JP2006186066A - レーザ光源及びレーザ表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】携帯性に優れたレーザ表示装置を実現可能な小型のレーザ光源を提供する。
【解決手段】R,G,Bのレーザ光を出射するレーザ光源100は、青色のレーザ光を出射する青色半導体レーザ8と、赤色のレーザ光を出射する赤色半導体レーザ9と、DBR−LD6及びそこから出射されるレーザ光の波長を変換する波長変換素子5とにより構成され、緑色のレーザ光を出射するレーザとを備え、青色半導体レーザ8、赤色半導体レーザ9、及び前記レーザは、それぞれ同一パッケージ内に実装される。
【選択図】図1
【解決手段】R,G,Bのレーザ光を出射するレーザ光源100は、青色のレーザ光を出射する青色半導体レーザ8と、赤色のレーザ光を出射する赤色半導体レーザ9と、DBR−LD6及びそこから出射されるレーザ光の波長を変換する波長変換素子5とにより構成され、緑色のレーザ光を出射するレーザとを備え、青色半導体レーザ8、赤色半導体レーザ9、及び前記レーザは、それぞれ同一パッケージ内に実装される。
【選択図】図1
Description
本発明は、複数波長のレーザ光を出射するレーザ光源に関する。
画像データにより強度変調したレーザ光をスクリーン等の描画面上を2次元走査して画像を表示するレーザ表示装置が知られている。このようなレーザ表示装置としては、レーザ光源として、赤色(R),緑色(G),青色(B)の光を出射する3つのガスレーザを備え、これら3つの光をダイクロックミラー等によって同一光路上に集めて出射させている。このようなレーザ表示装置は、ガスレーザを用いているため、大型になってしまう。
そこで、ガスレーザの代わりに小型の半導体レーザを用いてレーザ光源を構成した例が特許文献1に記載されている。このレーザ光源は、例えば、R光を出射する半導体レーザと、半導体レーザ及びその半導体レーザからのレーザ光の波長を変換する波長変換素子(第2高調波発生素子)とを組み合わせてG光,B光を出射する2つの固体レーザとを用いている。
従来からあるレーザ表示装置は、ユーザが携帯して利用するといったことを前提に作られておらず、携帯性に優れたレーザ表示装置実現のためには、レーザ光源の更なる小型化が必須となる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、携帯性に優れたレーザ表示装置を実現可能な小型のレーザ光源を提供することを目的とする。
本発明のレーザ光源は、複数波長のレーザ光を出射するレーザ光源であって、第1の半導体レーザと、第2の半導体レーザと該第2の半導体レーザからのレーザ光の波長を変換する波長変換素子とにより構成され、前記第1の半導体レーザとは異なる波長のレーザ光を出射するレーザとを備え、前記第1の半導体レーザ及び前記レーザは、それぞれ同一パッケージ内に実装される。
この構成により、携帯性に優れたレーザ表示装置を実現可能な小型のレーザ光源を提供することができる。
本発明のレーザ光源は、前記第1の半導体レーザで発生する熱が前記波長変換素子に伝わるのを防止する熱伝防止手段を前記同一パッケージ内に備える。
この構成により、第1の半導体レーザで発生する熱によって波長変換素子の特性が変動してしまうのを防ぐことができる。
本発明のレーザ光源は、前記第1の半導体レーザと前記レーザは支持体を挟んで対向する位置に実装され、前記熱伝防止手段は前記支持体である。
本発明のレーザ光源は、前記熱伝防止手段が前記波長変換素子の周囲を覆う放熱部材及び断熱部材の少なくとも一方である。
本発明のレーザ光源は、前記第1の半導体レーザが前記放熱部材又は前記断熱部材の上に実装される。
本発明のレーザ光源は、前記波長変換素子の周囲の温度を検知する温度検知手段を前記同一パッケージ内に備え、前記温度検知手段で検知された温度に基づいて、前記第2の半導体レーザの発振波長を制御する波長制御手段を備える。
この構成により、第1の半導体レーザで発生する熱等によって波長変換素子周囲の温度が変動することにより、波長変換素子の特性が変動してしまった場合でも、その変動に対応することが可能となる。
本発明のレーザ光源は、前記第1の半導体レーザ及び前記第2の半導体レーザからのレーザ光の光量を検知するレーザ光量検知手段と、前記検知された光量に基づいて、前記第1の半導体レーザ及び前記第2の半導体レーザへの入力電流を制御する電流制御手段とを備える。
この構成により、パッケージ内の温度変動等による第1の半導体レーザ及びレーザから出射されるレーザ光の光量を一定にすることができる。
本発明のレーザ光源は、前記第1の半導体レーザが、赤色光を出射する赤色半導体レーザと、青色光を出射する青色半導体レーザとを含み、前記レーザが緑色光を出射する。
この構成により、カラー画像を表示可能なレーザ光源を提供することができる。
本発明のレーザ表示装置は、前記レーザ光源と、画像データに応じて変調したレーザ光を前記第1の半導体レーザ及び前記レーザから出射させるレーザ光出射制御手段と、前記第1の半導体レーザ及び前記レーザからのレーザ光を描画面上で2次元走査する2次元走査手段とを備える。
本発明によれば、携帯性に優れたレーザ表示装置を実現可能な小型のレーザ光源を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、本発明の実施形態を説明するためのレーザ光源の概略構成を示す斜視図である。図2は、図1に示すレーザ光源を矢印A方向から見た図である。図3は、図1に示すレーザ光源を矢印B方向から見た図である。図4は、図1に示すレーザ光源を矢印C方向から見た図である。図1に示すレーザ光源100は、例えば、画像データにより強度変調したレーザ光をスクリーン等の描画面上を2次元走査して画像を表示するレーザ表示装置に適用されるものである。図3及び図4では配線の図示を省略した。
図1〜4に示すように、円板状のステム1には支持体2が垂直に立設され、支持体2の上にはシリコンベンチ3が形成される。シリコンベンチ3の上には分布ブラッグ反射(以下、DBRという)領域を有する波長可変半導体レーザ6(以下DBR−LD6という)がジャンクションダウン実装されている。DBR−LD6は、活性層領域とDBR領域とから構成されており、DBR領域に注入する注入電流の量を変えることにより、DBR−LD6の発振波長を変えることができる。DBR−LD6は特許請求の範囲の第2の半導体レーザに該当する。
シリコンベンチ3の上には、更に、DBR−LD6から出射されたレーザ光の波長を変換して出射する波長変換素子5(SHG素子)が実装される。DBR−LD6の光出射端面と波長変換素子5の光入射端面とは接触している。
波長変換素子5は光導波路5aを含み、DBR−LD6の光出射端面より得られたレーザ光は、直接、光導波路5aに入射され、ここで波長が変換されて外部に出射される。本実施形態では、波長変換素子5から緑色光(波長500nm〜560nm)が出射されるように、DBR−LD6の発振波長が決定される。図1及び図4では、波長変換素子5から出射される光の出射点位置を黒い半円で示してある。DBR−LD6と波長変換素子5を組み合わせたレーザについては、特開2003−298180号公報や特開2001−264832号公報にその詳細が記載されているので、これを参照されたい。
シリコンベンチ3の上には、波長変換素子5の周囲(DBR−LD6との接触面及び光出射端面を除く部分)を覆うようにヒートシンク4(特許請求の範囲の放熱手段に該当)が形成され、ヒートシンク4の上には絶縁層7を介して、青色光(波長430nm〜490nm)を出射する青色半導体レーザ8(特許請求の範囲の第1の半導体レーザに該当)と、赤色光(波長600nm〜700nm)を出射する赤色半導体レーザ9(特許請求の範囲の第1の半導体レーザに該当)とがそれぞれジャンクションアップ実装される。図1及び図4では、青色半導体レーザ8,赤色半導体レーザ9から出射されるレーザ光の出射点位置をそれぞれ黒い半円で示してある。尚、青色半導体レーザ8及び赤色半導体レーザ9はジャンクションダウンで実装してあっても良い。
ヒートシンク4は、青色半導体レーザ8及び赤色半導体レーザ9で発生する熱が波長変換素子5に伝わるのを防止する熱伝防止手段の一例であり、その材料としてはAIN、ダイヤモンド、及び銅等を用いることができる。
波長変換素子5は、ガラス並の熱伝導性を持ち、しかも、熱によって波長変換特性が変動してしまう。一方、青色半導体レーザ8及び赤色半導体レーザ9からはレーザ光出射時に熱が発生する。本実施形態では、波長変換素子5と、青色半導体レーザ8及び赤色半導体レーザ9とが同一パッケージ内に実装されるため、青色半導体レーザ8及び赤色半導体レーザ9で発生する熱が波長変換素子5に与える影響が問題となる。レーザ光源をレーザ表示装置に用いた場合には、レーザ光を繰り返し点滅させる必要があるため、発生する熱が特に大きい。
そこで、本実施形態のように、波長変換素子5の周囲を覆うようにヒートシンク4を設けることで、波長変換素子5と、青色半導体レーザ8及び赤色半導体レーザ9とを同一パッケージ内に実装した場合でも、青色半導体レーザ8及び赤色半導体レーザ9からの熱によって波長変換素子5の特性が変動してしまうといったことを防ぐことができる。
又、図1〜図4の例では、青色半導体レーザ8及び赤色半導体レーザ9の光出射点位置が、波長変換素子5からなるべく遠くになるように、青色半導体レーザ8及び赤色半導体レーザ9がそれぞれジャンクションアップ実装されている。これにより、波長変換素子5への熱伝防止効果をより高めることができる。
ヒートシンク4、波長変換素子5、DBR-LD6、絶縁層7、青色半導体レーザ8、赤色半導体レーザ9は、同一パッケージ内に実装される。
ステム1には駆動部12(特許請求の範囲の波長制御手段、電流制御手段に該当)に接続された配線10が接続され、配線10の一部はステム1を貫通している。そして、貫通した配線10には更に配線11が接続され、配線11はDBR−LD6,青色半導体レーザ8,赤色半導体レーザ9に接続される。DBR−LD6,青色半導体レーザ8,赤色半導体レーザ9は、配線10,11を介して駆動部12から入力される駆動信号に応じて、レーザ光を出射する。
以上のように本実施形態のレーザ光源100によれば、DBR−LD6及び波長変換素子5との組み合わせで構成される緑色光を出射するレーザと、青色半導体レーザ8と、赤色半導体レーザ9とを同一パッケージ内に実装しているため、レーザ光源100を小型化することができ、このレーザ光源100を用いることで、携帯性に優れたレーザ表示装置を実現することが可能となる。
又、本実施形態のレーザ光源100によれば、DBR−LD6及び波長変換素子5との組み合わせで構成される緑色光を出射するレーザと、青色半導体レーザ8と、赤色半導体レーザ9とを同一パッケージ内に実装した場合でも、青色半導体レーザ8及び赤色半導体レーザ9で発生した熱が波長変換素子5に与える影響を少なくすることができ、RGBの光を精度良く出射可能な小型のレーザ光源100を実現することができる。
尚、本実施形態では、波長変換素子5への熱の影響を少なくすることが可能だが、青色半導体レーザ8及び赤色半導体レーザ9で発生した熱が波長変換素子5に伝わるのを完全に防ぐことは難しい。このため、図1のような構成であっても、波長変換素子5の特性に多少の変動が起こる可能性がある。特性の変動が起こった場合、DBR−LD6の発振波長を変えないままでは、波長変換素子5から出射されるレーザ光の波長を所望の値に維持することができなくなってしまう。
そこで、レーザ光源100に、波長変換素子5の周囲の温度を検知する温度検知手段(例えばサーミスタ)を、例えばヒートシンク4と波長変換素子5との間に設けておき、温度検知手段で検知された温度を駆動部12に入力し、駆動部12が、検知された温度に基づいてDBR−LD6の発振波長を制御(具体的にはDBR領域への注入電流量を制御)することが好ましい。このようにすることで、波長変換素子5の特性が熱によって変動した場合でも、その変動を吸収することが可能となる。
又、レーザ光源100をレーザ表示装置に適用する場合、DBR−LD6、青色半導体レーザ8、及び赤色半導体レーザ9は、それぞれ画像データにしたがった一定の光量でレーザ光を出射することが求められる。DBR−LD6、青色半導体レーザ8、及び赤色半導体レーザ9は、熱によって発振波長が変化してしまうため、これらを同一パッケージ内に備える本実施形態のレーザ光源100では、出射するレーザ光の光量を一定に保つ制御を行うことがより好ましい。
この場合は、レーザ光源に、DBR−LD6、青色半導体レーザ8、及び赤色半導体レーザ9の各々から出射されるレーザ光の光量を検知するレーザ光量検知手段(例えばフォトダイオード)を、例えばDBR−LD6、青色半導体レーザ8、及び赤色半導体レーザ9それぞれの光出射端面の反対面に対向させて配置しておき、レーザ光量検知手段で検知されたレーザ光量を駆動部12に入力し、駆動部12が、検知されたレーザ光量に基づいて、DBR−LD6、青色半導体レーザ8、及び赤色半導体レーザ9からのレーザ光量を制御(具体的には各半導体レーザへの入力電流量を制御)する構成とすれば良い。
(第二実施形態)
図5は、本発明の第二実施形態を説明するためのレーザ光源の変形例を示す図である。図5は、レーザ光源を図1のC方向から見たときの図である。図5において図1〜図4と同様の構成には同一符号を付してある。又、図5では配線の図示を省略した。
図5は、本発明の第二実施形態を説明するためのレーザ光源の変形例を示す図である。図5は、レーザ光源を図1のC方向から見たときの図である。図5において図1〜図4と同様の構成には同一符号を付してある。又、図5では配線の図示を省略した。
図5に示すレーザ光源200は、図1〜図4に示すレーザ光源100において、波長変換素子5とヒートシンク4の間に、波長変換素子5の周囲を覆う断熱部材13を形成した構成である。このような構成にすることにより、波長変換素子5への熱伝防止効果をより高めることができる。尚、図5において、ヒートシンク4と断熱部材13を逆にしても同様の効果が得られる。又、図1〜4においてヒートシンク4の代わりに断熱部材13を設けるだけでも熱伝防止効果を得ることができる。
(第三実施形態)
図6は、本発明の第三実施形態を説明するためのレーザ光源の変形例を示す図である。図6(a)は、レーザ光源を図1のC方向から見たときの図、図6(b)は、レーザ光源を図1のA方向から見たときの図である。図6において図1〜図4と同様の構成には同一符号を付してある。又、図6では配線の図示を省略した。
図6は、本発明の第三実施形態を説明するためのレーザ光源の変形例を示す図である。図6(a)は、レーザ光源を図1のC方向から見たときの図、図6(b)は、レーザ光源を図1のA方向から見たときの図である。図6において図1〜図4と同様の構成には同一符号を付してある。又、図6では配線の図示を省略した。
図6に示すレーザ光源300は、図1〜図4に示すレーザ光源100において、DBR−LD6及び波長変換素子5から構成されるレーザと、青色半導体レーザ8及び赤色半導体レーザ9とを支持体2を挟んで対向する位置に実装し、ヒートシンク4及び絶縁層7を無くした構成である。DBR−LD6及び波長変換素子5の実装方法は図1と同様である。青色半導体レーザ8及び赤色半導体レーザ9は、それぞれ、ステム2のシリコンベンチ3が形成されている面の反対面に、ジャンクションアップ実装されている。
図6に示す構成によれば、波長変換素子5と、青色半導体レーザ8及び赤色半導体レーザ9の光出射点位置との間に、ステム2とシリコンベンチ3が介在することになり、ステム2とシリコンベンチ3が熱伝防止手段としての機能を果たすため、ヒートシンク4を設けずに、第一実施形態と同様の効果を得ることができる。又、青色半導体レーザ8及び赤色半導体レーザ9をジャンクションアップ実装することで、波長変換素子5と、青色半導体レーザ8及び赤色半導体レーザ9の光出射点位置が離れるため、熱伝防止効果をより高めることができる。
(第四実施形態)
図7は、本発明の第四実施形態を説明するためのレーザ光源の変形例を示す図である。図7(a)は、レーザ光源を図1のC方向から見たときの図、図7(b)は、レーザ光源を図1のA方向から見たときの図である。図7において図1〜図4と同様の構成には同一符号を付してある。又、図7では配線の図示を省略した。
図7は、本発明の第四実施形態を説明するためのレーザ光源の変形例を示す図である。図7(a)は、レーザ光源を図1のC方向から見たときの図、図7(b)は、レーザ光源を図1のA方向から見たときの図である。図7において図1〜図4と同様の構成には同一符号を付してある。又、図7では配線の図示を省略した。
図7に示すレーザ光源400は、図1〜図4に示すレーザ光源100において、ヒートシンク4及び絶縁層7を削除し、波長変換素子5の上に直接青色半導体レーザ8及び赤色半導体レーザ9を実装した構成である。このような構成で、DBR−LD6及び波長変換素子5の組み合わせで構成される緑色光を出射するレーザと、青色半導体レーザ8と、赤色半導体レーザ9とを同一パッケージ内に実装することでも、小型化を実現することができる。
(第五実施形態)
図8は、本発明の第五実施形態を説明するためのレーザ表示装置の概略構成を示す側面図である。図9は、レーザ表示装置を正面から見た図である。
図8に示すレーザ表示装置500は、第一実施形態で説明したレーザ光源100と、画像データに基づいて変調したレーザ光を出射させるための駆動信号を生成して駆動部12に入力し、画像データに基づいて変調したレーザ光を、DBR−LD6、青色半導体レーザ8、及び赤色半導体レーザ9から出射させるレーザ光出射制御を行う制御部15(特許請求の範囲のレーザ光出射制御手段に該当)と、レーザ光源100から出射されたレーザ光を平行光化するコリメートレンズ14と、レーザ光源100から出射されたレーザ光を水平方向及びこれに直交する垂直方向に偏向させて、レーザ光をスクリーン30等の描画面上で2次元走査する2次元走査手段20とを備える。
図8は、本発明の第五実施形態を説明するためのレーザ表示装置の概略構成を示す側面図である。図9は、レーザ表示装置を正面から見た図である。
図8に示すレーザ表示装置500は、第一実施形態で説明したレーザ光源100と、画像データに基づいて変調したレーザ光を出射させるための駆動信号を生成して駆動部12に入力し、画像データに基づいて変調したレーザ光を、DBR−LD6、青色半導体レーザ8、及び赤色半導体レーザ9から出射させるレーザ光出射制御を行う制御部15(特許請求の範囲のレーザ光出射制御手段に該当)と、レーザ光源100から出射されたレーザ光を平行光化するコリメートレンズ14と、レーザ光源100から出射されたレーザ光を水平方向及びこれに直交する垂直方向に偏向させて、レーザ光をスクリーン30等の描画面上で2次元走査する2次元走査手段20とを備える。
2次元走査手段20は、ガルバノミラーを2枚組み合わせたものや、ガルバノミラーとポリゴンミラーを組み合わせたものや、2軸偏向ミラー(水平方向と垂直方向のいずれにも偏向可能な1枚のミラー)等を用いることができる。以下では2軸偏向ミラーを用いることとする。
レンズ14は、図9に示すように、波長変換素子5、青色半導体レーザ8、及び赤色半導体レーザ9のそれぞれに対応して設けられる。各レンズ14の中心は、波長変換素子5、青色半導体レーザ8、及び赤色半導体レーザ9のそれぞれの光出射点位置と一致するように位置決めされている。レンズ14は、波長変換素子5、青色半導体レーザ8、及び赤色半導体レーザ9のそれぞれから出射されるレーザ光が、2軸偏向ミラー20に同一の入射角で入射されるように、各レーザ光を平行光化する。
波長変換素子5、青色半導体レーザ8、及び赤色半導体レーザ9のそれぞれの光出射点位置は近い程好ましいが、光出射点位置が近くなると、レンズの大きさによっては、3つのレンズ14が重なってしまう。そこで、このような場合には、レンズ14を偏心させて配置すれば良い。
以下、レーザ表示装置500の動作を説明する。
スクリーン30に描画させる画像データが制御部15に入力されると、この画像データに基づいて変調したレーザ光を出射させるための駆動信号が駆動部12に入力され、画像データに基づいて変調したレーザ光が、DBR−LD6、青色半導体レーザ8、及び赤色半導体レーザ9から出射される。
スクリーン30に描画させる画像データが制御部15に入力されると、この画像データに基づいて変調したレーザ光を出射させるための駆動信号が駆動部12に入力され、画像データに基づいて変調したレーザ光が、DBR−LD6、青色半導体レーザ8、及び赤色半導体レーザ9から出射される。
波長変換素子5、青色半導体レーザ8、及び赤色半導体レーザ9から出射されたR,G,Bのレーザ光は、それぞれレンズ14を通過し、2軸偏向ミラー20に同一の入射角で入射し、2軸偏向ミラー20で反射したR,G,Bのレーザ光は、スクリーン30に到達する。このとき、スクリーン30には図10に示すような配置でR,G,Bが表示され、この3つのR,G,Bが1画素を形成する。そして、このような1画素がスクリーン30上で水平方向及び垂直方向に高速で2次元状に表示されることで、画像が表示される。
以上のように本実施形態のレーザ表示装置500によれば、レーザ光源として第一実施形態で説明した小型のレーザ光源100を用いているため、携帯性に優れたレーザ表示装置を提供することができる。
尚、本実施形態ではレーザ光源としてレーザ光源100を用いたが、第二実施形態〜第四実施形態で説明したレーザ光源200〜400のいずれかを用いても良い。
又、R,G,Bのレーザ光を2次元走査するに当たり、垂直方向の走査線の端部と、水平方向の走査線の端部とに適当なブランキング期間を設けて所望の描画をスクリーン上に行うのが好ましい。この場合は、レーザ光の走査範囲の端部付近に受光素子を設置しておき、この受光素子からの信号を用いて、制御部15が、レーザ光による走査開始位置を決定すれば良い。
100 レーザ光源
1 ステム
2 支持体
3 シリコンベンチ
4 ヒートシンク
5 波長変換素子
6 DBR−LD
7 絶縁層
8 青色半導体レーザ
9 赤色半導体レーザ
10,11 配線
12 駆動部
1 ステム
2 支持体
3 シリコンベンチ
4 ヒートシンク
5 波長変換素子
6 DBR−LD
7 絶縁層
8 青色半導体レーザ
9 赤色半導体レーザ
10,11 配線
12 駆動部
Claims (9)
- 複数波長のレーザ光を出射するレーザ光源であって、
第1の半導体レーザと、
第2の半導体レーザと該第2の半導体レーザからのレーザ光の波長を変換する波長変換素子とにより構成され、前記第1の半導体レーザとは異なる波長のレーザ光を出射するレーザとを備え、
前記第1の半導体レーザ及び前記レーザは、それぞれ同一パッケージ内に実装されるレーザ光源。 - 請求項1記載のレーザ光源であって、
前記第1の半導体レーザで発生する熱が前記波長変換素子に伝わるのを防止する熱伝防止手段を前記同一パッケージ内に備えるレーザ光源。 - 請求項2記載のレーザ光源であって、
前記第1の半導体レーザと前記レーザは支持体を挟んで対向する位置に実装され、
前記熱伝防止手段は前記支持体であるレーザ光源。 - 請求項2記載のレーザ光源であって、
前記熱伝防止手段は、前記波長変換素子の周囲を覆う放熱部材及び断熱部材の少なくとも一方であるレーザ光源。 - 請求項4記載のレーザ光源であって、
前記第1の半導体レーザは、前記放熱部材又は前記断熱部材の上に実装されるレーザ光源。 - 請求項1〜5のいずれか記載のレーザ光源であって、
前記波長変換素子の周囲の温度を検知する温度検知手段を前記同一パッケージ内に備え、
前記温度検知手段で検知された温度に基づいて、前記第2の半導体レーザの発振波長を制御する波長制御手段を備えるレーザ光源。 - 請求項1〜6のいずれか記載のレーザ光源であって、
前記第1の半導体レーザ及び前記第2の半導体レーザからのレーザ光の光量を検知するレーザ光量検知手段と、
前記検知された光量に基づいて、前記第1の半導体レーザ及び前記第2の半導体レーザへの入力電流を制御する電流制御手段とを備えるレーザ光源。 - 請求項1〜7のいずれか記載のレーザ光源であって、
前記第1の半導体レーザは、赤色光を出射する赤色半導体レーザと、青色光を出射する青色半導体レーザとを含み、
前記レーザは、緑色光を出射するレーザ光源。 - 請求項1〜8のいずれか記載のレーザ光源と、
画像データに応じて変調したレーザ光を前記第1の半導体レーザ及び前記レーザから出射させるレーザ光出射制御手段と、
前記第1の半導体レーザ及び前記レーザからのレーザ光を描画面上で2次元走査する2次元走査手段とを備えるレーザ表示装置。
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004377167A Pending JP2006186066A (ja) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | レーザ光源及びレーザ表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006186066A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008276231A (ja) * | 2007-04-30 | 2008-11-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | マルチカラーレーザディスプレイ用のビーム結合器およびマルチカラーレーザディスプレイ |
JP2010505266A (ja) * | 2006-09-26 | 2010-02-18 | コーニング インコーポレイテッド | 半導体レーザにおける温度補償 |
JP2010217439A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Ricoh Co Ltd | 光源ユニット・光源装置・光走査装置および画像形成装置 |
-
2004
- 2004-12-27 JP JP2004377167A patent/JP2006186066A/ja active Pending
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JP2010505266A (ja) * | 2006-09-26 | 2010-02-18 | コーニング インコーポレイテッド | 半導体レーザにおける温度補償 |
JP2008276231A (ja) * | 2007-04-30 | 2008-11-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | マルチカラーレーザディスプレイ用のビーム結合器およびマルチカラーレーザディスプレイ |
JP2010217439A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Ricoh Co Ltd | 光源ユニット・光源装置・光走査装置および画像形成装置 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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