JP2006180169A - Manufacturing method of vibrator package - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ガラスなどから構成されたカバーに覆われた振動子パッケージの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a vibrator package covered with a cover made of glass or the like.
水晶フィルタやSAWフィルタなどの圧電素子は、周囲の温度や湿度の変化、あるいは微細な異物に影響されて特性が微妙に変化することや、機械的振動や衝撃によって破損しやすい。このため、上述した素子は、パッケージに封止して使用に供されている。パッケージの方式としては、気密封止方式と樹脂を用いた簡易封止方式とに分けられ、SMD(Surface Mounted Device)タイプ気密封止方式では主にセラミックスや金属などの材料が用いられている。また、より安価な気密封止方式として、プラスチックを用いた気密封止方式のプラスチックパッケージも実現されている。 Piezoelectric elements such as crystal filters and SAW filters are susceptible to damage due to changes in ambient temperature and humidity, or changes in characteristics caused by minute foreign matter, and mechanical vibrations and impacts. For this reason, the element mentioned above is sealed for use in a package. The package system is divided into a hermetic sealing system and a simple sealing system using a resin. In the SMD (Surface Mounted Device) type hermetic sealing system, materials such as ceramics and metals are mainly used. Further, as a cheaper hermetic sealing method, a hermetic sealing plastic package using plastic has been realized.
上述したパッケージでは、素子個別にパッケージを形成しているが、これらに対し、複数の素子が同時に形成されているウエハーレベルで、封止された状態とした後、個々の素子(チップ)に切り出してパッケージされたチップの状態とする技術も提案されている(特許文献1参照)。この技術では、図2の斜視図に概略を示すように、複数の水晶振動子本体が形成された水晶ウエハ201に、ガラスウエハ202,203を貼り合わせて水晶振動子本体の部分が封止された状態としている。水晶ウエハ201に形成された複数のチップ部は、図3の平面図に示すように、枠部210と周囲がくり抜かれて形成された水晶振動子片211とから構成されている。
In the above-described package, the package is formed individually for each element. On the other hand, after being sealed at the wafer level where a plurality of elements are simultaneously formed, the package is cut into individual elements (chips). There is also proposed a technique for forming a packaged chip (see Patent Document 1). In this technique, as schematically shown in the perspective view of FIG. 2,
チップの状態では、図4の断面図に示すように、枠部210に接合膜214を介し、ガラスからなるカバー215及びカバー216が接合され、これらで封止された空間内に水晶振動子片211が配置された状態となっている。なお、水晶振動子片211には、両方の面に電極212が形成され、図示していない配線により所定の信号が印加可能とされている。また、枠部210とカバー215及びカバー216との接合としては、アルミニウムなどの金属からなる接合膜214を用いた陽極接合が提案されている(特許文献2参照)。上述した形態のパッケージによれば、容易に量産が可能であるとともに、チップの小型化が容易である。
In the state of the chip, as shown in the cross-sectional view of FIG. 4, the
なお、出願人は、本明細書に記載した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を出願時までに発見するには至らなかった。
ところで、より小型なチップが要求される中では、チップがより薄く形成されていた方がよい。ここで、水晶振動子片と枠部とが一体に形成されている水晶ウエハは、製品の特性が決定される部分であり、ある程度以上には薄くすることができない。従って、より薄いチップとするためには、カバーをより薄くすることになる。ところが、量産効果を得るためにはより大きな面積のウエハを用いる方がよいが、ウエハの面積が大きくなるほど、薄くして用いることが困難になる。例えば、直径3インチのガラスウエハを用いる場合、貼り合わせなどの工程において破損が抑制された状態とするためには、厚さは0.2mm程度が限界である。 By the way, while a smaller chip is required, it is better that the chip is formed thinner. Here, the crystal wafer in which the crystal resonator element and the frame are integrally formed is a part where the characteristics of the product are determined, and cannot be made thinner than a certain degree. Therefore, in order to obtain a thinner chip, the cover is made thinner. However, in order to obtain a mass production effect, it is better to use a wafer with a larger area. However, as the area of the wafer increases, it becomes difficult to use a thinner wafer. For example, when a glass wafer having a diameter of 3 inches is used, the thickness is limited to about 0.2 mm in order to prevent damage in a process such as bonding.
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、より小型な振動子パッケージが、ウエハレベルの貼り合わせで形成できるようにすることを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to enable a smaller vibrator package to be formed by bonding at a wafer level.
本発明に係る振動子パッケージの製造方法は、枠部とこの内側に配置された水晶振動子片とが一体に形成された略矩形の複数のチップ部を備えた水晶ウエハを用意する工程と、第1ガラスウエハが、水晶ウエハの第1主面に接合された状態とする工程と、第2ガラスウエハが、水晶ウエハの第1主面の裏側の第2主面に接合された状態とする工程と、第1ガラスウエハ及び第2ガラスウエハが水晶ウエハに接合された状態で、第1ガラスウエハ及び第2ガラスウエハの外側の表面を削って薄層化する工程と、複数のチップ部が個々に切り出された状態とする工程とを少なくとも備えるようにしたものである。板厚の厚いガラスウエハを用いても、チップの状態では、より小型化された状態が得られる。 A method of manufacturing a vibrator package according to the present invention includes a step of preparing a crystal wafer including a plurality of substantially rectangular chip portions in which a frame portion and a crystal resonator piece disposed inside the frame portion are integrally formed; The first glass wafer is bonded to the first main surface of the crystal wafer, and the second glass wafer is bonded to the second main surface on the back side of the first main surface of the crystal wafer. A step of cutting and thinning the outer surfaces of the first glass wafer and the second glass wafer in a state in which the first glass wafer and the second glass wafer are bonded to the crystal wafer, and a plurality of chip portions. And at least a step of making individual cutouts. Even when a thick glass wafer is used, a more compact state can be obtained in the chip state.
以上説明したように、本発明によれば、ガラスウエハを水晶ウエハに貼り合わせた後で、ガラスウエハを薄層化するので、板厚の厚いガラスウエハを用いても、チップの状態では、より小型化された状態が得られるようになり、より小型な振動子パッケージが、ウエハレベルの貼り合わせで形成できるようになるという優れた効果が得られる。 As described above, according to the present invention, since the glass wafer is thinned after the glass wafer is bonded to the quartz wafer, even if a thick glass wafer is used, in the state of the chip, A miniaturized state can be obtained, and an excellent effect can be obtained that a smaller vibrator package can be formed by bonding at a wafer level.
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形態における振動子パッケージの製造方法例を説明する工程図である。図1は、各工程における状態を概略的に示す断面図である。まず、図1(a)に示すように、所定の厚さの水晶ウエハ101を用意し、複数のチップ領域101aに、各々枠部111及び振動子片112が形成された状態とする。水晶ウエハ101は、例えば、厚みすべり振動にATカットされたもの、もしくは、音叉屈曲振動用に+2゜Xカットされたものである。公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とにより水晶ウエハ101を加工することで、チップ領域101a毎に、枠部111及び振動子片112が形成された状態とすることができる。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a process diagram for explaining an example of a method for manufacturing a vibrator package according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a state in each step. First, as shown in FIG. 1A, a
次に、図1(b)に示すように、各々の振動子片112の表面に電極113が形成された状態とし、また、枠部111には接合膜114が形成された状態とする。例えば、水晶ウエハ101の両面に、スパッタ法などにより電極材料からなる金属膜が形成された状態とし、形成された金属膜を公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とにより加工することで、電極113が形成された状態とすることができる。同様に、水晶ウエハ101の両面に、スパッタ法などによりアルミニウム膜が形成された状態とし、形成されたアルミニウム膜を公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とにより加工することで、接合膜114が形成された状態とすることができる。なお、電極113及び接合膜114が形成された後、枠部111及び振動子片112が形成された状態としてもよい。
Next, as shown in FIG. 1B, the
次に、図1(c)に示すように、ガラスウエハ(第1ガラスウエハ)102を用意し、ついで、図1(d)に示すように、ガラスウエハ102の一方の面に、接合面となる枠部121に囲われた領域に、複数の凹部122が形成された状態とする。枠部121は、格子状に形成され、この格子のますの部分に凹部122が形成され、凹部122は、前述したチップ領域101aに対応して配置された状態とする。ここで、ガラスウエハ102は、凹部122が形成される側の面で接合が行われるため、この面は鏡面加工されている。なお、ガラスウエハ102としては、両面がポリッシュ加工されている板厚0.4m程度のガラス板を用いればよい。このようにある程度の厚さのあるガラス板であれば、安価に入手可能であり、また、凹部122の加工による反りも少なく接合しやすいものとなる。
Next, as shown in FIG. 1 (c), a glass wafer (first glass wafer) 102 is prepared. Then, as shown in FIG. 1 (d), a bonding surface is formed on one surface of the
次に、図1(e)に示すように、水晶ウエハ101の枠部111の一方の面(第1主面)に形成された接合膜114の表面と、ガラスウエハ102の枠部121の表面とが当接した状態とする。また、ガラスウエハ102と同様に形成されたガラスウエハ(第2ガラスウエハ)103の枠部121の表面も、水晶ウエハ101の枠部111の他方(第2主面)の面に形成された接合膜114の表面と当接された状態とする。なお、各ウエハを貼り合わせる前の段階では、図2に示した従来の状態とほぼ同様である。
Next, as shown in FIG. 1E, the surface of the
上述したように各ウエハが当接された状態とした後、まず、ガラスウエハ102,ガラスウエハ103,及び水晶ウエハ101が例えば150℃程度に加熱された状態とする。ついで、接合膜114を陽極とした状態で、ガラスウエハ102及びガラスウエハ103の外側表面に各々陰極を配置し、所定の電界が印加された状態とし、接合膜114に、ガラスウエハ102及びガラスウエハ103が陽極接合された状態とする。このことにより、各チップ領域においては、振動子片112が、凹部122及び凹部132による空間内に封止された状態となる。
After the wafers are brought into contact with each other as described above, the glass wafer 102, the
次に、ガラスウエハ102及びガラスウエハ103の外側面を削り、ガラスウエハ102及びガラスウエハ103を所定の厚さまで薄層化することで、図1(f)に示すように、所定の厚さとされたガラスウエハ102a及びガラスウエハ103aが、水晶ウエハ101の接合膜114に接合された状態とする。例えば、サンドブラスト加工により、ガラスウエハ102及びガラスウエハ103の外側面を削ればよい。薄層化する段階までは、各ガラスウエハは厚い状態であり、凹部122,凹部132の形成や貼り合わせの工程などにおいて破損することが抑制される。また、薄層化するときには、水晶ウエハ101と貼り合わされているため、単独で薄層化する場合に比較し、破損などが発生し難い状態となっている。
Next, the outer surfaces of the
この後、例えば、ガラスウエハ102の外側表面に、図示していない配線により電極113に接続する端子(外部電極)が形成された状態とする。端子は、各チップ領域毎に形成された状態とする。前述したサンドブラスト加工により外側表面は粗面となっているので、端子がより強く密着した状態が得られる。ついで、枠部111の領域に設けられている断裁領域を断裁して個々のチップに切り出すことにより、図1(g)に示すように、カバー120及びカバー130が、接合膜114に陽極接合されて枠部111に固定された状態の振動子パッケージが得られる。
Thereafter, for example, a terminal (external electrode) connected to the
上述した振動子パッケージの製造方法によれば、より薄いカバーから構成されたより小型化された振動子パッケージが容易に得られるようになる。上述した方法によれば、例えば、カバー120の厚さを0.4mmより薄くすることが容易である。このことは、パッケージの小型化に加え、次に示すことからも有用である。上述したように、水晶にガラスが貼り合わされた状態とする場合、素材の熱膨張率が異なるため、加熱して貼り合わせた後に内部に応力が残る。この残留応力は、2層構造の場合には反りが発生し、図1のような三層構造の場合には接合部分の剥離などの問題が生ずる。しかしながら、上述した製造方法によれば、カバーの厚さを0.4mmより容易に薄くできるので、貼り合わせた後の残留応力の問題が解消されるようになる。
According to the above-described method for manufacturing a vibrator package, a more compact vibrator package including a thinner cover can be easily obtained. According to the method described above, for example, it is easy to make the thickness of the
また、ガラスウエハ102とガラスウエハ103との間に圧力を加えて水晶ウエハ101の側に押し付けられた状態で、前述した接合を行うようにしてもよい。例えば、各ウエハを当接させ、加熱して電圧を印加して陽極接合し、常温程度にまで冷却するまでの間、加圧して押し付けられた状態とすればよい。このとき、熱膨張が抑制された材料から構成されたプレス板を用いて押し付けるようにすればよい。これらのことにより、熱による各部材の膨張が抑制されるようになり、位置ずれなどの問題も解消されるようになる。
Further, the above-described bonding may be performed in a state in which pressure is applied between the
また、上述した実施の形態によれば、接合の時点では、ガラスウエハがある程度の厚さを備えた状態であるため、加圧して押し付けられた状態としても、破損などがおきにくい状態となっている。言い換えると、上述した実施の形態によれば、加圧押し付けに耐えられる程度の厚さのガラスウエハを用いることができるので、陽極接合時に圧力を加えて押し付けることが可能となる。 In addition, according to the above-described embodiment, the glass wafer is in a state having a certain thickness at the time of bonding, so that even when pressed and pressed, it is difficult to break. Yes. In other words, according to the above-described embodiment, it is possible to use a glass wafer having a thickness that can withstand the pressing and pressing, so that it is possible to press and apply pressure during anodic bonding.
101…水晶ウエハ、101a…チップ領域、102…ガラスウエハ、103…ガラスウエハ、111…枠部、112…振動子片、113…電極、114…接合膜、120…カバー、121…枠部、122…凹部、130…カバー、132…凹部。
DESCRIPTION OF
Claims (1)
第1ガラスウエハが、前記水晶ウエハの第1主面に接合された状態とする工程と、
第2ガラスウエハが、前記水晶ウエハの前記第1主面の裏側の第2主面に接合された状態とする工程と、
前記第1ガラスウエハ及び前記第2ガラスウエハが前記水晶ウエハに接合された状態で、前記第1ガラスウエハ及び第2ガラスウエハの外側の表面を削って薄層化する工程と、
複数の前記チップ部が個々に切り出された状態とする工程と
を少なくとも備えたことを特徴とする振動子パッケージの製造方法。
Preparing a crystal wafer comprising a plurality of substantially rectangular chip portions in which a frame portion and a crystal resonator piece disposed inside the frame portion are integrally formed;
The first glass wafer is bonded to the first main surface of the crystal wafer; and
The second glass wafer is bonded to the second main surface on the back side of the first main surface of the crystal wafer; and
In a state where the first glass wafer and the second glass wafer are bonded to the crystal wafer, the outer surfaces of the first glass wafer and the second glass wafer are scraped and thinned;
And a step of cutting the plurality of chip portions into individual cutouts.
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