JP2006156982A5 - - Google Patents
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Claims (13)
- ビームの進行方向に沿った面に互いに対面し、平行でかつ所定の間隙をもって配置された２つの光反射面を有するビーム進行光導波路に、前記光反射面に交差する方向の面にビームの進行方向を変更する進路変更反射面を複数形成したことを特徴とするビームホモジナイザ。
- 前記ビーム進行光導波路は、表面が平らで、均一な厚さの透光性板状体内に形成されたものである請求項１に記載のビームホモジナイザ。
- 前記ビーム進行光導波路は、板に反射性被膜を形成したミラー２枚を間隙を以って平行に対面して配置することにより形成されたものである請求項１に記載のビームホモジナイザ。
- 前記ビーム進行光導波路の前記光反射面を備える面の形状は５角形で、互いに隣接する辺に入射口及び射出口を形成し、その入射口及び射出口を形成した２つの辺に隣接する辺に前記進路変更反射面を形成した２つの進路変更反射面を持つ請求項１ないし３のいずれか１項に記載のビームホモジナイザ。
- 前記ビーム進行光導波路の前記光反射面を備える面の形状は５角形で、互いに隣接する辺に入射口及び射出口を形成し、その入射口及び射出口を形成した以外の全ての辺に前記進路変更反射面を形成した３つの進路変更反射面を持つ請求項１ないし３のいずれか１項に記載のビームホモジナイザ。
- 前記入射口、前記射出口の少なくとも一方の形状が、線状である請求項４又は５に記載のビームホモジナイザ。
- ビームの進行方向に沿った面に互いに対面し、平行でかつ所定の間隙をもって配置された２つの光反射面を有するビーム進行光導波路に、前記光反射面に交差する方向の面にビームの進行方向を変更する進路変更反射面を複数形成した短辺方向のエネルギー密度分布が均一化されたビームを形成するビームホモジナイザ、前記ビームを順次入射して長辺方向のエネルギー密度分布を均一化するシリンドリカルレンズアレイとシリンドリカルレンズ、及びそこから射出された長辺方向及び短辺方向のエネルギー密度分布が均一化された照射ビームを投影する照射面を設置するステージを備えたことを特徴とするレーザ照射装置。
- 請求項１ないし６のいずれか１項に記載のビームホモジナイザを用いることにより短辺方向のエネルギー密度分布が均一化されたビームを形成するレーザ照射装置。
- ビームの進行方向に沿った面に互いに対面し、平行でかつ所定の間隙をもって配置された２つの光反射面を有するビーム進行光導波路に、前記光反射面に交差する方向の面にビームの進行方向を変更する進路変更反射面を複数形成したビームホモジナイザに、レーザビームを入射して短辺方向のエネルギー密度分布が均一化されたレーザビームを形成し、
前記短辺方向のエネルギー密度分布が均一化されたレーザビームをシリンドリカルレンズアレイ及びシリンドリカルレンズに順次通過させることによって長辺方向のエネルギー密度分布も均一化した照射レーザビームを形成し、
次いで、前記照射レーザビームを照射面に照射することを特徴とするレーザ照射方法。 - ビームの進行方向に沿った面に互いに対面し、平行でかつ所定の間隙をもって配置された２つの光反射面を有するビーム進行光導波路に、前記光反射面に交差する方向の面にビームの進行方向を変更する進路変更反射面を複数形成したビームホモジナイザに、レーザビームを入射して短辺方向のエネルギー密度分布が均一化されたレーザビームを形成し、
前記短辺方向のエネルギー密度分布が均一化されたレーザビームをシリンドリカルレンズアレイ及びシリンドリカルレンズに順次通過させることによって長辺方向のエネルギー密度分布も均一化した照射レーザビームを形成し、
次いで、前記照射レーザビームを基板上の非単結晶半導体膜に照射することを特徴とするレーザ照射方法。 - ビームホモジナイザが請求項１ないし６のいずれか１項に記載のものである請求項９又は１０に記載のレーザ照射方法。
- ビームの進行方向に沿った面に互いに対面し、平行でかつ所定の間隙をもって配置された２つの光反射面を有するビーム進行光導波路に、前記光反射面に交差する方向の面にビームの進行方向を変更する進路変更反射面を複数形成したビームホモジナイザに、レーザビームを入射して短辺方向のエネルギー密度分布が均一化されたレーザビームを形成し、
前記短辺方向のエネルギー密度分布が均一化されたレーザビームをシリンドリカルレンズアレイ及びシリンドリカルレンズに順次通過させることにより長辺方向のエネルギー密度分布も均一化した照射レーザビームを形成し、
次いで、前記照射レーザビームを基板上の非単結晶半導体膜に照射することを特徴とするレーザアニール方法。 - ビームホモジナイザが請求項１ないし６のいずれか１項に記載のものである請求項１２に記載のレーザアニール方法。
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| JP2005313005A JP4921771B2 (ja) | 2004-10-27 | 2005-10-27 | ビームホモジナイザ、それを利用するレーザ照射方法及びレーザ照射装置、並びに非単結晶半導体膜のレーザアニール方法 |
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| JP2005313005A Expired - Fee Related JP4921771B2 (ja) | 2004-10-27 | 2005-10-27 | ビームホモジナイザ、それを利用するレーザ照射方法及びレーザ照射装置、並びに非単結晶半導体膜のレーザアニール方法 |
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