JP2006190797A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、半導体レーザの共振器端面を形成する形成工程と、その共振器端面をコーティングする端面コート膜23を成膜する成膜工程と、その端面コート膜23にレーザ光を照射して当該端面コート膜23に対するアニール処理を行うレーザアニール工程とを含み、アニール処理を行うことで端面コート膜23の膜組成の溶融再結晶化を起こし、これによりその端面コート膜23の膜組成の欠陥の低減を図る。
【選択図】図3
Description
このような窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいては、共振器端面を安定化させるために、その共振器端面上に当該共振器端面をコーティングして保護する端面コート膜を成膜することが一般的である。端面コート膜は、典型的には単層または多層の誘電体膜(誘電体多層膜)からなり、具体的にはAl2O3、TiO2、SiO2、ZrO2等の誘電体膜を用いることが知られている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、膜組成に欠陥があると、半導体レーザとしてのレーザ光の出射を行った場合に、端面コート膜は、そのレーザ光に長時間曝されることによって劣化が生じるおそれがある。欠陥の部分でレーザ光を吸収して端面コート膜の変質が起こり得るからである。特に、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいては、紫外光や青色光等といった短波長のレーザ光に対応しているため、欠陥部分での当該レーザ光の吸収による端面コート膜の劣化が生じる可能性が高い。
共振器端面を形成した後は、続いて、成膜工程でその共振器端面上に端面コート膜を成膜する。「端面コート膜」は、共振器端面をコーティングして保護するためのものであり、少なくとも半導体レーザのレーザ光出射側の共振器端面に成膜されているものとする。
そして、端面コート膜を成膜した後は、レーザアニール工程でその端面コート膜に対するアニール処理を行う。ここで行う「アニール処理」は、端面コート膜に対して行う熱処理であり、レーザ光を照射して行うレーザアニールによるものである。このようなアニール処理を行うと、端面コート膜では、温度が上昇して高温状態となり、その膜組成の溶融再結晶化が起こる。
この溶融再結晶化によって、端面コート膜では、その膜組成が緻密化して、結晶内に存在していた欠陥が低減されるのである。
本実施形態で説明する半導体レーザは、光を出射する半導体結晶素子部を備えるとともに、その半導体結晶素子部における光の出射方向の前面側および後面側に共振器端面が形成されており、その共振器端面が光の共振器として機能するように構成されたものである。
図例のように、レーザアニール工程では、半導体結晶素子部を構成する積層構造のフロント側端面21に成膜されたARコート膜23が表面(図中上方側)に並んで露出するように、一つの半導体レーザ単位に分割前の積層構造体(以下「LDバー」という)25を、その専用の治具26に並べてセットする。リア側端面22に成膜されたHRコート膜24については、図中では治具26の裏面側に並んで露出するようになっているが、必ずしも露出していなくともよい。そして、LDバー25を治具26にセットしたら、そのLDバー25を治具26ごと、処理装置における処理室27内にセットする。
なお、処理装置は、ECRスパッタ装置の他にも、例えばRFスパッタ装置、デジタルスパッタ装置、P−CVD装置等を利用することが考えられる。これらを利用した場合には、処理室27内をドライエア環境にすることが非常に容易に実現可能となる。また、ドライエア環境のみならず、所定ガス雰囲気(例えば、窒素ガス雰囲気)にすることも可能である。ただし、レーザアニール工程に際しては、必ずしも処理室27内を所定ガス雰囲気にする必要はない。
なお、レーザアニール工程は、少なくともARコート膜23に対して行えばよく、HRコート膜24に対して行うか否かは、それぞれが共振器として機能するためのレーザ反射率等を勘案して、適宜決定すればよい。例えば、ARコート膜23の反射率が10%程度であるのに対し、HRコート膜24の反射率が95%程度であれば、劣化が生じる可能性の高いARコート膜23に対してのみレーザアニール工程を行うといった具合である。
例えば、本実施形態では、AlGaInN系半導体を用いた半導体レーザにおいて、活性層7がInGaNである場合を例に挙げたが、活性層は多重量子井戸でもよく、その場合にはInGaN/InGaNのように構成された超格子MQW(井戸層および障壁層がともにInGaN)であることが考えられる。すなわち、本発明は、窒化物系III-V族化合物半導体を用いたもの全般に適用することが可能である。
Claims (3)
- 窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、
前記半導体レーザの共振器端面を形成する形成工程と、
前記共振器端面上に当該共振器端面をコーティングする端面コート膜を成膜する成膜工程と、
前記端面コート膜にレーザ光を照射して当該端面コート膜に対するアニール処理を行うレーザアニール工程と
を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 前記レーザアニール工程では、少なくとも前記半導体レーザでの光の出射側となる共振器端面に成膜された端面コート膜に対してレーザ光照射によるアニール処理を行う
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記レーザアニール工程で照射するレーザ光の光源として、エキシマレーザを使用する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザの製造方法。
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