64 is sprayed on substantially the entire surface of the coating 31 from a direction substantially perpendicular to the coating 31 (substrate 3). That is, the gas becomes a shower and is sprayed on substantially the entire surface of the coating 31.

各開口64の形状、寸法(径)、数、配置、間隔(ピッチ)、平面視における面積比での開口64の占める割合(開口64全体が占める割合)等の諸条件は、特に限定されず、例えば、基板3の形状、寸法、被膜31を形成する液状材料を構成する材料(膜材料、溶媒等)の種類、被膜31のパターン、被膜31の厚さ等の諸条件(以下、単に「諸条件」と言う)や用途等に応じて適宜設定される。   Various conditions such as the shape, size (diameter), number, arrangement, interval (pitch) of each opening 64, and the ratio of the opening 64 in the area ratio in plan view (the ratio occupied by the entire opening 64) are not particularly limited. For example, various conditions such as the shape and dimensions of the substrate 3, the type of material (film material, solvent, etc.) constituting the liquid material forming the film 31, the pattern of the film 31, the thickness of the film 31 (hereinafter simply “ It is set as appropriate according to the "conditions") and application.

図示例では、各開口64は、すべて、円形状をなし、同一の径を有し、行列状(マトリックス状)に等間隔に(等ピッチで)配置されている。すなわち、開口64は、2次元方向に略均一に、かつ、規則的に配置されている。これにより、ガスを被膜31全体に均一に吹き付けることができ、被膜31の乾燥速度をその面内において均一にすることができ(乾燥速度の面内分布を向上させることができ)、これによって、乾燥ムラを防止(または抑制)することができる。   In the illustrated example, all the openings 64 have a circular shape, have the same diameter, and are arranged in a matrix (matrix shape) at equal intervals (equal pitch). That is, the openings 64 are arranged substantially uniformly and regularly in the two-dimensional direction. Thereby, the gas can be sprayed uniformly on the entire coating 31, the drying speed of the coating 31 can be made uniform in the plane (the in-plane distribution of the drying speed can be improved), and thereby Unevenness of drying can be prevented (or suppressed).

ここで、開口64の数は、諸条件や用途等に応じて適宜設定されるが、1m当り、100〜250000個程度であるのが好ましく、1000〜4000個程度であるのがより好ましい。
これにより、乾燥ムラをより確実に防止することができる。
また、開口64の径(直径)は、諸条件や用途等に応じて適宜設定されるが、20μm〜15mm程度であるのが好ましく、0.5〜5mm程度であるのがより好ましい。
これにより、乾燥ムラをより確実に防止することができる。
また、ガス噴出板61の平面視における面積比での開口64の占める割合は、諸条件や用途等に応じて適宜設定されるが、0.01〜20%程度であるのが好ましく、0.1〜5%程度であるのがより好ましい。
これにより、乾燥ムラをより確実に防止することができる。
Here, the number of openings 64 is appropriately set according to various conditions and applications, but is preferably about 100 to 250,000, more preferably about 1000 to 4000 per 1 m 2 .
Thereby, drying unevenness can be prevented more reliably.
Further, the diameter (diameter) of the opening 64 is appropriately set according to various conditions and applications, but is preferably about 20 μm to 15 mm, and more preferably about 0.5 to 5 mm.
Thereby, drying unevenness can be prevented more reliably.
The ratio of the opening 64 in the area ratio in plan view of the gas ejection plate 61 is appropriately set according to various conditions and applications, but is preferably about 0.01 to 20%. More preferably, it is about 1 to 5%.
Thereby, drying unevenness can be prevented more reliably.

ガス噴出板61の他の構成例としては、例えば、ガス噴出板61の中心部から放射状に縁部(外側)に向かって、開口64の径を漸増させる。これにより、被膜31(基板3)に吹き付けられるガスの流量は、基板3の中心部から放射状に縁部(外側)に向かって漸増する。この構成は、被膜31が、基板3の中心部より縁部側の方が乾燥し難い場合に有効である。   As another configuration example of the gas ejection plate 61, for example, the diameter of the opening 64 is gradually increased from the center of the gas ejection plate 61 toward the edge (outside) in a radial manner. As a result, the flow rate of the gas sprayed onto the coating 31 (substrate 3) gradually increases from the center of the substrate 3 toward the edge (outside) in a radial manner. This configuration is effective when the coating 31 is harder to dry on the edge side than the center of the substrate 3.

また、ガス噴出部6の図3中右側の側板63には、開口(ガスの導入口)65が形成されている。
なお、本発明では、開口65は、例えば、単一の側板63に複数設けられていてもよく、また、複数の側板63に設けられていてもよい。
このガス噴出部6は、その少なくとも一部が赤外線透過性を有するように構成されているのが好ましい。すなわち、ガス噴出部6は、赤外線透過性を有する材料(赤外線の透過率が比較的高い材料)で、その少なくとも一部が構成されるのが好ましく、その全体が構成されるのがより好ましい。赤外線透過性を有する材料としては、例えば、石英等が挙げられ、特に、石英を用いるのが好ましい。これにより、赤外線ランプ5によって基板3を加熱する際、ガス噴出部6による影響を少なくすること(または無くすこと)ができる。
Further, an opening (gas introduction port) 65 is formed in the side plate 63 on the right side in FIG.
In the present invention, a plurality of openings 65 may be provided in a single side plate 63, or may be provided in a plurality of side plates 63, for example.
It is preferable that at least a part of the gas ejection portion 6 is configured to have infrared transparency. That is, it is preferable that at least a part of the gas ejection part 6 is made of a material having infrared transparency (a material having a relatively high infrared transmittance), and it is more preferred that the gas ejection part 6 is entirely constituted. Examples of the material having infrared transparency include quartz, and quartz is particularly preferable. Thereby, when heating the board | substrate 3 with the infrared lamp 5, the influence by the gas ejection part 6 can be decreased (or eliminated).

ここで、基板支持具4に支持された基板3と、ガス噴出部6のガス噴出板61との間の距離L1は、諸条件や用途等に応じて適宜設定されるが、例えば、1〜40mm程度が好ましく、5〜10mm程度がより好ましい。
これにより、乾燥ムラをより確実に防止することができる。
また、基板支持具4に支持された基板3と、赤外線ランプ5との間の距離L2は、諸条件や用途等に応じて適宜設定されるが、例えば、20〜500mm程度が好ましく、50〜90mm程度がより好ましい。
これにより、乾燥ムラをより確実に防止することができる。
Here, the distance L1 between the substrate 3 supported by the substrate support 4 and the gas ejection plate 61 of the gas ejection section 6 is appropriately set according to various conditions, applications, and the like. About 40 mm is preferable, and about 5 to 10 mm is more preferable.
Thereby, drying unevenness can be prevented more reliably.
Moreover, although the distance L2 between the board | substrate 3 supported by the board | substrate support tool 4 and the infrared lamp 5 is suitably set according to various conditions, a use, etc., about 20-500 mm is preferable, for example, 50- About 90 mm is more preferable.
Thereby, drying unevenness can be prevented more reliably.

チャンバ2内には、基板支持具4に支持された基板3または基板3の近傍(周囲)の温度(以下、単に「基板3の温度」と言う)を検出する温度センサ(温度検出手段)11が設けられている。本実施形態では、温度センサ11は、基板支持具4の基板3の近傍に設置されている。
温度センサ11からの信号(温度情報)は、制御手段9に入力され、制御手段9は、その温度センサ11からの信号(温度センサ11の検出結果)に基づいて、赤外線ランプ5の駆動を制御する。すなわち、制御手段9は、基板3の温度が目標温度になり、その目標温度が保持されるように、赤外線ランプ5の出力を調整する。
この温度センサ11としては、例えば、熱電対、サーミスタ等を用いることができる。
In the chamber 2, a temperature sensor (temperature detection means) 11 that detects the temperature of the substrate 3 supported by the substrate support 4 or the vicinity (ambient) of the substrate 3 (hereinafter simply referred to as “temperature of the substrate 3”). Is provided. In the present embodiment, the temperature sensor 11 is installed in the vicinity of the substrate 3 of the substrate support 4.
A signal (temperature information) from the temperature sensor 11 is input to the control means 9, and the control means 9 controls driving of the infrared lamp 5 based on the signal from the temperature sensor 11 (detection result of the temperature sensor 11). To do. That is, the control means 9 adjusts the output of the infrared lamp 5 so that the temperature of the substrate 3 becomes the target temperature and the target temperature is maintained.
As this temperature sensor 11, a thermocouple, a thermistor, etc. can be used, for example.

前記目標温度、すなわち、被膜31から溶媒を除去する際(被膜31を乾燥させる際)の処理温度(基板3の温度)は、諸条件や用途等に応じて適宜設定されるが、例えば、40〜280℃程度が好ましく、70〜150℃程度がより好ましい。
これにより、乾燥ムラをより確実に防止することができる。
また、チャンバ2の側壁(図1中右側の壁部)には、ガスを導入する導入口21が設けられている。
The target temperature, that is, the processing temperature (the temperature of the substrate 3) when removing the solvent from the coating 31 (when drying the coating 31) is appropriately set according to various conditions, applications, and the like. About 280 degreeC is preferable and about 70-150 degreeC is more preferable.
Thereby, drying unevenness can be prevented more reliably.
In addition, an inlet 21 for introducing gas is provided on the side wall of the chamber 2 (the right side wall in FIG. 1).

また、チャンバ2の底壁(図1中下側の壁部)には、基板3(被膜31)に吹き付けられたチャンバ2内のガスを排気する2つの排気口22が設けられている。各排気口22は、ガス噴出部6から基板3に吹き付けられたガスが、バランス良く流れるように配置されている。これにより、これらの排気口22によって、基板3に吹き付けられたガスをバランス良く流して排気することができ、これにより、乾燥ムラをより確実に防止することができる。
なお、排気口22の数は、2つに限らず、例えば、1つでもよく、また、3つ以上でもよいが、2つ以上(複数)が好ましい。
Further, two exhaust ports 22 for exhausting the gas in the chamber 2 sprayed onto the substrate 3 (coating 31) are provided in the bottom wall (lower wall portion in FIG. 1) of the chamber 2. Each exhaust port 22 is arranged so that the gas blown from the gas ejection part 6 to the substrate 3 flows in a well-balanced manner. As a result, the gas blown onto the substrate 3 can be exhausted by these exhaust ports 22 in a well-balanced manner, and thereby drying unevenness can be more reliably prevented.
In addition, the number of the exhaust ports 22 is not limited to two, but may be one, for example, or three or more, but two or more (plural) are preferable.

ガス供給手段(ガス導入手段)7は、前記チャンバ2の導入口21を挿通し、ガス噴出部6の開口65に一端側が接続された導入管12と、この導入管12の他端側に接続されたガスボンベ(ガス供給源)13およびガスを送り出すポンプ(ガス移送手段)14と、導入管12の途中に設けられたバルブ15とを有している。バルブ15は、その開度を調整し得るようになっており、ガス噴出部6と、ガスボンベ13およびポンプ14との間に配置されている。なお、ポンプ14は、省略されていてもよい。   The gas supply means (gas introduction means) 7 is inserted through the introduction port 21 of the chamber 2, and is connected to the introduction pipe 12 having one end connected to the opening 65 of the gas ejection part 6, and to the other end of the introduction pipe 12. A gas cylinder (gas supply source) 13, a pump (gas transfer means) 14 for feeding gas, and a valve 15 provided in the middle of the introduction pipe 12 are provided. The opening of the valve 15 can be adjusted, and is arranged between the gas ejection part 6, the gas cylinder 13 and the pump 14. The pump 14 may be omitted.

前記バルブ15の開度の調整およびポンプ14の出力の調整により、それぞれ、ガス噴出部6の貯留室66に供給(導入)されるガスの流量を調整することができる。
このガス噴出部6の貯留室66に供給されるガスの流量は、諸条件や用途等に応じて適宜設定されるが、例えば、10ccm〜20Lm程度が好ましく、100〜1000ccm程度がより好ましい。
これにより、乾燥ムラをより確実に防止することができる。
By adjusting the opening degree of the valve 15 and the output of the pump 14, the flow rate of the gas supplied (introduced) to the storage chamber 66 of the gas ejection part 6 can be adjusted.
The flow rate of the gas supplied to the storage chamber 66 of the gas ejection unit 6 is appropriately set according to various conditions, applications, and the like, but is preferably about 10 ccm to 20 Lm, and more preferably about 100 to 1000 ccm.
Thereby, drying unevenness can be prevented more reliably.

また、ガス供給手段7は、ガスを加熱する図示しないガス加熱手段を有し、ガスを加熱してガス噴出部6の貯留室66に供給するように構成されていてもよい。
ガス排気手段8は、分岐部161を介して2つに分岐する排気管16と、ガスを吸引する排気用ポンプ(ガス移送手段)17と、排気管16の途中に設けられた2つのバルブ18および19とを有している。排気管16の2つの一端側は、それぞれ、前記チャンバ2の2つの排気口22に接続され、排気管16の他端側には、排気用ポンプ(ガス移送手段)17が接続されている。
The gas supply unit 7 may include a gas heating unit (not shown) that heats the gas, and may be configured to heat the gas and supply it to the storage chamber 66 of the gas ejection unit 6.
The gas exhaust means 8 includes an exhaust pipe 16 that branches into two via a branch portion 161, an exhaust pump (gas transfer means) 17 that sucks gas, and two valves 18 provided in the middle of the exhaust pipe 16. And 19. Two end sides of the exhaust pipe 16 are respectively connected to the two exhaust ports 22 of the chamber 2, and an exhaust pump (gas transfer means) 17 is connected to the other end side of the exhaust pipe 16.

各バルブ18および19は、それぞれ、その開度を調整し得るようになっており、前記チャンバ2の2つの排気口22と、分岐部161との間に配置されている。これにより、チャンバ2の2つの排気口22から排気されるガスの流量を、それぞれ、独立に調整することができる。各バルブ18および19は、それぞれ、ガス噴出部6から基板3に吹き付けられたガスが、バランス良く流れるように、その開度が調整される。   Each valve 18 and 19 can adjust its opening degree, and is disposed between the two exhaust ports 22 of the chamber 2 and the branching portion 161. Thereby, the flow volume of the gas exhausted from the two exhaust ports 22 of the chamber 2 can be adjusted independently. The opening degree of each of the valves 18 and 19 is adjusted so that the gas blown from the gas ejection part 6 to the substrate 3 flows in a well-balanced manner.

制御手段9は、溶媒除去装置1の各部の動作(作動)を制御するものであり、CPU(Central Processing Unit)と、溶媒除去装置1の制御動作を実行するためのプログラム等の各種プログラムおよび各種データを記憶(格納)する記憶部(いずれも図示せず)とを有している。この制御手段9は、例えば、パーソナルコンピュータ等で構成することができる。   The control means 9 controls the operation (operation) of each part of the solvent removal apparatus 1, and includes various programs such as a CPU (Central Processing Unit) and a program for executing the control operation of the solvent removal apparatus 1, and various types A storage unit (not shown) for storing (storing) data. The control means 9 can be constituted by a personal computer or the like, for example.

次に、溶媒除去装置1を用いた溶媒除去方法(溶媒除去装置1の作用)を説明する。
この溶媒除去装置1を用いた溶媒除去方法は、液状材料の被膜31が設けられた基板3を処理位置に設置する工程と、処理位置に設置された基板3を加熱しつつ、ガス噴出部6の複数の開口64からガスを噴出し、被膜31に対してガスを吹き付け、被膜31から溶媒を除去する(被膜31を乾燥させる)工程とを有する。以下、詳細に説明する。
Next, a solvent removal method using the solvent removal apparatus 1 (operation of the solvent removal apparatus 1) will be described.
The solvent removal method using the solvent removal apparatus 1 includes a step of installing the substrate 3 provided with the liquid material coating 31 at the processing position, and the gas ejection unit 6 while heating the substrate 3 installed at the processing position. A step of ejecting gas from the plurality of openings 64, blowing gas to the coating 31, and removing the solvent from the coating 31 (drying the coating 31). Details will be described below.

[1]基板3を処理位置に設置する工程
まず、基板3の表面に、所定の液状材料を塗布し、その液状材料の被膜31を形成する。
液状材料を塗布する方法としては、特に限定されず、例えば、スピンコート法、ディッピング法、ロールコート法、スプレーコート法等が挙げられる。
この基板3の表面への液状材料の塗布は、図示しない所定の装置を用いて行なうことができる。
[1] Step of Placing the Substrate 3 at a Processing Position First, a predetermined liquid material is applied to the surface of the substrate 3 to form a coating 31 of the liquid material.
The method for applying the liquid material is not particularly limited, and examples thereof include a spin coating method, a dipping method, a roll coating method, and a spray coating method.
The liquid material can be applied to the surface of the substrate 3 by using a predetermined device (not shown).

次に、チャンバ2の図示しない開閉扉(シャッター)を開き、そこから、基板3をチャンバ2内に入れ、基板支持具4の基板支持部41に設置し、開閉扉を閉じる。これにより、基板3は、基板支持具4に支持される。基板3を基板支持具4の基板支持部41に設置する作業は、例えば、図示しないロボットにより行なうことができる。
以上で、本工程を終了し、次工程を行なう。
Next, an unillustrated opening / closing door (shutter) of the chamber 2 is opened, and from there, the substrate 3 is put into the chamber 2, installed on the substrate support portion 41 of the substrate support 4, and the opening / closing door is closed. Thereby, the substrate 3 is supported by the substrate support 4. The operation of installing the substrate 3 on the substrate support portion 41 of the substrate support 4 can be performed by a robot (not shown), for example.
This step is finished and the next step is performed.

[2]被膜31から溶媒を除去する工程
赤外線ランプ5を駆動し、赤外線ランプ5から基板3に対し、赤外線を照射するとともに、バルブ15、18および19を開き、ポンプ14および排気用ポンプ17を駆動する。
これにより、基板3が加熱されるとともに、ガスがガスボンベ13から導入管12を通ってチャンバ2内のガス噴出部6の貯留室66内に送り込まれ、ガス噴出部6の各開口64からガスが噴出し(シャワー状に噴出し)、そのガスが基板3の被膜31に吹き付けられる。
[2] Step of removing the solvent from the coating 31 The infrared lamp 5 is driven to irradiate the substrate 3 with infrared rays, and the valves 15, 18 and 19 are opened, and the pump 14 and the exhaust pump 17 are turned on. To drive.
As a result, the substrate 3 is heated, and the gas is sent from the gas cylinder 13 through the introduction pipe 12 into the storage chamber 66 of the gas ejection section 6 in the chamber 2, and the gas is discharged from each opening 64 of the gas ejection section 6. The gas is blown out (shown like a shower), and the gas is blown onto the coating 31 of the substrate 3.

基板3に吹き付けられたガスは、基板の端部(外側)に向って流れ、各排気口22からチャンバ2の外側へ排出され、排気管16を通って外部に排気される。
このようにして、被膜31から溶媒が除去される。すなわち被膜31が乾燥する。
以上で、本工程が終了し、基板3の表面に膜(乾燥した膜)が形成される。
最後に、チャンバ2の開閉扉を開き、そこから、基板支持具4に支持されている基板3を取り出す(除材する)。この基板3を取り出す作業は、例えば、図示しないロボットにより行なうことができる。
The gas blown to the substrate 3 flows toward the end (outside) of the substrate, is discharged from each exhaust port 22 to the outside of the chamber 2, and is exhausted to the outside through the exhaust pipe 16.
In this way, the solvent is removed from the coating 31. That is, the coating 31 is dried.
This step is completed, and a film (dried film) is formed on the surface of the substrate 3.
Finally, the open / close door of the chamber 2 is opened, and the substrate 3 supported by the substrate support 4 is taken out (remove material). The operation of taking out the substrate 3 can be performed by a robot (not shown), for example.

以上説明したように、この溶媒除去装置1によれば、基板3に設けられた液状材料の被膜31に対してガスを均一に吹き付けることができ、被膜31の乾燥速度をその面内において均一にすることができ(乾燥速度の面内分布を向上させることができ)、これによって、乾燥ムラを防止(または抑制)することができる。
また、ガスの流量の大小にかかわらず、被膜31に対してガスを均一に吹き付けることができ、特に、ガスの流量を大きくすることにより、乾燥ムラを防止しつつ、乾燥速度を大幅に向上させることができる。
As described above, according to the solvent removal apparatus 1, gas can be sprayed uniformly on the coating 31 made of the liquid material provided on the substrate 3, and the drying speed of the coating 31 can be made uniform in the plane. (It is possible to improve the in-plane distribution of the drying speed), thereby preventing (or suppressing) drying unevenness.
In addition, regardless of the gas flow rate, the gas can be uniformly sprayed on the coating 31. In particular, by increasing the gas flow rate, the drying speed is greatly improved while preventing drying unevenness. be able to.

また、各開口64の形状、寸法(径)、数、配置、間隔(ピッチ)、平面視における面積比での開口64の占める割合(開口64全体が占める割合)等の諸条件を適宜調整(変更)することにより、基板3の形状、寸法、被膜31を形成する液状材料を構成する材料(膜材料、溶媒等)の種類、被膜31のパターン、被膜31の厚さ等が変更された場合でも、容易に対応することができ、乾燥ムラを防止し、良好な膜(乾燥した膜)を形成することができる。   In addition, various conditions such as the shape, size (diameter), number, arrangement, interval (pitch) of each opening 64, and the proportion of the opening 64 in the area ratio in plan view (the proportion occupied by the entire opening 64) are appropriately adjusted ( Change), the shape and dimensions of the substrate 3, the type of material (film material, solvent, etc.) constituting the liquid material forming the coating 31, the pattern of the coating 31, the thickness of the coating 31, etc. However, it can be easily dealt with, and drying unevenness can be prevented and a good film (dried film) can be formed.

次に、本発明の溶媒除去装置の第2実施形態について説明するが、この第2実施形態の溶媒除去装置1については、前述した第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第2実施形態の溶媒除去装置1では、ガス噴出部(ガス噴出手段)6は、赤外線ランプ5から発せられる赤外線の波長を変換する機能(以下、単に「赤外線波長変換機能」と言う)を有している。
Next, a second embodiment of the solvent removal apparatus of the present invention will be described. The solvent removal apparatus 1 of the second embodiment will be described mainly with respect to the differences from the first embodiment described above, and the same The explanation of matters is omitted.
In the solvent removal apparatus 1 of the second embodiment, the gas ejection part (gas ejection means) 6 has a function of converting the wavelength of infrared rays emitted from the infrared lamp 5 (hereinafter simply referred to as “infrared wavelength conversion function”). is doing.

すなわち、ガス噴出部6は、赤外線ランプ5から発せられる赤外線の波長を変換する特性(以下、単に「赤外線波長変換特性」と言う)を有する材料で構成されている。赤外線波長変換特性を有する材料としては、例えば、カーボンを含有する材料等が挙げられる。
カーボンを含有する材料で溶媒除去装置1を構成することにより、赤外線ランプ5から発せられた近赤外線領域の波長を遠赤外線領域の波長に変換することができる。
That is, the gas ejection part 6 is made of a material having a characteristic for converting the wavelength of infrared rays emitted from the infrared lamp 5 (hereinafter simply referred to as “infrared wavelength conversion characteristic”). Examples of materials having infrared wavelength conversion characteristics include carbon-containing materials.
By configuring the solvent removal apparatus 1 with a material containing carbon, the wavelength in the near infrared region emitted from the infrared lamp 5 can be converted to the wavelength in the far infrared region.

なお、本発明では、例えば、ガス噴出部6の底板62のみが、赤外線波長変換機能を有していてもよい。すなわち、ガス噴出部6の底板62のみが、赤外線波長変換特性を有する材料で構成されていてもよい。
この溶媒除去装置1によれば、前述した第1実施形態の溶媒除去装置1と同様の効果が得られる。
そして、この溶媒除去装置1では、赤外線ランプ5とガス噴出部6との間に、赤外線ランプ5から発せられる赤外線の波長を変換する波長変換手段を別途設ける場合に比べ、部品点数を削減することができ、また、装置全体の構造を簡素化することができる。
In the present invention, for example, only the bottom plate 62 of the gas ejection part 6 may have an infrared wavelength conversion function. That is, only the bottom plate 62 of the gas ejection part 6 may be made of a material having infrared wavelength conversion characteristics.
According to this solvent removal apparatus 1, the same effect as the solvent removal apparatus 1 of 1st Embodiment mentioned above is acquired.
And in this solvent removal apparatus 1, compared with the case where the wavelength conversion means which converts the wavelength of the infrared rays emitted from the infrared lamp 5 is separately provided between the infrared lamp 5 and the gas ejection part 6, the number of parts is reduced. In addition, the structure of the entire apparatus can be simplified.

次に、本発明の溶媒除去装置の第3実施形態について説明する。
図5は、本発明の溶媒除去装置の第3実施形態におけるガス噴出部を示す断面図である。
なお、説明の都合上、図5において、図中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
Next, a third embodiment of the solvent removal apparatus of the present invention will be described.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a gas ejection portion in the third embodiment of the solvent removal apparatus of the present invention.
For convenience of explanation, in FIG. 5, the upper side in the figure is described as “upper” and the lower side is described as “lower”.

以下、第3実施形態の溶媒除去装置1について、前述した第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図5に示すように、第3実施形態の溶媒除去装置1では、ガス噴出部(ガス噴出手段)6は、筐体内に、さらに、筐体の外壁を構成する前述したガス噴出板61と同様のガス噴出板67を有している。そのガス噴出板67と、ガス噴出板61とは、厚さ方向(図5中上下方向)に互いに離間して配置されている。
Hereinafter, the solvent removal apparatus 1 according to the third embodiment will be described focusing on the differences from the first embodiment described above, and description of similar matters will be omitted.
As shown in FIG. 5, in the solvent removal device 1 of the third embodiment, the gas ejection part (gas ejection means) 6 is the same as the gas ejection plate 61 described above that further constitutes the outer wall of the housing in the housing. The gas ejection plate 67 is provided. The gas ejection plate 67 and the gas ejection plate 61 are spaced apart from each other in the thickness direction (vertical direction in FIG. 5).

ガス噴出板67の開口64と、ガス噴出板61の開口64とは、形状、寸法(径)、数、配置、間隔(ピッチ)、平面視における面積比での開口64の占める割合(開口64全体が占める割合)等の諸条件のうちの1つ以上が、互いに、同じでもよく、また、異なっていてもよい。なお、ガス噴出板67の開口64の位置と、ガス噴出板61の開口64の位置とをずらすのが好ましい。これにより、ガスをより拡散させることができる。   The opening 64 of the gas ejection plate 67 and the opening 64 of the gas ejection plate 61 are the shape, size (diameter), number, arrangement, interval (pitch), and the proportion of the opening 64 in the area ratio in plan view (opening 64). One or more of various conditions such as the ratio of the whole) may be the same or different from each other. It is preferable to shift the position of the opening 64 of the gas ejection plate 67 from the position of the opening 64 of the gas ejection plate 61. Thereby, gas can be diffused more.

この溶媒除去装置1では、ガスがガス噴出部6の上側の貯留室66内に供給(導入)され、ガス噴出板67の各開口64からガスが噴出し、そのガスが下側の貯留室66内に供給され、ガス噴出板61の各開口64からガスが噴出し、そのガスが基板3の被膜31に吹き付けられる。
ここで、平面視における面積比での開口64の占める割合は、ガス噴出板61と、ガス噴出板67とで、互いに異なるのが好ましい。これにより、被膜31に対してガスをより均一に吹き付けることができる。
In the solvent removal apparatus 1, gas is supplied (introduced) into the upper storage chamber 66 of the gas ejection section 6, gas is ejected from each opening 64 of the gas ejection plate 67, and the gas is stored in the lower storage chamber 66. The gas is ejected from the openings 64 of the gas ejection plate 61, and the gas is sprayed onto the coating 31 of the substrate 3.
Here, the ratio of the opening 64 in the area ratio in plan view is preferably different between the gas ejection plate 61 and the gas ejection plate 67. Thereby, gas can be sprayed more uniformly with respect to the film 31.

この場合、前記開口64の占める割合が、ガス噴出板61よりガス噴出板67の方が大きいと、ガス均一性が向上し、特にガスの流量が比較的少ないとき、その効果が大きい。
また、前記開口64の占める割合が、ガス噴出板67よりガス噴出板61の方が大きいと、ガス均一性が向上し、特にガスの流量が比較的多いとき、その効果が大きい。
この溶媒除去装置1によれば、前述した第1実施形態の溶媒除去装置1と同様の効果が得られる。
In this case, if the ratio of the opening 64 is larger in the gas ejection plate 67 than in the gas ejection plate 61, the gas uniformity is improved, and the effect is particularly great when the gas flow rate is relatively small.
Further, when the ratio of the opening 64 is larger in the gas ejection plate 61 than in the gas ejection plate 67, the gas uniformity is improved, and the effect is particularly great when the gas flow rate is relatively large.
According to this solvent removal apparatus 1, the same effect as the solvent removal apparatus 1 of 1st Embodiment mentioned above is acquired.

そして、この溶媒除去装置1では、被膜31に対してガスをより均一に吹き付けることができ、乾燥ムラをより確実に防止することができる。
なお、本発明では、ガスがガス噴出部6の上側の貯留室66および下側の貯留室66の両方に供給(導入)されるように構成されていてもよい。
また、この第3実施形態に、前述した第2実施形態を適用してもよい。
And in this solvent removal apparatus 1, gas can be sprayed more uniformly with respect to the film 31, and a drying nonuniformity can be prevented more reliably.
In the present invention, the gas may be supplied (introduced) to both the upper storage chamber 66 and the lower storage chamber 66 of the gas ejection portion 6.
The second embodiment described above may be applied to the third embodiment.

次に、本発明の溶媒除去装置の第4実施形態について説明する。
図6は、本発明の溶媒除去装置の第4実施形態におけるガス噴出部を示す底面図、図7は、本発明の溶媒除去装置の第4実施形態におけるガス噴出部を示す平面図である。なお、図7には、ガス噴出部6の破線で囲む部分の斜視図も示されている。
以下、第4実施形態の溶媒除去装置1について、前述した第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
Next, a fourth embodiment of the solvent removal apparatus of the present invention will be described.
FIG. 6 is a bottom view showing a gas ejection part in the fourth embodiment of the solvent removal apparatus of the present invention, and FIG. 7 is a plan view showing the gas ejection part in the fourth embodiment of the solvent removal apparatus of the present invention. In addition, the perspective view of the part enclosed with the broken line of the gas ejection part 6 is also shown by FIG.
Hereinafter, the solvent removal apparatus 1 of 4th Embodiment is demonstrated centering around difference with 1st Embodiment mentioned above, The description is abbreviate | omitted about the same matter.

これらの図に示すように、第4実施形態の溶媒除去装置1では、ガス噴出部(ガス噴出手段)6は、管体を屈曲、湾曲または分岐させて形成され、その管体の管壁を貫通する複数の開口64が設けられたフレームで構成されている。図示例では、前記フレームは、格子状をなしている。
このガス噴出部6(フレーム)の管腔(中空部)により、ガスを一時的に(極短時間)貯留する貯留室66が構成され、各開口64により、それぞれ、貯留室66に連通するノズルが構成されている。
As shown in these drawings, in the solvent removal apparatus 1 of the fourth embodiment, the gas ejection portion (gas ejection means) 6 is formed by bending, bending, or branching a tubular body, and the tubular wall of the tubular body is formed. It is comprised with the flame | frame in which several opening 64 penetrated was provided. In the illustrated example, the frame has a lattice shape.
The lumen (hollow part) of the gas ejection part 6 (frame) forms a storage chamber 66 that temporarily stores gas (for an extremely short time), and each opening 64 is a nozzle that communicates with the storage chamber 66. Is configured.

また、ガス噴出部6を構成するフレームで囲まれた各領域68に、それぞれ、赤外線ランプ5から発せられる赤外線の波長を変換する波長変換手段として、波長変換板(波長変換ユニット)35が設けられている。各波長変換板35は、それぞれ、ガス噴出部6の開口64と反対側に固定的に設置されている。
波長変換板35は、赤外線ランプ5から発せられる赤外線の波長を変換する特性(以下、単に「赤外線波長変換特性」と言う)を有する材料で構成される。赤外線波長変換特性を有する材料としては、例えば、カーボンを含有する材料等が挙げられる。カーボンを含有する材料で構成された波長変換板35を用いることにより、赤外線ランプ5から発せられた近赤外線領域の波長を遠赤外線領域の波長に変換することができる。
この溶媒除去装置1によれば、前述した第1実施形態の溶媒除去装置1と同様の効果が得られる。
そして、この溶媒除去装置1では、ガス噴出部6により波長変換板35が支持されるので、別途、波長変換板35を支持する手段を設ける必要がなく、これにより、部品点数を削減することができ、また、装置全体の構造を簡素化することができる。
Further, a wavelength conversion plate (wavelength conversion unit) 35 is provided in each region 68 surrounded by the frame constituting the gas jetting unit 6 as wavelength conversion means for converting the wavelength of infrared rays emitted from the infrared lamp 5. ing. Each wavelength conversion plate 35 is fixedly installed on the opposite side to the opening 64 of the gas ejection part 6.
The wavelength conversion plate 35 is made of a material having a characteristic for converting the wavelength of infrared rays emitted from the infrared lamp 5 (hereinafter simply referred to as “infrared wavelength conversion characteristic”). Examples of materials having infrared wavelength conversion characteristics include carbon-containing materials. By using the wavelength conversion plate 35 made of a material containing carbon, the wavelength in the near infrared region emitted from the infrared lamp 5 can be converted to the wavelength in the far infrared region.
According to this solvent removal apparatus 1, the same effect as the solvent removal apparatus 1 of 1st Embodiment mentioned above is acquired.
And in this solvent removal apparatus 1, since the wavelength conversion board 35 is supported by the gas ejection part 6, it is not necessary to provide a means to support the wavelength conversion board 35 separately, and, thereby, a number of parts can be reduced. In addition, the entire structure of the apparatus can be simplified.

次に、本発明の溶媒除去装置の第5実施形態について説明するが、この第5実施形態の溶媒除去装置1については、前述した第4実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第5実施形態の溶媒除去装置1では、ガス噴出部6を構成するフレームで囲まれた各領域68(図6、図7参照)が、それぞれ、赤外線透過性を有している。これにより、基板3を効率良く加熱することができる。
Next, a fifth embodiment of the solvent removal apparatus of the present invention will be described. The solvent removal apparatus 1 of the fifth embodiment will be described mainly with respect to differences from the fourth embodiment described above, and the same The explanation of matters is omitted.
In the solvent removal apparatus 1 according to the fifth embodiment, each region 68 (see FIGS. 6 and 7) surrounded by a frame constituting the gas ejection part 6 has infrared transparency. Thereby, the board | substrate 3 can be heated efficiently.

フレームで囲まれた各領域68が赤外線透過性を有するように構成するには、例えば、各領域68に何も設けずに、そこを開口のままにするか、または、各領域68に、赤外線透過性を有する材料(赤外線の透過率が比較的高い材料)で構成された板状の部材(赤外線透過板)、例えば、石英板を設ける。
この溶媒除去装置1によれば、前述した第1実施形態の溶媒除去装置1と同様の効果が得られる。
In order to configure each region 68 surrounded by the frame so as to have infrared transparency, for example, the region 68 is left open without providing anything in the region 68, or each region 68 is provided with an infrared ray. A plate-like member (infrared transmitting plate) made of a material having transparency (a material having a relatively high infrared transmittance), for example, a quartz plate is provided.
According to this solvent removal apparatus 1, the same effect as the solvent removal apparatus 1 of 1st Embodiment mentioned above is acquired.

以上、本発明の溶媒除去装置および溶媒除去方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。
また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の2以上の構成(特徴)を組み合わせたものであってもよい。
また、本発明の溶媒除去装置の用途は、特に限定されず、例えば、表示体、半導体等の各種電子デバイスや各種電子機器の製造における液相プロセスでの乾燥工程(溶媒除去工程)や、乾燥(溶媒除去)を含む工程(例えば、乾燥させるとともに、酸化または還元させる工程)等に用いることができる。
As mentioned above, although the solvent removal apparatus and solvent removal method of this invention were demonstrated based on embodiment of illustration, this invention is not limited to this, The structure of each part is arbitrary structures which have the same function Can be substituted. Moreover, other arbitrary structures and processes may be added to the present invention.
Further, the present invention may be a combination of any two or more configurations (features) of the above embodiments.
In addition, the use of the solvent removal apparatus of the present invention is not particularly limited, and for example, a drying step (solvent removal step) in a liquid phase process in the production of various electronic devices such as display bodies and semiconductors and various electronic devices, and drying. It can be used for a step including (solvent removal) (for example, a step of drying and oxidizing or reducing).

本発明の溶媒除去装置の第1実施形態を示す断面図およびブロック図である。It is sectional drawing and block diagram which show 1st Embodiment of the solvent removal apparatus of this invention. 図1に示す溶媒除去装置のガス噴出部の平面図である。It is a top view of the gas ejection part of the solvent removal apparatus shown in FIG. 図1に示す溶媒除去装置のガス噴出部の斜視図である。It is a perspective view of the gas ejection part of the solvent removal apparatus shown in FIG. 図1に示す溶媒除去装置の基板支持具の斜視図である。It is a perspective view of the board | substrate support tool of the solvent removal apparatus shown in FIG. 本発明の溶媒除去装置の第3実施形態におけるガス噴出部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the gas ejection part in 3rd Embodiment of the solvent removal apparatus of this invention. 本発明の溶媒除去装置の第4実施形態におけるガス噴出部を示す底面図である。It is a bottom view which shows the gas ejection part in 4th Embodiment of the solvent removal apparatus of this invention. 本発明の溶媒除去装置の第4実施形態におけるガス噴出部を示す平面図である。It is a top view which shows the gas ejection part in 4th Embodiment of the solvent removal apparatus of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1……溶媒除去装置 2……チャンバ 21……導入口 22……排気口 3……基板31……被膜 4……基板支持具 41……基板支持部 411……段差部 42……脚部用フレーム 421……端部 5……赤外線ランプ 6……ガス噴出部 61……ガス噴出板 62……底板 63……側板 64、65……開口 66……貯留室 67……ガス噴出板 68……領域 7……ガス供給手段 8……ガス排気手段 9……制御手段 11……温度センサ 12……導入管 13……ガスボンベ 14……ポンプ 15……バルブ 16……排気管 161……分岐部 17……排気用ポンプ 18、19……バルブ 35……波長変換板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Solvent removal apparatus 2 ... Chamber 21 ... Inlet port 22 ... Exhaust port 3 ... Substrate 31 ... Coating 4 ... Substrate support 41 ... Substrate support part 411 ... Step part 42 ... Leg part Frame 421 …… End 5 …… Infrared lamp 6 …… Gas ejection part 61 …… Gas ejection plate 62 …… Bottom plate 63 …… Side plate 64, 65 …… Open 66 …… Storage chamber 67 …… Gas ejection plate 68 ... Area 7 ... Gas supply means 8 ... Gas exhaust means 9 ... Control means 11 ... Temperature sensor 12 ... Introduction pipe 13 ... Gas cylinder 14 ... Pump 15 ... Valve 16 ... Exhaust pipe 161 ... Bifurcation 17 ... Exhaust pump 18, 19 ... Valve 35 ... Wavelength conversion plate

Claims (21)

液状材料の被膜が設けられたワークを支持するワーク支持手段と、
前記ワークを加熱する加熱手段と、
ガスを一時的に貯留する貯留室と、前記貯留室に連通する複数のノズルとを有するガス噴出手段と、
前記貯留室にガスを供給するガス供給手段とを備え、
前記加熱手段により前記ワークを加熱しつつ、前記複数のノズルからガスを噴出し、前記被膜に対してガスを吹き付け、前記被膜から溶媒を除去するよう構成されていることを特徴とする溶媒除去装置。
A work support means for supporting a work provided with a coating of a liquid material;
Heating means for heating the workpiece;
A gas ejection means having a storage chamber for temporarily storing gas, and a plurality of nozzles communicating with the storage chamber;
Gas supply means for supplying gas to the storage chamber;
A solvent removal apparatus configured to eject gas from the plurality of nozzles, spray gas to the coating, and remove the solvent from the coating while heating the workpiece by the heating means. .
前記ガス噴出手段は、前記ノズルから噴出したガスが前記被膜に対して略垂直な方向から該被膜に吹き付けられるよう構成されている請求項1に記載の溶媒除去装置。   The solvent removal apparatus according to claim 1, wherein the gas ejection unit is configured such that the gas ejected from the nozzle is sprayed onto the coating from a direction substantially perpendicular to the coating. 前記ノズルは、規則的に配置されている請求項1または2に記載の溶媒除去装置。   The solvent removal apparatus according to claim 1 or 2, wherein the nozzles are regularly arranged. 前記ノズルは、2次元方向に略均一に配置されている請求項1ないし3のいずれかに記載の溶媒除去装置。   The solvent removal apparatus according to claim 1, wherein the nozzles are arranged substantially uniformly in a two-dimensional direction. 前記加熱手段は、赤外線ランプである請求項1ないし4のいずれかに記載の溶媒除去装置。   The solvent removing apparatus according to claim 1, wherein the heating unit is an infrared lamp. 前記加熱手段は、前記ガス噴出手段を介して、前記ワークと反対側に設けられており、
前記ガス噴出手段の少なくとも一部は、赤外線透過性を有する請求項5に記載の溶媒除去装置。
The heating means is provided on the side opposite to the workpiece via the gas ejection means,
The solvent removing apparatus according to claim 5, wherein at least a part of the gas ejection means has infrared transparency.
前記ガス噴出手段は、石英で構成されている請求項6に記載の溶媒除去装置。   The solvent removing apparatus according to claim 6, wherein the gas ejection means is made of quartz. 前記加熱手段は、前記ガス噴出手段を介して、前記ワークと反対側に設けられており、
前記ガス噴出手段は、前記赤外線ランプから発せられる赤外線の波長を変換する機能を有する請求項5に記載の溶媒除去装置。
The heating means is provided on the side opposite to the workpiece via the gas ejection means,
The solvent removing apparatus according to claim 5, wherein the gas ejection unit has a function of converting a wavelength of infrared rays emitted from the infrared lamp.
前記ガス噴出手段は、複数の開口が形成されたガス噴出板を有し、前記複数の開口により、前記複数のノズルが構成されている請求項1ないし8のいずれかに記載の溶媒除去装置。   The solvent removal apparatus according to claim 1, wherein the gas ejection unit includes a gas ejection plate in which a plurality of openings are formed, and the plurality of nozzles are configured by the plurality of openings. 前記ガス噴出手段は、前記ワークに対面する外壁として前記ガス噴出板を有する筐体で構成されている請求項9に記載の溶媒除去装置。   The solvent removal apparatus according to claim 9, wherein the gas ejection unit is configured by a housing having the gas ejection plate as an outer wall facing the workpiece. 前記筐体内に、さらに、前記ガス噴出板を有し、そのガス噴出板と、前記外壁を構成するガス噴出板とが、厚さ方向に互いに離間して配置されている請求項10に記載の溶媒除去装置。   11. The gas ejection plate according to claim 10, further comprising the gas ejection plate in the housing, wherein the gas ejection plate and the gas ejection plate constituting the outer wall are arranged apart from each other in the thickness direction. Solvent removal device. 平面視における面積比での前記開口の占める割合は、前記筐体内のガス噴出板と、前記外壁を構成するガス噴出板とで、互いに異なる請求項11に記載の溶媒除去装置。   The solvent removal apparatus according to claim 11, wherein a ratio of the opening in an area ratio in a plan view is different between a gas ejection plate in the housing and a gas ejection plate constituting the outer wall. 前記開口の占める割合は、前記外壁を構成するガス噴出板より前記筐体内のガス噴出板の方が大きい請求項12に記載の溶媒除去装置。   The solvent removal apparatus according to claim 12, wherein a ratio of the opening is larger in the gas ejection plate in the housing than in the gas ejection plate constituting the outer wall. 前記開口の占める割合は、前記筐体内のガス噴出板より前記外壁を構成するガス噴出板の方が大きい請求項12に記載の溶媒除去装置。   The solvent removal apparatus according to claim 12, wherein a ratio of the opening is larger in the gas ejection plate constituting the outer wall than in the gas ejection plate in the housing. 前記ガス噴出手段の外観形状は、偏平形状をなしている請求項1ないし14のいずれかに記載の溶媒除去装置。   The solvent removal apparatus according to any one of claims 1 to 14, wherein an appearance shape of the gas ejection means is a flat shape. 前記ガス噴出手段は、管体を屈曲、湾曲または分岐させて形成され、該管体の管壁を貫通する複数の開口が設けられたフレームを有し、前記複数の開口により、前記複数のノズルが構成されている請求項1ないし3のいずれかに記載の溶媒除去装置。   The gas ejection means has a frame formed by bending, bending, or branching a tubular body, and having a plurality of openings penetrating through the tube wall of the tubular body, and the plurality of openings provide the plurality of nozzles. The solvent removal apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein: 前記加熱手段は、赤外線ランプであり、前記ガス噴出手段を介して、前記ワークと反対側に設けられており、
前記フレームで囲まれた領域に、前記赤外線ランプから発せられる赤外線の波長を変換する波長変換手段が設けられている請求項16に記載の溶媒除去装置。
The heating means is an infrared lamp, and is provided on the opposite side of the workpiece via the gas ejection means,
The solvent removal apparatus according to claim 16, wherein wavelength conversion means for converting the wavelength of infrared rays emitted from the infrared lamp is provided in an area surrounded by the frame.
前記加熱手段は、赤外線ランプであり、前記ガス噴出手段を介して、前記ワークと反対側に設けられており、
前記フレームで囲まれた領域は、赤外線透過性を有する請求項16に記載の溶媒除去装置。
The heating means is an infrared lamp, and is provided on the opposite side of the workpiece via the gas ejection means,
The solvent removal apparatus according to claim 16, wherein the region surrounded by the frame has infrared transparency.
前記赤外線の波長の変換により、近赤外線領域の波長を遠赤外線領域の波長に変換する請求項8または17に記載の溶媒除去装置。   The solvent removal apparatus of Claim 8 or 17 which converts the wavelength of a near-infrared area | region into the wavelength of a far-infrared area | region by conversion of the said infrared wavelength. 前記ワーク支持部、前記加熱手段および前記ガス噴出手段は、前記ワークに吹き付けられたガスを排気する排気口を有するチャンバ内に設けられている請求項1ないし19のいずれかに記載の溶媒除去装置。   The solvent removal apparatus according to any one of claims 1 to 19, wherein the work support section, the heating means, and the gas ejection means are provided in a chamber having an exhaust port for exhausting a gas blown to the work. . 液状材料の被膜が設けられたワークを処理位置に設置する工程と、
前記ワークを加熱しつつ、ガスを一時的に貯留する貯留室に連通する複数のノズルからガスを噴出し、前記被膜に対してガスを吹き付け、前記被膜から溶媒を除去する工程とを有することを特徴とする溶媒除去方法。
Installing a workpiece provided with a coating of a liquid material at a processing position;
A step of ejecting gas from a plurality of nozzles communicating with a storage chamber for temporarily storing gas while heating the workpiece, spraying gas onto the coating, and removing the solvent from the coating. Solvent removal method characterized.
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