JP2006186314A - 処理装置 - Google Patents
処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006186314A JP2006186314A JP2005301722A JP2005301722A JP2006186314A JP 2006186314 A JP2006186314 A JP 2006186314A JP 2005301722 A JP2005301722 A JP 2005301722A JP 2005301722 A JP2005301722 A JP 2005301722A JP 2006186314 A JP2006186314 A JP 2006186314A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processed
- porous material
- gas
- base material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】真空容器2内に配設された基板の基板載置台1上に載置した被処理基板12を所定の温度に制御して処理する載置台1に多数の連通細孔を有する多孔質材料として多孔質カーボン基材4を用いる。多孔質カーボン基材4は、炭素基質の中に縦横に連通して多数の連通孔が形成されており、処理用ガス9はこの連通孔を通過して下側から均一に拡散して上方に噴出する。多孔質カーボン基材4中には静電チャック用電極5が埋設され、この静電チャック用電極5と多孔質カーボン基材4の外周をセラミックス等の耐熱性絶縁膜8で被覆される。
【選択図】図1
Description
(1)前記載置台を、連通細孔を有する多孔質材料基材で構成し、
前記多孔質材料基材の前記被処理基板と反対側で前記連通細孔に供給されるガスを前記被処理体基板の当該載置台とは反対側の面に噴出させる。
前記多孔質材料基材の前記被処理基板に対面する表面部には通気性絶縁膜を被覆し、それ以外の表面部には非通気性絶縁膜を被覆し、
かつ、前記多孔質材料基材の前記被処理基板の載置面側の前記表面部における前記通気性絶縁膜の内部に静電チャック電極を埋設し、
前記静電チャック用電極に電圧を印加する静電チャック用直流電源を備え、
前記多孔質材料基材の前記連通細孔に対して、前記被処理基板とは反対側から供給されるガスを、前記多孔質材料基材の前記連通細孔を透過して当該被処理基板の載置面側に均一に噴出させる。
前記多孔質材料基材の前記連通細孔にガスを供給するガス供給手段と、前記静電チャック用の静電電極に電圧を印加する静電チャック用直流電源とを設け、
前記多孔質材料基材の前記被処理基板に対面する表面部以外の表面部の外周には非通気性絶縁膜を被覆し、
前記多孔質材料基材の前記連通細孔に対して、前記被処理基板とは反対側から供給されるガスを、前記多孔質材料基材の前記連通細孔を透過して当該被処理基板の載置面側に均一に噴出させる。
前記載置台の前記被処理基板とは反対側からガスを導入するのガス導入孔と、
前記ガス導入孔より前記多孔質材料基材の中央部に到る筒状のガス充填部と、
前記ガス充填部の一端より前記多孔質材料基材の内部に広く板状に形設された隙間部と、
前記隙間部の前記被処理基板側の前記多孔質材料基材の内壁面に所定間隔で凹設された多数の加工溝又は独立して凹設された多数のディンプルとを備えた。
前記載置台の前記被処理基板と反対側から前記発熱体に電力を供給する交流電源と、前記多孔質材料基材の連通孔にガスを供給するガス供給手段を備え、
前記ガス供給手段に、前記載置台の前記被処理基板とは反対側からガスを導入するのガス導入孔と、前記ガス導入孔より前記多孔質材料基材の中央部に到る筒状のガス充填部と、前記ガス充填部の一端より前記多孔質材料の内部に広く板状に形設された隙間部と、前記隙間部の前記被処理基板側の前記多孔質材料基材の内壁面に所定間隔で凹設された多数の加工溝又は独立して凹設された多数のディンプルを設けた。
真空容器内で載置台に載置された被処理基板を所定の温度に制御して処理する処理装置において、前記載置台の多孔質材料基材の連通細孔から基板裏面へ均一にガスが供給されるため、基板の温度を基板全面にわたって均一に制御することができる。
Claims (7)
- 真空容器内に配置された載置台に載置された被処理基板を所定の温度に制御して処理する処理装置であって、
前記載置台は、連通細孔を有する多孔質材料基材で構成されており、
前記多孔質材料基材の前記被処理基板と反対側で前記連通細孔に供給されるガスを前記被処理体基板の当該載置台とは反対側の面に噴出させることを特徴とする処理装置。 - 真空容器内に配置された載置台に載置された被処理基板を所定の温度に制御して処理する処理装置であって、
前記載置台は、連通細孔を有する多孔質材料基材で構成されており、
前記多孔質材料基材の前記被処理基板と反対側から前記連通細孔にガスを供給するガス供給手段を備え、
前記多孔質材料基材の前記被処理基板に対面する表面部には通気性絶縁膜が被覆され、それ以外の表面部には非通気性絶縁膜が被覆されてなり、
かつ、前記多孔質材料基材の前記被処理基板の載置面側の前記表面部における前記通気性絶縁膜の内部には静電チャック用電極が埋設されてなり、
前記静電チャック用電極に電圧を印加する静電チャック用直流電源を備え、
前記多孔質材料基材の前記連通細孔に対して、前記被処理基板とは反対側から供給されるガスを、前記多孔質材料基材の前記連通細孔を透過させて当該被処理基板の載置面側に均一に噴出させることを特徴とする処理装置。 - 真空容器内に配置された載置台に載置された被処理基板を所定の温度に制御して処理する処理装置であって、
前記載置台は、連通細孔を有する多孔質材料基材で構成されており、
前記多孔質材料基材の前記被処理基板の載置面側の前記表面部における前記通気性絶縁膜の内部には静電チャック用電極を有すると共に、前記多孔質材料基材の外周面を電気絶縁性被膜で被覆した状態で前記静電チャック用電極を埋没させてなり、
前記多孔質材料基材の前記連通細孔にガスを供給するガス供給手段と、前記静電チャック用電極に電圧を印加する静電チャック用直流電源とを備え、
前記多孔質材料基材の前記被処理基板に対面する表面部以外の表面部の外周には非通気性絶縁膜が被覆されてなり、
前記多孔質材料基材の前記連通細孔に対して、前記被処理基板とは反対側から供給されるガスを、前記多孔質材料基材の前記連通細孔を透過させて当該被処理基板の載置面側に均一に噴出させることを特徴とする処理装置。 - 前記多孔質材料基材にガスを供給する前記ガス供給手段が、
前記載置台の前記被処理基板とは反対側からガスを導入するのガス導入孔と、
前記ガス導入孔より前記多孔質材料基材の中央部に到る筒状のガス充填部と、
前記ガス充填部の一端より前記多孔質材料基材の内部に広く板状に形設された隙間部と、
前記隙間部の前記被処理基板側の前記多孔質材料基材の内壁面に所定間隔で凹設された多数の加工溝又は独立して凹設された多数のディンプルを備えたことを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の処理装置。 - 前記多孔質材料基材に埋め込んで接合一体化した発熱体と、前記載置台の前記被処理基板とは反対側から前記発熱体に電力を供給する交流電源とを備えたことを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の処理装置。
- 前記多孔質材料基材に埋め込んで接合一体化した発熱体と、前記載置台の前記被処理基板とは反対側から前記発熱体に電力を供給する交流電源とを備えたことを特徴とする請求項4に記載の処理装置。
- 真空容器内に配置された載置台に載置された被処理基板を所定の温度に制御して処理する処理装置であって、
前記載置台を、連通細孔を有する多孔質材料基材で構成すると共に、前記多孔質材料基材に埋め込んで接合一体化した発熱体を有し、
前記多孔質材料基材の前記被処理基板に対面する表面部には通気性絶縁膜が被覆され、それ以外の表面部には非通気性絶縁膜が被覆されてなり、
前記載置台の前記被処理基板と反対側から前記発熱体に電力を供給する交流電源と、前記多孔質材料基材の連通孔にガスを供給するガス供給手段を備え、
前記ガス供給手段が、前記載置台の前記被処理基板とは反対側からガスを導入するのガス導入孔と、前記ガス導入孔より前記多孔質材料基材の中央部に到る筒状のガス充填部と、前記ガス充填部の一端より前記多孔質材料基材の内部に広く板状に形設された隙間部と、前記隙間部の前記被処理基板側の前記多孔質材料基材の内壁面に所定間隔で凹設された多数の加工溝又は独立して凹設された多数のディンプルを備えたことを特徴とする処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005301722A JP4350695B2 (ja) | 2004-12-01 | 2005-10-17 | 処理装置 |
TW094142285A TWI271816B (en) | 2004-12-01 | 2005-12-01 | Treating apparatus |
US11/290,467 US20060112880A1 (en) | 2004-12-01 | 2005-12-01 | Treating apparatus |
KR1020050116047A KR100858780B1 (ko) | 2004-12-01 | 2005-12-01 | 피처리 기판의 표면 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004348916 | 2004-12-01 | ||
JP2005301722A JP4350695B2 (ja) | 2004-12-01 | 2005-10-17 | 処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006186314A true JP2006186314A (ja) | 2006-07-13 |
JP4350695B2 JP4350695B2 (ja) | 2009-10-21 |
Family
ID=36566226
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005301722A Expired - Fee Related JP4350695B2 (ja) | 2004-12-01 | 2005-10-17 | 処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060112880A1 (ja) |
JP (1) | JP4350695B2 (ja) |
KR (1) | KR100858780B1 (ja) |
TW (1) | TWI271816B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100122774A1 (en) * | 2008-11-20 | 2010-05-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate mounting table and substrate processing apparatus having same |
JP2010135443A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Tanken Seal Seiko Co Ltd | 真空吸着パッドおよび真空吸着装置 |
JP2011519486A (ja) * | 2008-04-30 | 2011-07-07 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | ガスベアリング静電チャック |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4619854B2 (ja) * | 2005-04-18 | 2011-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | ロードロック装置及び処理方法 |
TWI345285B (en) | 2006-10-06 | 2011-07-11 | Ngk Insulators Ltd | Substrate supporting member |
US7992877B2 (en) * | 2007-09-06 | 2011-08-09 | Kla-Tencor Corporation | Non contact substrate chuck |
CN104681402B (zh) * | 2015-03-16 | 2018-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板加热装置和基板加热方法 |
CN108292619B (zh) * | 2016-11-07 | 2023-02-24 | 应用材料公司 | 用于保持基板的载体、载体在处理系统中的使用、应用载体的处理系统、及用于控制基板的温度的方法 |
CN108987323B (zh) * | 2017-06-05 | 2020-03-31 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种承载装置及半导体加工设备 |
KR101986668B1 (ko) * | 2017-08-21 | 2019-09-30 | 주식회사 제스코 | 다공성 레이어가 구비된 정전척 |
KR102368832B1 (ko) * | 2021-07-08 | 2022-03-02 | 에이피티씨 주식회사 | 다중 가열 영역 구조의 정전 척 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3549847A (en) * | 1967-04-18 | 1970-12-22 | Gen Electric | Graphite susceptor |
JPS60103651U (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-15 | シチズン時計株式会社 | 真空吸着台 |
DE69130205T2 (de) * | 1990-12-25 | 1999-03-25 | Ngk Insulators Ltd | Heizungsapparat für eine Halbleiterscheibe und Verfahren zum Herstellen desselben |
US5529657A (en) * | 1993-10-04 | 1996-06-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
US5636098A (en) * | 1994-01-06 | 1997-06-03 | Applied Materials, Inc. | Barrier seal for electrostatic chuck |
WO1999049705A1 (fr) * | 1998-03-20 | 1999-09-30 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement plasmique |
US6606234B1 (en) * | 2000-09-05 | 2003-08-12 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Electrostatic chuck and method for forming an electrostatic chuck having porous regions for fluid flow |
JP4493863B2 (ja) * | 2001-01-25 | 2010-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法および静電チャックの除電方法 |
JP4540926B2 (ja) * | 2002-07-05 | 2010-09-08 | 忠弘 大見 | プラズマ処理装置 |
US7221553B2 (en) * | 2003-04-22 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Substrate support having heat transfer system |
-
2005
- 2005-10-17 JP JP2005301722A patent/JP4350695B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-01 TW TW094142285A patent/TWI271816B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-12-01 US US11/290,467 patent/US20060112880A1/en not_active Abandoned
- 2005-12-01 KR KR1020050116047A patent/KR100858780B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011519486A (ja) * | 2008-04-30 | 2011-07-07 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | ガスベアリング静電チャック |
US20100122774A1 (en) * | 2008-11-20 | 2010-05-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate mounting table and substrate processing apparatus having same |
JP2010135443A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Tanken Seal Seiko Co Ltd | 真空吸着パッドおよび真空吸着装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060112880A1 (en) | 2006-06-01 |
JP4350695B2 (ja) | 2009-10-21 |
KR100858780B1 (ko) | 2008-09-17 |
TWI271816B (en) | 2007-01-21 |
TW200625508A (en) | 2006-07-16 |
KR20060061256A (ko) | 2006-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4350695B2 (ja) | 処理装置 | |
US10373853B2 (en) | Electrostatic chuck and wafer processing apparatus | |
JP3954177B2 (ja) | 金属部材とセラミックス部材との接合構造およびその製造方法 | |
KR101929278B1 (ko) | 정전 척 | |
JP6239894B2 (ja) | 静電チャック | |
TW202040744A (zh) | 局部加熱之多區域基材支撐座 | |
JP2008115440A (ja) | 基板加熱装置 | |
JP2009152475A (ja) | 基板温調固定装置 | |
JP2007134088A (ja) | セラミックスヒーターおよびセラミックスヒーターの製造方法 | |
JP2008118052A (ja) | 基板加熱装置 | |
JP2018006768A (ja) | 静電チャック | |
JP2021529440A (ja) | 高周波電力プロセスのための半導体処理装置 | |
JP2015035446A (ja) | 静電チャック | |
JP6657426B2 (ja) | 試料保持具 | |
TWI504307B (zh) | 片狀加熱器 | |
TWI647972B (zh) | Surface heating element and semiconductor manufacturing apparatus having planar heating element | |
JP2007157552A (ja) | 石英ガラス製加熱装置 | |
JP3572293B2 (ja) | 電流導入端子及びこれを有する真空処理装置 | |
JP3953021B2 (ja) | ヒータ | |
US20220102181A1 (en) | Electrostatic chuck and semiconductor manufacturing apparatus | |
JP2003192455A (ja) | 通電加圧焼結装置の焼結型 | |
US11776836B2 (en) | Electrostatic chuck and semiconductor manufacturing apparatus | |
JP3953020B2 (ja) | ヒータ | |
US20220102182A1 (en) | Electrostatic chuck and semiconductor manufacturing apparatus | |
US20220102184A1 (en) | Electrostatic chuck and semiconductor manufacturing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080730 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080819 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081017 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090721 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090722 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120731 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120731 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120731 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150731 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |