JP2006186566A - Method for manufacturing crystal oscillator package - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ガラスなどから構成されたカバーに覆われて封止された水晶振動子パッケージの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a quartz resonator package that is covered and sealed with a cover made of glass or the like.
水晶振動子などの圧電素子は、周囲の温度や湿度の変化、あるいは微細な異物に影響されて特性が微妙に変化することや、機械的振動や衝撃によって破損しやすい。このため、上述した素子は、パッケージに封止して使用に供されている。パッケージの方式としては、気密封止方式と樹脂を用いた簡易封止方式とに分けられ、SMD(Surface Mounted Device)タイプ気密封止方式では主にセラミックスや金属などの材料が用いられている。また、より安価な気密封止方式として、プラスチックを用いた気密封止方式のプラスチックパッケージも実現されている。 Piezoelectric elements such as quartz resonators are susceptible to breakage due to subtle changes in characteristics due to changes in ambient temperature and humidity, or due to minute foreign matter, and mechanical vibration and impact. For this reason, the element mentioned above is sealed for use in a package. The package system is divided into a hermetic sealing system and a simple sealing system using a resin. In the SMD (Surface Mounted Device) type hermetic sealing system, materials such as ceramics and metals are mainly used. Further, as a cheaper hermetic sealing method, a hermetic sealing plastic package using plastic has been realized.
また、水晶基板より水晶振動子片と外枠とを一体に形成し、外枠の部分でガラスなどからなる蓋及びケースを陽極接合した気密パッケージが提案されている(特許文献1参照)。特許文献1の技術によれば、より小型のパッケージが実現され、加えて、蓋やケースの接合にハンダや低融点ガラスを用いていないため、水晶振動子片へのアウトガスの付着の問題が抑制でき、より高い気密性が得られるようになる。 In addition, an airtight package has been proposed in which a crystal resonator piece and an outer frame are integrally formed from a quartz substrate, and a lid and a case made of glass or the like are anodically bonded at the outer frame (see Patent Document 1). According to the technique of Patent Document 1, a smaller package is realized, and in addition, solder and low-melting glass are not used for joining the lid and the case, so that the problem of adhesion of outgas to the crystal unit piece is suppressed. And higher airtightness can be obtained.
また、複数の素子が同時に形成されているウエハレベルで、封止された状態とした後、個々の素子(チップ)に切り出してパッケージされたチップの状態とする技術も提案されている(特許文献2参照)。この技術では、複数の水晶振動子本体が形成された水晶ウエハに、ガラスウエハを貼り合わせて水晶振動子本体の部分が封止された状態としている。 In addition, a technique has been proposed in which a plurality of elements are simultaneously formed at a wafer level so as to be sealed and then cut into individual elements (chips) to form a packaged chip (Patent Literature). 2). In this technique, a glass wafer is bonded to a crystal wafer on which a plurality of crystal resonator bodies are formed, and a portion of the crystal resonator body is sealed.
ここで、ウエハの状態で封止するパッケージの製造方法について簡単に説明する。まず、図5に示すように、水晶ウエハ101に形成された複数のチップ部に各電極及び配線が形成された状態とする。図5に示すように、水晶ウエハ101に形成された複数のチップ部は、枠部110と周囲がくり抜かれて形成された水晶振動子片111とから構成されている。また、枠部110の4角に当たる領域に開口部102が形成され、枠部110の4角の角部110a,角部110b,角部110c,及び角部110dが開口部102の内側に突出している。ここで、図5(b)は、図5(a)のBB’線の断面を模式的に示した断面図であり、図5(c)は、図5(a)のCC’線の断面を模式的に示した断面図である。
Here, a method for manufacturing a package sealed in a wafer state will be briefly described. First, as shown in FIG. 5, each electrode and wiring are formed on a plurality of chip portions formed on the
各断面図にも示すように、水晶振動子片111は、連結部113,連結部114により枠部110に固定され、また、水晶振動子片111には、両方の面に電極121及び電極131が形成されている。水晶振動子片111の一方の面に設けられている電極121は、連結部113に設けられた配線(第1配線)122を介し、枠部110の一方の面の角部110bの部分に設けられた周調端子523に接続している。枠部110の他方の面に設けられている電極131は、連結部114の他方の面に設けられた配線(第2配線)132及び連結部114の側面に設けられた側部配線533を介し、枠部110の一方の面の角部110aの部分に設けられた周調端子524に接続している。
As shown in each cross-sectional view, the
図5に示すように一方の面に2つの周調端子が形成された状態とした後、ガラスウエハを接合する前に、各チップ部の周調端子523,周調端子524を用い、各チップ部毎に周波数調整を行う。次に、側部配線533を除去することで、図6の断面図に示すように、配線132と周調端子524との電気的接続が切断された状態とする。なお、図6は、図5(a)のCC’線の断面に対応している。
As shown in FIG. 5, after the two peripheral terminals are formed on one surface, before the glass wafer is bonded, the
次に、図7(a)に示すように、枠部110の一方の面に金属層534が形成された状態とし、また、図7(b)に示すように、枠部110の他方の面に金属層535が形成された状態とする。金属層534及び金属層535は、以降に説明するカバーを陽極接合により接合するための接合膜として機能するとともに、カバーの外部に設けられる端子に電極121及び電極131を接続するための配線として機能する。ここで、図7(a)に示す枠部110の一方の面においては、金属層534により、周調端子523及び周調端子524が電気的に接続された状態となる。しかしながら、周調端子524は、枠部110の他方の面の連結部114に設けられた配線132とは導通していない。従って、金属層534,金属層535が形成されても、電極121と電極131とが電気的に接続されることがない。
Next, as shown in FIG. 7A, the
次に、図8(a)の斜視図に示すように、複数の円形の開口部102aが形成されたガラスウエハ140と、複数の円形の開口部102bが形成されたガラスウエハ150とを用意する。また、ガラスウエハ150には、複数の凹部150bが形成されている。なお、図8には示されていないが、ガラスウエハ140にも同様に、複数の凹部が形成されている。開口部102a,102bは、水晶ウエハ101に設けられている開口部102と同じ配置に形成されている。例えば、ガラスウエハ140と水晶ウエハ101とを貼り合わせた状態で、図8(b)の平面図に示すように、開口部102の中心が開口部102bの中心に重なる状態となる。また、円形の開口部102bの開口内に、開口部102の内側に突出した角部110a,角部110b,角部110c,及び角部110dが露出した状態となる。
Next, as shown in the perspective view of FIG. 8A, a
このように形成されたガラスウエハ140とガラスウエハ150とを、枠部110に形成した金属層534及び金属層535により陽極接合させることで、ガラスウエハ140とガラスウエハ150とが、水晶ウエハ101(枠部110)に貼り合わされた状態が得られる。貼り合わせた状態では、個々のチップ領域において、水晶振動子片111が、枠部110の枠内,ガラスウエハ140の凹部140b,及びガラスウエハ150の凹部150bにより形成される空間内に、封止された状態となる。
The
また、貼り合わされた状態では、各々の開口部102aと開口部102と開口部102bとが連通した状態となり、この連通した孔内において、角部110aが、突出した状態となる。また、枠部110に形成されている金属層534及び金属層535の角部110b(角部110a)及び角部110d(角部110c)にまで延在している部分は、上記連通した孔内において露出した状態となる。
Further, in the bonded state, the respective
次に、上述した連通した孔内を含めてガラスウエハ140の外側表面に、金属膜を形成し、形成した金属膜により端子が形成された状態とする。また、このとき、開口部102aと開口部102と開口部102bとによる連通孔内側面に、各端子と金属層534及び金属層535とを接続するための側部配線が形成された状態とする。
Next, a metal film is formed on the outer surface of the
なお、出願人は、本明細書に記載した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を出願時までに発見するには至らなかった。
ところで、枠部110の一方の面の周調端子523,周調端子524が設けられている箇所は、金属層534が積層され、他の領域と段差が形成された状態となっている。このため、水晶ウエハ101に形成された金属層534にガラスウエハ140を陽極接合する場合、上記段差部における気密性の確保が容易ではないという問題があった。
By the way, the place where the
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、接合される面における段差を解消してより容易に気密性が確保できるようにすることを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to eliminate air gaps on the surfaces to be joined so that airtightness can be secured more easily.
本発明に係る水晶振動子パッケージの製造方法は、枠部とこの内側に配置された水晶振動子片とが、第1連結部及び第2連結部を介して一体に形成された略矩形の複数のチップ部を備え、このチップ部が断裁領域を介して配置された水晶ウエハを用意する工程と、水晶振動子片の第1主面に第1電極が形成され、水晶振動子片の第2主面に第2電極が形成された状態とする工程と、第1連結部に配置されて第1電極に接続する第1配線,枠部にこの周方向に連続して配置されて第1電極に接続する第1金属層,断裁領域に配置されて第1金属層に接続する第1周調端子,及び断裁領域に配置されて第1金属層と第1周調端子とは絶縁分離された第2周調端子が、第1主面側において同一の金属層により形成された状態とする工程と、第2連結部に配置されて第2電極に接続する第2配線,枠部にこの周方向に連続して配置されて第2電極に接続する第2金属層,及び断裁領域に配置されて第2金属層に接続する第3配線が、第2主面側において同一の金属層により形成された状態とする工程と、第2周調端子と第3配線とを接続する第4配線が形成された状態とする工程と、第1周調端子と第2周調端子とを用いて第1電極及び第2電極が形成された水晶振動子片の周波数調整を行う工程と、第1ガラスウエハが、少なくとも第1金属層により水晶ウエハの第1主面に接合された状態とする工程と、第2ガラスウエハが、少なくとも第2金属層により水晶ウエハの第2主面に接合された状態とする工程と、第1ガラスウエハ及び第2ガラスウエハが水晶ウエハに接合された状態で、断裁領域を除去するように断裁することで、複数のチップ部が個々に切り出された状態とする工程とを少なくとも備えるようにしたものである。 The method for manufacturing a crystal resonator package according to the present invention includes a plurality of substantially rectangular pieces in which a frame portion and a crystal resonator piece disposed inside the frame portion are integrally formed via a first connecting portion and a second connecting portion. A step of preparing a crystal wafer in which the chip portion is disposed through a cutting region, a first electrode is formed on a first main surface of the crystal resonator piece, and a second portion of the crystal resonator piece is formed. A step of forming a second electrode on the main surface, a first wiring disposed in the first connecting portion and connected to the first electrode, and a frame portion continuously disposed in the circumferential direction. The first metal layer connected to the first metal layer, the first peripheral terminal disposed in the cutting region and connected to the first metal layer, and the first metal layer and the first peripheral terminal disposed in the cutting region are insulated and separated. A step in which the second circumferential terminal is formed by the same metal layer on the first main surface side, and a second connection The second wiring connected to the second electrode and connected to the second electrode, the second metal layer arranged continuously in the circumferential direction on the frame and connected to the second electrode, and the second metal layer arranged in the cutting region The step of setting the third wiring to be connected to be in the state formed of the same metal layer on the second main surface side, and the state of forming the fourth wiring for connecting the second circumferential terminal and the third wiring are formed. The step of adjusting the frequency of the crystal resonator piece on which the first electrode and the second electrode are formed using the step, the first peripheral terminal and the second peripheral terminal, and the first glass wafer is at least the first A step of joining the first main surface of the crystal wafer by the metal layer, a step of joining the second glass wafer to the second main surface of the crystal wafer by at least the second metal layer, In a state where the first glass wafer and the second glass wafer are bonded to the quartz wafer, By cutting to remove court area, in which a plurality of chips portion is so provided at least a step of a state of being cut individually.
従って、ガラスウエハが接合され、断裁の結果個々のチップ部に切り出された状態において、接合部分となる金属層には、段差がない状態となっている。なお、断裁領域にスルーホールが形成された状態とし、この、スルーホールの内部側面に第4配線が形成された状態とすればよい。また、接合は、陽極接合に行えばよい。 Therefore, in a state where the glass wafer is bonded and cut into individual chip portions as a result of cutting, the metal layer serving as the bonded portion has no step. Note that the through hole may be formed in the cutting region, and the fourth wiring may be formed on the inner side surface of the through hole. Bonding may be performed by anodic bonding.
以上説明したように、本発明によれば、各周調端子は断裁領域に配置し、枠部に配置される接合部分となる金属層により、各周調端子と各電極とを接続するようにしたので、枠部においては、接合部分となる金属層に段差がない状態となり、容易に気密性が確保できるようになるという優れた効果が得られる。 As described above, according to the present invention, each circumferential terminal is disposed in the cutting region, and each circumferential terminal and each electrode are connected to each other by a metal layer serving as a joint portion disposed in the frame portion. Therefore, in the frame portion, there is no step in the metal layer serving as the joining portion, and an excellent effect that the airtightness can be easily secured is obtained.
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図1,図2,図3は、本発明の実施の形態における水晶振動子パッケージの製造方法の一例を示し、各工程における状態を模式的に示している。図1は平面図であり、図1(a)は、一方の面を示し、この反対側の他方の面が図1(b)に示されている。また、図2,図3は断面図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1, 2, and 3 show an example of a method for manufacturing a crystal resonator package according to an embodiment of the present invention, and schematically show the state in each step. FIG. 1 is a plan view, and FIG. 1 (a) shows one surface, and the other surface on the opposite side is shown in FIG. 1 (b). 2 and 3 are cross-sectional views.
まず、図1(a)に示すように、水晶ウエハ101に、複数の枠部110及び水晶振動子片111が形成された状態とし、また、枠部110の4角に当たる領域に開口部102が形成された状態とする。これらの各チップ部は、断裁領域103を介して略正方配列されている。また、各チップ部において、水晶振動子片111は、枠部110の内側に配置され、連結部113,連結部114により固定された状態とする。従って、枠部110と水晶振動子片111とは、略矩形の水晶基板として一体に形成された状態となる。
First, as shown in FIG. 1A, a plurality of
また、開口部102は、枠部110の4角の角部110a,角部110b,角部110c,角部110dが開口部102の内側に突出した状態に形成する。加えて、断裁領域103の所定箇所にスルーホール104が形成された状態とする。これらは、公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とにより、水晶ウエハ101を加工することで形成できる。
The
次に、図1(a)に示すように、水晶ウエハ101の一方の面側に、連結部113を通る配線122,枠部110に配設された金属層123,金属層123に接続して断裁領域103に配設された周調端子124,及び断裁領域103に配設された周調端子125が形成された状態とする。ただし、周調端子125は、金属層123とは絶縁分離されている。これらは、例えば、スパッタ法や真空蒸着法により、水晶ウエハ101の一方の面の全域にアルミニウム膜が形成された状態とし、形成されたアルミニウム膜を公知のフォトリソグラフィグラフィー技術とエッチング技術とによりパターニングすることで、配線122,金属層123,周調端子124,及び周調端子125が形成された状態とすることができる。ここで、金属層123は、枠部110の周方向に連続して配設されている。また、同一の金属層から配線122,金属層123,周調端子124,及び周調端子125が形成され、枠部110から断裁領域103にかけて、段差のない状態となっている。
Next, as shown in FIG. 1A, on one surface side of the
同様に、図1(b)に示すように、水晶ウエハ101の他方の面側に、連結部114を通る配線132,枠部110に配設された金属層133,及び断裁領域に配設されて金属層133に接続した配線(第3配線)133aが形成された状態とする。これらは、例えば、スパッタ法や真空蒸着法により、水晶ウエハ101の他方の面の全域にアルミニウム膜が形成された状態とし、形成されたアルミニウム膜を公知のフォトリソグラフィグラフィー技術とエッチング技術とによりパターニングすることで、配線132,金属層133,及び配線133aが形成された状態とすることができる。ここで、金属層133は、枠部110の周方向に連続して配設されている。また、同一の金属層から配線132,金属層133,及び配線133aが形成され、枠部110から断裁領域103にかけて、段差のない状態となっている。
Similarly, as shown in FIG. 1B, on the other surface side of the
ここで、図2(b),図2(c)に示すように、枠部110の他方の面に形成された配線133aは、スルーホール104に形成された貫通配線(第4配線)133bを介し、一方の面に形成された周調端子125に接続している。従って、周調端子124及び周調端子125は、電極121が形成されている一方の面に配置された状態となる。スルーホール104の内部側面に形成された貫通配線133bは、例えば、金属層123の形成のためのアルミニウム膜形成において、スルーホール104の内部側面にもアルミニウム膜が形成される状態とすることで形成可能である。なお、図2(a)は、図1のBB’線の断面を示し、図2(b)は、図1(a)のCC’線の断面を示し、図2(c)は、図1(a)のDD’線の断面を示している。
Here, as shown in FIGS. 2B and 2C, the
以上のように、各電極や配線が形成された状態とした後、周調端子124,周調端子125を用いて周波数調整を行う。この周波数調整では、周調端子124,周調端子125の断裁領域103の領域に配置されている部分に、プローブが接触するようにすることで、以降に説明する接合の領域に傷を付けることがないようにする。このようにすることで、接合する枠部110の領域に形成される金属層に傷が付かない状態が得られるようになり、接合がよりよい状態で行えるようになる。
As described above, after the electrodes and wirings are formed, the frequency adjustment is performed using the
次に、図8に説明したように、複数の円形の開口部102aが形成されたガラスウエハ140と、複数の円形の開口部102bが形成されたガラスウエハ150とを用意する。また、ガラスウエハ150には、複数の凹部150bが形成されている。なお、図8には示されていないが、ガラスウエハ140にも同様に、複数の凹部140bが形成されている。開口部102a,102bは、水晶ウエハ101に設けられている開口部102と同じ配置に形成されている。例えば、ガラスウエハ140と水晶ウエハ101とを貼り合わせた状態で、図8(b)の平面図に示すように、開口部102の中心が開口部102bの中心に重なる状態となる。また、円形の開口部102bの開口内に、開口部102の内側に突出した角部110a,角部110b,角部110c,及び角部110dが露出した状態となる。
Next, as described with reference to FIG. 8, a
このように形成されたガラスウエハ140を金属層123,周調端子124,周調端子125からなる接合膜に陽極接合させ、ガラスウエハ150を、金属層133,配線133aからなる接合膜に陽極接合させることで、ガラスウエハ140とガラスウエハ150とが、枠部110(水晶ウエハ101)に貼り合わされた状態が得られる。例えば、ガラスウエハ140,水晶ウエハ101,ガラスウエハ150の順に積層された状態とし、金属層123と金属層133とに同一の電位が印加された状態として陽極接合すれば、3つのウエハが同時に接合できる。
The
貼り合わせた状態では、個々のチップ領域において、水晶振動子片111が、枠部110の枠内,ガラスウエハ140の凹部140b,及びガラスウエハ150の凹部150bにより形成される空間内に、封止された状態となる。例えば、陽極接合するために各ウエハが当接された状態で、これらを真空排気雰囲気に配置された状態とし、この後、陽極接合することで、封止された空間内が真空排気された状態とすることができる。同様に、不活性ガス雰囲気に配置された状態で陽極接合することで、封止された空間内に不活性ガスが充填された状態が得られる。
In the bonded state, in each chip region, the
前述したように、金属層123,周調端子124,周調端子125は、枠部110から断裁領域103にかけて、段差のない状態となっている。同様に、配線132,金属層133,及び配線133aは、枠部110から断裁領域103にかけて、段差のない状態となっている。従って、これらを接合膜とした接合により、上述した空間の気密性が、容易に得られるようになる。なお、陽極接合に限らず、他の手法で接合した状態を得るようにしてもよい。また、ガラスに限らず他の部材からなるウエハを用いるようにしてもよい。
As described above, the
また、貼り合わされた状態では、各々の開口部102aと開口部102と開口部102bとが連通した状態となり、この連通した孔内において、角部110aが、突出した状態となる。また、枠部110に形成されている金属層123の角部110bの部分と、金属層133の角部110dの部分とは、上記連通した孔内において露出した状態となる。
Further, in the bonded state, the
次に、上述した連通した孔内を含めてガラスウエハ140の外側表面に、金属膜を形成し、形成した金属膜により、図3に示すように、端子141,端子142が形成された状態とする。また、このとき、上述した連通孔内側面に、端子141と金属層123及び端子142と金属層133とを接続するための側部配線126及び側部配線135が形成された状態とする。この状態では、電極121は、配線122−金属層123−側部配線126の経路で端子141に接続した状態となる。また、電極131は、配線132−金属層133−側部配線135の経路で、端子142に接続した状態となる。
Next, a metal film is formed on the outer surface of the
以上に説明したように、ガラスウエハ140とガラスウエハ150とが、枠部110(水晶ウエハ101)に貼り合わされた状態が得られた後、貼り合わされたガラスウエハ140,水晶ウエハ101,及びガラスウエハ150から、個々のチップに切り出すことで、個々のチップ部が形成された状態とする。例えば、各々の開口部102を通る格子状の断裁領域103を、ダイヤモンドブレードを用いたダイシング技術などにより切り出せば、個々のチップ部が形成された状態が得られる。
As described above, after the
ところで、上述では、スルーホール104を設け、スルーホール104に形成された貫通配線133bにより、枠部110の他方の面に形成された配線133aが、一方の面に形成された周調端子125に接続された状態としたが、これに限るものではない。図4の平面図に示すように、開口部102に露出している断裁領域103の側面に設けられた側部配線(第4配線)401により、枠部110の他方の面に形成された配線133aが、一方の面に形成された周調端子125に接続された状態としてもよい。
By the way, in the above description, the through
また、断裁領域103において、隣り合うチップ部の金属層123の間、及び隣り合うチップ部の金属層133の間に、断裁領域103の上で間隙を設けるようにしてもよい。間隙を設けることで、一方の面に設けられた金属層123及び他方の面に設けられた金属層133が、各チップ部毎に各々分離した状態となり、周調端子124,周調端子125を用いて、各チップ部毎に浮遊容量が小さい状態で各々周波数調整を行うことができる。なおこの場合、例えば、周波数調整を行った後、断裁領域103において、各間隙を接続する配線が形成された状態としてから陽極接合を行えばよい。このような配線を設けると、配線が金属層に接続する部分において段差が形成されるが、この段差は断裁領域103に配置され、枠部110においては段差のない状態が維持される。また、上記段差の存在により、例えば、前述した真空排気状態とするときに、各ウエハー間に段差に相当する間隙が形成されるため、水晶振動子片111が配置される空間領域の真空排気が、スペーサなどの他の設備や治具で各ウエハ間に間隙を設ける必要がなく、より迅速に行えるようになる。
Further, in the cutting
101…水晶ウエハ、102…開口部、103…断裁領域、104…スルーホール、110…枠部、111…水晶振動子片、113,114…連結部、121…電極、122…配線、123…金属層、124…周調端子、125…周調端子、126…側部配線、131…電極、132…配線、133…金属層、133a…配線、133b…貫通配線、135…側部配線、140,150…ガラスウエハ、140b,150b…凹部、141,142…端子。
DESCRIPTION OF
Claims (2)
前記水晶振動子片の第1主面に第1電極が形成され、前記水晶振動子片の第2主面に第2電極が形成された状態とする工程と、
前記第1連結部に配置されて前記第1電極に接続する第1配線,前記枠部にこの周方向に連続して配置されて前記第1電極に接続する第1金属層,前記断裁領域に配置されて前記第1金属層に接続する第1周調端子,及び前記断裁領域に配置されて前記第1金属層と前記第1周調端子とは絶縁分離された第2周調端子が、前記第1主面側において同一の金属層により形成された状態とする工程と、
前記第2連結部に配置されて前記第2電極に接続する第2配線,前記枠部にこの周方向に連続して配置されて前記第2電極に接続する第2金属層,及び前記断裁領域に配置されて前記第2金属層に接続する第3配線が、前記第2主面側において同一の金属層により形成された状態とする工程と、
前記第2周調端子と前記第3配線とを接続する第4配線が形成された状態とする工程と、
前記第1周調端子と前記第2周調端子とを用いて前記第1電極及び前記第2電極が形成された前記水晶振動子片の周波数調整を行う工程と、
第1ガラスウエハが、少なくとも前記第1金属層により前記水晶ウエハの第1主面に接合された状態とする工程と、
第2ガラスウエハが、少なくとも前記第2金属層により前記水晶ウエハの第2主面に接合された状態とする工程と、
前記第1ガラスウエハ及び前記第2ガラスウエハが前記水晶ウエハに接合された状態で、前記断裁領域を除去するように断裁することで、複数の前記チップ部が個々に切り出された状態とする工程と
を少なくとも備えたことを特徴とする水晶振動子パッケージの製造方法。 The frame portion and the quartz crystal piece disposed inside the frame portion include a plurality of substantially rectangular chip portions integrally formed via the first connection portion and the second connection portion, and the chip portion serves as a cutting region. Preparing a quartz wafer arranged via,
A step of forming a first electrode on a first main surface of the crystal resonator piece and forming a second electrode on a second main surface of the crystal resonator piece;
A first wiring disposed on the first connecting portion and connected to the first electrode; a first metal layer continuously disposed on the frame portion in the circumferential direction and connected to the first electrode; and the cutting region. A first tuned terminal disposed and connected to the first metal layer; and a second tuned terminal disposed in the cutting region and insulated from the first metal layer and the first tuned terminal; A step of forming the same metal layer on the first main surface side;
A second wiring disposed in the second connecting portion and connected to the second electrode; a second metal layer continuously disposed in the circumferential direction on the frame portion and connected to the second electrode; and the cutting region A third wiring that is connected to the second metal layer and is formed of the same metal layer on the second main surface side; and
A step of forming a fourth wiring connecting the second circumferential terminal and the third wiring;
Adjusting the frequency of the crystal unit piece in which the first electrode and the second electrode are formed using the first peripheral terminal and the second peripheral terminal;
A step of bringing the first glass wafer into a state of being bonded to the first main surface of the quartz wafer by at least the first metal layer;
A step of bringing the second glass wafer into a state of being bonded to the second main surface of the crystal wafer by at least the second metal layer;
A step of cutting a plurality of the chip portions individually by cutting so as to remove the cutting region in a state where the first glass wafer and the second glass wafer are bonded to the crystal wafer. A method for manufacturing a crystal resonator package, comprising:
前記断裁領域にスルーホールが形成された状態とする工程と、
前記スルーホールの内部側面に前記第4配線が形成された状態とする工程と
を備えることを特徴とする水晶振動子パッケージの製造方法。
In the manufacturing method of the crystal oscillator package according to claim 1,
A step of forming a through hole in the cutting region;
And a step of forming the fourth wiring on the inner side surface of the through-hole.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004376860A JP4555068B2 (en) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | Method for manufacturing crystal resonator package |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2004376860A JP4555068B2 (en) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | Method for manufacturing crystal resonator package |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006186566A true JP2006186566A (en) | 2006-07-13 |
JP4555068B2 JP4555068B2 (en) | 2010-09-29 |
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ID=36739357
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004376860A Expired - Fee Related JP4555068B2 (en) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | Method for manufacturing crystal resonator package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4555068B2 (en) |
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