JP2006191131A - 化学機械研磨用研磨剤及び基板の研磨法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】砥粒と、導体の酸化剤と、金属表面に対する保護膜形成剤と、酸と、水とを含み、上記砥粒の平均粒径が50nm以下であり、上記砥粒の粒径分布の標準偏差値が5nmより大きい化学機械研磨用研磨剤。
【選択図】なし
Description
(1)化学機械研磨用研磨剤の調製
表1に示すように、酸0.4重量%、砥粒(ただし実施例1は添加せず、実施例2〜9は1重量部、実施例10〜13は1重量%)、水溶性高分子0.05重量部(ただし実施例4,6,7のみ)、及び、保護膜形成剤(BTA)0.2重量%に、水(実施例1〜9では98.85重量部、実施例10〜13では97.9重量%)を加えて溶解し、さらに導体の酸化剤として過酸化水素水(試薬特級、30%水溶液)を加えて得られたものをCMP用研磨剤とした。なお、砥粒は、テトラエトキシシランのアンモニア溶液中での加水分解により作製した平均粒径20〜60nmのコロイダルシリカを添加した。また、使用したリンゴ酸及びグリコール酸のpKaはそれぞれ3.2である。
得られたCMP用研磨剤を用いてCMPを実施した。研磨条件はつぎの通りである。
基板:
厚さ200nmのタンタル膜を形成したシリコン基板
厚さ100nmの窒化タンタル膜を形成したシリコン基板
厚さ1μmの二酸化シリコン膜を形成したシリコン基板
厚さ1μmの銅膜を形成したシリコン基板
研磨パッド:独立気泡を持つ発泡ポリウレタン樹脂
研磨圧力:250gf/cm2
基板と研磨定盤との相対速度:18m/分
CMPを実施した研磨品につき、つぎの各項目について評価した。
CMPによる研磨速度:
膜のCMP前後での膜厚差を電気抵抗値から換算して求めた。
エッチング速度:
25℃、100rpmで攪拌した化学機械研磨用研磨剤への浸漬前後の銅層厚差を電気抵抗値から換算して求めた。
ディシング量:
二酸化シリコン中に深さ0.5μmの溝を形成して、公知のスパッタ法によってバリア層として厚さ50nmの窒化タンタル膜を形成し、同様にスパッタ法により銅膜を形成して公知の熱処理によって埋め込んだシリコン基板を基板として用いて2段研磨を行い、触針式段差計で配線金属部幅100μm、絶縁膜部幅100μmが交互に並んだストライプ状パターン部の表面形状から、絶縁膜部に対する配線金属部の膜減り量を求めた。銅用の1段目研磨剤としては、窒化タンタルに対する銅の研磨速度比が十分大きい銅及び銅合金用の研磨剤を使用して研磨した。1段研磨後に、絶縁膜部上にバリア層が露出した状態で測定したディシング量が、50nmになるように基板サンプルを作製し、絶縁膜部でバリア層がなくなるまで上記化学機械研磨用研磨剤を用いて2段研磨した。
シニング量:
上記ディシング量評価用基板に形成された配線金属部幅45μm、絶縁膜部幅5μmが交互に並んだ総幅2.5mmのストライプ状パターン部の表面形状を触針式段差計により測定し、ストライプ状パターン周辺の絶縁膜フィールド部に対するパターン中央付近の絶縁膜部の膜減り量を求めた。1段研磨後に、絶縁膜部上にバリア層が露出した状態で測定したシニング量が、20nmになるように基板サンプルを作製し、絶縁膜部でバリア層がなくなるまで上記化学機械研磨用研磨剤を用いて2段研磨した。
各実施例におけるCMPによる研磨速度を表2に示した。また、ディシング量及びシニング量を表3に示した。
Claims (18)
- 砥粒と、導体の酸化剤と、金属表面に対する保護膜形成剤と、酸と、水とを含み、上記砥粒の平均粒径が50nm以下であり、上記砥粒の粒径分布の標準偏差値が5nmより大きい化学機械研磨用研磨剤。
- 上記化学機械研磨用研磨剤のpHが3以下であり、上記導体の酸化剤の濃度が0.01〜3重量%である、請求項1記載の化学機械研磨用研磨剤。
- 上記砥粒が、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア、ジルコニア及びゲルマニアより選ばれた少なくとも1種である、請求項1または2に記載の化学機械研磨用研磨剤。
- 上記砥粒が、コロイダルシリカ又はコロイダルアルミナである請求項3に記載の化学機械研磨用研磨剤。
- 上記砥粒の配合量が、0.1〜5重量%である請求項1〜4のいずれかに記載の化学機械研磨用研磨剤。
- 水溶性高分子をさらに含有する請求項1〜5のいずれかに記載の化学機械研磨用研磨剤。
- 上記水溶性高分子が、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸塩、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸塩、ポリアミド酸、ポリアミド酸塩、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール及びポリビニルピロリドンからなる群から選ばれた少なくとも1種である請求項6記載の化学機械研磨用研磨剤。
- 上記導体の酸化剤の濃度が0.01〜1.5重量%である、請求項6又は7記載の化学機械研磨用研磨剤。
- 上記酸が、有機酸である請求項1〜8のいずれかに記載の化学機械研磨用研磨剤。
- 上記酸が、マロン酸、リンゴ酸、酒石酸、グリコール酸及びクエン酸から選ばれた少なくとも1種である請求項9記載の化学機械研磨用研磨剤。
- 上記保護膜形成剤が、ベンゾトリアゾール又はその誘導体から選ばれた少なくとも1種である請求項1〜10のいずれかに記載の化学機械研磨用研磨剤。
- 上記導体の酸化剤が、過酸化水素、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸及びオゾン水より選ばれた少なくとも1種である請求項1〜11のいずれかに記載の化学機械研磨用研磨剤。
- 上記導体が、銅、銅合金、銅酸化物及び銅合金酸化物のうちの少なくともいずれかを含む請求項1〜12のいずれかに記載の化学機械研磨用研磨剤。
- 上記導体が、銅原子の拡散を防ぐためのバリア層である請求項1〜12のいずれかに記載の化学機械研磨用研磨剤。
- 上記バリア層が、タンタル、タンタル合金、タンタル化合物を含む請求項14記載の化学機械研磨用研磨剤。
- タンタルと銅又は銅合金との研磨速度比(Ta/Cu)が1よりも大きく、窒化タンタルと銅又は銅合金との研磨速度比(TaN/Cu)が1よりも大きく、タンタルと二酸化シリコンとの研磨速度比(Ta/SiO2)が10より大きく、窒化タンタルと二酸化シリコンとの研磨速度比(TaN/SiO2)が10より大きい、請求項1〜15のいずれかに記載の化学機械研磨用研磨剤。
- 請求項1〜15のいずれかに記載の化学機械研磨用研磨剤を用いてタンタル、タンタル合金、タンタル化合物を含むバリア層を研磨する基板の研磨方法。
- 請求項1〜15のいずれかに記載の化学機械研磨用研磨剤を用いて、配線層及びバリア層を含む面を研磨する基板の研磨方法。
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