JP2006174426A - コンデンサマイクロホン及びその基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】かしめ部への半田の入り込みを防止する。部品点数や加工工数を削減した。
【解決手段】樹脂材よりなり底部に中央突出部１３及びその中央突出部１３に対し実装面側と反対側に段差１２を有する基板本体と、中央突出部１３の周縁部と平板部とに挟まれた位置にあって一部が鍔状に実装面側に露出する環状金属体１１と、中央突出部１３の実装面側に設けられた複数の外部端子と、環状金属体１１と接続され外部端子の少なくとも一つに接続し中央突出部１３の外面に沿って形成された金属被膜１６と、基板本体の実装面側と反対の内面に設けられた複数の内部端子２１と、平板状周縁部の環状金属体１１の挟持位置に形成され一部の内部端子と環状金属体１１とを接続する接地用スルーホール２５と、基板本体に形成され他の内部端子と外部端子とを接続する信号用スルーホール２４、１７とを有する。
【選択図】図５

Description

本発明は、コンデンサマイクロホン及びそれに用いる基板の製造方法に係り、特に例えばエレクトレットコンデンサマイクロホンに関する。

エレクトレットコンデンサマイクロホン（以下ＥＣＭと称する）の関連技術としては、図１に示す構造のものが挙げられる。この図１に示すＥＣＭは、特許文献１に記載されている断面構成を示したものである。図１において、ＥＣＭの外郭は円筒状のカプセル６１にて形成される。このカプセル６１の前面板６１ａには、音波通過開口部６１０が形成される。カプセル６１内には、前面板６１ａの内面側よりカプセル６１の後方（背面側）に向かって、振動板６２、絶縁スペーサ６３、背極６４、絶縁材からなるリング状背極ホルダ６５、導電性筒状体６６、および回路基板６７が、順に組み込まれている。ここで、振動板６２は、例えばポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳともいう）からなる誘電体フィルムの背極側の一面に導電層としてＮｉ、Ａｌなどの金属膜が形成されたものである。振動板６２の前面側周縁には、振動板リング６２ａが固定され、この振動板リング６２ａは、前面板６１ａに接している。絶縁スペーサ６３の厚さを隔てて振動板６２の後方に配置された背極６４は、絶縁材からなるリング状背極ホルダ６５にて支持される。背極６４と回路基板６７との間には、導電性筒状体６６が介在され、背極６４と回路基板６７の上面（前面）に形成された配線とが電気的に接続されている。なお、背極６４の前面、つまり背極６４の振動板６２との対向面には、ＦＥＰ（フッ化エチレンプロピレン）などの誘電体層がエレクトレット化されたエレクトレット層６４ａが形成されている。回路基板６７には、その上面にＦＥＴ（電界効果トランジスタ）などの回路素子６８が搭載され、その底面（背面）に外部接続電極である半田バンプ電極６９ａ、６９ｂが突出して形成されている。回路基板６７上には、例えば図２に示すような回路が形成されている。

図２では、ＦＥＴのゲートは、図１の導電性筒状体６６を通じて背極６４に接続され、ＦＥＴのソースは、図１のカプセル６１を通じて振動板６２に接続されている。インピーダンス変換部であるＦＥＴのソース及びドレイン間は、二つのコンデンサＣが並列に接続されている。ＦＥＴのドレインは、回路基板６７に形成されたスルーホール（図示省略）を通じて出力端子７２（図１では、半田バンプ電極６９ｂ）に接続され、直流阻止コンデンサＣｐに通じている。ＦＥＴのソースは、回路基板６７に形成されたスルーホール（図示省略）を通じて接続端子７１（図１では、半田バンプ電極６９ａ）に接続されている。また、ＦＥＴのドレインは、抵抗素子Ｒを通じて基準電源に接続されている。

図１にあって、カプセル６１の後方（背面側）端部は、かしめ部６１１として回路基板６７の背面にかしめ付けられており、このかしめによりカプセル６１内に収納された各素子部品が相互に固定される。音波通過開口部６１０を通じて音波がカプセル６１内に入った場合、この音波によって振動板６２が振動し、振動板６２及び背極６４間の静電容量が変化し、これによって音波が電気信号に変換されて出力端子７２（図１では半田バンプ電極６９ｂ）に出力される。
特開２００３−１５３３９２号公報

上述のＥＣＭを実装基板（図示省略）に搭載するには、半田バンプ電極６９ａ、６９ｂを実装基板の対応電極に半田付けすることで行われる。すなわち、ＥＣＭを実装基板に載置した状態で全体をリフロー槽に通して加熱する。この加熱により半田バンプ電極６９ａ、６９ｂが溶融されて半田接続が行われることになる。ここで、特に図１に示すように回路基板６７の底面に半田バンプ電極６９ａ、６９ｂが突出して盛られておりかつ回路基板６７の底面でカプセル６１の端部にかしめ部６１１が存在する状態にあっては、次のような問題がある。すなわち、リフロー槽での半田の加熱・溶融に際して半田溶融熱によりかしめ部６１１にひずみが生起され、かしめが緩みあるいは溶融した半田やフラックスがかしめ部６１１と回路基板６７との間に入り込むという現象が生ずることである。このことは、導電性筒状体６６が介在される背極６４と回路基板６７の配線との電気的接続を不安定化し、背極６４のエレクトレット層６４ａを劣化させて振動板６２及び背極６４間の印加電圧を低下させ、ひいてはＥＣＭの感度低下をもたらす。

また、上述のかしめ部６１１と回路基板６７との間での半田の入り込みを防止するため、リフロー槽を通して半田接続を行うリフロータイプのＥＣＭでは、実装基板に直接半田付けを行なう場合、かしめ部６１１と実装基板との間に半田ペーストを盛り上げてかしめ部６１１と実装基板との間を離間させるようにして半田付けを行うという方策もあるが、信頼性の面で劣る。
また、回路基板６７の底面に更に別の基板を貼付してかしめ部６１１の厚さより突出するような段差を形成しその別の基板から半田バンプ電極を突出させ、リフロー槽にて実装基板に半田を接続する方策もある。このことは、回路基板６７に別の基板を貼付して段差を設けることに他ならないが、この回路基板６７への別の基板の取り付けについては、所定の位置精度をもって位置合わせを行い電気配線のためのスルーホールを形成し取り付け作業を行う必要がある。しかし、これらの作業を勘案すると結果として安価な基板が得られない。また、ルータにて切削加工して段差を形成した回路基板を得たとしても、同様に安価な基板が得られないという問題も生ずる。すなわち、段差を持たせる構造は、高価なものとなる。

更に、一般的に従来の回路基板自体を見た場合、普通、パターン配線基板を用いるのであるが、このパターン配線基板の製作に当たっては導体電極、ガラス、多層配線、スルーホール等多様な材料を多様な印刷工程にて製作することになるので、製作工程が複雑で高価なものとなる。
本発明は、リフロー槽での加熱の影響をできるだけ少なくしてかしめ部の緩みを防止しかしめ部への半田やフラックスの入り込みなくすようにして、電気的不安定化をなくしＥＣＭの感度低下を防ぐようにし、また、かしめ部に半田ペーストを盛り上げて実装基板との間隔をとることをしないで、段差により間隔を空けるようにしたことにより、信頼性を得るようにし、更に、基板を貼り合わせて段差を設け、あるいは基板をルータにて切削加工して段差を設けることはしないで安価な基板を得るようにし、そして基板を多様な材料を用いて多様な印刷工程にて製作することをしないで、つまり複雑で高価な製作工程を経ないで基板を得るようにしたコンデンサマイクロホン及びその基板の製造方法を提供することを目的とする。

上述の目的を達成するため、金属製カプセルの開放端部が平板状周縁部にかしめ付けられ金属製カプセル内に電子機器が収容される基板であって、樹脂材よりなり平板状の中央突出部及びその中央突出部に対し実装面側と反対側に段差を有して連結された平板部を持つ基板本体と、中央突出部の周縁部と平板部とに挟まれた位置にあって一部が実装面側に露出する環状金属体と、中央突出部の実装面に設けられた複数の外部端子と、環状金属体と接続され外部端子の少なくとも一つに接続し中央突出部の外面に沿って形成された金属被膜と、基板本体の実装面側と反対の内面に設けられた複数の内部端子と、平板状周縁部の環状金属体の挟持位置に形成され一部の内部端子と環状金属体とを接続する接地用スルーホールと、基板本体に形成され他の内部端子と外部端子とを接続する信号用スルーホールと、を備えている。

このため、たとえばリードフレーム用の金属板からなる環状金属体を用い平板状周縁部と中央突出部との樹脂材からなる基板とするだけであるので、従来のパターン配線基板を用いる場合とは異なりその製作工程が簡単になり安価となる。また、この基板は、金属と樹脂のみからなるので、環境を考慮した基板となる。
更に、中央突出部で突出した段差部分を形成することにより、環状金属体にかしめ部が位置するとき、実装面からかしめ部を段差によって浮かせることができ、従来の信頼性が劣る半田ペーストを盛り上げあるいは基板を重ねあるいはルータ加工のような高価な段差加工を行うことなく、リフロー槽によるかしめ部への加熱の影響を軽減させまた半田の流れ込みを防ぐことができ、マイクロホンにおいては感度変化の少ないものを得ることができる。

以下図面を参照して本発明のコンデンサマイクロホンの実施形態を説明する。ここでは、バックエレクトレットのエレクトレットコンデンサマイクロホン（ＥＣＭ）を例にとって説明するが、いわゆるフロントエレクトレットのＥＣＭについても適用することができる。
〔第１実施形態〕
図３は、本実施形態のリフロー槽対応の耐熱基板の分解斜視図と基板の実装時の場合の断面図を示したものである。この図３Ａ、図３Ｂの基板の例では、図中上側となる部品搭載側では入力、接地、出力の各内部端子を有し、図中底側（下側）である実装面側では、出力および接地の各外部端子を有して、全体として上下二つの部分からなる。下の部分である下部モールド体１は、金属板のサークル状板（環状金属板）１１が鍔のように配置された樹脂材成形部１０であり、上の部分である上部板体２は、例えば端子２１（２１Ｉ、２１Ｅ、２１Ｓ）を露出させるレジスト膜２２で覆われた導体パターン２３を上部平坦面上に被着する構造の樹脂板２０である。

更に詳しく言えば、下部モールド体１の樹脂材成形部１０の実装面側には、段差１２を有して突出する平坦面１４を有する中央突出部１３を有し、この中央突出部１３の外周よりサークル状板１１の一部が鍔状に突出しておりこの鍔状の部分が実装面側で露出するようになっている。下部モールド体１の実装面側と反対の面は、サークル状板１１の上面と樹脂材成形部１０のサークル状板１１の内側を充填している部分の上面とからなる平坦面１５となっている。更に、サークル状板１１の周囲上面からサークル状板１１が露出する外周面及び底面、そして樹脂材成形部１０の中央突出部１３の外則面、段差１２及び平坦面１４の周縁部にかけて例えば金メッキからなる金属被膜１６が被着されている。この金属被膜１６は導電性と酸化防止を兼ねており、そのため金メッキが好ましく、また酸化防止のため酸化可能部分を覆うものである。中央突出部１３の平坦面１４において、この金属被膜１６の内周縁端部は外部端子２８である接地端子２８Ｅとして用いられる。また、この平坦面１４には、樹脂材成形部１０を貫通する中央のスルーホール１７につながる外部端子２８である信号端子２８Ｓが設けられる。信号端子２８Ｓは、金属被膜１６の形成と同一材料で同時に形成され、これら接地端子２８Ｅおよび信号端子２８Ｓの実装面側は半田１８で実装基板６０に固着される。ここで、樹脂材成形部１０を形成する樹脂は、リフロー槽での加熱に耐え得るもので、耐熱性を有し、例えばＰＡ６Ｔ（ポリアミド６Ｔ）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＬＣＰ（液晶ポリマー）の材質からなる。

一方、上部板体２は、直径がサークル状板１１の外形と略一致する例えばガラスエポキシ基板からなる円盤状の樹脂板２０であり、この樹脂板２０上に図４に示すように導体パターン２３が形成される。図４では、一面に銅箔等の金属箔が形成された樹脂パターンフィルムからなる樹脂板２０に対し、例えばフォトリソグラフィ法により金属箔を除去して入力導体パターン２３Ｉ、接地導体パターン２３Ｅ、信号出力導体パターン２３Ｓを形成する。これら導体パターン２３Ｉ、２３Ｅ、２３Ｓを総称して導体パターン２３と称する。これら導体パターン２３は、インピーダンス変換などの回路を接続するパターンであり、これら導体パターン２３上には、電気的絶縁材のレジスト膜２２が塗布され、各導体パターン２３毎に少なくともその一部を露出する窓がレジスト膜２２に形成されている。各導体パターン２３の露出した部分が入力端子２１Ｉ、接地端子２１Ｅ、信号出力端子２１Ｓとされる。樹脂板２０には、信号出力導体パターン２３Ｓの直下にこれと接続されたスルーホール２４が形成され、接地導体パターン２３Ｅの直下にはこれと接続された複数のスルーホール２５が形成されている。スルーホール２４は、樹脂材成形部１０のスルーホール１７と平面状の位置が一致され、この例では、いずれも中心位置に形成されている。接地導体パターン２３Ｅつながるスルーホール２５は、サークル状板１１と平面状の位置にて対応して設けられる。

そして、樹脂板２０の平坦底面と樹脂材成形部１０の上部の平坦面１５とは、プリプレグによって接着される。なお、この樹脂板２０の材料としては、セラミックを用いてもよく、つまり樹脂板２０は、絶縁基板であれば良い。
次に、この図３に示す基板についてその製造方法を述べる。下部モールド体１を形成するに当たっては、まず、サークル状板１１に樹脂材のインサートモールドにより、サークル状板１１の内部を充填すると共に実装面側に段差１２を有する平板状の中央突出部１３を形成する。樹脂材成形部１０を形成し、この樹脂材成形部１０の中央（軸心）にスルーホール１７を形成する。この後、サークル状板１１の上面からサークル状板１１が露出する外周面、外周面と中央突出部１３間の部分、中央突出部１３の外周面及び下部の平坦面１４の周縁部にわたって、例えば金メッキからなる金属被膜１６を被着する。

一方、上部板体２を形成するに当たっては、表裏両側を平坦面とした樹脂板２０に接地導体パターン用スルーホール２５を形成すると共に、信号出力導体パターン用スルーホール２４を形成する。この後、樹脂板２０の上部の平坦面上に導体パターン２３の形成を行い、更にレジスト膜２２をマスクを介してコーティングして接地端子２１Ｅ、出力端子２１Ｓ、および入力端子２１Ｉを露出させる。この後、下部モールド体１の上部の平坦面１５に上部板体１の平坦底面をその中心を合わせて例えばプリプレグにて接着する。この場合、スルーホール２４と１７とを一致させ、スルーホール２５とサークル状板１１とを一致させる。こうして、基板を製作することができる。

図３Ｂでは、図３Ａに示す基板全体をＥＣＭの基板とし、カプセル５７の開放端部をかしめ部５８としてサークル状板１１の鍔状の部分にかしめた構造も図示し、しかもこのＥＣＭの基板を実装基板６０にリフロー槽にて半田付けする状態も図示する。ここでは、段差１２は、カプセル５７のかしめ部５８の厚さと同じかそれより厚い寸法を有している。半田１８の厚さは、例えば１００μｍである。図３Ｂに示すように半田１８が段差１２より突出して被着されるため、段差１２は、かしめ部５８の厚さと同等あるいはそれ以上の厚さがあればよい。なお、段差１２の厚さを大きくし過ぎるときには、実装基板６０にＥＣＭを実装した時の高さが嵩むことになる。小型化のためには段差１２の厚さは、低いほうが良いので、かしめ部５８の厚さを０．１５ｍｍとすると、段差１２は０．１５ｍｍ〜０．２ｍｍ程度、つまりかしめ部５８から段差１２の接地端子２８Ｅおよび信号端子２８Ｓまでの基板の厚さ方向における間隔は、０ｍｍ〜０．０５ｍｍ程度が良い。

〔第２実施形態〕
図５は、本発明の第２実施形態を示す。この第２実施形態は、第１実施形態のように上部板体２を形成することなく、図３Ａの下部モールド体１（この実施形態での図５では単にモールド体３である）内にサークル状板１１を埋め込み、図３Ａの上部板体２の代わりにモールド体上部１７を形成して、このモールド体上部１７と底部の中央突出部１３と一体に形成する。モールド体上部１７の平坦な上面すなわちモールド体３の上部の平坦面１９には、導体パターンフィルム３１（３１Ｉ、３１Ｅ、３１Ｓ）およびレジストフィルム３２が被着される。図５において、図３と同一部分には同符号を付す。

図５において、モールド体３は、金属板のサークル状板（環状金属板）１１を挟み、例えばインサート成形により形成される。この場合、サークル状板１１の実装面側は鍔が形成されるように、中央突出部１３の直径は、サークル状板１１の外径より小とされ、サークル状板１１の実装面と反対側のモールド体上部１７によりサークル状板１１の実装面と反対側の面は全体が覆われる。モールド体上部１７には、第１実施形態のスルーホール２５と対応する位置にスルーホール２８が形成されている。第１実施形態における接地導体パターン２３Ｅ、入力導体パターン２３Ｉ、信号出力導体パタ−ン２３Ｓと同一大きさ形状の例えば銅箔からなる接地導体パターンフィルム３１Ｅ，入力導体パターンフィルム３１Ｉ、信号出力導体パターンフィルム３１Ｓ（これらを統合して導体パターンフィルム３１という）が第１実施形態と同様な関係位置でモールド体上部１７の平坦な上面１９上に被着される。更にこの被着された導体パターンフィルム３１上に第１実施形態におけるレジスト膜２２と同様の形状の電気絶縁材よりなるレジストフィルム３２が第１実施形態と同様な位置関係で被着される。従ってレジストフィルム３２に形成されている窓３３を通じて各導体パターンフィルム３１Ｅ、３１Ｉ、３１Ｓの一部が接地端子、入力端子、信号出力端子として露出する。レジストフィルム３２を用いる代わりに第１実施形態と同様にレジスト膜２２を被着してもよい。サークル状板１１の露出面、中央突出部１３の実装側面の周縁部などに、第１実施形態と同様に金属被膜１６が形成される。この中央突出部１３の実装側面の中心部に、スルーホール２７と接続された信号端子２８Ｓが金属皮膜１６の形成と同時に形成される。

実装面側の接地端子２８Ｅおよび信号端子２８Ｓは半田１８で実装基板６０に固着される。ここで、モールド体３を形成する樹脂は、リフロー槽での加熱に耐え得るもので、耐熱性を有し、例えばＰＡ６Ｔ（ポリアミド６Ｔ）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＬＣＰ（液晶ポリマー）の材質からなる。
この図５に示す基板についてその製造方法を説明する。
モールド体３を形成するに当たっては、まず、サークル状板１１を上下から挟むようにインサート成形にて樹脂モールドを施すと同時に、実装面側に段差１２を有する平板面状の中央突出部１３を形成する。この場合、樹脂モールドには、信号用のスルーホール２７及び接地用のスルーホール２８を形成する。この後、サークル状板１１が露出する側部外側からインサート成形部１０の段差１２及び平坦面１４にかけて例えば金メッキからなる金属被膜１６を被着する。

モールド体３には、その上端平坦面に導体パターンフィルム３１Ｅ、３１Ｉ、３１Ｓが被着される。この導体パターン３１Ｅ、３１Ｉ、３１Ｓは、例えば銅箔パターンからなる回路パターンであり、このパターン３１Ｅ、３１Ｉ、３１Ｓ上には、窓３３を有するレジストフィルム３２が被着されあるいはレジスト２２が塗布されて所望位置に窓３３が開けられる。そして、レジストフィルム３２あるいはレジスト膜２２の一部に形成されたこの窓３３が端子として露出される。ここで、この窓３３である端子に対応するモールド体３内のスルーホール２７は、信号端子２８Ｓに対応して設けられ、スルーホール２８は、接地端子２８Ｅにつながるサークル状板１１に対応して設けられる。

上述の第１および第２の実施形態においては、図３Ｂ、図５Ｂにおいて、実装基板６０へのリフロー槽での半田付けが行われるが、この際信号出力端子２８Ｓの溶融した半田１８と接地端子２８Ｅの溶融した半田との間が密閉され、これら間の空気が熱により膨張して半田付けの品質劣化を生ずる恐れがある。従って、図６にカプセルの端部を基板にかしめた状態の底面を示すように接地端子２８Ｅにスリット３０を設けて膨張空気を抜くようにしている。

第１実施形態及び第２実施形態から理解されるようにこの発明においては、要するに以下のようなものである。すなわち、環状金属板（サークル状板）１１を挟み底部の中央突出部１３と上部の平板部（２０、１７）とが連続された絶縁材よりなる基板本体を備え、中央突出部１３に対して環状金属板１１の一面外周部が鍔状に突出し、平板部（２０，１７）は、環状金属板１１の上面を全面にわたって覆っており、中央突出部１３の平坦な底面の周縁部に環状金属板１１と接続された接地端子２８Ｅが形成され、底面の中央部に信号出力端子２８Ｓが形成され、平板部（２０，１７）の環状金属板１１と反対側の平坦な上面１９に入力端子２１Ｉ、接地端子２１Ｅ、信号出力端子２１Ｓが形成され、接地端子２１Ｅは、平板部に形成されたスルーホール２５、２８を通じて環状金属板１１に接続され、信号出力端子２１Ｓは平板部及び中央突出部を通じて形成されたスルーホール２４と１７、２７を通じて外部の信号出力端子２８Ｓに接続されている。

図７は、図３乃至図５にて形成された基板にて回路基板を形成し、この回路基板を用いてＥＣＭを形成した場合の分解斜視図である。この分解斜視図においては、回路基板５１と背極５３との間には、コイルバネ５２が介在され、封止時のバネ力による接触を確保する。この場合、コイルバネ５２、背極５３はホルダ５４内に位置する。背極５３上には、スペーサ５５を介して振動板５６が配置される。そして、回路基板５１から振動板５６までの組み立て体は、カプセル５７内に組み込まれカプセル５７の端部が回路基板５１の環状金属体（図７図示省略）にかしめられて一体化される。すなわち、図７では図示しないが、回路基板５１の底面は、これまでの説明の段差１２を有し、環状金属体の実装面側が露出するものである。したがって、リフロー槽における回路基板５１底面での半田の溶融に当たっては、かしめ部５８より突出した段差１２の形成により、かしめ部５８での熱による影響が軽減され、かしめ部５８と回路基板５１底面との間に半田やフラックスが流れ込むことはない。また、図７において、基板上にはＦＥＴおよび二つのコンデンサＣが搭載されており、図２に示すようなＦＥＴと並列なコンデンサＣからなる回路構成を有し、音波がそれに応じた電気信号に変換される。なお、このＦＥＴ、コンデンサＣは、図８に示すように内部端子である出力端子２１Ｓと接地端子２１Ｅとの間の端子間に配置され、ＦＥＴのゲートは、入力端子２１Ｉ上に配置される。

これまでの説明は、ＥＣＭを前提に説明してきたのであるが、段差部分の高さを自由に設定することができる点からすれば、フロントエレクトレットのＥＣＭのほか様々なマイクロホンに対応することができる。更に、本発明の基板は、マイクロホンの基板のみならず種々の基板に適用することができる。
また、簡単で安価な基板を得ようとする観点からすれば、リードフレーム用の金属板をサークル状に形成するのみにて金属と樹脂との材料だけで簡単に得られることにより、これまでのパターン配線基板とは全く異なる基板を得ることができる。

図１は、ＥＣＭの関連技術を例示する断面図。 図２は、ＥＣＭの回路図。 図３Ａは、本発明の第１実施形態の分解斜視図、図３Ｂは、本発明の第１実施形態の断面図である。 図４は、基板上の導体パターンを示す斜視図。 図５Ａは、本発明の第２実施形態の分解斜視図、図５Ｂは、本発明の第２実施形態の断面図である。 図６は、基板底面のスリットの説明図。 図７は、ＥＣＭの一例の分解構成図。 図８は、素子と接続端子との接続状態図。

Claims (7)

1. 一端に収音孔を有する金属製の筒状カプセル内に振動板、背極、ホルダ、インピーダンス変換回路が搭載された基板が収納され、上記筒状カプセルの他端部が上記基板の外面にかしめ部としてかしめられて、内部の部品が固定されるコンデンサマイクロホンにおいて、
   上記基板は、
   環状金属板と、
   上記環状金属板の実装側と反対側の全面を覆う平板部、その平板部に上記環状金属板の内部を通じて連結され、上記環状金属板の実装側の面外周面を鍔状に突出させる中央突出部を備えた絶縁材よりなる基板本体と、
   上記中央突出部の実装側の平坦面外周部に形成され、上記環状金属板と外面又はスルーホールを通じて接続された外部用接地端子およびその外部用接地端子と離されて中央部に形成された外部用信号出力端子と、
   上記平板部の実装側と反対の平坦な面に形成され、上記環状金属板とスルーホールを通じて接続された内部用接地端子、中央部に他の端子と離され、スルーホールを通じて上記外部用信号出力端子と接続された内部用信号出力端子、および上記各内部用端子と離されて形成され、上記回路の入力側と接続される入力端子と
   を備えることを特徴とするコンデンサマイクロホン。
2. 請求項１記載のマイクロホンにおいて、
   上記基板本体は、上記平板部と、上記中央突出部を含む他の部分とが別体のものとして構成され、互いに接着されていることを特徴とする。
3. 請求項１記載のマイクロホンにおいて、
   上記基板本体は、平板部と上記中央突出部が上記環状金属体の内部を通じて樹脂材のモールド体として一体に形成されていることを特徴とする。
4. 請求項１記載のマイクロホンにおいて、
   上記環状金属板の外周面、上記環状金属板の上記鍔状突出面、上記中央突出部の外周面、上記中央突出部の上記平坦な面の外周部にわたって金属皮膜が形成され、上記外周部の金属皮膜が上記外部用接地端子とされ、
   上記かしめ部は上記鍔状突出面の上記金属皮膜に押圧固定されていることを特徴とする。
5. 請求項１記載のマイクロホンにおいて、
   上記中央突出部の厚さは上記かしめ部の厚さと同一又はそれ以上であることを特徴とする。
6. 環状金属体の実装面側に段差を有する樹脂モールドを施して平板状の中央突出部を形成し、次いで上記環状金属体から上記中央突出部に備えた端子までの外側に沿って金属被膜を被着して下部モールド体を形成し、一方、表裏両側を平坦面とした樹脂板上に導体パターンを形成し、この導体パターン上を端子を露出させるようにレジスト膜で覆うことにより上部モールド体を形成し、上記下部モールド体上に上記上部モールド体を位置合わせして接着したことを特徴とする基板の製造方法。
7. 実装面側の一部が外部に露出する環状金属体を上下に挟みつつこの環状金属体よりも小径の平板状の中央突出部を実装面側に段差を有して形成し、かつ上記実装面側と反対面を平坦面に形成するように樹脂モールドを施し、上記環状金属体から上記中央突出部に備えた端子までの外側に沿って金属被膜を被着し、上記平坦面上に導体パターンを形成し、この導体パターン上の一部に端子を露出させるように絶縁材で覆うことを特徴とする基板の製造方法。

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