JP2006164852A - ディスプレイ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 エミッタ素子の電子放出領域が広い薄型のディスプレイ装置において、電子源の汚染によるディスプレイの輝度の低下を抑制し得るディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】 蛍光膜3に対向する基板4上に設けられ、蛍光膜3に対向する一定範囲を電子放出領域Sとするエミッタ素子10と、エミッタ素子10から放出される電子線によって励起される硫化亜鉛を母体とする蛍光体21であって、表面にアルカリ土類の燐酸塩化合物を被覆した蛍光体からなる蛍光膜3を組み込んだスクリーンとを備える。
【選択図】 図1
【解決手段】 蛍光膜3に対向する基板4上に設けられ、蛍光膜3に対向する一定範囲を電子放出領域Sとするエミッタ素子10と、エミッタ素子10から放出される電子線によって励起される硫化亜鉛を母体とする蛍光体21であって、表面にアルカリ土類の燐酸塩化合物を被覆した蛍光体からなる蛍光膜3を組み込んだスクリーンとを備える。
【選択図】 図1
Description
本発明は、ディスプレイ装置に関し、FED(電界放出型ディスプレイ)等、スクリーンに電子線励起蛍光体を用いた薄型のディスプレイ装置に関する。
フラットパネルディスプレイ装置に関する開発は、PDP(プラズマディスプレイ)、LCD(液晶ディスプレイ)において精力的に行われている。これらのディスプレイは、薄型かつ大画面に構成することが可能であるという特徴を有しており、ホームシアター用のものまで製品化が進められている。但し、陰極線管を用いたカラーテレビジョン装置(CRT)は、鮮明が画像を表示し得る点において有利である。そこで、この従来のCRTの構成の特徴である蛍光面とこの蛍光面に電子ビームをあてる電子銃とを有する薄型のディスプレイとして、FED(電界放出型ディスプレイ)が考えられている。この電界放出型ディスプレイは、鮮明な画像を提供するという点でPDP、LCDを凌駕するものとして期待されている。
電界放出型ディスプレイは、赤色、緑色、青色の蛍光体がストライブ状又はドット状に配列されたスクリーンと、このスクリーンに対してCRTよりも狭い間隔で対向するカソードを備えている。カソードには、赤色、緑色、青色の各蛍光体に対応して三角錐型の電子源がエミッタ素子として複数配置され、その近傍に配置されたゲート電極との電位差に応じて電子を放出するようになされている。
放出された電子は、蛍光体側のアノード電圧(加速電圧)により加速されて蛍光体に衝突し、これにより蛍光体が発光するようになされている。
ところでかかる構成の電界放出型ディスプレイにおいては、カソードと蛍光体側のアノードとの間の距離がCRTに比べて小さいこと、スクリーンの蛍光体を発光させるための電子線の加速電圧(約2〜10kV)がCRTにおける加速電圧(25〜35kV)に比べて低く、逆にその電流密度が高密度であることにより、CRT用の蛍光体に比べて、電子線の衝突によって経時的な劣化を生じ易い。特に電界放出型ディスプレイのように加速電圧が低い低エネルギー陰極線ディスプレイにおいては、スクリーンの画面輝度やエネルギー効率が減少することにより、この不足分を補うために、CRTに比べて、励起エネルギーを高密度で蛍光体にかける必要がある。よって、このスクリーンに使用する蛍光体としては、十分に高い発光効率を有し、高電流密度の励起において飽和に至った時に十分に高い発光効率を示すことが要求される。これまでCRT用蛍光体に用いられてきた硫化物系蛍光体(ZnS:Cu、ZnS:Ag)はこの候補となり得る。
しかしながら、低エネルギー陰極線ディスプレイスクリーンの励起条件下では、ZnSのような硫化物は、非特許文献2、非特許文献3に示されるように分解することが報告されている。低エネルギー電子の侵入深さが低いため、蛍光体粒子表面層での反応が増加するためと考えられる。
かかる課題を解決するための一つの方策として、特許文献1、非特許文献1ではアルカリ土類金属、亜鉛、カドミウムおよびマンガンよりなる群から選ばれた少なくとも1種の元素のリン酸塩の1種以上を含有するコーティングが設けることで、硫化物とセレン化物の少なくとも一方を含有する蛍光物質の蛍光組成物を含むディスプレイスクリーンにおいて、硫化物系蛍光体の分解が抑制できる効果があることを示している。
一方、電界放出型ディスプレイとして、電子源としてカーボン・ナノ・チューブを一定範囲に分散配置したものが考えられている。この電界放出型ディスプレイにおいては、カーボン・ナノ・チューブから放出される電子によって蛍光体を発光させるようになされている。
特開平8−227669
特開2000−214817
H.Bechtel and H.Nikol, Electrochemical Society Proceedings Volume 97-29, p.256-267.
B.L.Abrams, W.Roos,P.H.Holloway,H.C.Swart,Surface Science 451(2000)p.174-181.
H.C.Swart, J.S.Sebastian, T.A.Trottier, S.L.Jones, and P.H.Holloway,J.Vac.Sci.Technol.A14(3)(1996)p.1697-1703.
ところで、電界放出型ディスプレイのような低エネルギー陰極線ディスプレイスクリーンの励起条件下では、非特許文献1、非特許文献2において、次式、
2ZnS+3O2 → 2ZnO + SO2↑
ZnS+H2 → Zn↑+ H2S↑
に示されるようにH2S、SOxガスが生成されることが報告されている。
2ZnS+3O2 → 2ZnO + SO2↑
ZnS+H2 → Zn↑+ H2S↑
に示されるようにH2S、SOxガスが生成されることが報告されている。
ここで、電子源にカーボン・ナノ・チューブを用いた電界放出型ディスプレイ(FED)においては、カーボン・ナノ・チューブを分散配置してなる電子放出領域が比較的広く、このような構成のディスプレイ装置においては、分解ガスが発生すると、硫黄、酸素が電子源を構成している金属、酸化物、もしくはカーボンに付着し易くなる。この付着が生じると、カソード電極の仕事関数の増大につながり、電子放出効率が低下する。したがって、これまでのCRTで達成されていた数千時間での作動でも十分な輝度維持することが示すことが難しくなる。
本発明は、このような技術的課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、エミッタ素子の電子放出領域が広い薄型のディスプレイ装置において、電子源の汚染によるディスプレイの輝度の低下を抑制し得るディスプレイ装置を提供することである。
本発明の実施の形態に係る特徴は、ディスプレイ装置において、蛍光膜に対向する基板上に設けられ、蛍光膜に対向する一定範囲を電子放出領域とするエミッタ素子と、エミッタ素子から放出される電子線によって励起される硫化亜鉛を母体とする蛍光体であって、表面にアルカリ土類の燐酸塩化合物を被覆した蛍光体からなる蛍光膜を組み込んだスクリーンとを備えることである。
本発明によれば、電子源であるエミッタ素子の汚染に起因する電子放出特性の劣化を抑制し、輝度・寿命に優れ、高画質のディスプレイ装置を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。以下の図面の記載において、同一の部分には同一の符号を付し、重複する記載は省略する。
(第1の実施の形態)
図1(a)に示すように、本発明の第1の実施の形態に係るディスプレイ装置1は、棒状の炭素分子であるカーボン・ナノ・チューブ2を電子源とする電界放出型ディスプレイ(FED)であって、硫化亜鉛(ZnS)を母体とする蛍光体にアルカリ土類の燐酸塩化合物を被覆したものを蛍光膜3に用いるようになされている。
図1(a)に示すように、本発明の第1の実施の形態に係るディスプレイ装置1は、棒状の炭素分子であるカーボン・ナノ・チューブ2を電子源とする電界放出型ディスプレイ(FED)であって、硫化亜鉛(ZnS)を母体とする蛍光体にアルカリ土類の燐酸塩化合物を被覆したものを蛍光膜3に用いるようになされている。
なお、カーボン・ナノ・チューブは、長手方向の寸法を含めて数nm(ナノ・メートル=10−9m)から数十nmの非常に微細な物質であるが、図1(a)、(b)にはこれを拡大して示す。
図1(a)に示すように、ディスプレイ装置1は、電子を放出するための電子源が設けられた基板4と、電子源から放出された電子が衝突することにより発光する蛍光膜3が設けられたフェースプレート5とが対向配置されている。基板4とフェースプレート5との間の空隙は、基板4及びフェースプレート5の周囲に設けられた側壁(図示せず)によって気密性が保たれるようになされており、真空状態に維持される。フェースプレート5は、例えばガラス基板によって形成され、このフェースプレート5の基板4に対向する面部には蛍光膜3が形成される。また蛍光膜3にはアノードとしてアルミニウム膜6が形成されている。
図2に示すように、蛍光膜3においては、スラリー塗布、露光、現像を順次繰り返すことにより、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の3原色の蛍光体がストライプ状に塗り分けられている。緑色及び青色の蛍光体は、硫化亜鉛(ZnS)を母体とし、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)の少なくとも1種を付活剤として含有すると共に、アルミニウム(Al)、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)の少なくとも1種を共付活剤として含有する蛍光体であり、その表面にアルカリ土類の燐酸塩化合物を被覆している。また赤色の蛍光体は、イットリウムのオキシ硫化物(Y2O2S)を主成分とする蛍光体である。なお赤色、緑色、青色の各蛍光体の配列は、ドット状に配列するようにしてもよい。また蛍光膜4の形成方法としては、スプレー法や印刷法を用いてもよい。
蛍光体の各ストライプの間には黒色の導電体7が設けられている。黒色の導電体7を設けることにより、電子ビームの照射位置に多少のずれがあっても表示色にずれが生じないようにすることができ、また外光の反射を防止して表示コントラストの低下を防ぐことができ、また電子ビームによる蛍光膜のチャージアップを防止することができる。黒色の導電体7には、黒鉛を主成分として用いたが、上記の効果を得るものであればこれ以外の材料を用いても良い。
図1(a)、(b)に示すように、基板4上には、電子を放出するためのエミッタ素子10が赤色、緑色、青色の各蛍光体に対応して複数設けられている。なお図1においては、複数配置されたエミッタ素子の1つについて示している。このエミッタ素子10においては、カソード9と絶縁材11とが順次積層されており、絶縁材11には開口部11aが形成され、これによりこの開口部11aを介してカソード9の一定範囲が蛍光膜3側に露出するようになされている。基板4としては、例えば、石英ガラス又は青板ガラス等の各種ガラス基板、アルミナ等の各種セラミクス基板、あるいは上述の各種基板上に例えば酸化シリコン(SiO2)を材料とする絶縁層を積層した基板等を用いることができる。
開口部11a内のカソード9には、一定範囲に亘って電子源であるカーボン・ナノ・チューブ2が設けられている。カーボン・ナノ・チューブ2のように微細な物質をカソード9に固定するに際し、複数のカーボン・ナノ・チューブ2を銀等の導電性ペーストに分散させ、これを絶縁材11の開口11a又は隙間から露出したカソード9の上面に滴下し、導電性ペーストを硬化させて導電膜13を形成する。これにより、カーボン・ナノ・チューブ2は導電膜13の表面に一定の面積をもって分散配置される。
すなわち電子源であるカーボン・ナノ・チューブ2は、蛍光膜3に対向する基板4上において一定範囲の電子放出領域を形成している。
このように導電膜13に固定されたカーボン・ナノ・チューブ2においては、その先端部が膜形状の導電膜13の面部から突出し、この吐出した部分と制御電極(ゲート電極)15との間に素子印加電圧Vf(電位差ΔV)を与えることにより、カーボン・ナノ・チューブ2の先端部から電子を放出させる。放出した電子は、カソード9と蛍光膜3側のアノード(アルミニウム膜6)との間に印加された加速電圧Vaによって加速され、蛍光膜3に衝突する。この電子の衝突によって蛍光膜3を発光させることができる。
次に、蛍光膜3の蛍光体について説明する。図3は図1に示したディスプレイ装置1の蛍光膜3を構成する蛍光体21の構造を模式的に説明するための図である。図3に示すように、蛍光体21は、電子源から放出される電子によって励起する蛍光体であり、緑色及び青色の各蛍光体粒子は、硫化亜鉛(ZnS)を母体として、Cu、Au、Agの少なくとも1種類を付活剤とし、アルミニウム(Al)、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)の少なくとも1種を共付活剤として含有する蛍光体であり、その表面にアルカリ土類の燐酸塩化合物による被覆層23を形成している。また赤色の蛍光体は、例えばユーロピウム付活酸硫化イットリウム(Y2O2S:Eu)等の希土類オキシ硫化物蛍光体である。
本実施の形態においては、硫化亜鉛を母体とする緑色及び青色の蛍光体をアルカリ土類の燐酸塩化合物により被覆することにより、蛍光体が高密度の電子線にさらされた場合であっても、分解ガスの発生を抑制して、この分解ガスが電子源である電子放出部14に付着することを防止するようになされている。
この実施の形態において、蛍光体21の被覆層23は、上述したアルカリ土類の燐酸塩化合物として、メタリン酸マグネシウム(Mg(PO3)2)、リン酸三マグネシウム(Mg3(PO4)2)、ピロリン酸マグネシウム(Mg2P2O7)、メタリン酸カルシウム(Ca(PO3)2)、リン酸三カルシウム(Ca3(PO4)2)、ピロリン酸カルシウム(Ca2P2O7)等のアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種類以上の物質からなるものである。メタリン酸マグネシウム(Mg(PO3)2)、リン酸三マグネシウム(Mg3(PO4)2)、ピロリン酸マグネシウム(Mg2P2O7)は、蛍光体の分解を抑え、水分を乾燥させる作用を有することから、蛍光体21の分解による電子源(カーボン・ナノ・チューブ2及び導線膜13)の汚染を抑制する性質を有する。これにより、このマグネシウムのリン酸化合物を蛍光体に均一にコーティングすることによって、電子源の電子放出の耐劣化性を高めることができる。
また、この被覆層23は透明性に優れることにより、初期輝度の低下が少ない。従って、蛍光体21にこの被覆層23を形成することにより、電子放出特性の経時的な低下を抑制しつつ、良好な発光輝度を得ることが可能となる。
ここで、ZnS:Cu、Au、Al(Cu、Auを付活剤、Alを共付活剤として含有する硫化亜鉛蛍光体)に対して、被覆層23としてリン酸マグネシウム(Mg(PO3)2)を0.05質量%コーティングした蛍光体により構成される蛍光膜3が設けられたディスプレイ装置1と、ZnシリケートがコーティングされているZnS:Cu、Au、Al蛍光体からなる蛍光膜が設けられたディスプレイ装置との電子放出特性の比較として、(放出電流Ie)対(素子印加電圧Vf)特性、および(素子電流If)対(素子印加電圧Vf)特性の典型的な例を図4に示す。
図4に示すように、リン酸マグネシウムがコーティングされた蛍光体21を用いたディスプレイ装置1の放出電流Ie1は、Znシリケートがコーティングされた蛍光体を用いたディスプレイ装置の放出電流Ie2に比べて大きく、電子放出効率が改善されている。
また電子放出効率Ie/Ifも3000時間経過後も低下が見られなかった。
このディスプレイパネルの10kV放射エネルギーの電子線促進寿命試験の結果は、Znシリケート処理を施したZnS:Ag、Al及びZnS:Cu、Al蛍光体を搭載したディスプレイスクリーンの効率I/I0はその初期に著しく減少し、最終的に初期値の30%程度で一定にとどまるが、本実施の形態にかかる蛍光体を有するディスプレイスクリーンの画面輝度はわずかにしか減少せず、初期値の約80%で一定にとどまる。
次に、被覆層23の具体的な形成方法について説明する。
(実施例1)
[リン酸マグネシウム被覆層の形成方法]
41gのグラハムの塩(メルク(Merck)社製)を5000mLの水に加えてかき混ぜ、1時間かき混ぜて溶解し、しかる後これをG3グラスフィルタ(ショット(Shott)社製)に通す。2000gのZnS:Ag、Al蛍光物質を前記溶液に懸濁させ、20分間かき混ぜる。これと同時に、56.7gのMg(NO3)2・4H2Oを4800mLの水に溶解し、1モルのアンモニア溶液 200mLを前記溶液に添加する。このアンモニアを含むマグネシウム塩溶液をこの蛍光物質懸濁液に添加する。2時間かき混ぜた後、コーティングした蛍光物質を沈降させ、上澄溶液を遠心分離により除く。このようにしてコーティングした蛍光物質を遠心分離して溶液から分離し、しかる後pH11.0の希釈した水酸化ナトリウム溶液で2回洗浄し、次にアセトンで洗浄し、しかる後140℃で乾燥する。
[リン酸マグネシウム被覆層の形成方法]
41gのグラハムの塩(メルク(Merck)社製)を5000mLの水に加えてかき混ぜ、1時間かき混ぜて溶解し、しかる後これをG3グラスフィルタ(ショット(Shott)社製)に通す。2000gのZnS:Ag、Al蛍光物質を前記溶液に懸濁させ、20分間かき混ぜる。これと同時に、56.7gのMg(NO3)2・4H2Oを4800mLの水に溶解し、1モルのアンモニア溶液 200mLを前記溶液に添加する。このアンモニアを含むマグネシウム塩溶液をこの蛍光物質懸濁液に添加する。2時間かき混ぜた後、コーティングした蛍光物質を沈降させ、上澄溶液を遠心分離により除く。このようにしてコーティングした蛍光物質を遠心分離して溶液から分離し、しかる後pH11.0の希釈した水酸化ナトリウム溶液で2回洗浄し、次にアセトンで洗浄し、しかる後140℃で乾燥する。
(実施例2)
[リン酸マグネシウム被覆層の形成方法]
41gのグラハムの塩(メルク(Merck)社製)を5000mLの水に加えてかき混ぜ、1時間かき混ぜて溶解し、しかる後これをG3グラスフィルタ(ショット(Shott)社製)に通す。2000gのZnS:Cu、Al蛍光物質を前記溶液に懸濁させ、20分間かき混ぜる。これと同時に、56.7gのMg(NO3)2・4H2Oを4800mLの水に溶解し、1モルのアンモニア溶液200mLを前記溶液に添加する。このアンモニアを含むマグネシウム塩溶液をこの蛍光物質懸濁液に添加する。2時間かき混ぜた後、コーティングした蛍光物質を沈降させ、上澄溶液を遠心分離により除く。このようにしてコーティングした蛍光物質を遠心分離して溶液から分離し、しかる後pH11.0の希釈した水酸化ナトリウム溶液で2回洗浄し、次にアセトンで洗浄し、しかる後140℃で乾燥する。
[リン酸マグネシウム被覆層の形成方法]
41gのグラハムの塩(メルク(Merck)社製)を5000mLの水に加えてかき混ぜ、1時間かき混ぜて溶解し、しかる後これをG3グラスフィルタ(ショット(Shott)社製)に通す。2000gのZnS:Cu、Al蛍光物質を前記溶液に懸濁させ、20分間かき混ぜる。これと同時に、56.7gのMg(NO3)2・4H2Oを4800mLの水に溶解し、1モルのアンモニア溶液200mLを前記溶液に添加する。このアンモニアを含むマグネシウム塩溶液をこの蛍光物質懸濁液に添加する。2時間かき混ぜた後、コーティングした蛍光物質を沈降させ、上澄溶液を遠心分離により除く。このようにしてコーティングした蛍光物質を遠心分離して溶液から分離し、しかる後pH11.0の希釈した水酸化ナトリウム溶液で2回洗浄し、次にアセトンで洗浄し、しかる後140℃で乾燥する。
(実施例3)
[リン酸カルシウム被覆層の形成方法]
16.8gのポリリン酸(96重量%、メルク社製)を5℃に冷却した1モルの水酸化リチウム溶液200mLと混合する。pH値が6未満に低下するとすぐに、水酸化リチウム溶液を滴加することにより、ポリリン酸が完全に溶解した後のこの溶液のpH値が約7になるようにする。次いで、この溶液に水を添加して2500mLとする。1000gのZnS:Ag、Al蛍光物質を前記溶液中に懸濁させ、20分間かき混ぜる。これと同時に、0.15モルのCa(NO3)2・4H2Oとを2400mLの水に溶解し、水酸化リチウム溶液を添加することにより、この溶液のpH値を11.9に設定する。アルカリカルシウム塩溶液をこの蛍光物質懸濁液に滴加し、水酸化リチウム溶液を添加することにより、この懸濁液のpH値を6.9〜7.5の間に保持する。1時間かき混ぜた後、このコーティングした蛍光物質を沈降させ、上澄溶液を除去する。前記蛍光物質粉末を水とアセトンの1:1混合物で数回洗浄し、次にこの蛍光物質粉末をアセトンで洗浄し、次いでこの蛍光物質粉末を 100℃で乾燥する。
[リン酸カルシウム被覆層の形成方法]
16.8gのポリリン酸(96重量%、メルク社製)を5℃に冷却した1モルの水酸化リチウム溶液200mLと混合する。pH値が6未満に低下するとすぐに、水酸化リチウム溶液を滴加することにより、ポリリン酸が完全に溶解した後のこの溶液のpH値が約7になるようにする。次いで、この溶液に水を添加して2500mLとする。1000gのZnS:Ag、Al蛍光物質を前記溶液中に懸濁させ、20分間かき混ぜる。これと同時に、0.15モルのCa(NO3)2・4H2Oとを2400mLの水に溶解し、水酸化リチウム溶液を添加することにより、この溶液のpH値を11.9に設定する。アルカリカルシウム塩溶液をこの蛍光物質懸濁液に滴加し、水酸化リチウム溶液を添加することにより、この懸濁液のpH値を6.9〜7.5の間に保持する。1時間かき混ぜた後、このコーティングした蛍光物質を沈降させ、上澄溶液を除去する。前記蛍光物質粉末を水とアセトンの1:1混合物で数回洗浄し、次にこの蛍光物質粉末をアセトンで洗浄し、次いでこの蛍光物質粉末を 100℃で乾燥する。
(実施例4)
[リン酸カルシウム被覆層の形成方法]
16.8gのポリリン酸(96重量%、メルク社製)を5℃に冷却した1モルの水酸化リチウム溶液200mLと混合する。pH値が6未満に低下するとすぐに、水酸化リチウム溶液を滴加することにより、ポリリン酸が完全に溶解した後のこの溶液のpH値が約7になるようにする。次いで、この溶液に水を添加して2500mLとする。1000gのZnS:Cu、Al蛍光物質を前記溶液中に懸濁させ、20分間かき混ぜる。これと同時に、0.15モルのCa(NO3)2・4H2Oとを2400mLの水に溶解し、水酸化リチウム溶液を添加することにより、この溶液のpH値を11.9に設定する。アルカリカルシウム塩溶液をこの蛍光物質懸濁液に滴加し、水酸化リチウム溶液を添加することにより、この懸濁液のpH値を6.9〜7.5の間に保持する。1時間かき混ぜた後、このコーティングした蛍光物質を沈降させ、上澄溶液を除去する。前記蛍光物質粉末を水とアセトンの1:1混合物で数回洗浄し、次にこの蛍光物質粉末をアセトンで洗浄し、次いでこの蛍光物質粉末を 100℃で乾燥する。
[リン酸カルシウム被覆層の形成方法]
16.8gのポリリン酸(96重量%、メルク社製)を5℃に冷却した1モルの水酸化リチウム溶液200mLと混合する。pH値が6未満に低下するとすぐに、水酸化リチウム溶液を滴加することにより、ポリリン酸が完全に溶解した後のこの溶液のpH値が約7になるようにする。次いで、この溶液に水を添加して2500mLとする。1000gのZnS:Cu、Al蛍光物質を前記溶液中に懸濁させ、20分間かき混ぜる。これと同時に、0.15モルのCa(NO3)2・4H2Oとを2400mLの水に溶解し、水酸化リチウム溶液を添加することにより、この溶液のpH値を11.9に設定する。アルカリカルシウム塩溶液をこの蛍光物質懸濁液に滴加し、水酸化リチウム溶液を添加することにより、この懸濁液のpH値を6.9〜7.5の間に保持する。1時間かき混ぜた後、このコーティングした蛍光物質を沈降させ、上澄溶液を除去する。前記蛍光物質粉末を水とアセトンの1:1混合物で数回洗浄し、次にこの蛍光物質粉末をアセトンで洗浄し、次いでこの蛍光物質粉末を 100℃で乾燥する。
(他の実施例)
なお上述の実施例においては、リン酸マグネシウムからなる被覆層23の形成方法として、実施例1〜実施例4の方法を用いる場合について述べたが、これに限られるものではなく、例えば、可溶性ポリリン酸アルカリ、もしくはポリリン酸アンモニウム、ヘキサメタリン酸ナトリウム、水溶性マグネシウム塩、若しくは水溶性カルシウム塩を用いて反応させることにより形成することもできる。
なお上述の実施例においては、リン酸マグネシウムからなる被覆層23の形成方法として、実施例1〜実施例4の方法を用いる場合について述べたが、これに限られるものではなく、例えば、可溶性ポリリン酸アルカリ、もしくはポリリン酸アンモニウム、ヘキサメタリン酸ナトリウム、水溶性マグネシウム塩、若しくは水溶性カルシウム塩を用いて反応させることにより形成することもできる。
(実施の形態の効果)
電子源としてカーボン・ナノ・チューブ2を導電膜13の比較的広い面積に分散して配置した電界放出型のディスプレイ装置1においては、三角錐形状の素子の頂点を電子源とするスピンド型の電界放出ディスプレイに比べて電子源の数が多くなっている。このことは、蛍光膜3において発生する分解ガスが電子源に付着し易いことを意味する。
電子源としてカーボン・ナノ・チューブ2を導電膜13の比較的広い面積に分散して配置した電界放出型のディスプレイ装置1においては、三角錐形状の素子の頂点を電子源とするスピンド型の電界放出ディスプレイに比べて電子源の数が多くなっている。このことは、蛍光膜3において発生する分解ガスが電子源に付着し易いことを意味する。
この実施の形態に係るディスプレイ装置1においては、蛍光膜3の蛍光体21にアルカリ土類の燐酸塩化合物を被覆することにより、電子線による分解ガスの発生を抑制する。
これにより、電子源であるカーボン・ナノ・チューブ2に蛍光体21の分解ガスが付着することを抑制して、電子放出特性の劣化を回避することができる。
また、水分も電子源汚染の一因となると考えられるが、リンの酸化物(P2O5)は酸性雰囲気中では脱水作用があることが知られており、燐酸塩化合物も類似した効果をもち、コーティング層自身が、残留水分を吸着し、電子源の汚染を低減することができる。
(第2の実施の形態)
本発明の第2の実施形態に係るディスプレイ装置31は、図5に示すように、電子線を放出するための電子源であり、蛍光膜に対向する基板において一定範囲を電子放出領域とするエミッタ素子と、エミッタ素子の電子線を放出する部位に対向し、電子源から放出される電子線によって励起される硫化亜鉛を母体とする蛍光体であって、表面にアルカリ土類の燐酸塩化合物を被覆した蛍光体により形成される蛍光膜を組み込んだスクリーンとを備えている。なお図5において、図1と同一の部分には同一符号を付してその重複した説明は省略する。
本発明の第2の実施形態に係るディスプレイ装置31は、図5に示すように、電子線を放出するための電子源であり、蛍光膜に対向する基板において一定範囲を電子放出領域とするエミッタ素子と、エミッタ素子の電子線を放出する部位に対向し、電子源から放出される電子線によって励起される硫化亜鉛を母体とする蛍光体であって、表面にアルカリ土類の燐酸塩化合物を被覆した蛍光体により形成される蛍光膜を組み込んだスクリーンとを備えている。なお図5において、図1と同一の部分には同一符号を付してその重複した説明は省略する。
図5に示すディスプレイ装置31は、電子を放出するための電子源である膜形状のエミッタ素子32が設けられた基板4と、エミッタ素子32から放出された電子が衝突することにより発光する蛍光膜3が設けられたフェースプレート5とが対向配置されている。基板4とフェースプレート5との間の空隙は、基板4及びフェースプレート5の周囲に設けられた側壁(図示せず)によって気密性が保たれるようになされており、真空状態に維持される。
フェースプレート5は、例えばガラス基板によって形成され、このフェースプレート5の基板5に対向する面部には蛍光膜3が形成されている。
蛍光膜3においては、図3について上述したように、赤色、緑色、青色、の3原色の蛍光体がストライプ状に塗り分けられている。緑色及び青色の蛍光体は、第1の実施の形態の場合と同様にして、硫化亜鉛(ZnS)を母体とし、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)の少なくとも1種を付活剤として含有すると共に、アルミニウム(Al)、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)の少なくとも1種を共付活剤として含有する蛍光体であり、その表面にアルカリ土類の燐酸塩化合物を被覆している。また赤色の蛍光体は、イットリウムのオキシ硫化物(Y2O2S)を主成分とする蛍光体である。なお赤色、緑色、青色の各蛍光体の配列は、ドット状に配列するようにしてもよい。また、蛍光体の各ストライプの間には黒色の導電体6(図3)が設けられている。
図6(a)、(b)に示すように、基板4上には、電子を放出するためのエミッタ素子32が赤色、緑色、青色の各蛍光体に対応して複数設けられている。なお図6においては、複数配置されたエミッタ素子の1つを示している。このエミッタ素子32は、基板4上に形成された素子電極35、36と、基板4の表面及び素子電極35、36の表面に亘って形成された導電性薄膜37と、導電性薄膜37において通電フォーミング処理により形成された亀裂状の電子放出部38と、電子放出部38の両側において導電性薄膜37の表面に通電活性化処理により形成された薄膜39とを備えている。電子放出部38は、基板4上において一定範囲の電子放出領域Sを形成している。
基板4としては、例えば、石英ガラス又は青板ガラス等の各種ガラス基板、アルミナ等の各種セラミクス基板、あるいは上述の各種基板上に例えば酸化シリコン(SiO2)を材料とする絶縁層を積層した基板等を用いることができる。
また、基板4上に互いに対向して設けられた素子電極35、36は、導電性を有する材料によって形成されている。この素子電極35、36としては、例えば、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、金(Au)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、白金(Pt)、チタン(Ti)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)等の金属、あるいはこれらの金属の合金、あるいはIn2O3−SnO2をはじめとする金属酸化物、ポリシリコンなどの半導体、等の中から適宜材料を選択して用いればよい。素子電極35、36を形成する方法としては、たとえば真空蒸着などの製膜技術とフォトリソグラフィー、エッチングなどのパターニング技術とを組み合わせて用いれば容易に形成できるが、それ以外の例えば印刷技術等を用いて形成してもよい。
素子電極35、36の形状は、ディスプレイ装置31の構造に合わせて適宜設計される。
素子電極35、36の電極間隔Lは、数十ナノメートル(nm)から数百マイクロメートル(μm)の範囲が望ましい。この実施形態においては、この電極間隔Lを、表示装置に応用するためにより望ましい数マイクロメートルから数十マイクロメートルの範囲に設定する。素子電極35、36の厚さDは、数十nmから数μmの範囲に設定する。
また、導電性薄膜37としては、微粒子膜を用いる。この微粒子膜に用いる微粒子の粒径は、数百ピコメートル(pm)から数百nmの範囲が望ましく、この実施形態においては、数nmから20nmの範囲に設定する。
また、この微粒子膜の膜厚は、素子電極35、36と電気的に良好に接続するために必要な条件、後述する通電フォーミングを良好に行うために必要な条件、微粒子膜自身の電気抵抗を後述する適宜の値にするために必要な条件等を考慮して適宜設定する。具体的には、数百pmから数百nmの範囲が望ましく、この実施形態においては、1nmから50nmの範囲に設定する。
また、導電性薄膜37を形成するのに用いられ得る材料としては、例えば、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、ルテニウム(Ru)、銀(Ag)、金(Au)、チタン(Ti)、インジウム(In)、銅(Cu)、クロム(Cr)、鉄(Fe)、亜鉛(Zn)、錫(Sn)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、鉛(Pb)、等の金属、PdO、SnO2、In2O3、PbO、Sb2O3などをはじめとする酸化物、HfB2、ZrB2、LaB6、CeB6、YB4、GdB4などをはじめとする硼化物、TiC、ZrC、HfC、TaC、SiC、WCなどをはじめとする炭化物や、TiN、ZrN、HfNなどをはじめとする窒化物や、ケイ素(Si)、ゲルマニウム(Ge)などをはじめとする半導体、カーボンなどがあげられ、これらの中から適宜選択される。
以上述べたように、導電性薄膜37を微粒子膜で形成したが、そのシート抵抗値については、103〜107Ω/cm2の範囲に含まれるよう設定した。
なお、導電性薄膜37と素子電極35、36とは、電気的に良好に接続されることが望ましいため、互いの一部が重なりあうような構造としている。その重なり方は、図6(b)に示す構成においては、基板4、素子電極35、36、導電性薄膜37の順序で積層したが、必要に応じて基板4、導電性薄膜37、素子電極35、36の順序で積層するようにしてもよい。
また、電子放出部38は、導電性薄膜37の一部に形成された亀裂状の部分であり、電気的には周囲の導電性薄膜37よりも高抵抗な性質を有している。この亀裂は、導電性薄膜37に対して、通電フォーミングの処理を行うことにより形成する。通電フォーミング処理とは、微粒子膜で形成された導電性薄膜37に通電を行ってその一部を破壊、変形、変質させることにより、電子放出を行うために好適な構造に変化させる処理である。亀裂内には、数百pmから数十nmの粒径の微粒子を配置する場合がある。なお、実際の電子放出部38の位置や形状を精密かつ正確に図示するのは困難なため、図5、図6においては模式的に示している。
また、薄膜39は、炭素又は炭素化合物よりなる薄膜であり、電子放出部38及びその近傍を被覆している。薄膜39は、通電フォーミング処理後に、通電活性化の処理を行うことにより形成する。通電活性化処理とは、真空雰囲気中で電圧パルスを定期的に印加することにより、真空雰囲気中に存在する有機化合物を起源とする炭素又は炭素化合物を堆積させる処理である。この堆積物は、単結晶グラファイト、多結晶グラファイト、非晶質カーボンのいずれか、もしくはその混合物であり、膜厚は50nm以下とするが、30nm以下とするのがさらに好ましい。
なお、実際の薄膜39の位置や形状を精密に図示するのは困難なため、図5、図6においては模式的に示している。
以上説明した構成のエミッタ素子32を有するディスプレイ装置31において、素子電極35、36間に10数ボルトの電圧(Vf)を印加することにより、導電性薄膜37に形成された亀裂状の電子放出部38の一方の端部から電子が放出され、その電子の一部が他方の端部で散乱される。この散乱した電子は、10キロボルト程度のアノード電圧Vaによって加速されて、蛍光膜3の蛍光体に衝突する。この衝突により蛍光体が発光する。
次に、蛍光膜3の蛍光体について説明する。この実施の形態の蛍光体は、図3について上述した第1の実施の形態の蛍光体21と同様の蛍光体であり、緑色及び青色の各蛍光体粒子は、硫化亜鉛(ZnS)を母体として、Cu、Au、Agの少なくとも1種類を付活剤とし、アルミニウム(Al)、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)の少なくとも1種を共付活剤として含有する蛍光体であり、その表面にアルカリ土類の燐酸塩化合物による被覆層23を形成している。また赤色の蛍光体は、例えばユーロピウム付活酸硫化イットリウム(Y2O2S:Eu)等の希土類オキシ硫化物蛍光体である。
このように、硫化亜鉛を母体とする緑色及び青色の蛍光体をアルカリ土類の燐酸塩化合物により被覆することにより、蛍光体が高密度の電子線にさらされた場合であっても、分解ガスの発生を抑制して、この分解ガスが電子源である電子放出領域S(図6(a))に付着することを防止するようになされている。
蛍光体21の被覆層23は、上述したアルカリ土類の燐酸塩化合物として、メタリン酸マグネシウム(Mg(PO3)2)、リン酸三マグネシウム(Mg3(PO4)2)、ピロリン酸マグネシウム(Mg2P2O7)、メタリン酸カルシウム(Ca(PO3)2)、リン酸三カルシウム(Ca3(PO4)2)、ピロリン酸カルシウム(Ca2P2O7)等のアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種類以上の物質からなるものである。メタリン酸マグネシウム(Mg(PO3)2)、リン酸三マグネシウム(Mg3(PO4)2)、ピロリン酸マグネシウム(Mg2P2O7)は、蛍光体の分解を抑え、水分を乾燥させる作用を有することから、蛍光体の分解による電子放出領域Sの汚染を抑制する性質を有する。これにより、このマグネシウムのリン酸化合物を蛍光体に均一にコーティングすることによって、電子源側の電子放出の耐劣化性を高めることができる。
また、この被覆層23は透明性に優れることにより、初期輝度の低下が少ない。従って、蛍光体21にこの被覆層23を形成することにより、電子放出特性の経時的な低下を抑制しつつ、良好な発光輝度を得ることが可能となる。
ここで、ZnS:Cu、Au、Al(Cu、Auを付活剤、Alを共付活剤として含有する硫化亜鉛蛍光体)に対して、被覆層23としてリン酸マグネシウム(Mg(PO3)2)を0.05質量%コーティングした蛍光体により構成される蛍光膜3が設けられたディスプレイ装置31と、ZnシリケートがコーティングされているZnS:Cu、Au、Al蛍光体からなる蛍光膜が設けられたディスプレイ装置との電子放出特性として、(放出電流Ie)対(素子印加電圧Vf)特性、および(素子電流If)対(素子印加電圧Vf)特性の典型的な例を図7に示す。
図7に示すように、リン酸マグネシウムがコーティングされた蛍光体21を用いたディスプレイ装置31の放出電流Ie1は、Znシリケートがコーティングされた蛍光体を用いたディスプレイ装置の放出電流Ie2に比べて大きく、電子放出効率が改善されている。
Ie/If=1.0%であり、3500時間経過後もこの放出効率の維持率の低下が見られなかった。
10kVの放射エネルギーの電子線促進寿命試験の結果は、Znシリケート処理を施したZnS:Ag、Al及びZnS:Cu、Al蛍光体を搭載したディスプレイスクリーンの効率I/I0(I0は初期の輝度、Iは一定時間経過後の輝度を表す)は、その初期に著しく減少し、最終的に初期値の20%程度で一定にとどまるが、本実施形態にかかる蛍光物質を有するディスプレイスクリーンの画面輝度はわずかにしか減少せず、初期値の約80%で一定にとどまる。
図8に示すように、電子放出効率(Ie/If)は、電子線照射時間hrの経過と共に低下するが、本実施の形態の被覆層23を形成した蛍光体21を用いたディスプレイ装置31における電子放出率(Ie/If)1は、Znシリケート処理を施したディスプレイ装置における電子放出率(Ie/If)2に比べて3000時間経過しても高い効率を維持する。
また、被覆層23に用いられるマグネシウムのリン酸塩は、Mgに換算して、0.01〜0.5質量%の範囲になるようにコーティングすることが好ましい。図9は図7の特性をもつ被覆層23付きの蛍光体21のマグネシウムリン酸塩のコーティング量と蛍光膜3(ディスプレイパネル)の寿命との関係の一例を示す図である。リン酸マグネシウムのコーティング量が増加するにつれて、パネル寿命が延びることがわかる。実用的なパネル寿命を得る上で、マグネシウム燐酸塩によるコーティング量はMgに換算して、0.05質量%以上であることが好ましい。ただし、コーティング量をあまり多くしすぎると、パネルの初期輝度が低下するため、マグネシウムリン酸塩のコーティング量はMgに換算して、0.5質量%以下であることが好ましい。この実施の形態においては、コーティング量を0.03〜0.20質量%の範囲に設定する。
このようにして製造したコーティングは約10nmの厚さを有する。表面を構成している元素を確認するための分析手段として、Auger エレクトロン スペクトロスコピー測定法により、コーティングが蛍光物質基材を完全に覆うことを確かめることができる。なおコーティングが基材粒子を完全に封入することは本発明に必須ではない。このコーティングは親水性であり、通常のコーティングと親和性があり、その後に設けられる、他のコーティングのための基底層として適切に用いて、この物質の粉体特性又は彩度を改良することができる。このコーティングはそれ自体、劣化の信号を何も示さない。電子線照射試験が示すところでは、電子放出効率の向上と安定が図られ、全体として、コーティングによりそのディスプレイの寿命が数倍向上する。
(実施の形態の効果)
電子源として亀裂状の電子放出部38を有するエミッタ素子32を用いたディスプレイ装置31においては、電子放出部38と蛍光膜3との間の距離が小さく、これらの真空封入管の空間が狭いため、生成ガスがCRTのように側壁に吸着することも少なく、このガスの排気も難しい。またエミッタ素子32においては、三角錐形状の素子の頂点を電子放出部とする電界放出ディスプレイ(FED)に比べて電子放出領域Sの面積が大きい。このことは、蛍光膜3において発生する分解ガスが電子放出領域Sに付着し易いことを意味する。
電子源として亀裂状の電子放出部38を有するエミッタ素子32を用いたディスプレイ装置31においては、電子放出部38と蛍光膜3との間の距離が小さく、これらの真空封入管の空間が狭いため、生成ガスがCRTのように側壁に吸着することも少なく、このガスの排気も難しい。またエミッタ素子32においては、三角錐形状の素子の頂点を電子放出部とする電界放出ディスプレイ(FED)に比べて電子放出領域Sの面積が大きい。このことは、蛍光膜3において発生する分解ガスが電子放出領域Sに付着し易いことを意味する。
この実施の形態に係るディスプレイ装置31においては、亀裂状の電子放出部38を有するエミッタ素子32を用いた構成において、蛍光膜3の蛍光体21にアルカリ土類の燐酸塩化合物を被覆することにより、電子線による分解ガスの発生を抑制する。
これにより、電子源であるエミッタ素子32の電子放出領域Sに蛍光体の分解ガスが付着することを抑制して、電子放出特性の劣化を回避することができる。
また、水分も電子源汚染の一因となると考えられるが、リンの酸化物(P2O5)は酸性雰囲気中では脱水作用があることが知られており、燐酸塩化合物も類似した効果をもち、コーティング層自身が、残留水分を吸着し、電子源の汚染を低減することができる。
1、31 ディスプレイ装置
2 カーボン・ナノ・チューブ
3 蛍光膜
4 基板
5 フェースプレート
6 アルミニウム膜
9 カソード
10、32 エミッタ素子
11 絶縁材
13 導電膜
15 制御電極
35、36 素子電極
37 導電性薄膜
38 電子放出部
39 薄膜
2 カーボン・ナノ・チューブ
3 蛍光膜
4 基板
5 フェースプレート
6 アルミニウム膜
9 カソード
10、32 エミッタ素子
11 絶縁材
13 導電膜
15 制御電極
35、36 素子電極
37 導電性薄膜
38 電子放出部
39 薄膜
Claims (3)
- 蛍光膜に対向する基板上に設けられ、前記蛍光膜に対向する一定範囲を電子放出領域とするエミッタ素子と、
前記エミッタ素子から放出される電子線によって励起される硫化亜鉛を母体とする蛍光体であって、表面にアルカリ土類の燐酸塩化合物を被覆した蛍光体からなる前記蛍光膜を組み込んだスクリーンと、
を備えることを特徴とするディスプレイ装置。 - 前記アルカリ土類の燐酸塩化合物の金属元素がMg、Caから選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1に記載のディスプレイ装置。
- 前記アルカリ土類の燐酸塩化合物は、前記金属元素に換算して、蛍光体に対して0.01〜0.5質量%の範囲で被覆されていることを特徴とする請求項2に記載のディスプレイ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004357145A JP2006164852A (ja) | 2004-12-09 | 2004-12-09 | ディスプレイ装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011049095A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Futaba Corp | 蛍光表示装置及びその製造方法 |
-
2004
- 2004-12-09 JP JP2004357145A patent/JP2006164852A/ja active Pending
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A977 | Report on retrieval |
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