JP2006169057A - 化合物半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 LEC法により結晶径150mm以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造するに際し、成長する結晶の固液界面を最適な形状として、多結晶化を防止することにある。
【解決手段】 LEC法により結晶径が150mm以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造する方法において、単結晶製造中の結晶回転数を8〜12(rpm)の範囲に定める。
【選択図】 図1
【解決手段】 LEC法により結晶径が150mm以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造する方法において、単結晶製造中の結晶回転数を8〜12(rpm)の範囲に定める。
【選択図】 図1
Description
本発明は、LEC法により結晶径が150mm以上と大きな径の化合物半導体単結晶を製造する方法、特に砒化ガリウム単結晶を得るのに適した化合物半導体単結晶の製造方法に関するものである。
化合物半導体はその単結晶の高品質化により、高速集積回路、光−電子集積回路やその他の電子素子に広く用いられる。なかでも、III−V族化合物半導体の砒化ガリウム(GaAs)は電子移動度がシリコンに比べて早く、107Ω・cm以上の比抵抗のウエハが製造容易という特徴がある。現在では上記GaAsの単結晶は、主に液体封止引き上げ法(LEC法:Liquid Encapsulated Czochralski法)により製造されている。
LEC法での砒化ガリウム(以後、GaAsと略す)単結晶の製造方法の一例を、本発明の実施形態に係る図1を併用して説明する。
LEC法によるGaAs単結晶の製造装置1は、炉体部分である高圧容器2と、結晶を引き上げる為に下端に種結晶7を有する引上軸(シード軸)3、原料の容器であるPBNるつぼ5、このるつぼを受ける為のるつぼ軸4を有する構造となっている。
結晶製造方法については、先ず原料の容器となるPBN(Pyrolitic Boron Nitride)製のるつぼ5に、GaAs多結晶25,000g、液体封止材6として三酸化硼素2,000gを入れ、このるつぼ5を高圧容器2に収納し、高圧容器2内の圧力が9,0kg/cm2になるように不活性ガスを充填する。充填後、ヒータ8により加熱することで、三酸化硼素、GaAs多結晶を融解させ、温度を調整し、種結晶7を降ろして種付けを行ない、その後引き上げることにより、結晶径φ155mm、結晶全長200mmのGaAs単結晶を成長させた。
上記結晶をウェハ状に切断し、鏡面研磨した後、KOH液で転位をエッチングし、ウェハの結晶性を評価したところ、ウェハ面内でリネージ、亜粒界、粒界(以後、総称して多結晶と記す)が観察される場合がある。
一方、従来より、結晶径がφ150mm未満の場合については多くの研究がなされており、LEC法で結晶製造中の固相と液相の界面(固液界面)の形状については、融液側に凸となる形状で行うように工夫されている。固液界面の形状が液相側に凹面形状になると、多結晶化の原因となる転位は固液界面に垂直に伝播するので、転位が集合して、多結晶化してしまうからである。
また、特開平9−235191号公報(特許文献1)には、目標直径が110mmの結晶成長について、るつぼの回転数を10rpm、種結晶の回転数を2rpmとする成長例が実施例として記載され、また、るつぼを5rpm、結晶を2rpmで回転した成長例や、るつぼを10rpm、結晶を5rpmで回転した成長例では、固液界面が依然として凹化の傾向を示すとされている。
特開平9−235191号公報(段落番号0035、0040)
しかしながら、本発明の成長対象である結晶径φ150mm以上の大口径結晶の場合には、次のような解決すべき課題がある。
一般的に、単結晶製造中は結晶を回転させる。この結晶回転数は、成長させる結晶径によらず一定である。従来の結晶径φ105mmの結晶を成長させる時と同じ結晶回転数で、上述した結晶径φ155mmの大口径結晶を成長させると、直径φ105mm以上の結晶外周位置が多結晶の起点となり、歩留を大きく低下させる。
既に触れたように、LEC法により製造されたGaAs単結晶において、結晶が多結晶化する原因の1つに、結晶製造中の固相と液相の界面(図2に示す固液界面11)の形状が、液相側に凹面形状となっていることが挙げられる。固液界面11の形状が液相側に凹面形状になると、多結晶化の原因となる転位は固液界面に垂直に伝播するので、転位が集合して、多結晶化してしまう。
固液界面11の形状は、図2の如く原料融液9側に凸となる形状とするのが一般的であるが、図3及び図4に示すように、原料融液9内の温度差による自然対流12と、結晶10及びるつぼ5の回転による強制対流13の二つの影響を大きく受けることが知られている。図2は理想的な対流バランスの場合の固液界面11の形状を示す。
従来技術では、結晶径φ150mm以上の結晶を成長させる時に、図3の如く自然対流が支配的となってしまい、固液界面形状の変曲点が結晶中心付近に存在してしまう。変曲点が結晶中心付近に存在すると、転位が集中しやすくなると共に、転位が集中して発生したリネージが結晶外周部へ抜け難くなり、多結晶化してしまう問題が発生していた。
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、LEC法により結晶径150mm以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造するに際し、成長する結晶の固液界面を最適な形状として、多結晶化を防止し得る化合物半導体単結晶の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
請求項1の発明に係る化合物半導体単結晶の製造方法は、LEC法により結晶径が150mm以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造する方法において、単結晶製造中の結晶回転数を8〜12(rpm)の範囲に定めることを特徴とする。
請求項2の発明に係る化合物半導体単結晶の製造方法は、LEC法により結晶径が150mm以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造する方法において、結晶と原料用るつぼを互いに同一方向又は逆方向に回転させ、その結晶と原料用るつぼとの相対回転数n(rpm)を 8≦n≦12 の範囲に設定し、かつ結晶とるつぼとの絶対回転数を |結晶回転数(rpm)| > |るつぼ回転数(rpm)| の関係に定めることを特徴とする。
本発明によれば、次のような優れた効果が得られる。
本発明は、LEC法により結晶径φ150mm以上の化合物半導体単結晶、例えばGaAs単結晶を製造するに際し、結晶回転数を8〜12rpmの範囲で設定して製造するものである。これによる本発明の効果として、LEC法化合物半導体単結晶の固液界面を最適な形状とし、多結晶化を防ぐことができる。
以下、本発明を図示の実施の形態に基づいて説明する。
前提となるLEC法によるGaAs単結晶製造装置には、上記した図1のものを用いた。すなわち、このGaAs単結晶製造装置1は、炉体部分である高圧容器2と、単結晶10を引き上げる為に下端に種結晶7を有する引上軸(シード軸)3、原料融液9及び液体封止剤6の容器であるPBNるつぼ5、このるつぼ5を受ける為のるつぼ軸4、PBNるつぼ5を加熱するためのヒータ8を有する構造となっている。
本発明では上記課題を解決するために、LEC法により結晶径が150mm以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造するに際して、単結晶製造中の結晶回転数を8〜12(rpm)の範囲に定める。
上記の手段を取った理由は、下記の表1の通りである。すなわち、単結晶製造中の結晶回転数の下限を8(rpm)としたのは、結晶回転数を8rpm未満とした場合には、図3の如く、原料融液9内の自然対流12が支配的で、結晶外周部において、変曲点の位置が結晶中心付近へ存在し、転位の集積の起点となり、多結晶化してしまうからである。また結晶回転数の上限を12rpmとしたのは、結晶回転数が12rpmを超える場合は、結晶回転による強制対流の影響で、変曲点の位置が結晶径によらず、結晶中心付近に存在し、転位の集積の起点となり、多結晶化してしまうからである。
よって、LEC法により結晶径150mm以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造する場合は、単結晶製造中の結晶回転数を8〜12(rpm)の範囲に定めるのが適切である。
また、結晶回転数と変曲点位置の関係は図5の通りである。これは横軸に結晶径を、また縦軸に変曲点位置の結晶径に対する割合(変曲点位置/結晶径)を採ったもので、結晶回転数をパラメータとして変化させて表示したものである。
以下、本発明の実施例について説明する。
<実施例1>
PBN製のるつぼにGaAs多結晶25,000g、液体封止材6として三酸化硼素2,000gをるつぼ5に入れ、高圧容器2に収納し、高圧容器2内の圧力が9,0kg/cm2になるように不活性ガスを充填する。充填後、ヒータ8により加熱することで、三酸化硼素、GaAs多結晶を融解させ、温度を調整し、種付けを行ない、結晶径φ155mmの結晶10を結晶回転数10rpmで成長させ、結晶全長200mmのGaAs単結晶を成長させた。
PBN製のるつぼにGaAs多結晶25,000g、液体封止材6として三酸化硼素2,000gをるつぼ5に入れ、高圧容器2に収納し、高圧容器2内の圧力が9,0kg/cm2になるように不活性ガスを充填する。充填後、ヒータ8により加熱することで、三酸化硼素、GaAs多結晶を融解させ、温度を調整し、種付けを行ない、結晶径φ155mmの結晶10を結晶回転数10rpmで成長させ、結晶全長200mmのGaAs単結晶を成長させた。
以上の条件で、20本の結晶を作製した結果、多結晶の発生は、0本であった(歩留:100%)。
次に上記実施例1と異なる条件での実施例及び比較例を以下に示す。
<実施例2>
実施例2として、結晶回転数を8rpmとし、20本の結晶を作製した結果、多結晶は発生しなかった(歩留:100%)。
実施例2として、結晶回転数を8rpmとし、20本の結晶を作製した結果、多結晶は発生しなかった(歩留:100%)。
<実施例3>
実施例3として、結晶回転数を12rpmとし、20本の結晶を作製した結果、多結晶は発生しなかった(歩留=100%)。
実施例3として、結晶回転数を12rpmとし、20本の結晶を作製した結果、多結晶は発生しなかった(歩留=100%)。
<比較例1>
比較例1として、結晶回転数を3rpmとし、20本の結晶を作製した。この場合は図3の如く原料融液9内の自然対流が支配的(結晶回転数小)で、図5に曲線Dで示すように、結晶外周部において、変曲点の位置が結晶中心付近へ存在し、転位の集積の起点となり、8本が多結晶化した(歩留:60%)。
比較例1として、結晶回転数を3rpmとし、20本の結晶を作製した。この場合は図3の如く原料融液9内の自然対流が支配的(結晶回転数小)で、図5に曲線Dで示すように、結晶外周部において、変曲点の位置が結晶中心付近へ存在し、転位の集積の起点となり、8本が多結晶化した(歩留:60%)。
<比較例2>
比較例2として、結晶回転数を5rpmとし、20本の結晶を作製した。この場合は図3の如く原料融液9内の自然対流が支配的(結晶回転数小)で、図5に曲線Eで示すように、結晶外周部において、変曲点の位置が結晶中心付近へ存在し、転位の集積の起点となり、5本が多結晶化した(歩留:75%)。
比較例2として、結晶回転数を5rpmとし、20本の結晶を作製した。この場合は図3の如く原料融液9内の自然対流が支配的(結晶回転数小)で、図5に曲線Eで示すように、結晶外周部において、変曲点の位置が結晶中心付近へ存在し、転位の集積の起点となり、5本が多結晶化した(歩留:75%)。
<比較例3>
比較例3として、結晶回転数を15rpmとし、20本の結晶を作製した。この場合は図4の如く結晶回転による強制対流が支配的(結晶回転数大)となり、その影響で、図5に曲線Fで示すように、変曲点の位置が結晶径によらず、結晶中心付近に存在し、転位の集積の起点となり、10本が多結晶化した(歩留:50%)。
比較例3として、結晶回転数を15rpmとし、20本の結晶を作製した。この場合は図4の如く結晶回転による強制対流が支配的(結晶回転数大)となり、その影響で、図5に曲線Fで示すように、変曲点の位置が結晶径によらず、結晶中心付近に存在し、転位の集積の起点となり、10本が多結晶化した(歩留:50%)。
以上の試作結果を表2に示す。
上記の試作結果から、単結晶製造中の結晶回転数を8〜12(rpm)の範囲に定めることが最適であることが確認された。
<他の実施例、変形例>
上記の実施形態ではLEC法によりGaAs単結晶を製造する場合についてのみ述べたが、本発明の製造方法はGaP、InP等の全ての化合物半導体の製造に際し、適用することが可能である。
<他の実施例、変形例>
上記の実施形態ではLEC法によりGaAs単結晶を製造する場合についてのみ述べたが、本発明の製造方法はGaP、InP等の全ての化合物半導体の製造に際し、適用することが可能である。
また上記の実施形態では、LEC法により結晶径が150mm以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造するに際して、単結晶製造中の結晶回転数を8〜12(rpm)の範囲に定めた。しかし、本発明はLEC法により結晶径が150mm以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造する方法において、結晶と原料用るつぼを互いに同一方向又は逆方向に回転させる場合に適用することもできる。すなわち、その結晶と原料用るつぼとの相対回転数n(rpm)を 8≦n≦12 の範囲に設定し、かつ結晶とるつぼとの絶対回転数を |結晶回転数(rpm)| > |るつぼ回転数(rpm)| の関係に定めることで、上記と同様に、成長する結晶の固液界面を最適な形状として、多結晶化を防止する効果を得ることができる。
2 高圧容器
3 引上軸
4 るつぼ軸
5 るつぼ
6 液体封止材(三酸化硼素)
7 種結晶
8 ヒータ
9 原料融液
10 単結晶
11 固液界面
3 引上軸
4 るつぼ軸
5 るつぼ
6 液体封止材(三酸化硼素)
7 種結晶
8 ヒータ
9 原料融液
10 単結晶
11 固液界面
Claims (2)
- LEC法により結晶径が150mm以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造する方法において、
単結晶製造中の結晶回転数を8〜12(rpm)の範囲に定めることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。 - LEC法により結晶径が150mm以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造する方法において、
結晶と原料用るつぼを互いに同一方向又は逆方向に回転させ、その結晶と原料用るつぼとの相対回転数n(rpm)を
8≦n≦12
の範囲に設定し、かつ結晶とるつぼとの絶対回転数を
|結晶回転数(rpm)| > |るつぼ回転数(rpm)|
の関係に定めることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004365208A JP2006169057A (ja) | 2004-12-17 | 2004-12-17 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
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- 2004-12-17 JP JP2004365208A patent/JP2006169057A/ja active Pending
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