JP2006182775A - 有機金属錯体およびそれを用いたフォトエレクトロニクスデバイス、発光素子、発光装置 - Google Patents
有機金属錯体およびそれを用いたフォトエレクトロニクスデバイス、発光素子、発光装置 Download PDFInfo
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- GCVFCMJENJPSIU-UHFFFAOYSA-N FC(c(cc1)ccc1-c1nc(cccc2)c2nc1-c1ccc(C(F)(F)F)cc1)(F)F Chemical compound FC(c(cc1)ccc1-c1nc(cccc2)c2nc1-c1ccc(C(F)(F)F)cc1)(F)F GCVFCMJENJPSIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
Description
C.W.タン、外1名、アプライド フィジクス レターズ、vol.51、No.12、913−915(1987) 筒井哲夫、「応用物理学会 有機分子・バイオエレクトロニクス分科会・第3回講習会テキスト」、P.31(1993) テツオ ツツイ、外8名、ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジクス、vol.38、L1502−L1504(1999)
に適用することができる。
また、再結合効率の高い発光素子を得ることができる。
本発明の発光素子は、複数の発光層を有するものであってもよい。複数の発光層を設け、それぞれの発光層からの発光を混合することで、例えば白色光の光を得ることができる。本形態では、複数の発光層を有する発光素子の態様について図2、3を用いて説明する。
本発明の有機金属錯体を増感剤として用いた発光素子の態様について、図4を用いて説明する。
本発明の有機金属錯体を含む本発明の発光素子は、良好な発光色を呈するため、本発明の発光素子を画素として用いることによって、色彩の良好な画像を映す機能を有する発光装置を得ることができる。また、本発明の発光素子は効率よく発光することができるため、本発明の発光素子を画素などに用いることによって、消費電力の低い発光装置を得ることができる。
本発明の発光素子を含む発光装置の断面図の一態様について、図9を用いて説明する。
本発明の発光素子を含む発光装置は良好な画像を表示することができるため、本発明の発光装置を電子機器の表示部に適用することによって、優れた映像を提供できる電子機器を得ることができる。また、本発明の発光素子を含む発光装置は発光効率が良いために低消費電力で駆動できるため、本発明の発光装置を電子機器の表示部に適用することによって、消費電力の少ない電子機器を得ることができ、例えば、待受時間等の長い電話機等を得ることができる。
11 トランジスタ
12 発光素子
13 第1の電極
14 第2の電極
15 層
16 第1層間絶縁膜
17 配線
18 隔壁層
19 第2層間絶縁膜
151 第1の電極
152 第2の電極
161 正孔注入層
162 正孔輸送層
163 発光層
164 電子輸送層
165 電子注入層
181 第1の電極
182 第2の電極
191 正孔注入層
192 正孔輸送層
193 発光層
194 電子輸送層
195 電子注入層
501 サブフレーム
502 サブフレーム
503 サブフレーム
504 サブフレーム
751 第1の電極
752 第2の電極
761 電子注入層
762 電子輸送層
763 発光層
764 間隔層
765 発光層
766 正孔輸送層
767 正孔注入層
771 第1の電極
772 第2の電極
781 電子注入層
782 電子輸送層
783 発光層
784 正孔輸送層
785 第1の層
786 第2の層
787 電子輸送層
788 発光層
789 正孔輸送層
790 正孔注入層
901 第1のトランジスタ
902 第2のトランジスタ
903 発光素子
911 ゲート信号線
912 ソース信号線
913 書込用ゲート信号線駆動回路
914 消去用ゲート信号線駆動回路
915 ソース信号線駆動回路
916 電源
917 電流供給線
918 スイッチ
919 スイッチ
920 スイッチ
1001 第1のトランジスタ
1002 第2のトランジスタ
1003 ゲート信号線
1004 ソース信号線
1005 電流供給線
1006 電極
501a 書き込み期間
501b 保持期間
504b 保持期間
504c 消去期間
504d 非発光期間
5521 本体
5522 筐体
5523 表示部
5524 キーボード
5531 表示部
5532 筐体
5533 スピーカー
5551 表示部
5552 本体
5553 アンテナ
5554 音声出力部
5555 音声入力部
5556 操作スイッチ
6500 基板
6503 FPC(フレキシブルプリントサーキット)
6504 プリント配線基板(PWB)
6511 画素部
6512 ソース信号線駆動回路
6513 書込用ゲート信号線駆動回路
6514 消去用ゲート信号線駆動回路
Claims (11)
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の有機金属錯体を含むことを特徴とするフォトエレクトロニクスデバイス。
- 一対の電極間に、請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の有機金属錯体を含む層を有する発光素子。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の有機金属錯体を発光物質として用いることを特徴とする発光素子。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の有機金属錯体を蛍光性化合物の増感剤として用いていることを特徴とする発光素子。
- 請求項6乃至請求項8のいずれか一項に記載の発光素子が複数配置されていることを特徴とする発光装置。
- 請求項6乃至請求項8のいずれか一項に記載の発光素子を画素として用いていることを特徴とする発光装置。
- 請求項9または請求項10に記載の発光装置を表示部に用いていることを特徴とする電子機器。
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Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006352106A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子及び発光装置 |
JP2008303205A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-12-18 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 金属配位化合物ならびにこれを用いた発光材料 |
JP2009149632A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-07-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | キノキサリン誘導体、およびキノキサリン誘導体を用いた発光素子、発光装置並びに電子機器 |
JP2009149629A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-07-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | キノキサリン誘導体、並びにその誘導体を用いた発光素子、発光装置及び電子機器 |
JP2009167180A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | キノキサリン誘導体及びそれを用いた発光素子、発光装置、電子機器 |
US7771844B2 (en) | 2004-12-03 | 2010-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Organic metal complex and photoelectronic device, light-emitting element and light-emitting device using the same |
US7795429B2 (en) | 2004-12-03 | 2010-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organometallic complex, and light-emitting element and light-emitting device using the organometallic complex |
US7811677B2 (en) | 2004-05-20 | 2010-10-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
US7915409B2 (en) | 2003-12-02 | 2011-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organometal complex and light-emitting element using the same |
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WO2012111580A1 (en) * | 2011-02-16 | 2012-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
KR20140136027A (ko) * | 2012-03-14 | 2014-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
US8920940B2 (en) | 2005-05-20 | 2014-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
US8969854B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting layer and light-emitting element |
KR20180109052A (ko) * | 2010-09-09 | 2018-10-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 복소 고리 화합물, 발광소자, 발광장치, 전자기기, 및 조명장치 |
KR101922602B1 (ko) | 2012-02-09 | 2018-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
KR20190086585A (ko) * | 2011-04-07 | 2019-07-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002045466A1 (fr) * | 2000-11-30 | 2002-06-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Element luminescent et ecran |
JP2005239648A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Sanyo Electric Co Ltd | キノキサリン構造を含む有機金属化合物及び発光素子 |
JP3810789B2 (ja) * | 2003-12-02 | 2006-08-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
-
2005
- 2005-12-02 JP JP2005348632A patent/JP4312753B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002045466A1 (fr) * | 2000-11-30 | 2002-06-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Element luminescent et ecran |
JP3810789B2 (ja) * | 2003-12-02 | 2006-08-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
JP2005239648A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Sanyo Electric Co Ltd | キノキサリン構造を含む有機金属化合物及び発光素子 |
Cited By (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8278444B2 (en) | 2003-12-02 | 2012-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organometal complex and light-emitting element using the same |
US7915409B2 (en) | 2003-12-02 | 2011-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organometal complex and light-emitting element using the same |
US8569486B2 (en) | 2003-12-02 | 2013-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organometal complex and light-emitting element using the same |
US9219236B2 (en) | 2003-12-02 | 2015-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organometal complex and light-emitting element using the same |
US7811677B2 (en) | 2004-05-20 | 2010-10-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
US8637167B2 (en) | 2004-05-20 | 2014-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
US8512880B2 (en) | 2004-12-03 | 2013-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organometallic complex, and light-emitting element and light-emitting device using the organometallic complex |
US7795429B2 (en) | 2004-12-03 | 2010-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organometallic complex, and light-emitting element and light-emitting device using the organometallic complex |
US7771844B2 (en) | 2004-12-03 | 2010-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Organic metal complex and photoelectronic device, light-emitting element and light-emitting device using the same |
US8227600B2 (en) | 2004-12-07 | 2012-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organometallic complex, and light-emitting element and light-emitting device using the same |
US7951471B2 (en) | 2004-12-07 | 2011-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organometallic complex, and light-emitting element and light-emitting device using the same |
JP2006352106A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子及び発光装置 |
US8920940B2 (en) | 2005-05-20 | 2014-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
JP2008303205A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-12-18 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 金属配位化合物ならびにこれを用いた発光材料 |
JP2009149632A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-07-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | キノキサリン誘導体、およびキノキサリン誘導体を用いた発光素子、発光装置並びに電子機器 |
JP2009149629A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-07-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | キノキサリン誘導体、並びにその誘導体を用いた発光素子、発光装置及び電子機器 |
JP2009167180A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | キノキサリン誘導体及びそれを用いた発光素子、発光装置、電子機器 |
US8815412B2 (en) | 2007-12-21 | 2014-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Quinoxaline derivative, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance using the quinoxaline derivative |
KR102025560B1 (ko) * | 2010-09-09 | 2019-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광소자, 발광장치, 전자기기, 및 조명장치 |
KR20180109052A (ko) * | 2010-09-09 | 2018-10-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 복소 고리 화합물, 발광소자, 발광장치, 전자기기, 및 조명장치 |
US10403839B2 (en) | 2011-02-16 | 2019-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
US9538607B2 (en) | 2011-02-16 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
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WO2012111580A1 (en) * | 2011-02-16 | 2012-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
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KR20200062381A (ko) * | 2011-04-07 | 2020-06-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
KR102159895B1 (ko) | 2011-04-07 | 2020-09-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
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KR101922602B1 (ko) | 2012-02-09 | 2018-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
KR102153512B1 (ko) | 2012-03-14 | 2020-09-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
KR20140136027A (ko) * | 2012-03-14 | 2014-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
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